TW475994B

TW475994B - Memory testing device

Info

Publication number: TW475994B
Application number: TW088116309A
Authority: TW
Inventors: Kazuhiko Sato
Original assignee: Advantest Corp
Priority date: 1998-09-21
Filing date: 1999-09-22
Publication date: 2002-02-11
Also published as: KR100328615B1; KR20000023326A; JP2000100196A; JP4121634B2; US6477672B1

Description

475994 A7 B7 ____ 五、發明說明（1 ) 發明之背景 1 .發明之領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於試驗例如被稱爲快閃記憶體（flash •memory )、快閃 E E P R 〇 Μ 或快閃 E 2 P R 〇 M ( flash electrically erasable programmable read only memory )等’ 以全位元或區塊單位電氣地可以一齊抹除與再寫入之不揮發性記憶體（η ο η - v ο 1 a t i 1 e m e m 〇 r y )之記憶體試驗裝置。 2 .關連技術之說明經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在可以重寫之讀出專用記憶體P R〇Μ ( programmable read only memory:可程式唯讀記憶體）之內’ 將藉由全位元之記憶內容或以區塊單位將記億內容電氣地抹去、再寫入，可以重寫記憶內容之記憶體在此技術領域中稱爲快閃記憶體。此快閃記憶體（例如：N A N D型之快閃記憶體）如圖8所示般地，其之內部被分成複數個之區塊（在此例中，爲No · 1至No · 1024之 1 0 2 4個之區塊），各區塊由N頁（N爲2以上之整數 )形成，各頁由Μ位元（M爲2以上之整數）構成。而且，全位元之記憶內容當然以區塊單位可以將記憶內容電氣地抹去，藉由對此抹去此記憶內容之區塊或全區塊再寫入，可以重寫記憶內容地。一般，以各區塊由1 6頁（Ν = 16)形成，而且，各頁由512位元（Μ二512)構成爲多。習知上，此快閃記億體係藉由試驗、測定一般之記憶本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -4 - 475994 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（2 ) 體（例如，由半導體積體電路（I c )所構成之記憶體）之記憶體試驗裝置加以試驗、測定。圖9係顯示習知上被使用之一般的記憶體試驗裝置之槪略構成。例示之記憶體試驗裝置係藉由主控制器1 0 0 ，及在此技術領域被稱爲主機（main frame )之試驗裝置本體 2〇〇，及測試頭3 0 0所構成。試驗裝置本體2 0 0在此例中，具備：時機產生器T G、模式產生器P G、波形格式器FC、驅動器DR、電壓比較器VCP、邏輯比較器L〇C、不良解析記憶體A F Μ。測試頭3 0 0與試驗裝置本體2 0 0分開構成，通常在其上部裝置規定個數之裝置插座（未圖示出）。又，在測試頭3 0 0之內部收存在此技術領域被稱爲銷卡之印刷基板，通常，包含試驗裝置本體2 0 〇之驅動器D R以及電壓比較器V C Ρ之電路被形成在此銷卡。一般，測試頭 3 0 0被安裝在此技術領域被稱爲處理器之半導體裝置搬送以及處理裝置之測試部，測試頭3 0 〇與試驗裝置本體 2 0 0係藉由纜線、光纖等之信號傳送手段被電氣地連接著。應試驗之記憶體（被試驗記憶體）M U Τ被裝置於測試頭3 0 0之裝置插座，通過此插座，由試驗裝置本體 2〇0對被試驗記憶體M U Τ寫入測試模式信號，又，由被試驗記憶體M U Τ被讀出之響應信號被供給於試驗裝置本體2 0 0，進行被試驗記憶體Μ υ 丁之試驗、測定。又，於圖9中，雖然只有複數個（在此例中爲4個） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

