JPH01225321A - 半導体ウエハの処理装置 - Google Patents
半導体ウエハの処理装置Info
- Publication number
- JPH01225321A JPH01225321A JP5204088A JP5204088A JPH01225321A JP H01225321 A JPH01225321 A JP H01225321A JP 5204088 A JP5204088 A JP 5204088A JP 5204088 A JP5204088 A JP 5204088A JP H01225321 A JPH01225321 A JP H01225321A
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- JP
- Japan
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- semiconductor wafer
- electrodes
- reaction
- container
- wafer processing
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- Pending
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- 238000011282 treatment Methods 0.000 title abstract 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 29
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 40
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
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- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 3
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- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばプラズマエツチング装置に使用して好
適な半導体ウェハの処理装置に関する。
適な半導体ウェハの処理装置に関する。
従来、この種半導体ウェハの処理装置はプラズマエツチ
ング装置として第２図に示すように構成されている。こ
れを同図に基づいて説明すると、同図において、符号１
で示すものは真空引き用の通路２を有しその内部で半導
体ウェハ３を処理する反応容器、４および５はこの反応
容器ｌ内に設けられ各々が互いに対向する上下２つの電
極である。これら両電極４．５のうち上部電極４は高周
波電源６に接続されており、内部には前記反応容器ｌの
内外に開口するガス導入通路７が設けられている。また
、下部電極５はアース接続されており、上面には半導体
ウェハ３を載置する載置部８が設けられている。なお、
９はウェハ処理時に前記両電極４．５間に発生するプラ
ズマ、ＩＯはウェハ処理後に前記反応容器１内の壁面お
よび前記両電極４，５に付着するデボ物（異物）である
。
ング装置として第２図に示すように構成されている。こ
れを同図に基づいて説明すると、同図において、符号１
で示すものは真空引き用の通路２を有しその内部で半導
体ウェハ３を処理する反応容器、４および５はこの反応
容器ｌ内に設けられ各々が互いに対向する上下２つの電
極である。これら両電極４．５のうち上部電極４は高周
波電源６に接続されており、内部には前記反応容器ｌの
内外に開口するガス導入通路７が設けられている。また
、下部電極５はアース接続されており、上面には半導体
ウェハ３を載置する載置部８が設けられている。なお、
９はウェハ処理時に前記両電極４．５間に発生するプラ
ズマ、ＩＯはウェハ処理後に前記反応容器１内の壁面お
よび前記両電極４，５に付着するデボ物（異物）である
。
このように構成された半導体ウェハの処理装置を用いる
ウェハ処理は、予め真空排気された反応容器ｌ内の下部
電極５上に半導体ウェハ３を載置した後、ガス導入通路
２から反応容器ｌ内に反応ガスを導入すると共に、両電
極４．５間に高周波電圧を印加するこ°とにより行われ
る。すなわち、画電極４，５間に高周波電圧を印加する
とプラズマ９が発生するため、このプラズマ９による気
体電気化学反応によって半導体ウェハ３に対しプラズマ
エツチング処理が施されるのである。
ウェハ処理は、予め真空排気された反応容器ｌ内の下部
電極５上に半導体ウェハ３を載置した後、ガス導入通路
２から反応容器ｌ内に反応ガスを導入すると共に、両電
極４．５間に高周波電圧を印加するこ°とにより行われ
る。すなわち、画電極４，５間に高周波電圧を印加する
とプラズマ９が発生するため、このプラズマ９による気
体電気化学反応によって半導体ウェハ３に対しプラズマ
エツチング処理が施されるのである。
ところで、従来の半導体ウェハの処理装置においては、
ウェハ処理時に発生する反応生成ガスの大部分が通路２
から反応容器ｌの外部に排出されているものの、一部が
デボ物ｌＯとして反応容器１内の壁面および両電極４．
５に付着していた。
ウェハ処理時に発生する反応生成ガスの大部分が通路２
から反応容器ｌの外部に排出されているものの、一部が
デボ物ｌＯとして反応容器１内の壁面および両電極４．
５に付着していた。
この結果、デボ物９はウェハ処理回数の増加に伴い大き
くなり、処理中の半導体ウェハ３上に落下付着してウェ
ハ処理上の信幀性が低下するという問題があった。
