KR100271190B1 - 진공 부식 챔버 및 진공 부식 챔버의 교체가능한 부분을 처리하기 위한 방법 - Google Patents
진공 부식 챔버 및 진공 부식 챔버의 교체가능한 부분을 처리하기 위한 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100271190B1 KR100271190B1 KR1019930016654A KR930016654A KR100271190B1 KR 100271190 B1 KR100271190 B1 KR 100271190B1 KR 1019930016654 A KR1019930016654 A KR 1019930016654A KR 930016654 A KR930016654 A KR 930016654A KR 100271190 B1 KR100271190 B1 KR 100271190B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- parts
- chamber
- door
- cover
- quartz
- Prior art date
Links
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 title 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 30
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 14
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 238000005422 blasting Methods 0.000 claims description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 16
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 2
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007900 aqueous suspension Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000007688 edging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
- B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/16—Vessels; Containers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10S156/914—Differential etching apparatus including particular materials of construction
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
알루미늄 덮개, 석영도어 및 시일드를 포함하는 진공챔버에 대한 교체가능한 부분들은 진공챔버내에서 기판을 처리하는 동안에 상기 부분들에 증착되는 재료들의 고착력을 증가시키기 위해서 자체의 표면을 세척하고 거칠게 하도록 처리된다. 이에 의해, 장비의 정지시간이 줄어든다. 교체가능한 부분들은 제1단계에서 화학적으로 세척될 수 있고, 화학약품들을 제거하도록 헹구어지며, 건조된다. 상기 부분들은 부분들의 표면을 거칠게 하고 표면에 증착되는 재료의 고착력을 개선시키기 위해서 비이드 분사가공되기 쉽다. 계속되는 단계에서 상기 부분들은 모든 유리된 입자들을 제거하도록 초음파 세척된다. 마지막 단계에서 상기 부분들은 포장 또는 사용전에 습기를 제거하도록 헹구어지고 건조된다. 새로운 단일체의 기계가공된 알루미늄 덮개는 진공챔버의 도어내로 끼워맞추어지는 제1표면으로부터 연장된 벽 및 덮개가 폐쇄되는 경우에 도어와 밀봉 결합하는 제1표면의 중첩부를 갖는다.
Description
제1도는 진공 처리 챔버에 사용되는 교체가능한 덮개, 도어 및 시일드의 단면도.
제2도는 본 발명의 방법을 나타내는 흐름도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
12 : 덮개 14 : 연장벽
16 : 석영도어 17 : 음극
18 : 석영시일드
본 발명은 진공챔버에 사용되는 교체가능한 부분들의 개선에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 진공 부식 챔버에 사용되는 부분으로서 교체시간을 연장하기 위해서 예비처리된 교체가능한 부분들에 관한 것이다.
진공챔버는 널리 알려져 있으며, 집적회로를 제작하는 동안에 반도체 기판들에 얇은 막들을 부식 및 증착시키고 접촉부를 형서시키기 위한 반도체 산업분야에 사용될 수 있다. 처리챔버는 진공환경을 남기지 않으면서 진공처리 및 공정을 위해 기판들을 조절하고 예비세척할 수 있는 장치의 일부를 형성한다.
그러나, 가핀 예비세척단계는 기판의 표면에 고착된 물질을 제거하는데 있어서 효과적이며, 이 물질을 진공챔버내의 다른 표면들, 즉 챔버의 벽 또는 시일드, 덮개 및 도어상에 분산시킨다. 이 경우에, 상기 표면들상에 축적된 상기 물질은 플레이크의 형성을 유발하며, 기판표면위로 증착될 수 있다. 그러한 점에서, 챔버는 세척을 위해 분리되어야 한다.
진공 부식 챔버에 사용되는 본 덮개는 알에프(RF) 가스킷에 의해서 서로 분리된 2개의 알루미늄 덮개로 이루어져 있다. 알에프(RF) 가스킷은 진공챔버에 대하여 60MHz의 알에프(RF) 전력공급을 위한 낮은 저항성의 접점이다. 2개의 알루미늄판은 다수의 나사에 의해서 연결된다. 나사들은 2개의 판이 그들 사이에 위치되는 알에프(RF) 가스킷에 대하여 양호한 접점을 만들도록 2개의 판을 함께 고정시킨다. 그런데, 위에서 언급한 바와같이 덮개위에 물질이 쌓이게 됨에 따라, 덮개는 쌓여진 물질을 제거하기 위해서 추가적으로 세척되어야 한다.
