KR100286206B1 - 스퍼터링타켓트및그의제조방법 - Google Patents

Abstract

스퍼터링 타켓트의 표면거칠기를 조절하고, 잔류오염물질의 량, 표면의 수소함유량 및 가공변질층의 두께를 감소시켜, 스퍼터 링에 의하여 기판에 형성한 막의 두께의 균일화를 도모함과 동시에, 스퍼터링시에 있어서의 노듈의 생성을 억제하여 파티클의 발생을 억제한다.

스퍼터링 타켓트의 표면거칠기 Ra ≤ 1.0㎛, 오염물질인 주성분 및 합금성분 이외의 고융점 금속원소 및 Si, Al, Co, Ni, B 의 총량을 500ppm 이하, 표면의 수소함유량을 50ppm 이하, 가공변질층의 두께를 50㎛ 이하로 하는 스퍼터링 타켓트인 것이며, 필요에 의해 특히 다이어몬드 바이트를 사용하여 정밀절삭하여 이 타켓트를 제조한다.

Description

스퍼터링 타켓트 및 그의 제조방법

본발명은, 스퍼터링에 의하여 기판에 형성한 막의 두께가 균일성으로 우수하고, 노듈 및 파티클의 발생이 적은 스퍼터링 타켓트 및 그의 제조방법에 관한 것이다.

근년, 반도체박막등의 형성방법으로 스퍼터링 타켓트를 사용하는 스퍼터방법이 널리 이용되고 있다.

이 스퍼터링법은, 하전입자를 가지고 스퍼터링 타켓트를 충격하고, 그 충격력에 의해 스퍼터링 타켓트로부터 타켓트를 구성하는 물질입자를 쳐내기 시작하고, 이것을 타켓트에 대향시켜 설치한 예를들면 웨이퍼등과 같은 기반(판)에 부착시켜서 박막을 형성하는 성막법이다.

이 스퍼터링에 의하여 형성되는 박막의 문제점의 하나로 박막이 불균일하게 되기 쉽다는 점이 있다. 종래, 이 박막의 균일성의 문제점이 타켓트의 표면상태에 기인하고 있는 것이 명확하게는 알려지지 않으며, 구체적 해결책이 없는 것이 현상인 것이다.

또한, 상기와 같은 스퍼터링에 의한 성막 때에, 스퍼터링의 타켓트 이로전부에 노듈이라 불리는 수㎛로부터 수 ㎜ 크기의 돌기물이 생기는 것이다. 그리고, 이것이 스퍼터링 중에 하전입자의 충격에 의하여, 튀어서 기반상에 파티클을 발생한다라는 문제를 일으켰다.

이 파티클의 발생은 타켓트의 이로전부면상에 노듈수가 많을수록 증가하며, 문제로 되는 파티클을 줄일 수 있으며 노듈의 생성을 방지하는 것이 큰과제로 되고 있다.

그리고, LSI반도체 디바이스가 고집적도화하고 (4메가 비트, 16메가 비트, 64메가 비트 등), 배선폭이 1㎛이하와 미세화하고 있는 최근의 상황하에서는, 특히 상기 노듈에서의 파티클발생이 중대한 문제로 받아들이게 되었다.

즉, 파티클은 기반 상에 형성되는 박막에 직접부착하여 버리고, 혹은 일단 스퍼터링장치의 주위벽내지는 부품에 부착, 퇴적한 후에 박리하고, 이것이 다시 박막 상에 부착하여 배선의 단선이나 단락등이란 중대한 문제를 일으키는 원인이 되었다.

이와같이 전자디바이스회로의 고집적도화나 미세화가 진보하게 되어 파티클 문제는 극히 중요한 문제로 되어 있기 때문이다.

종래, 이와같은 노듈을 줄이기 위하여 스퍼터링 조작조건의 조정이나 마그네트의 개량등의 노력이 중요시할 수 있으나, 노듈의 생성원인을 명확하게 하지 않는 일도 있어, 노듈의 생성을 방지하는 것에 착안한 타켓트에 대해서는 나머지를 알 수 없는 현상이다.

본발명은 스퍼터링에 의해 형성되는 박막의 막두께의 균일성을 개량하고, 타켓트의 스퍼터링 때의 노듈의 생성을 방지하여, 파티클의 발생을 억제하도록 하는 것이다.

본발명은

1 스퍼터링 타켓트의 이로전되는 면의 표면거칠기가, 중심선 평균거칠기 Ra ≤ 1.0㎛인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타켓트

2 스퍼터링 타켓트의 이로전되는 면의 표면거칠기가, 중심선 평균거칠기 Ra ≤ 1.0㎛이며, 또한 이로전되는 표면에 부착한 오염물질인 주성분 및 합금성분 이외의 고융점 금속원소 및 Si, Al, Co, Ni, B의 총량이 500ppm 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타켓트

3 오염물질인 주성분 및 합금성분 이외의 고융점 금속원소 및 Si, Al, Co, Ni, B의 총량이 300ppm 이하인 것을 특징으로 하는 상기 2 에 기재의 스퍼터링 타켓트

4 스퍼터링 타켓트의 이로전되는 표면의 수소함유량이 50ppm 이하인 것을 특징으로 하는 상기 1 ∼ 3 의 각각에 기재의 스퍼터링 타켓트

5 스퍼터링 타켓트의 이로전되는 표면의 수소함유량이 30 ppm이하인 것을 특징으로 하는 상기 4 에 기재의 스퍼터링 타켓트

6 스퍼터링 타켓트의 이로전되는 면의 표면거칠기가, 중심선 평균거칠기 Ra ≤ 1.0㎛이며, 또한 이로전되는 표면의 가공변질층의 두께가 50㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타켓트

7 스퍼터링 타켓트의 이로전되는 면의 표면거칠기가, 중심선 평균거칠기 Ra ≤ 0.2㎛이며, 또한 이로전되는 표면의 가공변질층의 두께가 15㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타켓트

8 이로전되는 표면에 부착한 오염물질인 주성분 및 합금성분 이외의 고융점 금속원소 및 Si, Al, Co, Ni, B의 총량이 500ppm 이하인 것을 특징으로 하는 상기 6 또는 7 기재의 스퍼터링 타켓트

9 이로전되는 표면에 부착한 오염물질인 주성분 및 합금성분 이외의 고융점 금속원소 및 Si, Al, Co, Ni, B의 총량이 300ppm 이하인 것을 특징으로 하는 상기 8 기재의 스퍼터링 타켓트

10 스퍼터링 타켓트의 이로전되는 표면의 수소함유량이 50ppm 이하인 것을 특징으로 하는 상기 6 ∼ 9의 각각에 기재의 스퍼터링 타켓트

11 스퍼터링 타켓트의 이로전되는 표면의 수소함유량이 30ppm 이하인 것을 특징으로 하는 상기 6 ∼ 9의 각각에 기재의 스퍼터링 타켓트

12 다이어몬드바이트를 이용한 정밀절삭에 의해 스패터면의 다듬질가공을 행한 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타켓트의 제조방법

13 다이어몬드바이트를 이용한 정밀절삭을 행하고, 또 연마에 의한 스패터면의 다듬질가공을 행한 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타켓트의 제조방법을 제공한다.

