JP3471032B2 - 薄膜堆積装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、真空中で、半導体基
板上等に、真空蒸着、ＣＶＤ、スパッタリング等々の手
法で薄膜を堆積させる薄膜堆積装置で、真空チャンバー
の内壁等に不所望の薄膜が付着するのを防止するために
設置される防着シールドを備える薄膜堆積装置に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】スパッタリング装置の場合を例にとって
簡単な構成のもので説明する。薄膜堆積装置の防着シー
ルドは真空チャンバーの内部に図３（Ａ）のように設け
られている。図３（Ｂ）はその防着シールドの部分拡大
図であって、防着シールドに付着した堆積膜が剥離する
状況を模式的に示したものである。１０はウエハ、１２
はウエハホルダ、１４はターゲット、１６はプラズマ、
１８は直流又は高周波電源、２０は周知の通り、スパッ
タリング時に成膜の妨げとならない個所に、プラズマ領
域１６の周辺に設けられている防着シールド、２２はス
パッタリングによる堆積膜、２４は堆積膜のハガレによ
って飛散する粒子（パーティクル）である。

【０００３】ターゲット１４からスパッタされたターゲ
ット粒子は、矢印１０ａで示すようにウエハ１０に向か
って飛行し、その上に膜状に堆積するが、そのほかにも
矢印２６ａで示すように真空チャンバーの内壁２６に向
かっても飛行するものがあり、そこに付着して壁面を汚
染し、やがてガスを放出するようになるなどさまざまな
障害を起こす。そこで、図示するように、従来は、プラ
ズマ１６を囲む形に薄円筒状の防着用シールド２０を設
け、ターゲット粒子が真空チャンバーの内壁２６に向け
て飛行して付着するのを阻止している。そして、防着シ
ールド２０の内面に付着した堆積膜２２が厚くなると、
図３の（Ｂ）のように堆積膜２２に剥離（ハガレともい
う。）が生じ始めて粒子２４が飛散するので、この剥離
が生じる以前に、防着シールド２０全体を新しいものに
交換していた。

【０００４】図４（Ａ）にアルミニウム合金製の防着シ
ールド２０上に付着した各高融点膜が、スパッタ停止時
に防着シールド２０の温度低下によって剥がれてゆく際
の、剥がれの発生温度点（小円で表示）の説明に供する
図である。同図において、縦軸は防着シールド２０の温
度（℃）を示してあり、横軸には各高融点ターゲット材
料を材料毎に区分して示してある。高融点ターゲット材
料として左から右へと順にＴｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒
化チタニウム）、ＷＳｉ（珪化タングステン）、ＴｉＷ
（タングステンチタニウム）およびＷ（タングステン）
をとってある。Ｔｉの堆積膜はスパッタ中は約２００℃
の温度に達するが、スパッタの停止後温度が自然低下す
る。しかし、Ｔｉの場合には降温中剥離しない。しかし
ながら、ＴｉＮ、ＷＳｉ、ＴｉＷおよびＷはそれぞれス
パッタ中は、約３００℃、約４００℃、約２００℃およ
び２００℃であって、スパッタを停止すると同様に降温
し、この降温過程中に、ある温度でそれぞれの堆積膜が
剥離を生ずることが示されている。従って、既に説明し
たようにこの剥離が生じる前に、防着シールド２０の交
換をする必要がある。この交換が頻繁であることは、薄
膜堆積装置の使用効率が低下するので好ましいことでは
ない。

【０００５】この防着シールドの交換の期間を延長して
装置の利用効率を高める工夫が従来提案されている。そ
の従来例としては、特願６１−２６７２５２（特開昭６
３−１２１６５９号公報）「スパッタリング装置」、特
願６２−３１１２７７（特開平１−１５２２７１号公
報）「スパッタ装置」などに開示されているものがあ
る。それらは、例えば、図３の（Ａ）に示すように、防
着シールド２０（など基板以外のスパッタ膜付着部分）
に加熱装置２７としてヒーターを取り付けておき、同一
真空チャンバ内で行なわれる基板毎のスパッタリング処
理において、基板を交換する非スパッタ時にはこのヒー
ターをＯＮにする。そして、このヒーターと、チャンバ
内の他の熱源との作用によって防着シールドがスパッタ
時にヒーターを使用しないときに到達する温度付近、例
えば２００℃付近に保持されるようにする。一方、スパ
ッタが再開されるとヒーターをＯＦＦにするようにして
防着シールド２０を自然降温させるようにしたものであ
る。