이것은 습식 화학 세척방법에 의해서 이루어진다. 이 방법에 따르면, 덮개를 분리하고 나사를 제거한 후, 덮개를 세척하고, 그 다음에 덮개를 재조립한다. 그러나 조립체의 작용, 즉 나사를 삽입하여 고정시키는 것은 입자들을 발생시킨다. 이에따라, 챔버는 비록 세척단계를 거쳤을지라도, 자유로운 입자들에 의해서 깨끗한 상태가 유지되지 않는다. 기판지지물 주위의 덮개 및 시일드에 대한 도어와 같은 진공챔버의 다른 부분들은 물질들이 챔버의 벽에 증착되는 것을 방지하기 위해서 주기적으로 세척되어야 한다. 이것은 위하여 장비의 정지시간이 더 필요하게 되고, 결과적으로 제조비용의 증가가 초래된다.
그러므로, 세척을 위해서 분리되었다가 다시 조립될 필요가 없는 진공실 덮개가 요구된다. 또한, 진공실에 대하여 교체가능한 부분들을 예비처리하는 것이 요구된다. 이에의해, 진공실에서 발생된 입자들의 덮개, 도어 및 시일드 표면들에 대한 고착력이 개선되고, 세척주기사이의 시간간격이 연장되어서 장비의 정지시간이 줄어들에 된다.
본 발명은 단일의 기계가공된 알루미늄판을 포함하는 진공챔버에 사용되는 새로운 덮개 및 도어를 제공한다. 알루미늄판은 석영 링 또는 도어와 밀봉결합하고, 진공챔버에 대한 덮개 및 도어가 폐쇄되는 경우에 기판 지지물을 둘러싸는 시일드 내부에 끼워 맞추어진다. 덮개, 시일드 및 도어등 교체가능한 부분들은 예비처리된다. 이에의해, 기판의 예비세척 및 처리과정 동안에 챔버내에서 발생된 입자들은 교체가능한 부분들의 표면에 양호하게 고착되며, 진공챔버를 분리하지 않고서도 더 많은 기판들이 처리 및 세척될 수 있고, 상기 부분들이 교체될 수 있다. 이 예비처리는 알류미늄 및 석영 재료로 이루어진 교체가능한 부분들, 즉 덮개, 도어 및 시일드에서, 챔버내에서 발생된 재료 또는 입자들이 매끄러운 표면보다 더 양호하게 고착될 수 있는 불규칙한 표면을 만드는 비이드 분사가공 단계로 이루어진다. 비이드분사 가공단계후에는 표면에 잔류하는 모든 입자들을 제거하는 교체가능한 부분들의 초음파 세척단계가 수반된다. 이 에비처리는 진공 처리 챔버에서 긴 수명을 갖는 알루미늄 및 석영의 도어/덮개/시일드 조합을 만들어낸다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
제1도에서 본 발명에 따른 일체의 알루미늄 덮개, 이 덮개에 대한 석영 도어 및 진공처리 챔버를 위한 석영 기판 지지용 시일드가 도시되어 있다. 덮개는 챔버내에서, 처리될 기판이 처리과정 동안에 위치하게 되는 음극에 대하여 마주보도록 위치하고 있다. 본 발명에 따른 덮개 및 도어는 본 발명의 방법에 따라서 예비처리된다.
연장벽(14)은 석영도어(16)의 내부로 끼워 맞추어진다. 덮개의 연장벽(4)이 제 위치에 있고 석영도어(16)가 폐쇄되는 경우, 석영도어(16)은 석영시일드(18)의 꼭대기에 맞추어진다. 석영시일드(18)는 처리과정동안에 처리될 기판이 위치하게 되는 음극(17)을 둘러싸도록 형상화 되어 있다. 석영도어(16)는 외부적으로 구동되는 작동기에 의해서 고정덮개(12)와 함께 상승 및 하강한다. 석영도어(16)가 상승 및 하강함과 동시에, 석영시일드(18)에 형성된 슬롯들을 통과하는 세라믹 핑거(도시되지 않음)가 기판을 음극(17)위로 상승 및 하강시킨다. 이것은 기판을 처리챔버 내부 및 외부로 운반하는 동안에 진행된다. 고정된 석영시일드(18)는 부식된 재료가 기판으로부터 진공챔버(도시되지 않음)의 벽에 달라붙는 것을 방지하는 기능을 수행한다. 덮개(12)는 또한 제1표면의 중첩부(20)를 갖추고 있는데, 이 중첩부는 처리과정동안에 도어와 접촉하며 도어를 밀봉한다. 적당한 오(O)형 링 시일(seal)(도시되지 않음)은 진공이 조성된 경우, 처리챔버를 밀봉하는데 사용된다.