본발명자는 상기 목적을 달성하기 위하여 열심히 연구를 한 결과, 다음과 같은 지식을 얻었다.

즉, 사용도중의 스퍼터링 타켓트를 뽑아내어, 이를 자세히 검토한 결과, 막두께의 균일성은 타켓트의 표면상태가 크게 영향을 주며, 표면거칠기를 콘트롤함에 따라서 막두께의 균일성을 향상시킬 수 있는 것이며, 또한 노듈은 타켓트표면의 이로전되는 부분의 凹凸부에 발생하기 쉽고, 이로전되는 타켓트표면의 표면거칠기가 미세할 정도로 노듈수가 적은 것을 알 수 있었다.

이 노듈에 대하여는, 스퍼터링 타켓트로부터 저각도로 쳐내어진 입자가 타켓트의 凸부에 재부착하기 쉽고, 재부착의 속도가 이로전되는 속도 보다도 빠른 경우에, 노듈로서 성장하는 것도 고려된다.

凹凸이 큰경우는 재부착이 일어나기 쉽기 때문에, 노듈이 성장하기 쉽고, 결과로서 다수의 노듈이 발생하는 것도 고려된다.

그래서, 기계가공, 연마가공, 케미컬에칭등의 방법으로 표면거칠기를 조정한 스퍼터링 타켓트를 스패터한 바, 성장된 박막의 막두께가 보다 균일하게 되고 노듈수의 저감 및 파티클의 저감이 확인되었다.

그리고, 물론 연구를 행한 결과, 절삭가공시의 바이트등의 가공공구의 마모에 의한 타켓트 표면으로의 이 공구재료의 잔류, 연마재의 잔류, 케미컬에칭에 의한 표면의 수소함유량의 증가등이 어느것도 노듈의 생성을 촉진하는 것이 판명되었다.

타켓트표면에 있어서의 상기와 같은 공구재료의 잔류와 연마재의 잔류는 이로전면에서의 마이크로아킹(micro-arcing)의 발생(미소방전현상)을 일으키며, 표면의 일부가 국부적으로 용융응고하여 凹凸부가 형성하여, 새로운 노듈 생성장소로 된다. 또한, 동시에 마이크로아킹 그것에 의하여 파티클이 증가하는 것도 분석되었다.

각종의 가공공구, 연마재등의 그 잔류량에 대하여 조사한 바, 이들의 잔류 오염물질을 될 수 있는 한 저감시키면 노듈의 생성을 억제하고, 또한 파티클이 저감하는 것이 판명되었다.

또한, 케미컬에칭 때의 함유되는 타켓트 표면의 수소함유량이 많이 존재하면, 초기의 스퍼터링이 불안정하게 되며, 결과로서 이로전면의 표면이 거칠어지게 되어 노듈 생성을 촉진하게 되는 것이 분석되었다.

그 기구에 대하여는 반드시 밝혀진 것은 아니지만, 타켓트 표면으로부터 나오는 미량의 수소가 플레즈머(plasma)를 불안정하게 하는 동시에, 스퍼터링이 국소적으로 행하게 되어, 그 결과 타켓트면의 표면이 거칠어지는 것은 아닌가 라고 추측된다.

상술한 바와 같이 본발명의 스퍼터링 타켓트는 이로전되는 면의 표면 거칠기를 중심선 평균거칠기 Ra ≤ 1.0㎛로 하던가, 이와 같이 이로전되는 면의 거칠기를 미세하게 하는 이유는, 첫째로는 막두께의 균일성이 개선되는 것, 또한 노듈이 이로전면에만 선택적으로 생성하기 때문에, 그리고 타켓트 표면의 이로전을 받는 부분의 凹凸이 크면, 스퍼터링 타켓트로부터 저각도로 쳐내어진 입자가 타켓트의 凸부에 재부착하기 쉽고 노듈을 생성하기 쉽게 되기 때문에, 이와 같은 재부착을 방지하여 노듈의 생성을 억제하고, 그것에 따라서 파티클을 저감시키는 것이 가능한 것이다.

Ra가 1.0㎛ 이하로 되면 막두께의 균일성의 개선효과 및 노듈 발생방지의 효과가 나타나게 되며, 파티클의 저감이 가능하게 된다.

또한, 상기와 같이 이로전되는 표면에 부착하는 주성분 및 합금성분 이외의 고융점 금속원소 및 Si, Al, Co, Ni, B는 절삭공구나 연마재에 사용되는 재료의 구성요소인 것이며, 타켓트의 표면을 가공할때에 오염물질로서 잔류하기 쉽다. 그리고, 이들이 존재하면 마이크로아킹을 유기시키어, 노듈의 생성장소로 되도록 한 凹凸을 표면에 발생시킨다는 문제가 있다. 따라서, 이들을 극력 감소시키는 것이 필요한 것이다.

본발명에서 이로전되는 표면에 부착하는 주 성분 및 합금성분 이외의 고융점 금속원소 및 Si, Al, Co, Ni, B등의 오염물질의 량을 500ppm이하로 한다.

이들의 물질의 총량이 500ppm 이하이면, 이로전면에서 마이크로아킹이 억제되며, 새로운 노듈의 생성장소로 되도록 한 凹凸을 발생하지 않기 때문에, 노듈의 발생을 방지할 수 있고, 파티클을 억제할 수 있는 것이다.

바람직하기는 주성분 및 합금성분 이외의 고융점 금속원소 및 Si, Al, Co, Ni, B의 총량을 300ppm 이하로 한다. 이와 같이 하여, 오염물질의 총량을 500ppm 이하, 바람직하기는 300ppm 이하로 하고, 또한 중심선 평균거칠기 Ra를 1.0㎛ 이하로 하므로써, 노듈의 생성 방지효과를 현저하게 높일 수 있다.

오염물질의 량은 GDMS등의 분석방법을 이용하여 표면으로 부터, 대략 5㎛ 이내의 영역을 분석하여 조정하는 것이 바람직하다.