【０００６】防着シールド２０に加熱装置２７を取付け
ない場合はスパッタ中、スパッタ停止、スパッタ再開始
で、防着シールドの温度が図４（Ｂ）のように膜剥がれ
発生温度（小円）を通過して昇降していたものが、加熱
装置２７のＯＮ、ＯＦＦで図４（Ｃ）のように温度変化
が小さくなり、温度の昇降が膜剥がれ発生点を通過しな
くなり、パーティクルの発生を大いに防止することがで
きる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、集積回
路が微細になり、生産が大規模、かつ、連続的になるに
従って、極めて微小、極めて小数のパーティクルによる
汚染までが問題になりはじめ、上述の各公報に開示の方
法でも微小なパーティクルの発生、飛散を抑えることが
出来ず、従って、成膜処理の歩留りの低下を防止するた
めには頻繁に防着シールドを交換することが必要になっ
てきた。防着シールドの交換に際しては防着シールドに
一体化して取り付けられているヒーターも一緒に撤去、
および装着する必要があり、このためその作業、コスト
はかなりのものであってこれも問題になってきた。

【０００８】防着シールドの堆積膜のハガレの抑制策に
は、上述の両公報にも記載があるように、堆積膜に熱膨
張係数が近似し堆積膜と付着性の良い石英などの材料で
防着シールドの表面を覆って堆積膜と防着シールドの密
着性を良くするとか、防着シールド自身の材料を付着性
のよいアルミニウム合金にするとか、防着シールド２０
の表面に細かい凹凸や掻き傷をつけるとかの工夫があっ
て、これらの併用で多少の効果は上がるが、しかし、頻
繁もしくは強度にヒートサイクルが加わるような条件、
あるいは、膜応力の大きい薄膜を成膜するような場合に
は、やはり効果が十分でない。

【０００９】この発明の目的は、上述した従来の問題を
解決し、微細な大規模集積回路、連続的大量生産におい
て、防着シールドの交換期間を延長し、装置のメンテナ
ンス性を向上させることのできるように構成した薄膜堆
積装置を提供することにある。

【００１０】

【問題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明の第１の薄膜堆積装置によれば、真空中に
て基板上に薄膜を堆積させる薄膜堆積装置において、真
空チャンバー内に設置する防着シールドと、防着シール
ドを輻射熱により非接触で加熱する加熱手段と、加熱手
段と対向する前記防着シールドの面に接する板であっ
て、加熱手段側に形成されたフィンと、防着シールドの
温度を、輻射線により非接触により測定して、これに基
づいて防着シールドを防着シールドに付着した堆積膜の
剥離が生じない温度に実質的に保持すべく加熱手段を制
御するための温度制御手段とを備え、堆積膜の剥離が生
じない前記防着シールドの温度を、薄膜の堆積時に加熱
手段を作動させないときに達する防着シールドの温度よ
りも、２０℃〜５０℃の範囲内の温度だけ高い一定温度
に設定し、この一定温度は、融点の高い成膜材料を用い
る時ほど高く設定するようにしたものである。

【００１１】また、この発明の第２の薄膜堆積装置によ
れば、 真空中にて基板上に薄膜を堆積させる薄膜堆積
装置において、真空チャンバー内に設置する防着シール
ドと、防着シールドを輻射熱により非接触により加熱す
る加熱手段と、加熱手段と対向する防着シールドの面に
接する板と、防着シールドの温度を、この板内に埋め込
まれた熱電対により直接測定して、これに基づいて防着
シールドを防着シールドに付着した堆積膜の剥離が生じ
ない温度に実質的に保持すべく加熱手段を制御するため
の温度制御手段とを備え、堆積膜の剥離が生じない防着
シールドの温度を、薄膜の堆積時に加熱手段を作動させ
ないときに達する防着シールドの温度よりも、２０℃〜
５０℃の範囲内の温度だけ高い一定温度に設定し、この
一定温度は、融点の高い成膜材料を用いる時ほど高く設
定するようにしたものである。

【００１２】また、この発明の第３の薄膜堆積装置によ
れば、真空中にて基板上に薄膜を堆積させる薄膜堆積装
置において、真空チャンバー内に設置する防着シールド
と、防着シールドの外側の面に接する板と、この板中に
埋設され、防着シールドを加熱する加熱手段と、防着シ
ールドの温度を、輻射線による非接触若しくはこの板の
温度の直接測定により、測定して、防着シールドを防着
シールドに付着した堆積膜の剥離が生じない温度に実質
的に保持すべく加熱手段を制御するための温度制御手段
とを備え、堆積膜の剥離が生じない前記防着シールドの
温度を、薄膜の堆積時に加熱手段を作動させないときに
達する防着シールドの温度よりも、２０℃〜５０℃の範
囲内の温度だけ高い一定温度に設定し、この一定温度
は、融点の高い成膜材料を用いる時ほど高く設定するよ
うにしたものである。