くなり、処理中の半導体ウェハ３上に落下付着してウェ
ハ処理上の信幀性が低下するという問題があった。
なお、通常ウェハ処理後に両電極４．５間に例えばＯｔ
プラズマを発生させ、エツチング処理によってデボ物１
０を除去することが行われているが、両電極４．５が固
定式のものであるため、特に両電極４．５の側面や裏側
には０、プラズマが到達せず、クリーニング効果は著し
く低いものであった。
プラズマを発生させ、エツチング処理によってデボ物１
０を除去することが行われているが、両電極４．５が固
定式のものであるため、特に両電極４．５の側面や裏側
には０、プラズマが到達せず、クリーニング効果は著し
く低いものであった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、処理中
の半導体ウェハに対する異物の付着を防止することがで
き、もってウェハ処理上の信鯨性を向上させることがで
きる半導体ウェハの処理装置を提供するものである。
の半導体ウェハに対する異物の付着を防止することがで
き、もってウェハ処理上の信鯨性を向上させることがで
きる半導体ウェハの処理装置を提供するものである。
本発明に係る半導体ウェハの処理装置は、その内部で半
導体ウェハを処理する反応容器をアース接続された容器
によって構成し、この容器内に平板電極を回動自在に設
けたものである。
導体ウェハを処理する反応容器をアース接続された容器
によって構成し、この容器内に平板電極を回動自在に設
けたものである。
〔作 用〕 −
本発明においては、平板電極と反応容器内の壁面との間
に高周波電圧を印加することにより発生するプラズマに
よってウェハ処理後に反応容器内に付着した異物を除去
することができる。
に高周波電圧を印加することにより発生するプラズマに
よってウェハ処理後に反応容器内に付着した異物を除去
することができる。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明に係る半導体ウェハの処理装置を示す縦
断面図で、同図において第２図と同一の部材については
同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。同図におい
て、符号１１で示す反応容器はアース接続されており、
この反応容器１１の内部には前記両電極４．５の両側方
に各々位置する２つの平板電極１２．１３が回動自在に
設けられている。これら両手板電極１２．１３は前記反
応容器ｌ内にその一部が臨むシャフト１４．１５によっ
て各々保持され、かつ前記高周波電源６に接続されてい
る。
断面図で、同図において第２図と同一の部材については
同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。同図におい
て、符号１１で示す反応容器はアース接続されており、
この反応容器１１の内部には前記両電極４．５の両側方
に各々位置する２つの平板電極１２．１３が回動自在に
設けられている。これら両手板電極１２．１３は前記反
応容器ｌ内にその一部が臨むシャフト１４．１５によっ
て各々保持され、かつ前記高周波電源６に接続されてい
る。
このように構成された半導体ウェハの処理装置を用いる
ウェハ処理は従来例と同様にして行われる。すなわち、
予め真空排気された反応容器１１内の下部電極５上に半
導体ウェハ３を載置した後、ガス導入通路２から反応容
器ｌｌ内に反応ガスを導入すると共に、両電極４．５間
に高周波電圧を印加するのである。
ウェハ処理は従来例と同様にして行われる。すなわち、
予め真空排気された反応容器１１内の下部電極５上に半
導体ウェハ３を載置した後、ガス導入通路２から反応容
器ｌｌ内に反応ガスを導入すると共に、両電極４．５間
に高周波電圧を印加するのである。
この場合、平板電極１２．１３と反応容器ｌ内の壁面と
の間に高周波電圧を印加することにより発生するプラズ
マＡによってウェハ処理後に反応容器１１内に付着した
デボ物１０（異物）を除去することができる。
の間に高周波電圧を印加することにより発生するプラズ
マＡによってウェハ処理後に反応容器１１内に付着した
デボ物１０（異物）を除去することができる。
したがって、本発明においては、デボ物１０がウェハ処
理回数の増加に伴い大きくなると、平板電極１２．１３
と反応容器１内の壁面間および上下両電極４．５間にプ
ラズマ＾を発生させて、エツチング処理を施すことによ
り処理中の半導体ウェハ３に対するデボ物（異物）１０
の付着を防止することができる。
理回数の増加に伴い大きくなると、平板電極１２．１３
と反応容器１内の壁面間および上下両電極４．５間にプ
ラズマ＾を発生させて、エツチング処理を施すことによ
り処理中の半導体ウェハ３に対するデボ物（異物）１０
の付着を防止することができる。
なお、本実施例においては、プラズマエツチング装置に
適用する例を示したが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、例えばＣＶＤ、スパッタ装置等の処理装置に
も同様に適用可能である。
適用する例を示したが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、例えばＣＶＤ、スパッタ装置等の処理装置に
も同様に適用可能である。
また、本発明における平板電極１２．１３の個数は前述
した実施例に限定されず、例えば３個、４個。
した実施例に限定されず、例えば３個、４個。
・・・とじてもよく、その個数は適宜変更することが自
由である。
由である。
以上説明したように本発明によれば、その内部で半導体
ウェハを処理する反応容器をアース接続された容器によ
って構成し、この容器内に平板電極を回動自在に設けた
ので、平板電極と反応容器内の壁面との間に高周波電圧