또한, 케미컬에칭 등에 의한 표면의 평활화를 행한 경우에 표면의 수소함유량이 증가하고, 스퍼터시에 가스 성분의 미크로적인 돌발이 발생하여 표면에 凹凸을 발생하기 쉽지만, 본발명 스퍼터링 타켓트에 있어서는, 케미컬에칭 조건의 조정이나 케미컬에칭 후의 탈수소처리에 의하여, 이로전되는 표면의 수소함유량을 50ppm 이하로 하여, 이로써 노듈의 생성을 방지하고, 파티클을 저감시킬 수 있다.

표면의 수소의 함유량의 분석은 표면부와 표면을 포함하지 않는 벌크(Bulk)부의 비교분석 등을 이용하여 행할 수가 있다.

이 수소함유량을 50ppm 이하로 하므로써, 더욱 노듈의 생성방지효과를 높일 수가 있다.

이와 같이하여, 이로전되는 표면의 수소함유량을 50ppm 이하 바람직하기는 30ppm 이하로, 또한 상기 오염물질의 총량을 500ppm이하 바람직하기는 300ppm 이하로 하고, 또한 중심선 평균거칠기 Ra를 1.0㎛ 이하로 하므로써, 노듈의 생성방지효과를 일층 높일 수가 있다.

스퍼터링 타켓트의 제조 때에는 표면거칠기 조정을 위하여, 일반적으로 절삭가공, 연마가공 또는 케미컬에칭 등에 의하여 표면의 평활화를 행하던가, 이와 같은 가공 및 표면처리의 선택과 고안에 의하여, 오염물질의 총량과 수소의 함유량을 상기와 같이 특정하여, 중심선 평균거칠기 Ra의 조정과 함께 노듈의 생성을 효과적으로 방지할 수가 있다.

스퍼터링 타켓트의 제조 때에는, 상기와 같이 절삭가공, 연마가공을 행하지만, 이때 강가공을 행하면 표면거칠기를 조정하여도 노듈의 생성을 방지할 수가 없는 경우가 있다.

이 이유는 반드시 밝혀진 것은 아니지만, 강가공을 행하면 원자배열이 흐트러지며, 스퍼터링 때에 쳐내어지는 입자의 각도가 보다 저각도로 바뀌어, 표면거칠기가 작아도 다시말하면 낮은 凹凸에서도, 부착이 용이하게 된다고 추측된다.

이 때문에, 스퍼터링 타켓트의 이로전되는 표면의 가공변질층의 두께를 50㎛ 이하로 하는 것이 필요하다. 여기서 말하는 가공변질층은, 가공에 의하여 생기는 잔류응력이 발생하고 있는 영역으로서 정의할 수 있다. 그리고, 잔류응력은 X선에 의한 잔류응력측정법 등에 의하여 측정할 수 있다.

이 가공변질층의 두께가 50㎛를 초과 하도록한 강가공을 행하면, 노듈수의 감소효과가 없고, 파티클을 유효하게 저감시킬 수가 없다.

또한 본발명은 다이어몬드 바이트를 사용한 정밀절삭에 의하여 스패터면의 다듬질가공을 행하며, 또한 필요에 따라서 이 다이어몬드 바이트를 사용한 정밀절삭을 행한후, 연마에 의한 스패터면의 다듬질을 행하는 스퍼터링 타켓트의 제조방법을 검토했다.

다이어몬드 바이트를 사용한 정밀절삭은, 종래 필요로 되었던 습식연마 또는 화학연마를 사용하지 않아도 표면거칠기를 효과적으로 저감할 수 있다는 것이 밝혀졌다. 또한 이 가공조건을 선택하므로써, 중심선 평균거칠기 Ra ≤ 0.2㎛, 가공변질층의 두께를 15㎛ 이하로 할 수가 있다.

또한, 종래의 초경공구를 사용한 경우에는 어떠튼 중금속의 오염이 발생하기 쉽지만, 다이어몬드 바이트를 사용한 경우에는 이와 같은 것이 없다.

또한 습식연마 혹은 화학연마에 필요로 되는 세정이나 탈수처리(화학연마에 필요)가 필요하지 않다는 특징이 있다. 또한, 당연한 것이지만 종래의 연마방법을 병용하는 것은 물론 가능한 것이며, 표면거칠기 및 가공변질층의 두께를 더욱 저감할 수가 있다.

또한, 타켓트의 사용 개시직후에는 막의 품질에 분산이 있기 때문에, 통상 안정한 성막으로 이행하기 까지 더미스퍼터링을 행하게 된다.

시트 저항값을 예를들면, 일반적으로는 프로세스 중의 시트 저항값의 웨이퍼내의 분산이 표준편차로 3%정도로 된 상태에서 사용되던가, 이를 위하여 타켓트의 사용을 개시하므로써 시트저항값의 웨이퍼내의 분산이 표준편차로 3% 이내로 되기 까지 상술의 더미스퍼터링을 행하게 된다.

이 더미스퍼터링에는 문제가 있으며, 특히 표면의 가공상태를 조정하지 않는 타켓트에서는 일반적으로 누계투입전력으로 20KWh 전,후를 요하며, 특히 저출력에서의 성막이 필요한 프로세스에서는 많은 시간로스로 되고 있다.

본발명에 있어서는 다이어몬드 바이트를 사용한 정밀절삭에 의하여 스퍼터링 타켓트의 이로전되는 면의 표면거칠기를 상기와 같이 중심선 평균거칠기 Ra ≤ 0.2㎛로 하고, 또한 이로전되는 표면의 가공변질층의 두께가 15㎛이하인 스퍼터링 타켓트를 제조하는 것이 가능하게 되며, 상기와 같이 가공변질층을 작게 하므로써, 이 더미스퍼터링에 요하는 시간를 대폭으로 단축할 수 있는 효과를 얻었다.

이어서, 본발명을 실시예에 의하여 비교예와 대비하면서 설명한다.

(실시예 1 ∼ 9 및 비교예 1 ∼ 2）

고순도티탄의 스퍼터링 타켓트 소재를 선반에 의하여 선삭가공후, 이로전되는 면을 다이어몬드 다듬질절삭, 습식연마, 화학연마, 초순수세정 및 탈수소처리를 하고, 표면거칠기(Ra), 오염물질총량, 수소함유량, 가공변질층의 두께를 조정한 스퍼터링 타켓트(직경 300mm X 두께 6.35mm)를 만들었다. 이를 표 1 및 표 2 에 나타낸다. 표 1 의 ○ 표시는 가공 또는 처리의 실시를 나타낸다.

이 타켓트를 그위에 직경 348mm X 두께 21.0mm의 동재질의 백킹플레이트에 접합하고 아래의 스퍼터링을 실시하였다.