· -丨線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -5- 475994 A7 B7 五、發明說明（3 ) 顯示驅動器D R，實際上，驅動器D R只有設置規定個數，例如5 1 2個。又，爲了使圖面簡單化，在圖9中，除了驅動器D R外，將主機2 0 0內之元件（時機產生器 •TG、模式產生器PG、波形格式器fc、電壓比較器 V C P、邏輯比較器l〇C、不良解析記憶體A F Μ )以 1個之區塊顯示之，實際上，除了時機產生器T G外，主機2 0 〇內之剩餘元件也設置爲與驅動器d R相同之個數 (例如5 1 2個）。即只有時機產生器T G對於被試驗記億體M U Τ之各銷，被共通地使用。主控制器1 0 0例如藉由具有工作站（work station ) 程度之規模之電腦系統而搆成，使用者（程式者）製作之測試程式1 〇 1被預先儲存，遵循此測試程式1 〇 1進行記憶體試驗裝置全體之控制。主控制器1 〇〇通過測試匯流排2 0 1與主機2 0 0內之時機產生器T G、模式產生器P G等連接，遵循由主控制器1 〇〇被輸出之控制命令，實行被試驗記憶體M U T之試驗。在模式產生器P G於試驗開始前，預先儲存被記述於儲存在主控制器1 0 〇之測試程式之模式產生順序，模式產生器P G由主控制器1 〇〇如被給予測試開始命令，遵循此被儲存之模式產生順序，輸出應施加於被試驗記憶體 M U Τ之測試模式資料。此模式產生器P G —般使用 A L P G ( Algorithmic Pattern Generator :算法模式產生器 )。所謂A L P G係指：將施加在半導體裝置（例如I C )之測試模式，利用具有內部之運算機能之寄存器，藉由本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -6 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一5J. -I線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 475994 A7 ___B7_________ 五、發明說明（4 ) 運算產生之模式產生器。在時機產生器T G於試驗開始前，預先儲存在被記述於儲存在主控制器1 〇 0之測試程式之每一測試週期被輸 •出之時機資料，時機產生器T G遵循此被儲存之時機資料，在每一測試週期輸出時鐘脈衝（時機脈衝）。此時機脈衝被給於波形格式器F C、邏輯比較器L 0 C等。波形格式器F C依據模式產生器P G輸出之測試模式資料與時機產生器T G輸出之時機脈衝，規定邏輯波形之上升之時機及下降之時機，產生具有變化爲Η邏輯（邏輯 “ 1 ” ）及L邏輯（邏輯“ 〇 ” ）之實波形之測試模式信號，通過驅動器D R，對此被試驗記憶體M U Τ施加此測試模式信號。驅動器D R將波形格式器F C輸出之測試模式信號之振幅規定爲所希望之振幅（Η邏輯，即邏輯“ 1 ”之電壓以及L邏輯，即邏輯“ 〇 ”之電壓），施加於測試頭 3〇0之裝置插座，驅動被試驗記憶體M U Τ。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製電壓比較器V C Ρ判定被試驗記憶體M U Τ輸出之響應信號之邏輯値是否具有正規之電壓値。即判定在Η邏輯之響應信號之情形，Η邏輯之電壓是否顯示規定之電壓値以上之値，判定在L邏輯之響應信號之情形，L邏輯之電壓是否顯示在規定之電壓値以下之値。電壓比較器VCP之判定結果如爲良（通過），該輸出信號被輸入邏輯比較器L〇C，於此邏輯比較器L〇C 被與由模式產生器P G給予之期待値模式資料（信號） -7- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 475994 Α7 Β7 五、發明說明（5 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) E X P比較，以判定被試驗記憶體Μ U T是否輸出正常之響應信號。邏輯比較器L 0 C之比較結果被記憶在不良解析記憶體A F Μ。 _ 邏輯比較器L〇C如兩信號不一致，判定其之響應信號被讀出之被試驗記憶體M U Τ之位址之記憶體單元爲不良’產生顯示此事之不合格信號。通常，此不合格丨§號一被產生，經常被施加於不良解析記憶體A F Μ之資料輸入端子之邏輯“1”信號成爲可寫入，在藉由由模式產生器 P G被供給之位址信號A D R被指定之不良解析記憶體 A F Μ之記憶體單元，邏輯“ 1 ”資料被當成不合格資料被寫入。一般，不合格資料（邏輯“ 1 ” ）與被試驗記憶體M U Τ之不良記憶體單元之位址相同，被記憶於不良解析記憶體A F Μ之位址。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製相對於此，被試驗記憶體之響應信號與期待値模式資料Ε X Ρ如爲一致，邏輯比較器L 0 C判定該響應信號被讀出之被試驗記憶體M U Τ之位址之記憶體單元爲正常’ 產生顯示此事之通過信號。此通過信號通常不被儲存於不良解析A F Μ。試驗終了後，參考被儲存在不良解析記憶體A F Μ之不合格資料，進行被試驗記憶體M U Τ之不良解析。例如，在利用於不良救濟之情形，藉由讀出之不合格資料製作不合格圖，以被判定被試驗記憶體M U Τ之不良記憶體單元之救濟是否可能。如所周知般地，不良解析記憶體A F Μ係藉由具有與本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -8 - 475994 Α7 Β7 五、發明說明（6 ) 被試驗記憶體M U T相等或其以上之記憶體谷里之日3彳思體構成以便可以儲存被試驗記憶體M U Τ之全位元之良否判定結果。 . 因此，習知上，在試驗快閃記憶體之情形’全位元之良否判定結果也被儲存於不良解析記憶體A F Μ。試驗終了後，藉由被供給於不良解析記憶體A F Μ之位址信號，辨識快閃記憶體之各區塊，在每一區塊計算不良記憶體單元之數目，例如，進行可否救濟之不良救濟解析等。在測試快閃記憶體之際，首先，被進行初期測試，只對於在初期測試被判定爲良（通過）之快閃記憶體實行機能測試。此初期測試爲：例如對於被試驗快閃記憶體之全位元之記憶體單元，通常寫入“ 1 ”之邏輯値（也有“ 0 ”之邏輯値之情形），之後將其讀出。在讀出之邏輯値與寫入邏輯値不一致之情形，判定該記憶體單元有缺陷，判定含有此種缺陷記憶體單元之區塊爲不良區塊。在此初期測試中，產生不一致之記憶體單元很多具備致命的缺陷無法救濟之情形。因此，一般，在初期測試被判定爲有缺陷之記憶體單元，即使只有1個存在之區塊，即不良區塊被視爲不能使用，在初期測試被檢測之不良區塊之數目在規定値以上，例如5個程度存在之情形，在初期測試之階段判定被試驗快閃記憶體爲不良品，不實行機能測試。只對於在初期測試中，不良區塊之數目比規定値還少 ’被判定爲良之快閃記憶體實行機能測試。此機能測試只請先閱讀背面之注意事項再寫本頁經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 9 475994 Α7 Β7 五、發明說明（7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 對於在初期測試被判定爲良之區塊（以下，稱此爲通過區塊），重複寫入試驗模式信號之動作與將其讀出之動作，將讀出之資料（即被試驗快閃記憶體之響應信號）藉由邏 •輯比較器L〇C比較、判定是否與寫入資料（即由模式產生器P G來之期待値模式資料E X P )〜致。在兩資料不一致之情形’與該不一致產生之被試驗快閃記憶體之位址相同，在不良解析記憶體A F Μ之位址，如上述般地，通常寫入邏輯“ 1 ”之不合格資料，記憶不一致產生之記憶體單元之位置。而且，在機能測試終了後，讀出不良解析記憶體A F Μ之記憶內容，藉由不良記憶體單元之數目與不良記憶體單'元之位置，判定被試驗快閃記憶體之救濟可否。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製如上述般地，在快閃記憶體之測試中，於初期測試判定即使有1個缺陷記憶體單元存在之區塊爲不良區塊，在此不良區塊爲規定數目以上存在之情形，該快閃記憶體被判定爲不良品，。另一方面，在不良區塊數目少於規定個數之快閃記憶體，只對於通過區塊進行機能測試。因此，對於不良區塊，不實行機能測試。以後，稱不良區塊爲壞區塊。因此，於初期測試中’習知上將對應被試驗快閃記憶體之各區塊之不良解析記憶體A F Μ之位址領域1個位址 1個位址地依序讀出，以檢所在該位址領域是否被寫入顯示不良之資料（一般爲邏輯“ 1 ”資料）’藉由此檢索結果，判定不良區塊之數目是否在規定値以上。因此’在不本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10- 475994 _____________B7 _ 五、發明說明（8 ) 良資料之檢索花時間，具有測試之產出（測試效率）非常不好之缺點。請先閱讀背 © 之注意事項再再者’於之後之快閃記憶體之機能測試中，在測試對 |象之通過區塊之各位址’至寫入被正確實行爲止地，涵蓋數次地實行再寫入動作，此再寫入之動作次數到達事先被設定之次數，例如6次之程度，中止對該位址之寫入，進行對下一位址之寫入動作同時，將無法做此寫入之位址當成不良位址使之記憶於不良解析記憶體A F Μ。因此，通過區塊內一存在寫入完全無法實行之位址，再寫入動作之時間被加上去之故，會有機能試驗所花時間變長之缺點。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製特別是，在同時試驗複數之快閃記憶體之情形，在其中’通過區塊含有不良位址之快閃記憶體即使只有1個存在’對於此快閃記憶體之寫入動作，在存取該不良位址之情形’被進行規定次數之故，其它之快閃記憶體對於其之寫入動作，不管是否爲1次便完了，對於此不良位址之寫入動作必須等待至被進行至規定次數爲止。其結果，其它之快閃記憶體變成浪費時間，因此，會有時間更長之重大缺點。近年來，在減少試驗測試之目的下，出現很多之可以同時試驗、測定多數個（例如6 4各）之半導體記憶體之半導體記憶體試驗裝置，在此種半導體記憶體試驗裝置中，如多數個同時測試快閃記憶體，在其中，於不良區塊包含不良位址之快閃記憶體存在1個之可能性非常高。因此 ’使上述測試時間便長之缺點會導致增加試驗測試成本之 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 475994 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（9 ) 結果。發明之槪要本發明之目的之一爲提供：可以顯著縮短對於以全位兀或區塊卓flA可以電氣地一齊抹去與再寫入之不揮發性記憶體之初期測試之終了後進行之壞區塊之檢索所需要之時間之記憶體試驗裝置。本發明之其它之目的在於提供：在複數個、同時測試以全位元或區塊單位可以電氣地一齊抹去與再寫入之不揮發性記憶體之際，可以短時間進行對於初期測試終了後被實行之通過區塊之機能測試之記憶體試驗裝置。本發明之另外的其它目的在於提供：可以設定各種之測試模式之記憶體試驗裝置。爲了達成上述目的，於本發明之第1面，提供：在試驗以全位元或區塊單位可以電氣地一齊抹去與再寫入之不揮發性記憶體之記憶體試驗裝置中’於設置具有對應被試驗記憶體具備之區塊數之數目之記憶領域之第1壞區塊記憶體，在被試驗記憶體之全部的區塊之記憶體單元寫入一定之邏輯値，讀出該寫入之邏輯値’判定此讀出之邏輯値是否與上述寫入之邏輯値一致，有不一致之記憶體單元即使只有1個存在之區塊，當成不良區塊加以檢出之初期測試模式中’每當不良區塊被檢出’在對應此不良G塊之上述第1壞區塊記憶體之記憶領域記憶表示上述不良區塊之壞區塊資料之記憶體試驗裝置° (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