알루미늄덮개(12), 석영도어(16) 및 석영시일드(18)는 하기에서 보다 상세하게 설명되는 본 발명의 세척방법에 따라서 예비처리된다.
본 발명에 따른 새로운 덮개는 나사가 필요없으며, 이에따라 진공 예비처리 또는 처리챔버내에서 보다 적은수의 입자들을 발생시킨다. 또한, 덮개는 양호한 고착처리과정 동안에 발생되는 입자들에 대한 예비처리된 표면을 갖추고 있으며, 덮개를 양호하게 접지시키는데 알에프(RF) 가스킷에 필요하지 않다. 그리고 세척 또는 고체를 위해서 덮개를 조립 또는 분리시킬 필요가 없다. 덮개 및 도어의 간단한 교체는 장비의 정지시간을 줄일 필요가 있을때 효과적이다. 덮개, 도어 및 시일드는 적당한 진공챔버내에서 재사용을 위해 쉽게 재세척 및 재처리될 수 있다. 알루미늄 부분 및 석영부분들은 비이드 분사가공 및 화학적인 세척단계의 조합에 의해서 재순환-세척된다. 두가지 경우의 마지막 단계는 비이드분사 가공단계, 그에 이어지는 탈이온화된 물을 이용한 초음파처리, 및 헹굼과 건조이다. 헹굼과 건조는 하기에서 설명된다.
본 발명의 예비처리방법은 비이드 분사 가공단계와 그에 이어지는 초음파 세척단계로 구성된다.
알루미늄 덮개 및 석영도어의 비이드 분사 가공단계 처리는 5.6kg/cm2(80psi)의 압력 및 36 내지 80 그리트(grit) 크기의 다소 조야한 그리트를 갖는 알루미늄 산화분말을 사용하여 덮개, 도어 및 시일드에 충격을 줌으로써, 적당하게 영향을 받는다. 비이드 분사가공은 상업적으로 유용한 비이드 분사가공장비를 사용하여 수행될 수 있다. 비이드 분사 가공 분말 입자들의 크기는 덮개의 알루미늄 표면, 석영도어 및 시일드의 표면들을 약간 불규칙하게 하거나 또는 거칠게 하기에 충분하도록 커야 한다. 기계가공된 일체의 알루미늄 덮개는 조야한 그리트 크기의 재료로 이루어졌음에도 불구하고 비이드 분사가공 될 수 있다. 왜냐하면, 이것은 종래의 2개의 판으로 이루어진 알루미늄 시이트 금속보다 두껍고, 그에따라 더 내구성이 있기 때문이다. 불규칙한 표면들은 미세구조에 있어서, 기판처리 과정동안에 증착될 재료의 계면균열전파를 향상시킬 것이다. 표면요철은 증착된 필름들이 플레이트 크기보다 작고 플레이킹을 상당히 방지하는 구간으로 분쇄되는 결과를 초래하게 된다. 또한, 불규칙하거나 또는 거친 표면들은 재료가 증착될 수 있는 증가된 표면적을 갖는다. 이에의해 수용가능한 증착재료의 양이 증가된다.