표 1

	소 재	선 삭가 공	다이어몬드다듬질절삭	습 식연 마	화 학연 마	세정	탈수소 처리
실시예 1	Ti	○		○		○
실시예 2	Ti	○			○	○	○
실시예 3	Ti	○		○		○
실시예 4	Ti	○		○		○
실시예 5	Ti	○			○	○	○
실시예 6	Ti	○			○	○	○
실시예 7	Ti	○	○
실시예 8	Ti	○	○	○		○
실시예 9	Ti	○	○		○	○	○
비교예 1	Ti	○
비교예 2	Ti	○		○		○

(표시는 가공 또는 처리의 실시예를 나타낸다.)

표 2

	표면거칠기Ra(㎛)	오염물질의 총량(ppm)	수소함유량(ppm)	가공변질층의 두께(㎛)
실시예 1	0.8	280	10	40
실시예 2	0.6	45	40	10
실시예 3	0.9	120	10	10
실시예 4	0.3	470	15	10
실시예 5	0.2	60	10	8
실시예 6	0.08	40	10	6
실시예 7	0.17	80	8	11
실시예 8	0.13	100	10	7
실시예 9	0.07	40	8	5
비교예 3	1.8	670	15	70
비교예 4	3.0	450	10	30

이상과 같이 하여 제작한 스퍼터링 타켓트를 DC 마그네트론 스퍼터장치에 셋트하여 질소 분위기중에 스퍼터링을 행하여, 실리콘웨이퍼 상에 TiN막을 형성했다. 그리고, 각각의 실시예 1 ∼ 9 및 비교예 1 ∼2 의 노듈수, 평균 파티클수 및 사용개시후 누계투입 전력량이 10kWh 때의 시트 저항값의 웨이퍼내 표준편차(ø8")를 조사했다. 그의 결과를 표 3 에 나타낸다.

표 3

	노듈수 (개/타켓트)	평균파티클수 (개/웨이퍼)	시트저항값표준편차(%)
실시예1	57	31	3.6
실시예2	23	20	2.4
실시예3	41	26	2.6
실시예4	71	33	3.3
실시예5	30	26	2.4
실시예6	30	26	2.3
실시예7	32	28	2.5
실시예8	31	25	2.3
실시예9	20	21	2.1
비교예1	500	110	4.8
비교예2	500	87	3.2

표 2 에서 알 수 있는 바와 같이, 본발명의 실시예 1 ∼ 9 는 중심선 평균거칠기의 상한값인 Ra가 1.0㎛이지만, 비교예 1 및 2 의 중심선 평균거칠기는 1.8㎛ 및 3.0㎛이며, 상기 상한값을 넘고 있다.

또한, 실시예 1 ∼ 12 에서는 이로전되는 표면에 부착한 오염물질인 주성분 및 합금성분 이외의 고융점 금속원소(W, Ta, Mo, Nb 등) 및 Si, Al, Co, Ni, B 의 총량이 500ppm 이하, 즉, 40ppm ∼ 470ppm 의 범위에 있는 것에 대하여, 비교예 1 및 2 에서는 670ppm 및 450ppm 과 상한값 500ppm을 넘던가 또는 이 상한값에 가까운 값인 것이다.

표면의 수소함유량에 대하여는 실시예 1 ∼ 12 에서는 8ppm ∼ 40ppm 인 것이다. 이 경우, 비교예 1 및 2 에 있어서도 15ppm 과 10ppm 인 것이다.

표면의 가공변질층의 두께에 대하여는, 실시예 1 ∼ 9 에서는 5㎛ ∼ 40㎛에 대하여, 비교예 1 및 2 에서는 70㎛ 과 30㎛ 이며, 상한값 50㎛를 넘던가 또는 비교적 높은 가공변질층의 두께를 가진다.

표 2 및 표 3 의 대비에서 알 수 있는 바와 같이 중심선 평균거칠기의 상한값, 이로전되는 표면에 부착한 오염물질인 주성분 및 합금성분 이외의 고융점 금속원소(W, Ta, Mo, Nb 등) 및 Si, Al, Co, Ni, B 의 총량의 상한값, 수소함유량의 상한값 및 표면의 가공변질층의 두께의 상한값의 어느것도 충족하지 않는 본발명의 실시예 1 ∼ 9 에 대하여는 노듈수 및 평균파티클의 갯수가 적으며, 또한 시트 저항값의 웨이퍼내 표준편차도 작은 양호한 스퍼터링 타켓트인 것을 나타내고 있다.

그러나, 이들의 표면거칠기, 오염물질량, 수소함유량 및 가공변질층의 두께의 어느 하나 또는 그것 이상이 상한값에 가까운 것을 가지는 실시예 1 및 4 에 대하여는 노듈수 및 평균 파티클의 갯수가 비교적 증가 경향이 있으며, 또한 시트 저항값의 웨이퍼내 표준편차도 다소 높게 되어 있다. 따라서, 이들의 증가가 스퍼터링 타켓트의 성질에 영향을 주는 것이 판명된다.

실시예 7 ∼ 9 는 다이어몬드 다듬질 절삭한 것이나, 중심선 평균거칠기 Ra 가 0.07 ∼ 0.17㎛, 오염물질 40 ∼ 100ppm, 가공변질층의 두께 5 ∼ 11㎛ 이며, 특히 중심선 평균거칠기 Ra 및 가공변질층의 두께가 두드러지게 낮은 값으로 되어 있다.

또한, 이 경우의 노듈 및 평균 파티클의 발생 갯수가 적으며, 또한 사용개시후 누계투입 전력량이 10 kWh 때의 시트 저항값의 웨이퍼내 표준편차가 2.1 ∼ 2.5 % 로 안정하여 낮은값으로 되어 있다.

이상에서 다이어몬드 다듬질 절삭은 대단히 우수한 효과가 있는 것이 판명된다.

실시예 8 및 9 에 대하여는, 표 1 에 나타낸 바와 같이 다이어몬드 다듬질 절삭에 또한 습식연마와 세정 혹은 화학연마, 세정 및 탈수소처리를 병용한 것이지만, 이 경우는 노듈과 평균 파티클의 발생 갯수 및 시트 저항값의 웨이퍼내 표준편차에 일층 개선 효과가 확인되어, 양호한 결과를 나타낸다.

이들에 대하여, 비교예 1 및 2 에서는 표 3 에 나타낸 바와 같이, 노듈갯수가 어느것도 500개/1 타켓트 및 평균 파티클의 발생갯수가 110 및 87개/웨이퍼로 극히 많으며, 또한 시트 저항표준편차가 4.8% 및 3.2%로 높다. 특히 오염물질의 량이 많은 가공변질층의 두께가 큰 비교예 1 은 표 3 에 나타낸 비교예의 중에도 가장 나쁜 결과를 나타내고 있다.