.. -丨線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公爱） -12- 475994 A7 B7 五、發明說明（1〇 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述第1壞區塊記憶體，在同時測試複數個之被試驗記憶體之情形，以每一各被試驗記憶體而被設置。又，上述不揮發性記憶體其之內部被分成複數個之區塊，各區塊 ‘由N頁形成，各頁由Μ位元所構成。於理想之第1實施例，上述記憶體試驗裝置更具備：由被供給於上述被試驗記憶體之位址信號選擇特定之位元 ’產生存取對應藉由此位址信號被存取之上述被試驗記憶體之位址所屬之區塊之上述第1壞區塊記憶體之記憶領域之區塊位址信號之區塊位址選擇手段。上述區塊位址選擇手段於機能測試模式中，由被包含於被供給於上述被試驗記憶體之試驗模式信號之位址信號 ’選擇特定之位元，產生存取上述第1壞區塊記憶體之記憶領域之區塊位址信號，由上述第1壞區塊記憶體讀出被儲存於此之壞區塊資料。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製上述記憶體試驗裝置更具備：在由上述第1壞區塊記憶體讀出壞區塊資料之情形，禁止上述被試驗記憶體之機 Μ匕測ό式之遮蔽控制手段’以及在初期測試終了後，計算被儲存於上述第1壞區塊記憶體之壞區塊資料之數目之壞區塊計數器。理想之第2實施例，上述記憶體試驗裝置更具備：記憶顯示於機能測試模式中被檢出之不良區塊之壞區塊資料之第2壞區塊記憶體，上述壞區塊計數器計算在初期測試以及機能測試終了後，分別被儲存於上述第1壞區塊記億體以及上述第2壞區塊記憶體之壞區塊資料之數目。本紙張尺度過用宁國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）.13 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 475994 A7 _____B7_ 五、發明說明（11 ) 依據上述構成，藉由讀出第1壞區塊記憶體之記憶內容，可以在極短時間合計被試驗記憶體之壞區塊之數目。因此，可以顯著縮短初期測試所需要之時間。 • 又，在機能測試時，由被供給於被試驗記憶體之位址信號產生區塊位址信號，藉由此區塊位址信號，存取第1 壞區塊記憶體，讀出此第1壞區塊記憶體之記憶內容，將被讀出之壞區塊資料當成中止機能測試之遮蔽資料利用之故，在壞區塊資料被讀出之情形，可以立刻禁止對應該壞區塊資料被讀出之區塊之被試驗記憶體之區塊之機能測試。因此，可以縮短機能測試所需要之時間。特別是，在同時測試複數個之被試驗記憶體之情形，壞區塊被存取之被試驗記憶體被禁止機能測試，不實行其之區塊之機能測試之故，對於此壞區塊被存取之被試驗記憶體，不必要幾次地再寫入試驗模式信號。因此，其它之被試驗記憶體不須等待壞區塊被存取之被試驗記憶體之再寫入所需要之時間，可以即刻進入機能測試之故，可以大幅縮短機能測試所需要之時間。合適實施例之詳細說明以下’參照圖1至圖3詳細說明依據本發明之記憶體試驗裝置之合適實施例。又，於圖1至圖3中，在與圖9 對應之部份或元件，賦予相同標號表示之，除非必要省略其說明。圖1係以區塊圖顯示依據本發明之記憶體試驗裝置之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐）㈣14- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