【００１３】また、この発明の第４の薄膜堆積装置によ
れば、真空中にて基板上に薄膜を堆積させる薄膜堆積装
置において、真空チャンバー内に設置する防着シールド
と、防着シールドの外側の面に接する板と、この板と対
向する前記真空チャンバー壁に設置された窓と、真空チ
ャンバーの外であって、この窓を介して前記シールドを
輻射熱により非接触で加熱する加熱手段と、防着シール
ドの温度を、輻射線による非接触若しくはこの板の温度
の直接測定により、測定して、防着シールドを防着シー
ルドに付着した堆積膜の剥離が生じない温度に実質的に
保持すべく加熱手段を制御するための温度制御手段とを
備え、堆積膜の剥離が生じない防着シールドの温度を、
薄膜の堆積時に加熱手段を作動させないときに達する防
着シールドの温度よりも、２０℃〜５０℃の範囲内の温
度だけ高い一定温度に設定し、この一定温度は、融点の
高い成膜材料を用いる時ほど高く設定するようにしたも
のである。

【００１４】このようにすると、薄膜堆積装置における
防着シールドからの、微小かつ少数のパーティクルの発
生を殆どゼロに抑えることが可能とされる。また、防着
シールドの交換作業を迅速、容易とするほか、装置の制
御を効率よく行うことができるため、装置の信頼性を更
に高めることが可能とされる。

【００１５】

【実施例】以下、図面を参照してこの発明の実施例を説
明する。尚、図は、この説明が理解できる程度に、各構
成成分の形状、大きさおよび配置関係を概略的に示して
あるに過ぎない。

【００１６】図１はこの発明の第１の実施例のスパッタ
リング装置を略示する正面断面図である。防着シールド
の部分を主にして描き、この発明に関係のない部分はつ
とめて省略した。図３に共通する部材には同じ符号を用
いて説明を省略する。

【００１７】この第１の実施例で、円筒状ホルダ２８と
しているのは、防着シールド２０を真空チャンバに固定
するために設けられた支持体である。このホルダ２８
は、防着シールド２０と十分に熱的に接触しており、そ
の内面には黒体のような、熱の吸収、放射の効率の良い
材料３０が設けられており、例えば、黒色クロムメッキ
若しくはカーボン粉末を含む材料等を熔射などによって
付着させることにより形成される。また、この第１の実
施例では、防着シールド２０に十分広く熱接触させて取
り付けることのできるフィンを備える湾曲板部５０が、
円筒状ホルダ２８と一体となるように設けられている。

【００１８】放射温度計３２は、黒体様材料３０と相ま
って温度センサーを構成している。この温度センサー
が、黒体様材料３０の発する輻射線を利用して防着シー
ルド２０の温度を非接触で測定する。

【００１９】円筒状ホルダ２８は、真空チャンバーの壁
面２６から少し浮かせて取り付けられた支持板４４を介
して真空チャンバーに固定してあり、加熱手段としての
ヒーター４０への配線はチャンバー壁２６、支持板４４
を貫通する絶縁体４６、４８を通して行なっている。

【００２０】防着シールド２０の温度制御は一例として
以下に記述するような構成にすると良い。ホルダ２８の
一端に設けた密封用石英窓４２を通して導出された、黒
体様材料３０からの熱輻射線を放射温度計３２で計測す
る。その温度情報は、温度設定手段３５で予め設定され
ている所定温度と、温度比較器３４で比較する。尚、こ
の温度設定手段３５は公知の技術を用いて容易に形成で
きる。この比較結果は、サイリスタ等を使用する加熱制
御器３８に伝えられ、電源３６から絶縁体４６、４８を
通してヒーター４０に供給する電力を制御する。これに
よって防着シールド２０の温度が前述の所定の設定温度
に保たれるよう制御される。尚、この発明では、温度設
定手段３５による所定の設定温度を、スパッタ期間中の
温度よりも、２０℃〜５０℃の範囲内の温度だけ高い一
定温度とし、融点の高い成膜材料を用いる時ほど、その
設定温度を高く設定する。このように、防着シールドの
温度制御手段は、黒体様材料３０と放射温度計３２と温
度設定手段３５と温度比較器３４と加熱制御器３８およ
び電源３６で構成される。