이상에서, 본발명의 티탄타켓트는 노듈 및 파티클의 발생의 발생갯수가 적으며, 또한 시트저항값의 웨이퍼내 표준편차가 작은 우수한 타켓트인 것을 알 수 있다.

실시예 10 ∼ 14 및 비교예 3 ∼ 4

다음에, 탄탈에 본발명을 적용한 예(실시예 10 ∼ 14）및 비교예 3 ∼ 4를 나타낸다.

고순도 탄탈(Ta)의 스퍼터링 타켓트 소재를 선반에 의하여 선삭가공후, 이로전되는 면을 다이어몬드 다듬질절삭, 습식연마, 화학연마, 초순수 세정 및 탈수소처리를 하고, 표면거칠기(Ra), 오염물질총량, 수소함유량, 가공변질층의 두께를 조정한 스퍼터링 타켓트(직경 300mm X 두께 6.35mm）를 만들었다. 이를 표 4 및 표 5 에 나타낸다. 표 4 의 ○ 표시는 가공 또는 처리의 실시를 나타낸다.

이 타켓트를 그위에 직경 348mm X 두께 21.0mm의 동재질의 백킹플레이트에 접합하고 아래의 스퍼터링을 실시하였다.

표 4

	소 재	선 삭가 공	다이어몬드다듬질절삭	습 식연 마	화 학연 마	세정	탈수소 처리
실시예 10	Ta	○		○		○
실시예 11	Ta	○			○	○	○
실시예 12	Ta	○	○
실시예 13	Ta	○	○	○		○
실시예 14	Ta	○	○		○	○	○
비교예 3	Ta	○
비교예 4	Ta	○				○

（○표시는 가공 또는 처리의 실시예를 나타낸다.）

표 5

	표면거칠기Ra(㎛)	오염물질의 총량(ppm)	수소함유량(ppm)	가공변질층의 두께(㎛)
실시예10	0.7	320	10	30
실시예11	0.5	60	10	15
실시예12	0.14	90	10	10
실시예13	0.07	150	10	8
실시예14	0.05	35	8	8
실시예18	0.8	650	20	20
실시예19	0.9	35	25	60
비교예 3	2.2	560	10	55
비교예 4	3.5	480	10	30

이상과 같이 하여 제작한 탄탈 스퍼터링 타켓트를 DC 마그네트론 스퍼터장치에 셋트하여 질소 분위기중에 스퍼터링을 행하여, 실리콘웨이퍼 상에 TaN막을 형성했다. 그리고, 각각의 실시예 10 ∼ 14 및 비교예 3 ∼ 4 의 노듈수, 평균 파티클수 및 사용개시후 누계투입 전력량이 10kWh 때의 시트 저항값의 웨이퍼내 표준편차(ø8")를 조사했다. 그의 결과를 표 6 에 나타낸다.

표 6

	노듈수 (개/타켓트)	평균파티클수 (개/웨이퍼)	시트저항값표준편차(%)
실시예10	65	33	3.2
실시예11	39	32	2.7
실시예12	28	26	2.6
실시예13	34	29	2.7
실시예14	22	23	2.3
비교예 3	500	95	4.6
비교예 4	500	102	3.3

표 5 에서 알 수 있는 바와 같이, 본발명의 실시예 10 ∼ 14 는 중심선 평균거칠기의 상한값인 Ra가 1.0㎛이지만, 비교예 3 및 4 의 중심선 평균거칠기는 2.2㎛ 및 3.5㎛이며 표면이 거칠다.

또한, 실시예 10 ∼ 14 에서는 이로전되는 표면에 부착한 오염물질인 주성분 및 합금성분 이외의 고융점 금속원소(W, Ti, Mo, Nb 등）및 Si, Al, Co, Ni, B 의 총량이 500ppm 이하, 즉, 35ppm ∼ 320ppm 의 범위에 있는 것에 대하여, 비교예 3 및 4 에서는 560ppm 및 480ppm 과 상한값 500ppm을 넘던가 또는 이 상한값에 가까운 값인 것이다.

표면의 수소함유량에 대하여는 실시예 10 ∼ 14 에서는 8ppm ∼ 25ppm 인 것이다. 이 경우, 비교예 3 및 4 에 있어서는 어느것도 10ppm인 것이다.

표면의 가공변질층의 두께에 대하여는, 실시예 10 ∼ 14 에서는 8㎛ ∼ 30㎛에 대하여, 비교예 3 및 4 에서는 55㎛ 과 30㎛ 이며, 상한값 50㎛를 넘던가 또는 비교적 높은 가공변질층의 두께를 가진다.

표 5 및 표 6 의 대비에서 알 수 있는 바와 같이, 중심선 평균거칠기의 상한값, 이로전되는 표면에 부착한 오염물질인 주성분 및 합금성분 이외의 고융점 금속원소(W, Ti, Mo, Nb 등) 및 Si, Al, Co, Ni, B 의 총량의 상한값, 수소함유량의 상한값 및 표면의 가공변질층의 두께의 상한값의 어느것도 충족하지 않는 본발명의 실시예 10 ∼ 14 에 대하여는, 노듈수 및 평균파티클의 갯수가 적으며, 또한 시트 저항값의 웨이퍼내 표준편차도 작은 양호한 스퍼터링 타켓트인 것을 나타내고 있다.

그러나, 이들중 오염물질량 및 가공변질층의 두께가 다른 실시예에 비하여 다소 높은 값을 가지는 실시예 10 에 대하여는, 상기 TiN의 경우와 마찬가지로 노듈수 및 평균 파티클의 갯수가 비교적 증가 경향이 있으며, 또한 시트 저항값의 웨이퍼내 표준편차도 다소 높게 되어 있다.

이 실시예 10 은 본발명의 범위에 있으며, 특히 문제로 되는 것은 아니지만, 이들의 오염물질량 및 가공변질층의 두께의 증가가 스퍼터링 타켓트의 성질에 영향을 주는 것이 판명된다.

실시예 12 ∼ 14 는 다이어몬드 다듬질 절삭한 것이나, 중심선 평균거칠기 Ra 가 0.05 ∼ 0.14㎛, 오염물질 35 ∼ 150ppm, 가공변질층의 두께 8 ∼ 10㎛ 이며, 특히 중심선 평균거칠기 Ra 및 가공변질층의 두께가 두드러지게 낮은 값으로 되어 있다.

또한, 이 경우의 노듈 갯수 및 평균 파티클의 발생 갯수가 적으며, 또한 사용개시후 누계투입 전력량이 10 kWh 때의 시트 저항값의 웨이퍼내 표준편차가 2.3 ∼ 2.7 % 로 안정하여 낮은값으로 되어 있다.

이상에서 실시예 5 ∼ 7 과 마찬가지로 다이어몬드 다듬질 절삭은 대단히 우수한 효과가 있는 것이 판명된다.