475994 Α7 Β7 五、發明說明（12 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1實施例。此第1實施例之記憶體試驗裝置也與圖9所示之習知的記憶體試驗裝置相同，係由主控制器1 〇〇，及在此記述領域被稱爲主機之試驗裝置本體2 0 0，以及 •測試頭3 〇〇所構成。試驗裝置本體2 0 0具備：時機產生器TG、模式產生器PG、波形格式器FC、驅動器 DR、電壓比較器VCP、邏輯比較器LOC、不良解析記憶體A F Μ。 ‘ 應試驗記憶體（被試驗記憶體）M U Τ被裝置於測試頭3 〇〇之裝置插座，通過此插座，由試驗裝置本體 2 〇 0對被試驗記憶體M U Τ寫入測試模式信號，又，由被試驗記憶體M U Τ被讀出之響應信號被供給於試驗裝置本體2 0 0，進行被試驗記憶體M U Τ之試驗、測定。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製又，圖1中，雖然只有複數個（在此例中爲4個）顯示驅動器D R，實際上，驅動器D R只有設置規定個數，例如5 1 2個。又，除了主機2 0 0內之時機產生器T G 外’模式產生器P G、波形格式器F C、電壓比較器 V C Ρ、邏輯比較器L〇C、不良解析記憶體A F Μ也設置爲與驅動器D R相同之個數（例如5 1 2個）。於本發明之第1實施例之記憶體試驗裝置中，其特徵爲：在習知上被使用之不良解析記憶體A F Μ外，設置第 1壞區塊記憶體Β Β Μ、區塊位址選擇器B A〇、遮蔽控制器Μ K C以及壞區塊計數器B B C。第1壞區塊記憶體Β Β Μ係藉由以由被供給於不良解析記憶體A F Μ之全位元之位址信號之中被選擇之位元所本紙張尺度適用中關家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐)ΓΤΤΊ ' 475994 A7 B7 五、發明說明（13 ) 構成之區塊位址而被存取。在圖1所示之第1實施例中，其構成爲：將由模式產生器P G供給於不良解析記憶體 A F Μ之全位元之位址信號A D R也供給於區塊位址選擇 •器B A〇，於此區塊位址選擇器B A〇中，由全位元之位址信號A D R之中取出上位位元，產生區塊位址信號 B A D R，將此區塊位址信號B A D R由區塊位址選擇器 B A〇供給於第1壞區塊記憶體B B Μ，存取該位址。被供給於不良解析記憶體A F Μ之全位元之位址信號 A D R於快閃記憶體之初期測試時、於機能測試時，都與被供給於被試驗記憶體M U T之位址信號相同。因此，在由被試驗記憶體M U Τ讀出寫入資料（試驗模式信號）之際，被試驗記憶體M U Τ與不良解析記憶體A F Μ藉由相同位址信號，被存取同一個之位址。相對於此，第1壞區塊記憶體Β Β Μ對應被存取之被試驗記憶體之位址所屬之區塊Ν 〇 .之區塊位址藉由區塊位址信號B AD R被存取〇因此，由被試驗記憶體M U Τ被讀出之資料在與由模式產生器P G被輸出之期待値模式資料不一致之情形，其不一致產生之位址以及不一致產生之記憶體單元之位置被記憶於不良解析記憶體A F Μ之同時，在第1壞區塊記憶體Β Β Μ，如圖2所示般地，顯示壞區塊之資料（壞區塊資料）被寫入不一致產生之位址所屬之區塊No .。在圖 2之例中，在屬於區塊位址2與區塊位址6之被試驗記憶體M U T之區塊位址分別產生不一致，在對應於這些區塊本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公麓） -16 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 475994 A7 B7 五、發明說明（14 ) 位址2與6之區塊N 〇 . 資料，因此，這些區塊N 塊。