비이드 분사 가공단계 후에 수행되는 초음파 세척단계는 부유입자들이 비이드분가가공 단계에서 잔류하는 입자들로부터 기인된 것이거나, 또는 알루미늄의 미소입자, 석영 및 분진입자들로부터 기인된 것이든지 간에, 덮개, 도어 및 시일드 표면상의 모든 유리된 입자들을 제거한다. 덮개, 도어 및 시일드는 먼저 이온화된 물을 이용하여 헹구어지고, 이온화된 물로 채워진 초음파 세척기내에 잠긴다. 적당한 초음파 세척기들은 상업적으로 유용하며, 일반적으로 약 10 갤론의 이온화된 물을 포함하고 있는 챔버를 사용하여 약 35 내지 70watts/gallon의 전력밀도에서 수분동안에 작동하도록 설정된다. 초음파 발생기가 작동개시 되자마자, 미리 삽입된 고체잔류물의 운해(croud)가 발생지로부터 비이드 분사 가공된 표면위로 형성됨을 알 수 있다. 이 운해는 빠르게 분산되며, 제거된 고체 재료가 수성의 현탁액에 잔류하거나 또는 침전된다. 그러므로, 초음파 처리의 대부분의 활동은 초기의 수초동안의 처리중에 일어난다. 그러나, 처리는 모든 유리된 고체재료를 완전하게 제거하기 위해서, 약 5부 동안 계속된다. 그 부분들은 처리된 알루미늄 및 석영 부분들의 표면들상에 입자들이 확실히 잔류하지 못하게 하기 위하여, 고온의 이온화된 물로 완전하게 헹구어진다.
끝으로, 알루미늄 덮개, 석영도어 및 시일드 부분들은 그들의 표면으로부터 모든 습기를 제거하도록 전도된다. 이 부분들은 여과된 공기 또는 질소를 사용하여 송풍건조될 수 있으며, 그 다음에는 상기 부분들로부터 모든 습기를 제거하기 위하여 여과된 공기분위기에서 약 60℃의 온도에서 약 30분동안 약하게 구워진다. 그후, 세척된 부분들은 운반을 위해서 묶여진다.
바람직한 세척방법에 있어서, 비이드 분사가공 단계전에 그 부분들은 알루미늄으로부터 생긴 산화물 및 석영표면들로부터 생긴 유기체와 같은 표면 오염물질을 제거하도록 화학적으로 세척된다. 세라믹에 대한 적당한 화학적 세척용액을 예를들어, 1/3 의질산, 1/3의 플루오르화 수소산 및 1/3의 물로 구성될 수 있다. 상기 부분은 화학적 세척용액에서 약 15초동안 담궈진다. 상기 부분은 화학물질들을 제거하도록 이온화된 물로 헹구어지고, 세척여과된 공기 또는 질소를 사용하여 송풍건조된다.
제2도는 본 발명의 방법에 따른 바람직한 실시예의 흐름도로서, 화학세척하는 초기단계, 비이드 분사가공단계, 초음파 세척단계, 헹굼 및 건조단계, 그리고 포장단계를 보여준다.
제2도는 본 발명의 방법에 따른 바람직한 실시예의 흐름도로서, 화학세척 하는 초기단계, 비이드 부사 가공단계, 화학세척하는 초기단계, 비이드 분사가공단계, 초음파 세척단계, 헹굼 및 건조단계, 그리고 포장단계를 보여준다.
본 발명의 방법에 따라서, 진공챔버 덮개 및 석영부분들의 처리와, 본 발명의 단순화된 튼튼한 덮개의 이용에 의해서, 깨끗한 진공챔버가 얻어진다. 이 진공챔버는 종래의 챔버에서보다 더 많은 기판들을 처리할 수 있게 하고, 장비의 정지시간을 감소시키며, 빠르게 저렴한 챔버의 세척방법 및 상기 부분들의 교체를 제공한다.
비록, 본 발명은 바람직한 실시예를 통해서 설명되었지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 여기에 포함된 방법 및 장치의 또다른 실시예를 이해할 수 있을 것이다. 예를들면, 반도체 기판들은 일반적으로 원형단면의 실시예 웨이퍼로서 원형단면의 시일드 및 음극지지물을 초래하였지만, 직사각형의 유리판과 같은 다른 기판들도 또한 사용될 수 있다. 스테인레스강과 같은 다른 재료들이 알루미늄을 대체할 수 있으며, 특정한 결과를 얻기 위해서 공정내로 다른 세척 및 헹굼단계를 개입시킬 수 있다. 본 발명은 단지 첨부된 청구범위에 의해서만 제한받는다.