실시예 13 및 14 에 대하여는, 표 4 에 나타낸 바와 같이 다이어몬드 다듬질 절삭에 또한 습식연마와 세정 혹은 화학연마, 세정 및 탈수소처리를 병용한 것이지만, 이 경우는 노듈과 평균 파티클의 발생 갯수 및 시트 저항값의 웨이퍼내 표준편차에 일층 개선 효과가 확인되어, 양호한 결과를 나타낸다.

이들에 대하여, 비교예 3 및 4 에서는 표 6 에 나타낸 바와 같이, 노듈갯수가 어느것도 500개/ 타켓트 및 평균 파티클의 발생갯수가 110 및 87개/웨이퍼로 대단히 많다. 또한 시트 저항표준편차도 4.6% 및 3.3%로 높아, 나쁜 결과로 되어 있다.

이상에서, 본발명의 탄탈 타켓트는 티탄 타켓트와 마찬가지로 노듈 및 파티클의 발생의 발생갯수가 적으며, 또한 시트저항값의 웨이퍼내 표준편차가 작은 우수한 타켓트인 것을 알 수 있다.

（실시예 15 ∼ 20 및 비교예 5 ∼ 6）

다음에, 동에 본발명을 적용한 예(실시예 15 ∼ 20) 및 비교예 5 ∼ 6을 나타낸다.

고순도 동(Cu)의 스퍼터링 타켓트 소재를 선반에 의하여 선삭가공후, 이로전되는 면을 다이어몬드 다듬질절삭, 습식연마, 화학연마, 초순수 세정 및 탈수소처리를 하고, 표면거칠기(Ra), 오염물질총량, 수소함유량, 가공변질층의 두께를 조정한 스퍼터링 타켓트(직경 300mm X 두께 6.35mm）를 만들었다.

이를 표 7 및 표 8 에 나타낸다. 표 7 의 ○ 표시는 가공 또는 처리의 실시를 나타낸다.

이 타켓트를 그위에 직경 348mm X 두께 21.0mm의 동재질의 백킹플레이트에 접합하고 아래의 스퍼터링을 실시하였다.

표 7

	소 재	선 삭가 공	다이어몬드다듬질절삭	습 식연 마	화 학연 마	세정	탈수소 처 리
실시예 15	Cu	○		○		○
실시예 16	Cu	○			○	○	○
실시예 17	Cu	○	○
실시예 18	Cu	○	○	○		○
실시예 19	Cu	○	○		○	○	○
실시예 20	Cu	○			○	○	○
비교예 5	Cu	○
비교예 6	Cu	○		○		○

（○표시는 가공 또는 처리의 실시예를 나타낸다.）

표 8

	표면거칠기Ra(㎛)	오염물질의 총량(ppm)	수소함유량(ppm)	가공변질층의 두께(㎛)
실시예15	0.8	360	10	10
실시예16	0.4	70	10	10
실시예17	0.11	60	1	4
실시예18	0.05	260	10	10
실시예19	0.03	45	20	6
실시예20	0.9	55	20	20
비교예 5	2.4	60	2	35
비교예 6	1.6	370	20	25

이상과 같이 하여 제작한 동 스퍼터링 타켓트를 DC 마그네트론 스퍼터장치에 셋트하여 질소 분위기중에 스퍼터링을 행하여, 실리콘웨이퍼 상에 Cu막을 형성했다. 그리고, 각각의 실시예 15 ∼ 20 및 비교예 5 ∼ 6 의 노듈수, 평균 파티클수 및 사용개시후 누계투입 전력량이 10kWh 때의 시트 저항값의 웨이퍼내 표준편차(ø8")를 조사했다. 그의 결과를 표 9 에 나타낸다.

표 9

	노듈수 (개/타켓트)	평균파티클수(개/웨이퍼)	시트저항값표준편차(%)
실시예15	21	13	2.8
실시예16	8	3	2.6
실시예17	3	1	2.3
실시예18	17	7	2.8
실시예19	6	3	2.4
실시예20	11	5	3.5
비교예 5	17	6	4.1
비교예 6	20	12	3.6

표 8 에서 알 수 있는 바와 같이, 본발명의 실시예 15 ∼ 20 은 중심선 평균거칠기의 상한값인 Ra가 1.0㎛이지만, 비교예 5 및 6 의 중심선 평균거칠기는 2.4㎛ 및 1.6㎛인 것이다.

또한, 실시예 15 ∼ 20 에서는 이로전되는 표면에 부착한 오염물질인 주성분 및 합금성분 이외의 고융점 금속원소(W, Ti, Ta, Mo, Nb 등) 및 Si, Al, Co, Ni, B 의 총량이 500ppm 이하, 즉, 45ppm ∼ 360ppm 의 범위에 있는 것에 대하여, 비교예 5 및 6 에서는 60ppm 및 370ppm 인 것이다.

표면의 수소함유량에 대하여는 실시예 15 ∼ 20 에서는 1ppm ∼ 20ppm 인 것이다. 이 경우, 비교예 5 및 6 에 있어서는 2ppm 과 20ppm인 것이다.

표면의 가공변질층의 두께에 대하여는, 실시예 15 ∼ 20 에서는 4㎛ ∼ 20㎛에 대하여, 비교예 5 및 6 에서는 35㎛ 과 25㎛ 이며, 비교적 높은 가공변질층의 두께를 가진다.

표 8 및 표 9 의 대비에서 알 수 있는 바와 같이, 중심선 평균거칠기의 상한값, 이로전되는 표면에 부착한 오염물질인 주성분 및 합금성분 이외의 고융점 금속원소(W, Ti, Ta, Mo, Nb 등) 및 Si, Al, Co, Ni, B 의 총량의 상한값, 수소함유량의 상한값 및 표면의 가공변질층의 두께의 상한값의 어느것도 충족하지 않는 본발명의 실시예 15 ∼ 20 에 대하여는, 노듈수 및 평균파티클의 갯수가 적으며, 또한 시트 저항값의 웨이퍼내 표준편차도 작은 양호한 스퍼터링 타켓트인 것을 나타내고 있다.

그러나, 이들중 표면거칠기의 수치가 비교적 높고 오염물질량이 많은 실시예 15 와 18, 및 표면거칠기의 수치가 비교적 높고 가공변질층의 두께가 큰 실시예 20 에 대하여는, 노듈수 및 평균파티클의 갯수가 비교적 증가 경향이 있으며, 또한 시트 저항값의 웨이퍼내 표준편차도 다소 높게 되어 있다.

이들 실시예 15, 18 및 20 은 본발명의 범위에 있으며, 문제로 되는 것은 아니지만, 이들의 증가가 스퍼터링 타켓트의 성질에 영향을 주는 것이 판명된다.