與區塊N 〇 .3以及N 7被寫入壞區塊 .7顯示爲壞區經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 . 圖1中，雖然顯示測試1個之被試驗記憶體M U T之構成例，在測試複數之被試驗記憶體M U Τ之情形’每一被試驗記憶體M U Τ被設置模式產生器p G、波形格式器 FC、驅動器DR、電壓比較器VCP、邏輯比較器 L〇C、不良解析記憶體A F Μ、第1壞區塊記憶體 ΒΒΜ、遮蔽控制器MKC、區塊位址選擇器8六〇、壞區塊計數器BBC。在初期測試中，在被試驗記憶體M U T之全部之位元例如寫入“ 1 ”之邏輯値，同時將其依序讀出’在各區塊內，即使1個產生不一致之記憶體單元被檢出之情形’在顯示該區塊之第1壞區塊記憶體Β Β Μ.之區塊位址被寫入顯示壞區塊之資料（一般爲邏輯“ 1 ”之資料）。此顯示壞區塊之資料可以以1位元之資料顯示之。因此’第1壞區塊記憶體Β Β Μ具有與被試驗記憶體M U Τ具有之區塊數同等之數目之位址容量，每一位址可以以具有1位元之記憶容量之記憶體構成。初期測試如終了，模式產生器P G對區塊位址選擇器 Β A 0供給位址信號，由此區塊位址選擇器Β A 0將區塊位址信號供給於第1壞區塊記憶體’讀出被儲存於第1壞區塊記憶體Β Β Μ之壞區塊資料。由第1壞區塊記憶體Β Β Μ被讀出之壞區塊資料藉由請先閱讀背面之注意事項再 t 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -17- 475994 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（15 ) 壞區塊計數器B B C被計算。此計算結果透過測試匯流排 2 〇 1被讀入主控制器]_ 〇〇，判定被試驗記憶體μ u 丁 t良否。在壞區塊數少於規定個數之情形，主控制器 ’ 1 〇〇對模式產生器P G以及時機產生器T G指示機能測試之實行。在機能測試時，模式產生器P G遵循被記述在測試程式1 〇 1之模式產生順序，輸出試驗模式資料，依據該試驗模式資料與由時機產生器T G被輸出之時機信號，波形格式器F C產生具有實波形之試驗模式信號。此試驗模式信號透過驅動器D R被寫入被試驗記憶體M U T之各位址 (記憶體單元）。被寫入之試驗模式信號之後被讀出，被送往電壓比較器VCP。此處，在由模式產生器P G輸出之試驗模式資料也被附加有分別被供給於被試驗記憶體M U Τ以及不良解析記憶體A F Μ之位址信號。將被供給於此不良解析記憶體 A F Μ之位址信號也給予區塊位址選擇器B A 0，由區塊位址選擇器B A〇產生區塊位址信號B A D R，藉由此區塊位址信號B A D R讀出第1壞區塊記憶體B B Μ之記憶內容。在由第1壞區塊記憶體Β Β Μ沒有被讀出壞區塊資料之情形如平常，機能測試被實行，由邏輯比較器 L〇C被輸出邏輯比較結果。相對於此，在由第1壞區塊記憶體Β Β Μ讀出壞區塊資料之情形，此壞區塊資料透過遮蔽控制器Μ K C，分別被供給於波形格式器F C與邏輯本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -18- 請先閱讀背之注意事項頁 475994 A7 _____ B7____ — 五、發明說明（16 ) 比較器L 0 C。一接收壞區塊資料，波形格式器F C對被連接於被試驗記憶體M U T之至少寫入控制端子W以及讀出控制端子R之信號線供給邏輯“ 1 ”或邏輯“ 0 ”之禁 •止信號，禁止對於被試驗記憶體M U Τ之寫入動作以及讀出動作。另一方面，邏輯比較器L〇C禁止邏輯比較動作〇如此構成之故，在初期測試實.行後，判定被試驗記憶體之良否之際，只需讀出第1壞區塊記憶體Β Β Μ之記憶內容即可之故，與使用習知技術之記憶體試驗裝置之情形比較，壞區塊之檢索時間變得非常之短，可以獲得測試效率提升之優點。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製又，藉由被儲存於第1壞區塊記憶體Β Β Μ之壞區塊資料遮蔽壞區塊而構成之故，可以以簡單之構成確實而且迅速地實行對於被試驗記憶體M U Τ之壞區塊之寫入動作以及讀出動作之禁止或邏輯比較器L 0 C之邏輯比較動作之禁止。其結果，於機能測試中，對於壞區塊之寫入動作以及讀出動作、邏輯比較動作瞬間被禁止之故，可以縮短機能測試所需要之時間。特別是同時測試多數個之被試驗記憶體之際，幾個之被試驗記憶體具有壞區塊，該壞區塊即使被存取，該壞區塊之機能測試被禁止之故，其它被試驗記憶體之㈣於通過區塊之機能測試不須等待時間被實行。因此，在同時測試多數個之被試驗記憶體之際，可以獲得可以大幅縮短測試所需要之時間之優點。圖3係顯示依據本發明之記憶體試驗裝置之第2實施 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公茇） 475994 Α7 Β7 五、發明說明（η ) 例之區塊圖。此第2實施例之記憶體試驗裝置之特徵爲：在圖1所示之第1實施例之構成更追加第2壞區塊記憶體 C F Μ而構成者。在此第2壞區塊記億體c F Μ使用與第 • 1壞區塊記憶體Β Β Μ同等之構成之記億體。於此第2實施例也在第1壞區塊記憶體Β Β Μ，如上述般地，寫入顯示在初期測試被檢出之壞區塊之資料（邏輯“ 1 ”之資料）。相對於此，在此實施例追加之第2壞區塊記憶體C F Μ儲存顯示在機能測試中產生之壞區塊之資料。在機能測試時，如於上述第1實施例說明過地，讀出被儲存於第1壞區塊記憶體Β Β Μ之壞區塊資料，將其當成遮蔽資料使用，於壞區塊禁止機能測試，只有通過區塊實行機能測試。在此第2實施例中，在此通過區塊之機能測試中產生不良位址之情形，在對應此不良位址所屬之區塊Ν 〇 ·之第2壞區塊記憶體C F Μ之區塊位址使之記憶顯示壞區塊之資料。因此，藉由讀出被儲存於第2壞區塊記憶體C F Μ之壞區塊資料，可以認識在機能測試中，新被檢出之不良區塊，即壞區塊。如此，藉由將在初期測試被檢出之壞區塊資料與在機能測試被檢出之壞區塊資料分別儲存於第1壞區塊記憶體 Β Β Μ與第2壞區塊記憶體C F Μ，可以設定各種之測試模式。接著，參考圖4至圖7詳細說明幾個之測試模式。圖4及圖5係顯示設定判定被試驗記億體之各區塊是否可救濟用之在製造線上被使用之測試模式（製造線模式本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -20 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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五、發明說明（18 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) )之流程圖之一例。圖4顯示相當於此冊示模式之前半部份之機通測g式例行程序，圖5顯示相當於其後半部份之救濟判定例行程序。又，實施圖4顯示之機能測試例行程序 ’之前，上述之初期測試被實行，在第1壞區塊記憶體 B B Μ儲存壞區塊資料。首先’於圖4所示之步驟S Ρ 1 ，初期設定第1壞區塊記憶體Β Β Μ之讀出區塊位址Β爲1 ( Β = 1 )，讀出被儲存於此位址1之區塊之資料。於接著之步驟S Ρ 2，由第1壞區塊記憶體Β Β Μ之區塊位址1之區塊判定是否被讀出壞區塊資料（Β Β Μ = 1 ? ) ° 在壞區塊資料被讀出之情形（Y E S，即Β Β Μ二1 )，進入步驟S Ρ 3 ，禁止對被試驗記憶體M U Τ之寫入 /讀出動作，同時，禁止邏輯比較器L 0 C之邏輯比較動作，進入步驟S Ρ 7。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製於步驟S Ρ 2，在壞區塊資料沒有被讀出之情形（ Ν〇，βΡΒΒΜ#1)，進入步驟SP4。在此步驟 S Ρ 4，判定機能測試中，被試驗記憶體M U Τ輸出之響應信號與模式產生器P G輸出之期待値模式資料Ε X Ρ之邏輯比較結果是否不良。在邏輯比較結果爲不良之情形（ YES)，進入步驟SP5及SP6。於步驟sp5 ’在第2壞區塊記憶體C F Μ之對應區塊寫入壞區塊資料（“ 丄’，）。另一方面，於步驟S Ρ 6，於不良解析記憶體 A F Μ寫入不良產生位址與不良記憶體單元之位置資料。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) -21 - "" 475994 A7 B7 五、發明說明（19 ) 之後，進入步驟S P 7。，於步驟S P 4，在機能測試之響應信號與期待値模式資料之邏輯比較結果爲不良之情形（N〇），直接進入步 .驟 S P 7 。於此步驟S P 7，使第1壞區塊記憶體B B Μ之讀出區塊位址Β加上1 ( Β = 2 )，進入步驟S Ρ 8。於步驟S Ρ 8，判定第1壞區塊記憶體Β Β Μ之全部之區塊之資料之讀出是否進行（被試驗記憶體之全部之通過區塊是否實施機能測試）。在全部之區塊之資料的讀出沒有被進行之情形（Ν〇），回到步驟S Ρ 2，實行第丄壞區塊記憶體B B Μ之區塊位址2之資料之讀出。以下，重複上述機能測試動作。於步驟S Ρ 8，在第1壞區塊記憶體Β Β Μ之全部之區塊之資料的讀出被進行之情形（Y E S )，終了機能測試’進入圖5所示之救濟判定例行程序。於此救濟判定例行程序，於步驟S Ρ 9 ，將第2壞區塊記憶體C F Μ之讀出區塊位址初期設定爲1 ( c =丄） ’讚出被儲存於此區塊位址1之區塊之資料，進入步驟 S Ρ 1 〇 ° 於步驟S Ρ 1 〇，判定由第2壞區塊記憶體c F Μ之區塊位址1之區塊是否被讀出壞區塊資料（C F Μ = 1 ? )。在壞區塊資料被讀出之情形（Y E S，及C F Μ = 1 )，進入步驟S Ρ 1 1 ，沒有被讀出之情形（Ν〇，即 CFM#1)，進入步驟SP14。請先閱讀背經濟部智慧財產局員工消費合作社印製之注意事項