を印加することにより発生するプラズマによってウェハ
処理後に反応容器内に付着した異物を除去することがで
きる。
ウェハを処理する反応容器をアース接続された容器によ
って構成し、この容器内に平板電極を回動自在に設けた
ので、平板電極と反応容器内の壁面との間に高周波電圧
を印加することにより発生するプラズマによってウェハ
処理後に反応容器内に付着した異物を除去することがで
きる。
したがって、処理中の半導体ウェハに対する異物の付着
を防止することができるから、ウェハ処理上の信鎖性を
向上させることができる。
を防止することができるから、ウェハ処理上の信鎖性を
向上させることができる。
第１図は本発明に係る半導体ウェハの処理装置を示す縦
断面図、第２図は従来の半導体ウェハの処理装置を示す
縦断面図である。 ３・・・・半導体ウェハ、１１・・・・反応容器、１２
．１３・・・・平板電極。 代 理 人 大岩増雄
断面図、第２図は従来の半導体ウェハの処理装置を示す
縦断面図である。 ３・・・・半導体ウェハ、１１・・・・反応容器、１２
．１３・・・・平板電極。 代 理 人 大岩増雄
Claims (1)
- その内部で半導体ウェハを処理する反応容器を備えた
半導体ウェハの処理装置において、前記反応容器をアー
ス接続された容器によって構成し、この容器内に平板電
極を回動自在に設けたことを特徴とする半導体ウェハの
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5204088A JPH01225321A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | 半導体ウエハの処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5204088A JPH01225321A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | 半導体ウエハの処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01225321A true JPH01225321A (ja) | 1989-09-08 |
Family
ID=12903706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5204088A Pending JPH01225321A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | 半導体ウエハの処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01225321A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0653193A (ja) * | 1992-06-15 | 1994-02-25 | Micron Technol Inc | プラズマ反応容器のクリーニングに有用なオゾンを用いた炭素系ポリマー残留物の除去 |
| US6752579B2 (en) | 1995-07-19 | 2004-06-22 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same |
| KR101529578B1 (ko) * | 2011-01-14 | 2015-06-19 | 성균관대학교산학협력단 | 플라즈마 기판 처리 장치 및 방법 |
-
1988
- 1988-03-04 JP JP5204088A patent/JPH01225321A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0653193A (ja) * | 1992-06-15 | 1994-02-25 | Micron Technol Inc | プラズマ反応容器のクリーニングに有用なオゾンを用いた炭素系ポリマー残留物の除去 |
| US6752579B2 (en) | 1995-07-19 | 2004-06-22 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same |
| US6752580B2 (en) | 1995-07-19 | 2004-06-22 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same |
| US6895685B2 (en) | 1995-07-19 | 2005-05-24 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same |
| US6962472B2 (en) | 1995-07-19 | 2005-11-08 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same |
| US7201551B2 (en) | 1995-07-19 | 2007-04-10 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same |
| US7347656B2 (en) | 1995-07-19 | 2008-03-25 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same |
| KR101529578B1 (ko) * | 2011-01-14 | 2015-06-19 | 성균관대학교산학협력단 | 플라즈마 기판 처리 장치 및 방법 |
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