【００２１】ところで、堆積膜の内部応力に関しては、
例えば「応力物理学選書３。薄膜。金原・藤原共著」１
３１頁以降に詳しく解説されるなど参考文献は多いが、
防着シールド２０の温度を一定に保つ程、その表面に付
着した堆積膜の熱応力は一定に保たれ、応力の増加、応
力の変化に基づく膜はがれは減少する。

【００２２】前述の２つの公報に開示されたような従来
のヒーターのオン・オフの方法でも防着シールドの温度
変化は、スパッタ中とスパッタ停止中とでの温度差はヒ
ーターを設けない場合よりは改善される。（図４の
（Ｃ））。しかし、スパッタ中とスパッタ停止中との両
期間で防着シールドの温度にｔ℃という相違があるほ
か、スパッタの停止時、再開時、および、ヒーターのＯ
Ｎ時、ＯＦＦ時の各組み合わせ、すなわち過渡期に、な
おかなり温度の上下変動Ｔ℃があり、ここに改善の余地
を残している。（図４の（Ｃ））。

【００２３】以上のように、この発明の第１の実施例の
装置によれば、防着シールドのスパッタ期間とスパッタ
停止期間との間での温度変化を図４（Ｄ）のように、も
しくはそれに近い形に、極めて温度変化の小さいものに
抑制することができる。よって、防着シールドからの微
小、かつ、少数のパーティクルの発生を殆んどゼロに抑
えることが可能とされる。更に、この第１の実施例で
は、フィンを備える湾曲板部が設けられたことにより、
輻射加熱による熱応答を速めることができ、効率のよい
加熱が可能とされると共に、防着シールドの交換作業を
迅速、容易とするほか、装置の制御を効率よく行うこと
ができるため、装置の信頼性を高めることが可能とされ
る。

【００２４】パーティクル発生には多くの要因があるた
め、殊に微小、少数のパーティクルでは、堆積膜のはが
れによるものだけを定量測定することは極めて困難であ
るが、防着シールドの堆積膜のハガレによるパーティク
ルがその大部分を占めると推定されることから、実際に
膜を堆積させて基板上パーティクルの量を調べたり、歩
留まりの低下を監視することで、おおよその剥がれの量
を推定することができる。

【００２５】スパッタリングでＳｉ基板上にＴｉＮ膜を
堆積させ、基板上の堆積膜に付着したパーティクルの数
を計測して防着シールドの交換時期を決定する実験にお
いて、防着シールド２０の温度を１５０℃の一定値に保
つことで、交換期間を平均して２〜４倍に延長させるこ
とができることが判った。

【００２６】内部応力の発生しやすいＴｉＷ膜、ＴｉＮ
膜、またはＷ膜を堆積させる場合では、防着シールド２
０の温度を２００〜３００℃の一定に保つことで、交換
期間を５〜６倍も延長させ得ることが可能になってい
る。

【００２７】

【００２８】図２（Ａ）はこの発明の第２の実施例のス
パッタリング装置のうち、第１の実施例と異なる構造を
有する部分のみを略示する正面断面図である。尚、図３
に共通する部材には、以下の各実施例においても同じ符
号を用いて説明を省略する。この第２の実施例では、第
１の実施例における円筒状ホルダ２８の代わりに、中実
のホルダ６８が設けられている。更に、第２の実施例で
は、防着シールド２０に十分広く熱接触させて取り付け
ることのできる湾曲板部５０が、中実のホルダ６８と一
体となるように設けられていると共に、湾曲板部５０の
内には、熱電対５４が埋設されている。尚、温度計本体
３３と熱電対５４との配線処理等は、真空チャンバー壁
２６を貫通する絶縁膜５６等を介してなされている。こ
のような構造を備えることにより、この発明の第２の実
施例の装置においては、第１の実施例と同様に、防着シ
ールドからの微小、かつ、少数のパーティクルの発生を
殆どゼロに抑えることが可能とされる。更に、この第２
の実施例では、防着シールドの温度測定を、湾曲板部内
に埋め込まれた熱電対により直接行えるため、防着シー
ルドの温度変動に迅速な対応が可能とされると共に、防
着シールドの交換作業を迅速、容易とするほか、装置の
制御を効率よく行うことができるため、装置の信頼性を
高めることが可能とされる。