一 i π Λ 4 * ί I 1 - 475994 Α7 Β7 五、發明說明（20 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於步驟S P 1 1，讀出對應於第2壞區塊記憶體 C F Μ之區塊位址丨之區塊之不良解析記憶體a F M之位址領域，就被讀出之不良記憶體單元進行修護解析，進入 •下一步驟S P 1 2。

於步驟S P 1 2，判定上述步驟S P 1 1之修護解析之結果是否爲可以救濟之不良記憶體單元。例如，在不良記憶體單元數超過規定値之情形，判定此區塊爲不能救濟 (NO)，進入步驟SP13，在此步驟SP13中，在第1壞區塊記憶體B B Μ之相應區塊寫入壞區塊資料（“ 1 )，進入步驟s Ρ 1 4。在可以救濟之情形（γ E S )，直接進入步驟SP14。於步驟S Ρ 1 4，在第2壞區塊記憶體C F Μ之讀出區塊位址C加上1 ( C = 2 )，進入步驟S Ρ 1 5。於步驟S Ρ 1 5，判定是否進行第2壞區塊記憶體 C F Μ之全部之區塊是否可以救濟之判定，如爲否（Ν 0 )，回到步驟S Ρ 1 0，在全部之區塊進行判定之情形（ YES)，進入步驟SP16。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製於步驟S Ρ 1 6，淸除被儲存在第2壞區塊記憶體 C F Μ之各區塊之資料，於下一步驟S Ρ 1 7，對於被試驗記憶體之可以救濟之區塊實行救濟處理。這樣終了救濟判定例行程序。如此，藉由在第1壞區塊記憶體Β Β Μ與第2壞區塊記憶體C F Μ分別儲存壞區塊資料’在機能測試例行程序中，利用被儲存在第1壞區塊記憶體Β Β Μ之壞區塊資料 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） 475994 A7 B7 五、發明說明（21 ) ’可以判定是否爲應進行機能測試之區塊，又，在救濟判定例行程序中，利用被儲存在第2壞區塊記憶體C F Μ之壞區塊資料，可以判定是否爲判斷可以救濟之不良記憶體 •單元之區塊。因此，不單機能測試例行程序之處理速度，求夂濟判定例行程序之處理速度也可以高速化。圖6及圖7係顯示設定在記憶體出貨之際’實施區別良品與不良品之出貨檢查用之測試模式（出貨檢查模式）之流程之一例。圖6顯示相當於此測試模式之則半邰份之機能測試例行程序，圖7顯示相當於該後半部份之良否判定例行程序。於此出貨檢查模式，圖6所示之機能測試例行程序與上述製造線模式之機能檢查測試例行程序幾乎相同，首先，於步驟S Ρ 1 ，初期設定第1壞區塊記憶體Β Β Μ之讀出區塊位址Β爲1 ( Β ^ 1 )，讀出被儲存於此位址1之區塊之資料。於下一步驟S Ρ 2，判定由第1壞區塊記憶體Β Β Μ 之區塊位址1之區塊是否被讀出壞區塊資料（Β Β Μ = 1 ? ) ° 在壞區塊資料被讀出之情形（Y E S )，進入步驟 S Ρ 3，禁止對被試驗記憶體M U Τ之寫入/讀出動作，同時，禁止邏輯比較器L〇C之邏輯比較動作’進入步驟 S Ρ 6 〇於步驟S Ρ 2，在壞區塊資料沒有被讀出之情形（ Ν 0 )，進入步驟S Ρ 4，判定於機能測試中’被試驗記本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -24 - 請先閱讀背面之注意事項再 f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 475994 A7 B7 五、發明說明（22 ) 憶體M U T輸出之響應信號與模式產生器P G輸出之期待値模式資料Ε X Ρ之邏輯比較結果是否不良。在邏輯比較結果爲不良之情形（Y E S ) ’進入步驟S Ρ 5 ，在第2 •壞區塊記憶體C F Μ之對應區塊寫入壞區塊資料（“ 1 ” )。之後，進入步驟SP6。於步驟S Ρ 4，在機能測試之響應信號與期待値模式資料之邏輯比較結果非爲不良之情形（Ν 0 )，直接進入步驟S Ρ 6。於此步驟S Ρ 6，將第1壞區塊記憶體Β Β Μ之讀出區塊位址加上1 ( Β = 2 )，進入步驟S Ρ 7。於步驟S Ρ 7，判定是否進行第1壞區塊記憶體 Β Β Μ之全部之區塊之資料之讀出（被試驗記憶體之全部之通過區塊是否實施機能測試）。在全部之區塊之資料之讀出不被進行之情形（Ν 0 )，回到步驟S Ρ 2，實行第 1壞區塊記憶體Β Β Μ之區塊位址2之資料之讀出。以下，重複上述之機能測試動作。於步驟S Ρ 7，在第1壞區塊記憶體Β Β Μ之全部之區塊之資料的讀出被進行之情形（Y E S )，終了機能測試，進入圖7所示之良否判定例行程序。於此良否例行程序，在步驟S Ρ 8中，由第1壞區塊記憶體Β Β Μ之各區塊讀出壞資料。同時，於步驟S Ρ 9 ，由第2壞區塊記憶體C F Μ之各區塊讀出壞資料。由這些第1壞區塊記憶體Β Β Μ以及第2壞區塊記憶體C F Μ 被讀出之壞區塊資料於步驟S Ρ 1 0中，以壞區塊計數器本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -25 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 475994 A7 B7 五、發明說明（23 ) B B C被計算之。在此情形，由第1壞區塊記憶體b b Μ 以及第2壞區塊記憶體C F Μ之同一位址被讀出之壞區塊資料當成1個計算之，求得由兩壞區塊記憶體被讀出之壞 •區塊資料之和J ，進入步驟S Ρ 1 1。於步驟S Ρ 1 1 ，判定壞區塊資料之和J是否比規定値’例如「5」少或在規定値「5」以上。或區塊資料之和J如在規定値「5」以上（J g 5 ) (NO)，進入步驟S P 1 2 ，判定被試驗記憶體爲不良品，加以廢棄處理。相對於此，壞區塊資料之和J比規定値少（J < 5 )之情形，進入步驟S 1 3，進入下一測試。如此，依據上述第2實施例之構成，也具有可以做各種之測試模式之設定之優點。以上之說明可以明白地，於本發明中，在不良解析記憶體之外，設置具有對應被試驗快閃記憶體具備之區塊數之記憶容量之第1壞區塊記憶體，在此第1壞區塊記憶體儲存初期測試之結果而構成之故，只需讀出被儲存在此第 1壞區塊記憶體之壞區塊資料，可以即刻認識壞區塊之數目。其結果，在初期測試之階段之被試驗記憶體之良否判定可以迅速進行之故，可以獲得初期測試所需時間顯著縮短之優點。又，利用被儲存於此第1壞區塊記憶體之壞區塊資料，於接著實施之機能測試中，可以即刻判定應實施機能測試之區塊與不實施之區塊之故，也具有機能測試所需要時間可以縮短之優點。除此之外，藉由將被儲存於第1壞區本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -26 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