Claims (6)
- 진공 부식 챔버내에서 교체가능한 부분들을 처리하기 위한 방법으로서, 상기 부분의 표면을 거칠게 하기 위해서 상기 부분의 표면을 비이드 분사가공(bead blasting)하는 단계와, 표면 입자들을 제거하기 위해서 상기 부분을 초음파 세척하는 단계와, 그리고 상기 부분을 헹굼 및 건조시키는 단계를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 부분들이 먼저 화학 세척용액을 사용하여 세척되는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 부분들중 하나가 진공챔버에 대한 알루미늄 단일체 덮개인 방법.
- 제1항에 있어서, 하나 또는 그 이상의 부분들이 석영으로 제조되는 방법.
- 진공 부식 챔버로서, 개구부와, 상기 챔버내에서 처리될 기판에 대한 음극지지물과, 상기 음극지지물을 둘러싸는 석영시일드, 상기 챔버의 덮개가 상기 시일드내로 끼워맞추어 폐쇄되는 경우의 석영도어, 및 상기 시일드에 대한 단일체의 알루미늄 덮개를 포함하는 교체가능한 부분들을 포함하고 있으며, 상기 덮개가 상기 도어와 밀봉결합하는 중첩부를 갖추고 있고, 상기 교체가능한 부분들이 제1항의 방법에 따라서 처리되는 진공 부식 챔버.
- 덮개가 폐쇄되는 경우에 챔버의 도어와 밀봉결합하는 제1표면의 중첩부 및 연장벽을 갖춘 진공 부식 챔버에 대한 단일체의 기계가공된 알루미늄덮개.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/936,433 US5401319A (en) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | Lid and door for a vacuum chamber and pretreatment therefor |
| US7/936,433 | 1992-08-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940004741A KR940004741A (ko) | 1994-03-15 |
| KR100271190B1 true KR100271190B1 (ko) | 2000-12-01 |
Family
ID=25468625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930016654A KR100271190B1 (ko) | 1992-08-27 | 1993-08-26 | 진공 부식 챔버 및 진공 부식 챔버의 교체가능한 부분을 처리하기 위한 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US5401319A (ko) |
| EP (1) | EP0589237B1 (ko) |
| JP (1) | JP2568371B2 (ko) |
| KR (1) | KR100271190B1 (ko) |
| DE (1) | DE69322043T2 (ko) |
Families Citing this family (68)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5916454A (en) * | 1996-08-30 | 1999-06-29 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for reducing byproduct particle generation in a plasma processing chamber |
| US6007673A (en) * | 1996-10-02 | 1999-12-28 | Matsushita Electronics Corporation | Apparatus and method of producing an electronic device |
| US5945354A (en) * | 1997-02-03 | 1999-08-31 | Motorola, Inc. | Method for reducing particles deposited onto a semiconductor wafer during plasma processing |
| US6036780A (en) * | 1997-08-27 | 2000-03-14 | Cypress Semiconductor Corporation | Mechanism for detecting particulate formation and/or failures in the removal of gas from a liquid |
| US6105435A (en) | 1997-10-24 | 2000-08-22 | Cypress Semiconductor Corp. | Circuit and apparatus for verifying a chamber seal, and method of depositing a material onto a substrate using the same |
| US6504233B1 (en) | 1999-06-28 | 2003-01-07 | General Electric Company | Semiconductor processing component |
| US6368410B1 (en) * | 1999-06-28 | 2002-04-09 | General Electric Company | Semiconductor processing article |
| US6168696B1 (en) | 1999-09-01 | 2001-01-02 | Micron Technology, Inc. | Non-knurled induction coil for ionized metal deposition, sputtering apparatus including same, and method of constructing the apparatus |
| JP4294176B2 (ja) * | 1999-09-13 | 2009-07-08 | 株式会社山形信越石英 | 表面が砂目加工された石英物品の洗浄方法 |
| US20020069970A1 (en) * | 2000-03-07 | 2002-06-13 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled semiconductor processing chamber liner |
| EP1320879A4 (en) * | 2000-08-11 | 2009-03-11 | Chem Trace Corp | SYSTEM AND METHOD FOR CLEANING PARTS OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PARTS |
| US6805952B2 (en) * | 2000-12-29 | 2004-10-19 | Lam Research Corporation | Low contamination plasma chamber components and methods for making the same |
| US6777045B2 (en) * | 2001-06-27 | 2004-08-17 | Applied Materials Inc. | Chamber components having textured surfaces and method of manufacture |
| US20030047464A1 (en) * | 2001-07-27 | 2003-03-13 | Applied Materials, Inc. | Electrochemically roughened aluminum semiconductor processing apparatus surfaces |
| US6587750B2 (en) | 2001-09-25 | 2003-07-01 | Intuitive Surgical, Inc. | Removable infinite roll master grip handle and touch sensor for robotic surgery |
| KR100439478B1 (ko) * | 2001-12-22 | 2004-07-09 | 동부전자 주식회사 | 금속막 증착설비용 실드 세정방법 |