【００２９】図２（Ｂ）はこの発明の第３の実施例のス
パッタリング装置のうち、第２の実施例と異なる構造を
有する部分のみを略示する正面断面図である。この第３
の実施例では、第２の実施例において非接触に配置され
ていた加熱手段としてのヒータ４０が、湾曲板部に埋設
されている。このような構造を備えることにより、この
発明の第３の実施例の装置においては、第１の実施例と
同様に、防着シールドからの微小、かつ、少数のパーテ
ィクルの発生を殆どゼロに抑えることが可能とされる。
更に、この第３の実施例では、防着シールドの加熱を、
湾曲板部内に埋め込まれた加熱手段であるヒータ４０に
より行えるため、熱応答を速めることができ、効率のよ
い加熱が可能とされると共に、防着シールドの交換作業
を迅速、容易とするほか、装置の制御を効率よく行うこ
とができるため、装置の信頼性を高めることが可能とさ
れる。

【００３０】図２（Ｃ）はこの発明の第４の実施例のス
パッタリング装置のうち、第２の実施例と異なる構造を
有する部分のみを略示する正面断面図である。この第４
の実施例では、第２の実施例において非接触に配置され
ていた加熱手段としてのヒータ４０に代えて、真空チャ
ンバーの外に熱線放射ランプ５８が設けられ、この熱線
放射ランプ５８に対向する位置の真空チャンバー壁２６
に設置された石英窓６０を介して防着シールド２０が非
接触で加熱される。このような構造を備えることによ
り、この発明の第４の実施例の装置によれば、第１の実
施例と同様に、防着シールドからの微小、かつ、少数の
パーティクルの発生を殆どゼロに抑えることが可能とさ
れる。更に、この第４の実施例では、防着シールドの加
熱を、真空チャンバーの外に設けられた加熱手段により
行うため、防着シールドの交換作業を迅速、容易とする
ほか、装置の制御を効率よく行うことができるため、装
置の信頼性を高めることが可能とされる。

【００３１】尚、現在、膜堆積は通常マルチチャンバー
方式で行なわれ、スパッタリングによる膜堆積では殊に
その傾向が著しい。そのため１つの真空チャンバー内で
は普通は１種類の膜しか扱わないため、防着シールドの
堆積膜では、一般に複雑な多層膜の応力を考慮する必要
はない。しかし、この発明の装置は、将来こうした複雑
な多層膜を単一の真空チャンバ内で成膜するような場合
が生じても、多層膜の応力を緩和ないし軽減して、パー
ティクルの発生を極めて防止することができる。

【００３２】

【発明の効果】この発明の装置によれば、薄膜堆積装置
における防着シールドからの微小、かつ、少数のパーテ
ィクル発生もこれを激減させることができ、半導体デバ
イスにおける成膜プロセスにおいてその歩留まりを格段
に向上させる効果がある。更に、防着シールドの交換作
業を迅速、容易とするほか、装置の制御を効率よく行う
ことができるため、装置の信頼性を更に高めることが可
能とされる。副次的効果として、常時防着シールドを加
熱するため、この種の真空チャンバーで種々の障害を起
こして従来問題になっていた、真空中の水成分など、成
膜に影響を及ぼす残留ガス放出を低減させ、堆積膜の品
質を向上できることが判明している。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施例のスパッタリング装置
の概略の構成を示す正面断面図である。

【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、図１の加熱部、温
度センサー部に変更を加えた、この発明の別の実施例の
装置の部分図である。

【図３】（Ａ）は従来のドライエッチング装置の概略の
構成図であり、（Ｂ）はその防着シールドの部分拡大図
である。

【図４】（Ａ）は、アルミニウム合金製の防着シールド
上に付着した各高融点膜の剥がれの発生温度を示す図で
あり、（Ｂ）は、防着シールドに加熱装置を取付けない
場合の、スパッタ中、スパッタ停止、スパッタ再開始時
の、防着シールドの温度の変化の図であり、（Ｃ）は、
防着シールドに加熱装置を取付けた場合の同様の図であ
り、（Ｄ）は、更にこの発明の防着シールド温度制御手
段を設けた場合の同様の図である。

【符号の説明】

１０：ウエハ １２：ウエハホルダ １４：ターゲット １６：プラズマ １８：直流又は高周波電源 ２０：防着シールド ２２：堆積膜 ２４：堆積膜のハガレ ２６：真空チャンバーの壁 ２８、６８：ホルダ ３０：黒体 ３２：放射温度計 ３３：熱電対温度計本体 ３４：温度比較器 ３５：温度設定手段 ３６：（加熱用）電源 ３８：加熱制御器 ４０：ヒーター（発熱体） ４２：石英窓 ４４：支持板 ４６、４８：絶縁体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−13564（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−152271（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−30661（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−121659（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−183778（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−87156（ＪＰ，Ｕ)