실시예 17 ∼ 19 는 다이어몬드 다듬질 절삭한 것이다. 중심선 평균거칠기 Ra 가 0.03 ∼ 0.11㎛, 가공변질층의 두께 4 ∼ 10㎛ 이며, 특히 중심선 평균거칠기 Ra 및 가공변질층의 두께가 두드러지게 낮은 값으로 되어 있다.

또한, 이 경우의 노듈 및 평균 파티클의 발생 갯수가 적으며, 또한 사용개시후 누계투입 전력량이 10 kWh 때의 시트 저항값의 웨이퍼내 표준편차가 2.3 ∼ 2.8 % 로 안정하여 낮은값으로 되어 있다.

이상에서 실시예 5 ∼ 7 과 마찬가지로 다이어몬드 다듬질 절삭은 대단히 우수한 효과가 있는 것이 판명된다.

실시예 18 및 19 에 대하여는, 표 7 에 나타낸 바와 같이 다이어몬드 다듬질 절삭에 또한 습식연마와 세정 혹은 화학연마, 세정 및 탈수소처리를 병용한 것이지만, 이 경우는 노듈과 평균 파티클의 발생 갯수 및 시트 저항값의 웨이퍼내 표준편차에 일층 개선 효과가 확인되어, 양호한 결과를 나타낸다.

이들에 대하여, 비교예 5 및 6 에서는 표 8 및 표 9 에 나타낸 바와 같이, 중심선 평균거칠기 Ra 의 수치가 높고, 가공변질층의 두께도 두껍다.

노듈갯수가 17 개 및 20 개/ 타켓트 및 평균 파티클의 발생갯수가 6 및 8 개/웨이퍼로 많다. 특히 시트 저항값의 웨이퍼내 표준편차가 3.6% 또는 4.1%로 높아, 명백히 나쁜 결과로 된다.

이상에서, 본발명의 동 타켓트는 노듈 및 파티클의 발생의 발생갯수가 적으며, 또한 시트저항값의 웨이퍼내 표준편차가 작은 우수한 타켓트인 것을 알 수 있다.

(실시예 21 ∼ 26 및 비교예 7 ∼ 8)

다음에, 알루미늄에 본발명을 적용한 예(실시예 21 ∼ 26) 및 비교예 7 ∼ 8을 나타낸다.

고순도 알루미늄(Al)의 스퍼터링 타켓트 소재를 선반에 의하여 선삭가공후, 이로전되는 면을 다이어몬드 다듬질절삭, 습식연마, 화학연마, 초순수 세정 및 탈수소처리를 하고, 표면거칠기(Ra), 오염물질총량, 수소함유량, 가공변질층의 두께를 조정한 스퍼터링 타켓트(직경 300mm X 두께 6.35mm)를 만들었다. 이를 표 10 및 표 11 에 나타낸다. 표 10 의 ○ 표시는 가공 또는 처리의 실시를 나타낸다.

이 타켓트를 그위에 직경 348mm X 두께 21.0mm의 동재질의 백킹플레이트에 접합하고 아래의 스퍼터링을 실시하였다.

표 10

	소 재	선 삭가 공	다이어몬드다듬질절삭	습 식연 마	화 학연 마	세정	탈수소 처 리
실시예21	Al	○		○		○
실시예22	Al	○			○	○	○
실시예23	Al	○	○
실시예24	Al	○	○	○		○
실시예25	Al	○	○		○	○	○
실시예26	Al	○			○	○	○
비교예 7	Al	○
비교예 8	Al	○		○		○

（○표시는 가공 또는 처리의 실시예를 나타낸다.）

표 11

	표면거칠기Ra(㎛)	오염물질의 총량(ppm)	수소함유량(ppm)	가공변질층의 두께(㎛)
실시예21	0.9	240	10	10
실시예22	0.8	100	10	10
실시예23	0.15	30	1	5
실시예24	0.12	130	10	10
실시예25	0.03	30	15	5
실시예26	0.3	45	20	20
비교예 7	3.1	70	2	30
비교예 8	2.2	400	10	25

이상과 같이 하여 제작한 Al 스퍼터링 타켓트를 DC 마그네트론 스퍼터장치에 셋트하여 질소 분위기중에 스퍼터링을 행하여, 실리콘웨이퍼 상에 Al막을 형성했다. 그리고, 각각의 실시예 21 ∼ 26 및 비교예 7 ∼ 8 의 노듈수, 평균 파티클수 및 사용개시후 누계투입 전력량이 10kWh 때의 시트 저항값의 웨이퍼내 표준편차(ø8")를 조사했다. 그의 결과를 표 12 에 나타낸다.

표 12

	노듈수 (개/타켓트)	평균파티클수 (개/웨이퍼)	시트저항값표준편차(%)
실시예21	15	7	2.8
실시예22	10	3	2.8
실시예23	2	1	2.4
실시예24	13	6	2.8
실시예25	5	3	2.4
실시예26	10	5	3.5
비교예 7	17	6	4.0
비교예 8	19	12	3.7

표 11 에서 알 수 있는 바와 같이, 본발명의 실시예 21 ∼ 26 은 중심선 평균거칠기의 상한값인 Ra가 1.0㎛이지만, 비교예 7 및 8 의 중심선 평균거칠기는 3.1㎛ 및 2.2㎛인 것이다.

또한, 실시예 21 ∼ 26 에서는 이로전되는 표면에 부착한 오염물질인 주성분 및 합금성분 이외의 고융점 금속원소(W, Ti, Ta, Mo, Nb 등) 및 Si, Al, Co, Ni, B 의 총량이 500ppm 이하, 즉, 30ppm ∼ 240ppm 의 범위에 있는 것에 대하여, 비교예 7 및 8 에서는 70ppm 및 400ppm 인 것이다.

표면의 수소함유량에 대하여는 실시예 21 ∼ 26 에서는 1ppm ∼ 20ppm 인 것이다. 이 경우, 비교예 7 및 8 에 있어서는 2ppm 과 10ppm인 것이다.

표면의 가공변질층의 두께에 대하여는, 실시예 21 ∼ 26 에서는 5㎛ ∼ 20㎛에 대하여, 비교예 7 및 8 에서는 30㎛ 과 25㎛ 이며, 높은 가공변질층의 두께를 가진다.

표 11 및 표 12 의 대비에서 알 수 있는 바와 같이, 중심선 평균거칠기의 상한값, 이로전되는 표면에 부착한 오염물질인 주성분 및 합금성분 이외의 고융점 금속원소(W, Ti, Ta, Mo, Nb 등) 및 Si, Al, Co, Ni, B 의 총량의 상한값, 수소함유량의 상한값 및 표면의 가공변질층의 두께의 상한값의 어느것도 충족하지 않는 본발명의 실시예 21 ∼ 26 에 대하여는, 노듈수 및 평균파티클의 갯수가 적으며, 또한 시트 저항값의 웨이퍼내 표준편차도 작은 양호한 스퍼터링 타켓트인 것을 나타내고 있다.