| US6776873B1 (en) * | 2002-02-14 | 2004-08-17 | Jennifer Y Sun | Yttrium oxide based surface coating for semiconductor IC processing vacuum chambers |
| US6812471B2 (en) * | 2002-03-13 | 2004-11-02 | Applied Materials, Inc. | Method of surface texturizing |
| JP3958080B2 (ja) * | 2002-03-18 | 2007-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置内の被洗浄部材の洗浄方法 |
| US7026009B2 (en) * | 2002-03-27 | 2006-04-11 | Applied Materials, Inc. | Evaluation of chamber components having textured coatings |
| DE10224547B4 (de) * | 2002-05-24 | 2020-06-25 | Khs Corpoplast Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken |
| EP1507886B1 (de) * | 2002-05-24 | 2015-09-30 | KHS Corpoplast GmbH | Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von werkstücken |
| US20040194818A1 (en) * | 2002-07-26 | 2004-10-07 | Fronsdahl James W. | Hydrophilic components for a spin-rinse-dryer |
| US7964085B1 (en) | 2002-11-25 | 2011-06-21 | Applied Materials, Inc. | Electrochemical removal of tantalum-containing materials |
| US6902628B2 (en) * | 2002-11-25 | 2005-06-07 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning a coated process chamber component |
| US20060105182A1 (en) * | 2004-11-16 | 2006-05-18 | Applied Materials, Inc. | Erosion resistant textured chamber surface |
| US20040221959A1 (en) * | 2003-05-09 | 2004-11-11 | Applied Materials, Inc. | Anodized substrate support |
| US7045072B2 (en) * | 2003-07-24 | 2006-05-16 | Tan Samantha S H | Cleaning process and apparatus for silicate materials |
| US20050048876A1 (en) * | 2003-09-02 | 2005-03-03 | Applied Materials, Inc. | Fabricating and cleaning chamber components having textured surfaces |
| EP1664370A1 (en) * | 2003-09-25 | 2006-06-07 | Honeywell International Inc. | Pvd component and coil refurbishing methods |
| US7910218B2 (en) * | 2003-10-22 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings |
| US7416076B2 (en) * | 2004-01-12 | 2008-08-26 | Halliburton Energy Services, Inc. | Apparatus and method for packaging and shipping of high explosive content components |
| US7264679B2 (en) * | 2004-02-11 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of chamber components |
| US20050211276A1 (en) * | 2004-03-15 | 2005-09-29 | Applied Materials, Inc. | Lid for a semiconductor device processing apparatus and methods for using the same |
| US20050238807A1 (en) * | 2004-04-27 | 2005-10-27 | Applied Materials, Inc. | Refurbishment of a coated chamber component |
| US7618769B2 (en) * | 2004-06-07 | 2009-11-17 | Applied Materials, Inc. | Textured chamber surface |
| US7670436B2 (en) | 2004-11-03 | 2010-03-02 | Applied Materials, Inc. | Support ring assembly |
| US7579067B2 (en) * | 2004-11-24 | 2009-08-25 | Applied Materials, Inc. | Process chamber component with layered coating and method |
| US8617672B2 (en) | 2005-07-13 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Localized surface annealing of components for substrate processing chambers |
| US7762114B2 (en) * | 2005-09-09 | 2010-07-27 | Applied Materials, Inc. | Flow-formed chamber component having a textured surface |
| US9127362B2 (en) | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
| US20070113783A1 (en) * | 2005-11-19 | 2007-05-24 | Applied Materials, Inc. | Band shield for substrate processing chamber |
| US8647484B2 (en) * | 2005-11-25 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Target for sputtering chamber |
| US7648582B2 (en) * | 2005-12-23 | 2010-01-19 | Lam Research Corporation | Cleaning of electrostatic chucks using ultrasonic agitation and applied electric fields |
| US8173228B2 (en) * | 2006-01-27 | 2012-05-08 | Applied Materials, Inc. | Particle reduction on surfaces of chemical vapor deposition processing apparatus |
| US20070283884A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Applied Materials, Inc. | Ring assembly for substrate processing chamber |