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空中にて基板上に薄膜を堆積させる薄
   膜堆積装置において、 真空チャンバー内に設置する防着シールドと、 該防着シールドを輻射熱により非接触で加熱する加熱手
   段と、 前記加熱手段と対向する前記防着シールドの面に接する
   板であって、前記加熱手段側に形成されたフィンと、 前記防着シールドの温度を、輻射線により非接触により
   測定して、これに基づいて前記防着シールドを該防着シ
   ールドに付着した堆積膜の剥離が生じない温度に実質的
   に保持すべく前記加熱手段を制御するための温度制御手
   段とを備え、 前記堆積膜の剥離が生じない前記防着シールドの温度
   を、前記薄膜の堆積時に前記加熱手段を作動させないと
   きに達する前記防着シールドの温度よりも、２０℃〜５
   ０℃の範囲内の温度だけ高い一定温度に設定し、該一定
   温度は、融点の高い成膜材料を用いる時ほど高く設定す
   ることを特徴とする薄膜堆積装置。
2. 【請求項２】 真空中にて基板上に薄膜を堆積させる薄
   膜堆積装置において、 真空チャンバー内に設置する防着シールドと、 該防着シールドを輻射熱により非接触により加熱する加
   熱手段と、 前記加熱手段と対向する前記防着シールドの面に接する
   板と、 前記防着シールドの温度を、前記板内に埋め込まれた熱
   電対により直接測定して、これに基づいて前記防着シー
   ルドを該防着シールドに付着した堆積膜の剥離が生じな
   い温度に実質的に保持すべく前記加熱手段を制御するた
   めの温度制御手段とを備え、 前記堆積膜の剥離が生じない前記防着シールドの温度
   を、前記薄膜の堆積時に前記加熱手段を作動させないと
   きに達する前記防着シールドの温度よりも、２０℃〜５
   ０℃の範囲内の温度だけ高い一定温度に設定し、該一定
   温度は、融点の高い成膜材料を用いる時ほど高く設定す
   ることを特徴とする薄膜堆積装置。
3. 【請求項３】 真空中にて基板上に薄膜を堆積させる薄
   膜堆積装置において、 真空チャンバー内に設置する防着シールドと、 該防着シールドの外側の面に接する板と、 前記板中に埋設され、前記防着シールドを加熱する加熱
   手段と、 前記防着シールドの温度を、輻射線による非接触若しく
   は前記板の温度の直接測定により、測定して、前記防着
   シールドを該防着シールドに付着した堆積膜の剥離が生
   じない温度に実質的に保持すべく前記加熱手段を制御す
   るための温度制御手段とを備え、 前記堆積膜の剥離が生じない前記防着シールドの温度
   を、前記薄膜の堆積時に前記加熱手段を作動させないと
   きに達する前記防着シールドの温度よりも、２０℃〜５
   ０℃の範囲内の温度だけ高い一定温度に設定し、該一定
   温度は、融点の高い成膜材料を用いる時ほど高く設定す
   ることを特徴とする薄膜堆積装置。
4. 【請求項４】 真空中にて基板上に薄膜を堆積させる薄
   膜堆積装置において、 真空チャンバー内に設置する防着シールドと、 該防着シールドの外側の面に接する板と、 該板と対向する前記真空チャンバー壁に設置された窓
   と、 前記真空チャンバーの外であって、前記窓を介して前記
   防着シールドを輻射熱により非接触で加熱する加熱手段
   と、 前記防着シールドの温度を、輻射線による非接触若しく
   は前記板の温度の直接測定により、測定して、前記防着
   シールドを該防着シールドに付着した堆積膜の剥離が生
   じない温度に実質的に保持すべく前記加熱手段を制御す
   るための温度制御手段とを備え、 前記堆積膜の剥離が生じない前記防着シールドの温度
   を、前記薄膜の堆積時に前記加熱手段を作動させないと
   きに達する前記防着シールドの温度よりも、２０℃〜５
   ０℃の範囲内の温度だけ高い一定温度に設定し、該一定
   温度は、融点の高い成膜材料を用いる時ほど高く設定す
   ることを特徴とする薄膜堆積装置。