이들의 실시예중에 표면거칠기 및 오염물질층이 다소 높게 있는 실시예 21 및 22 는 다소 노듈수가 많게 되고 또한 시트 저항값의 웨이퍼내 표준편차도 약간 높게 되어 있는 것이 판명된다. 또한, 수소함유량 및 가공변질층의 두께가 다소 높게 되어 있는 실시예 26 에 대하여는, 노듈수 및 시트 저항값의 웨이퍼내 표준편차가 약간 증가 경향이 있으며, 이들의 증가가 스퍼터링 타켓트의 성질에 영향을 주는 것이 판명된다. 그러나, 실시예 21 ∼ 26 어느것도 본발명의 범위에 있으며, 문제로 되는 것은 없다.

실시예 23 ∼ 25 는 다이어몬드 다듬질 절삭한 것이지만, 중심선 평균거칠기 Ra 가 0.03 ∼ 0.15㎛, 오염물질 30 ∼ 130ppm, 가공변질층의 두께 5 ∼ 10㎛ 이며, 특히 평균거칠기 Ra 및 가공변질층의 두께가 두드러지게 낮은 값으로 되어 있다.

또한, 이 경우의 노듈 및 평균 파티클의 발생 갯수가 적으며, 또한 사용개시후 누계투입 전력량이 10 kWh 때의 시트 저항값의 웨이퍼내 표준편차가 2.4 ∼ 2.8 % 로 안정하여 낮은값으로 되어 있다.

이상에서 실시예 5 ∼ 7 과 마찬가지로 다이어몬드 다듬질 절삭은 대단히 우수한 효과가 있는 것이 판명된다.

실시예 24 및 25 에 대하여는, 표 10 에 나타낸 바와 같이 다이어몬드 다듬질 절삭에 또한 습식연마와 세정 혹은 화학연마, 세정 및 탈수소처리를 병용한 것이지만, 이 경우는 노듈과 평균 파티클의 발생 갯수 및 시트 저항값의 웨이퍼내 표준편차에 일층 개선 효과가 확인되어, 양호한 결과를 나타낸다.

이들에 대하여, 비교예 7 및 8 에서는 표 12 에 나타낸 바와 같이, 노듈갯수가 어느것도 17 개 ∼ 19 개/타켓트 및 평균 파티클의 발생갯수가 6 및 12 개/웨이퍼로서 많게 되어 있다. 또한 시트 저항값의 웨이퍼내 표준편차가 4.0% 또는 3.7%로 극히 나쁜 결과로 되어 있다.

이상에서, 본발명의 Al 타켓트는 노듈 및 파티클의 발생의 발생갯수가 적으며, 또한 시트저항값의 웨이퍼내 표준편차가 작은 우수한 타켓트인 것을 알 수 있다.

스퍼터링 타켓트의 표면거칠기를 콘트롤하므로써 스퍼터링에 의하여 기판에 형성하는 박막의 두께를 균일하게 하고, 또한 표면에 부착하는 오염물질 및 표면수소함유량을 저감시키고, 또한 가공변질층의 두께를 감소시키어, 스퍼터링시에 있어서의 노듈의 생성을 방지하여 파티클 발생을 효과적으로 억제할 수 있는 우수한 효과를 가진다.

특히, 다이어몬드 바이트를 사용한 정밀절삭은, 종래 필요로 되어온 습식연마 혹은 화학연마를 사용하지 않아도 표면거칠기를 효과적으로 저감할 수 있고, 또한 이 가공조건을 선택하므로써, 중심선 평균거칠기 Ra ≤ 0.2㎛, 가공변질층의 두께를 15㎛ 이하로 할 수가 있다.

그리고, 상기와 같이 가공변질층을 작게 하므로써, 이 더미스퍼터링에 요하는 시간을 대폭으로 단축할 수 있는 현저한 효과를 얻을 수 있다.

Claims (7)

1. 스퍼터링 타겟의 이로전(erosion)되는 면의 표면거칠기가, 중심선 평균표면거칠기 Ra ≤1.0 ㎛이고, 이로전되는 표면에 부착한 오염물질인 주성분 및 합금성분 이외의 고융점금속원소 및 Si, Al, Co, Ni, B의 총량이 500 ppm 이하이고, 이로전되는 표면의 수소함유량이 50 ppm 이하이고, 이로전되는 표면의 가공변질층의 두께가 50 ㎛인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
2. 스퍼터링 타겟의 이로전되는 면의 표면거칠기가, 중심선 평균표면거칠기 Ra ≤0.2 ㎛이고, 이로전되는 표면에 부착한 오염물질인 주성분 및 합금성분 이외의 고융점금속원소 및 Si, Al, Co, Ni, B의 총량이 500 ppm 이하이고, 이로전되는 표면의 수소함유량이 50 ppm 이하이고, 이로전되는 표면의 가공변질층의 두께가 50 ㎛인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
3. 스퍼터링 타겟의 이로전되는 면의 표면거칠기가, 중심선 평균표면거칠기 Ra ≤1.0 ㎛이고, 이로전되는 표면에 부착한 오염물질인 주성분 및 합금성분 이외의 고융점금속원소 및 Si, Al, Co, Ni, B의 총량이 300 ppm 이하이고, 이로전되는 표면의 수소함유량이 50 ppm 이하이고, 이로전되는 표면의 가공변질층의 두께가 50 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
4. 스퍼터링 타겟의 이로전되는 면의 표면거칠기가, 중심선 평균표면거칠기 Ra ≤0.2 ㎛이고, 이로전되는 표면에 부착한 오염물질인 주성분 및 합금성분 이외의 고융점금속원소 및 Si, Al, Co, Ni, B의 총량이 300 ppm 이하이고, 이로전되는 표면의 수소함유량이 50 ppm 이하이고, 이로전되는 표면의 가공변질층의 두께가 50 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
5. 제1항, 제2항, 제3항, 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 이로전되는 표면의 수소함유량이 30 ppm 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
6. 다이아몬드 바이트를 이용한 정밀절삭에 의해 스퍼터면의 다듬질가공을 행하고, 중심선 평균거칠기 Ra ≤0.2 ㎛의 타겟 표면을 얻는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조방법.
7. 제6항에 있어서, 다이아몬드 바이트를 이용한 정밀절삭을 행하고, 다시 연마에 의해 스퍼터면의 다듬질가공을 행한 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조방법.