| DE102006026828A1 (de) * | 2006-06-07 | 2007-12-13 | Hydro Aluminium Deutschland Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Behälters aus Aluminiumblechen |
| US7981262B2 (en) | 2007-01-29 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Process kit for substrate processing chamber |
| US8444926B2 (en) * | 2007-01-30 | 2013-05-21 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber with heated chamber liner |
| US20080196661A1 (en) * | 2007-02-20 | 2008-08-21 | Brian West | Plasma sprayed deposition ring isolator |
| US7741583B2 (en) * | 2007-03-22 | 2010-06-22 | Tokyo Electron Limited | Bake plate lid cleaner and cleaning method |
| US10242888B2 (en) | 2007-04-27 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing apparatus with a ceramic-comprising surface which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance |
| US10622194B2 (en) | 2007-04-27 | 2020-04-14 | Applied Materials, Inc. | Bulk sintered solid solution ceramic which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance |
| US7942969B2 (en) | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
| US20090084317A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber and components |
| US20090194414A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Nolander Ira G | Modified sputtering target and deposition components, methods of production and uses thereof |
| JP4669017B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2011-04-13 | 富士フイルム株式会社 | 成膜装置、ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法 |
| US20090261065A1 (en) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | Lam Research Corporation | Components for use in a plasma chamber having reduced particle generation and method of making |
| TWI502617B (zh) * | 2010-07-21 | 2015-10-01 | 應用材料股份有限公司 | 用於調整電偏斜的方法、電漿處理裝置與襯管組件 |
| JP5972791B2 (ja) | 2010-09-09 | 2016-08-17 | 株式会社瑞光 | 着用物品の製造方法及び製造装置 |
| CN102513305B (zh) * | 2011-12-30 | 2016-03-02 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 半导体硅片的清洗装置及其清洗方法 |
| CN103510064B (zh) * | 2012-06-15 | 2016-06-29 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 真空处理装置及控制制程颗粒沉积路径的方法 |
| US9101954B2 (en) | 2013-09-17 | 2015-08-11 | Applied Materials, Inc. | Geometries and patterns for surface texturing to increase deposition retention |
| US11139151B1 (en) * | 2018-03-15 | 2021-10-05 | Intel Corporation | Micro-surface morphological matching for reactor components |
| USD913979S1 (en) | 2019-08-28 | 2021-03-23 | Applied Materials, Inc. | Inner shield for a substrate processing chamber |
| US11534967B2 (en) | 2019-12-12 | 2022-12-27 | Arcam Ab | Additive manufacturing apparatuses with powder distributors and methods of use |
| USD973609S1 (en) | 2020-04-22 | 2022-12-27 | Applied Materials, Inc. | Upper shield with showerhead for a process chamber |
| CN114102440A (zh) * | 2020-08-28 | 2022-03-01 | 长鑫存储技术有限公司 | 用于石英部件的表面处理方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3617463A (en) * | 1969-06-18 | 1971-11-02 | Ibm | Apparatus and method for sputter etching |
| SE425707B (sv) * | 1981-03-20 | 1982-10-25 | Asea Ab | Sett att innesluta utbrenda kernbrenslestavar i en behallare av koppar |
| US4411575A (en) * | 1981-05-01 | 1983-10-25 | The Perkin-Elmer Corporation | Sample transfer vessel |
| US4466872A (en) * | 1982-12-23 | 1984-08-21 | At&T Technologies, Inc. | Methods of and apparatus for depositing a continuous film of minimum thickness |
| JPS60100657A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-04 | Toshiba Corp | 金属の表面処理法 |
| US4657616A (en) * | 1985-05-17 | 1987-04-14 | Benzing Technologies, Inc. | In-situ CVD chamber cleaner |
| JP2859632B2 (ja) * | 1988-04-14 | 1999-02-17 | キヤノン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| US5233144A (en) * | 1988-06-14 | 1993-08-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Heat generating container for microwave oven |