訂_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 475994 A7 —— —_B7___ 五、發明說明（24 ) 塊記憶體之壞區塊資料當成遮蔽資料利用，在實施對於通過區塊之機能測試之情形，可以瞬間禁止對於壞區塊之機能測試。藉由利用此遮蔽資料之遮蔽動作，在同時平行測 1式複數個，特別是3 2個、6 4個之類的多數個之快閃記憶體之情形，可以不須等待時間地實行通過區塊之機能測試之故，可以大幅縮短機能測試所需要之時間，可以獲得全體之測試時間可以顯著縮短之顯著優點。再者，在第1壞區塊記憶體之外，設置第2壞區塊記憶體之情形，可以在此第2壞區塊記憶體儲存機能測試時產生之或區塊資料。其結果，藉由利用被儲存在此第2壞區塊記憶體之壞區塊資料，可以設定各種之測試模式。例如，在進行被試驗記憶體之各區塊之救濟是否可能之判定之情形，只選擇於第2壞區塊記憶體儲存壞區塊資料之區塊，解析是否可以救濟，可以設定判定處理之測試模式之故，可以獲得縮短救濟解析、判定處理所需要時間之優異的作用效果。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製以上，雖然以例示之合適實施例記載本發明，但是，在不脫離本發明之精神以及範圍下，在此領域之技術者當可明白關於上述實施例可以有種種之變形、變更以及改良。因此，本發明並不限定於圖示之上述實施例者，也包括藉由所附之專利申請範圍所定之本發明範圍內之全部的那種變形、變更以及改良者。圖面之簡單說明 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 475994 A7 B7 五、發明說明（25 ) 圖1係顯示依據本發明之記憶體試驗裝置之第1實施例之區塊圖。圖2係說明在圖1所示之記憶體試驗裝置被使用之第 • 1壞區塊記憶體之構成用之模式圖。圖3係顯示依據本發明之記憶體試驗裝置之第2實施例之區塊圖。圖4係說明在圖3所示之記憶體試驗裝置被實施之測試模式之第1例之前半部份用之流程圖。圖5係說明在圖3所示之記憶體試驗裝置被實施之測試模式之第1例之後半部份用之流程圖。、圖6係說明在圖3所示之記憶體試驗裝置被實施之測試模式之第2例之前半部份用之流程圖。圖7係說明在圖3所示之記憶體試驗裝置被實施之測試模式之第2例之後半部份用之流程圖。圖8係說明藉由依據本發明之記憶體試驗裝置被試驗之快閃記憶體之構造之一例用之模式圖。圖9係顯示習知之記憶體試驗裝置之一例之區塊圖。主要元件對照表 1 0 0 :主控制器 1 0 1 :測試程式 T G :時機產生器 P G :模式產生器 F C :波形格式器本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -28 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

475994 A7 _B7 五、發明說明（26 ) B A〇：區塊位址選擇器 L〇C :邏輯比較器 V C P :電壓比較器 • A F Μ :不良解析記憶體 Μ K C :遮蔽控制器 B B C :壞區塊計數器 Β Β Μ :第1壞區塊記憶體 C F Μ :第2壞區塊記憶體 M U X :多路轉換器經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -29 -

Claims

475994 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製六、申請專利範圍 1 · 一種記憶體試驗裝置，其係試驗以全位元或區塊單位可以電氣地一齊抹去與再寫入之不揮發性記憶體之記憶體試驗裝置，其特徵爲：設置具有對應被試驗記憶體具備之區塊數之數目的記憶領域之第1壞區塊記憶體，在被試驗記憶體之全部的區塊之記憶體單元寫入一定之邏輯値，讀出該寫入之邏輯値，判定此讀出之邏輯値是否與上述寫入之邏輯値一致，有不一致之記憶體單元即使只有1個存在之區塊，當成不良區塊加以檢出之初期測試模式中，每當不良區塊被檢出，在對應此不良區塊之上述第1壞區塊記憶體之記憶領域記憶表示上述不良區塊之壞區塊資料。 2 .如申請專利範圍第1項記載之記憶體試驗裝置，其中上述第1壞區塊記憶體，在同時測試複數個之被試驗記憶體之情形，以每一各被試驗記憶體而被設置。 3 .如申請專利範圍第1項記載之記憶體試驗裝置，其中上述記憶體試驗裝置更具備：由被供給於上述被試驗記憶體之位址信號選擇特定之位元，產生存取對應藉由此位址信號被存取之上述被試驗記憶體之位址所屬之區塊之上述第1壞區塊記憶體之記憶領域之區塊位址信號之區塊位址選擇手段。 4 .如申請專利範圍第3項記載之記憶體試驗裝置，其中上述區塊位址選擇手段於機能測試模式中，由被包含於被供給於上述被試驗記憶體之試驗模式信號之位址信號 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -30- 475994 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，選擇特定之位元，產生存取上述第1壞區塊記憶體之記憶領域之區塊位址信號，由上述第1壞區塊記憶體讀出被儲存於此之壞區塊資料。 5 .如申請專利範圍第2項記載之記憶體試驗裝置，其中由被供給於上述被試驗記憶體之位址信號選擇特定之位元，產生存取對應藉由此位址信號被存取之上述被試驗記憶體之位址所屬之區塊之上述第1壞區塊記憶體之記憶領域之區塊位址信號之區塊位址選擇手段，以每一各被試驗記憶體而被設置。 6 .如申請專利範圍第1項記載之記憶體試驗裝置，其中上述記憶體試驗裝置更具備：在由上述第1壞區塊記憶體讀出壞區塊資料之情形，禁止上述被試驗記憶體之機能測試之遮蔽控制手段。 7 .如申請專利範圍第3項記載之記憶體試驗裝置，其中上述記憶體試驗裝置更具備：在由上述第1壞區塊記憶體讀出壞區塊資料之情形，禁止上述被試驗記憶體之機能測試之遮蔽控制手段。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 .如申請專利範圍第2項記載之記憶體試驗裝置，其中在由上述第1壞區塊記憶體讀出壞區塊資料之情形，禁止上述被試驗記憶體之機能測試之遮蔽控制手段係以每一各被試驗記憶體而被設置。 9 .如申請專利範圍第1項記載之記憶體試驗裝置，其中上述記憶體試驗裝置更具備：在初期測試終了後，計算被儲存於上述第1壞區塊記憶體之壞區塊資料之數目之 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 475994 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製六、申請專利範圍壞區塊計數器。 i〇·如申請專利範圍第3項記載之記憶體試驗裝置，其中上述記憶體試驗裝置更具備：在初期測試終了後，計算被儲存於上述第1壞區塊記憶體之壞區塊資料之數目之壞區塊計數器。 1 1 ·如申請專利範圍第6項記載之記憶體試驗裝置，其中上述記憶體試驗裝置更具備：在初期測試終了後，計算被儲存於上述第1壞區塊記憶體之壞區塊資料之數目之壞區塊計數器。 1 2 ·如申請專利範圍第7項記載之記憶體試驗裝置，其中上述記憶體試驗裝置更具備：在初期測試終了後，計算被儲存於上述第1壞區塊記憶體之壞區塊資料之數目之壞區塊計數器。 1 3 ·如申請專利範圍第2項記載之記憶體試驗裝置，其中在初期測試終了後，計算被儲存於上述第1壞區塊記憶體之壞區塊資料之數目之壞區塊計數器係以每一各被試驗記憶體而被設置。 1 4 .如申請專利範圍第1項記載之記憶體試驗裝置，其中上述記憶體試驗裝置更具備：記憶顯示於機能測試模式中被檢出之不良區塊之壞區塊資料之第2壞區塊記憶體。 1 5 ·如申請專利範圍第3項記載之記憶體試驗裝置，其中上述記憶體試驗裝置更具備：記憶顯示於機能測試模式中被檢出之不良區塊之壞區塊資料之弟2壞區塊記懷請先閱讀背面之注意事項再填雌11¾ 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -32 - 475994 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 SAW T—Η 置裝驗試體憶記之載記項 6 第圍範利專請串如機區於壞示 2 顯第億之記料 : 資備塊具區更壞置之裝塊驗區試良體不憶之記出述檢上被中中其式 ,模匕匕塊厶目試憶測記證置裝驗試體憶記之載記項 7 第圍範利專請串如試憶測記能塊機區於壞示 2 顯第憶之記料 :資備塊具區更壞置之裝塊驗區試良體不憶之記出述檢上被中中其式，模體裝驗試體憶記之載記項 9 第圍範利專請串如試憶測記能塊機區於壞示 2 顯第憶之記料 : 資備塊具區更壞置之裝塊驗區試良體不憶之記出述檢上被中中其式 , 模 1 第圍範利專請甲如裝驗試體憶記之載記項測記能塊機區於壞示 2 顯第憶之記料 : 資備塊具區更壞置之裝塊驗區試良體不憶之記出述檢上被中中其式，模置試體憶 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 裝驗試憶記之載記項 ΊΧ 1 第圍範利專請甲如測記能塊機區於壞示 2 顯第憶之記料 : 資備塊具區更壞置之裝塊驗區試良體不憶之記出述檢上被中中其式，模置試體憶第圍範利專請甲如裝驗試憶記之載記項測記能塊機區於壞示 2 顯第憶之記料 : 資備塊具區更壞置之裝塊驗區試良體不憶之記出述檢上被中中其式，模置試本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） · 33 - A8 B8 C8 —------Μ_ 六、申請專利範圍憶體。 2 2 ’ ％ _請專利範圍第2項記載之記憶體試驗裝置 ’ ft顯希於機能測試模式中被檢出之不良區塊之壞 1E ^ t第2壞區塊記憶體係以每一各被試驗記憶體而被設置。 2 3 · %申請專利範圍第1 4項記載之記憶體試驗裝胃’ g φ ±述記憶體試驗裝置更具備：計算在初期測試以 & fl f g _ _ @ 了後，分別被儲存於上述第1壞區塊記憶體 Μ & ± Μ胃2壞區塊記憶體之壞區塊資料之數目之壞區塊計數器。 2 4 · $D申請專利範圍第1 5項記載之記憶體試驗裝胃ψ ±述記憶體試驗裝置更具備：計算在初期測試以及機能 '測試終了後，分別被儲存於上述第1壞區塊記憶體以及上述第2壞區塊記憶體之壞區塊資料之數目之壞區塊計數器。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 5 ·如申請專利範圍第1 6項記載之記憶體試驗裝置’其中上述記億體試驗裝置更具備：計算在初期測試以及機能測試終了後，分別被儲存於上述第1壞區塊記憶體以及上述第2壞區塊記憶體之壞區塊資料之數目之壞區塊計數器。 2 6 ·如申請專利範圍第1 7項記載之記憶體試驗裝置，其中上述記憶體試驗裝置更具備：計算在初期測試以及機能測試終了後，分別被儲存於上述第1壞區塊記憶體以及上述第2壞區塊記憶體之壞區塊資料之數目之壞區塊 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 475994 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍計數器。 2 7 ·如申請專利範圍第2項記載之記憶體試驗裝置，其中計算在初期測試以及機能測試終了後，分別被儲存於上述第1壞區塊記憶體以及上述第2壞區塊記憶體之壞區塊資料之數目之壞區塊計數器係以每一各被試驗記憶體而被設置。 2 8 ·如申請專利範圍第1項記載之記憶體試驗裝置，其中上述不揮發性記憶體，其內部被分成複數個之區塊，各區塊由N頁（N爲2以上之整數）形成，各頁由Μ位元（Μ爲2以上之整數）構成。請先閱讀背 s 意事項頁經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）