| JPH0222822A (ja) * | 1988-07-11 | 1990-01-25 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体基板の製造方法 |
| US5017439A (en) * | 1989-07-19 | 1991-05-21 | Seagate Technology, Inc. | Micro-contamination-free coating for die-cast component in magnetic disk drive |
| JPH03180500A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-08-06 | Fujitsu Ltd | ステンレス鋼製の真空容器内壁の表面処理方法 |
| DE69129081T2 (de) * | 1990-01-29 | 1998-07-02 | Varian Associates | Gerät und Verfahren zur Niederschlagung durch einen Kollimator |
| US5202008A (en) * | 1990-03-02 | 1993-04-13 | Applied Materials, Inc. | Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber |
| DE69111490T2 (de) * | 1990-03-02 | 1996-04-18 | Applied Materials Inc | Verfahren zur Vorbereitung einer Blende zur Verminderung von Teilchen in einer Kammer zur physikalischen Aufdampfung. |
| JP3471032B2 (ja) * | 1991-12-27 | 2003-11-25 | アネルバ株式会社 | 薄膜堆積装置 |
| JPH05247635A (ja) * | 1992-03-05 | 1993-09-24 | Fujitsu Ltd | スパッタリング装置 |
-
1992
- 1992-08-27 US US07/936,433 patent/US5401319A/en not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-07-30 JP JP5190301A patent/JP2568371B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-08-26 KR KR1019930016654A patent/KR100271190B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-08-27 EP EP93113770A patent/EP0589237B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-08-27 DE DE69322043T patent/DE69322043T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-11-08 US US08/335,611 patent/US5565058A/en not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-06-05 US US08/658,784 patent/US5762748A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69322043D1 (de) | 1998-12-17 |
| DE69322043T2 (de) | 1999-06-24 |
| EP0589237A2 (en) | 1994-03-30 |
| US5401319A (en) | 1995-03-28 |
| US5565058A (en) | 1996-10-15 |
| US5762748A (en) | 1998-06-09 |
| JPH0817792A (ja) | 1996-01-19 |
| EP0589237A3 (en) | 1995-05-24 |
| KR940004741A (ko) | 1994-03-15 |
| EP0589237B1 (en) | 1998-11-11 |
| JP2568371B2 (ja) | 1997-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100271190B1 (ko) | 진공 부식 챔버 및 진공 부식 챔버의 교체가능한 부분을 처리하기 위한 방법 | |
| KR100272111B1 (ko) | 물리적인 증착 챔버내에서 입자들을 감소시키도록 시일드를 준비하기 위한 방법 | |
| TW585934B (en) | Surface-treated shower head for use in a substrate processing chamber | |
| US20110146909A1 (en) | Methods for wet cleaning quartz surfaces of components for plasma processing chambers | |
| US6897161B2 (en) | Method of cleaning component in plasma processing chamber and method of producing semiconductor devices | |
| KR101420896B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치용 복합 샤워헤드 전극 어셈블리를 위한 세정 하드웨어 키트 | |
| JP2674488B2 (ja) | ドライエッチング室のクリーニング方法 | |
| EP0690479A1 (en) | Method and apparatus for processing substrates, and apparatus for transferring the substrates | |
| JP2012518267A (ja) | 基板処理システムを維持する技術 | |
| WO1995004373A1 (en) | Shadow clamp | |
| KR20120054023A (ko) | 프로세스 챔버의 세척 방법 | |
| KR100445273B1 (ko) | 세라믹 절연체의 세정방법 | |
| KR19990067914A (ko) | 폴리 게이트 에칭을 위한 인시추 드라이 세정 방법 | |
| JP2003309105A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH07273092A (ja) | プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法 | |
| JPH108269A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| KR20040049518A (ko) | 흡입형 기체유동을 이용한 대기압 플라즈마 표면처리장치및 그처리방법 | |
| JPS5889944A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| US6632689B2 (en) | Method for processing semiconductor wafers in an enclosure with a treated interior surface | |
| JPH07130706A (ja) | 半導体製造装置のクリーニング方法 | |
| KR100724184B1 (ko) | 반도체 제조용 세라믹 설비부품의 오염물질 제거 방법 | |
| JP2002028599A (ja) | 再利用部品の洗浄方法 | |
| JPH08261535A (ja) | 排塵装置、半導体処理装置及び蒸着装置 | |
| JPH06314675A (ja) | 半導体製造装置の洗浄方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH01225321A (ja) | 半導体ウエハの処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |