KR100236575B1 - 다수의 리드의 내부 리드부에 부착된 리드 고정 테이프를구비한 리드프레임및그제조방법 - Google Patents

다수의 리드의 내부 리드부에 부착된 리드 고정 테이프를구비한 리드프레임및그제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100236575B1
KR100236575B1 KR1019960001693A KR19960001693A KR100236575B1 KR 100236575 B1 KR100236575 B1 KR 100236575B1 KR 1019960001693 A KR1019960001693 A KR 1019960001693A KR 19960001693 A KR19960001693 A KR 19960001693A KR 100236575 B1 KR100236575 B1 KR 100236575B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lead
fixing tape
inner lead
lead frame
island
Prior art date
Application number
KR1019960001693A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960030387A (ko
Inventor
아쯔히꼬 이즈미
슈지 이즈미
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛본 덴기 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛본 덴기 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR960030387A publication Critical patent/KR960030387A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100236575B1 publication Critical patent/KR100236575B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49558—Insulating layers on lead frames, e.g. bridging members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명의 리드 프레임은 4개의 코너에 아일랜드 지지부에 의해 지지되는 아일랜드 및 리드 프레임부로부터 아일랜드까지 연장하는 리드를 포함한다. 리드들은 댐바에 의해 서로 접속되는 내부 리드 및 외부 리드로 이루어져 있다. 도금층은 내부 리드의 선단부의 표면 상에 형성되며, 리드 고정 테이프는 세트될 때 탄성 특성이 있는 접착제에 의해 내부 리드의 끝부분에 결합된다. 리드 고정 테이프는, 그 내측이 내부 리드의 선단부로부터 0.1mm-2mm 내측의 위치된 상태로 결합된다.

Description

다수의 리드의 내부 리드부에 부착된 리드 고정 테이프를 구비한 리드 프레임 및 그 제조 방법
제1(a)도는 종래 기술의 리드 프레임의 평면도이고, 제1(b)도는 제1(a)도의 선 B-B'를 따라 자른 힁 단면도.
제2도는 종래 기술의 리드 프레임 제조 방법을 나타내는 평면도.
제3도는 종래 기술의 리드 프레임 제조 방법을 나타내는 다른 평면도.
제4(a)도는 본 발명의 제1 실시예의 리드 프레임의 평면도이고, 제4(b)도는 제4(a)도의 선 A-A′를 따라 자른 횡 단면도.
제5도는 본 발명의 제1 실시예의 리드 프레임 제조 방법을 나타내는 평면도.
제6도는 본 발명의 제1 실시예의 리드 프레임 제조 방법을 나타내는 다른 평면도.
제7도는 본 발명의 제1 실시예의 리드 프레임 제조 방법을 나타내는 또 다른 평면도.
제8도는 본 발명의 제2 실시예의 리드 프레임을 나타내는 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 내부 리드 2 : 외부 리드
3 : 리드 4 : 댐바
5 : 아일랜드 6 : 아일랜드 지지부
8 : 도금층 9 : 리드 프레임
10a : 리드 고정 테이프
본 발명은 리드 프레임 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 리드들의 변형을 방지하기 위해 내부 리드의 선단부에 부착되며 수지 밀봉 반도체 소자에 사용되는 리드 고정 테이프를 구비한 리드 프레임 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
성형 밀봉된 반도체 소자(이하, 성형 반도체 소자라 한다)는 일반적으로 다음의 방법에 따라 제조되는데, 리드 프레임의 아일랜드에 반도체 칩을 다이 본딩시키고, 얇은 알루미늄 선과 같은 본딩 와이어로 반도체 칩 상의 패드와 리드 프레임의 내부 리드 간을 접속을 시키는 방법이 사용되었다. 트랜스퍼(transfer) 성형에 의해 조립체(assembly)가 밀봉된 후에 리드 프레임이 트리밍되고, 외부 리드가 형성된다.
상술한 바와 같이 형성된 성형 반도체 소자를 x선 조사해 보면, 본딩 와이어중 인접한 본딩 와이어에서 쇼트를 일으키거나 일으킬 수 있는 스위핑(sweeping)현상이 나타나는 것을 알 수 있다. 이러한 현상은 성형 공정에서 수지의 이동 또는 흐름 동안 발생되는 진동에 의해 내부 리드 혹은 본딩 와이어가 변형되어 나타나는 것으로 생각된다. 이러한 불량한 모드는 최근에 나타나는 경향으로서 피치 폭을 더 좁게 하고 증가된 리드수에 대비하여 와이어를 더 길게 하였기 때문에 더 자주 발생한다.
따라서, 본 발명의 목적은 인접한 본딩 와이어 중에 쇼트가 없는 개선된 리드 프레임을 제조하는 방법 및 개선된 리드 프레임을 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 리드 프레임 제조 방법은 아일랜드(island)지지부에 의하여 지지되는 아일랜드와, 상기 아일랜드 주변에서 방사상으로 연장되는 복수의 리드를 구비하고, 상기 리드의 내부 리드(inner lead)의 각 선단부가 내부 리드 연결부에 의해 접속되어 있는 리드프레임 전구체(precursor)를 형성하는 공정과, 상기 내부 리드 각각을 내부 리드 본딩부 내측에서 연결하는 리드 고정 테이프를, 상기 리드 고정 테이프의 내측부에서 내부 리드 절단 예정부까지의 거리가 상기 리드 고정 테이프의 접착 정밀도를 초과하는 범위로 설정하여 접착하는 공정과, 상기 내부 리드를 그 선단부에서 절단하여 상기 리드프레임 전구체로부터 내부 리드 연결부를 분리하는 공정을 포함한다.
본 발명에 따른 리드 프레임은 아일랜드 지지부에 의하여 지지되는 아일랜드와, 상기 아일랜드 주변에서 방사상으로 연장되는 복수의 리드를 구비하고, 상기 리드의 내부 리드의 각 선단부가 내부 리드 연결부에 의해 접속되어 있는 리드프레임 전구체를 구비하고, 상기 내부 리드 각각을 내부 리드 본딩부 내측에서 연결하는 리드 고정 테이프가, 상기 리드 고겅 테이프의 내측부에서 내부 리드 절단 예정부까지의 거리가 상기 리드 고정 테이프의 접착 정밀도를 초과하는 범위로 설정하여 접착되어 있고, 상기 내부 리드가 그 선단부에서 절단되어 상기 리드프레임 전구체로부터 상기 내부 리드 연결부가 분리되어 있다.
본 발명의 리드 프레임은, 내부 리드에 부착되어 있으며, 내측이 상기 내부 리드의 선단부로부터 0.1mm-2mm 내측에 위치되는 리드 고정 테이프와 함께 제조되기 때문에, 벗겨짐 방지용의 리드 고정 테이프를 건드리지 않고 내부 리드 연결부를 절단하도록 절단 다이가 사용될 수 있다. 한편, 리드 고정 테이프 및 내부 리드가 탄성 특성이 있는 삽입 접착제에 의해 고정되는 경우에, 리드 프레임의 이동 혹은 성형 동안 야기되거나 리드 프레임에 가해지는 진동으로부터 야기될 수 있는 외압이 접착제 자체의 탄성 변형에 의해 흡수될 수 있어서 접착제의 쪼개짐이 방지된다.
본 발명의 상기한 목적 및 그 외의 목적, 특징 및 이점은 첨부하는 도면과 관련된 이후의 설명으로부터 보다 확실해 질 것이다.
본 발명의 실시예들을 설명하기에 앞서 도면을 참조하여 상세히 종래 기술을 설명하고자 한다.
제1(a)도 및 제1(b)도에 도시한 바와 같이, "합금 42", CU 물질 등으로 형성된 리드 프레임(9)은 4개의 코너에서 아일랜드 지지부(6)에 의해 지지되는 아일랜드(5) 및 프레임부로부터 아일랜드(5)까지 연장하는 리드(3)를 포함한다. 리드(3)는 와이어 본딩되는 내부 리드(1) 및 패키지 밖으로 인출되는 외부 리드(2)를 포함한다. 내부 리드(1) 및 외부 리드(2)는 댐바(dam-bara:4)에 의해 서로 접속된다.
각 내부 리드(1)의 면은 그 위에 형성된 도금층(8)을 갖고 있으며, 폴리이미드수지 등으로 이루어진 리드 고정 테이프(10C)는 상술한 종래 기술의 결점을 극복하기 위해 열경화성 수지로 이루어진 접착제(11b)에 의해 내부 리드(1)의 끝부분에 부착된다.
종래 성형 반도체 소자의 리드 프레임의 형태는 아래의 방법에 의해 제조된다.
제2도에 도시된 바와 같이, 댐바(4)에 의해 접속된 리드(3)와 아일랜드 지지부(6)에 의해 지지되는 아일랜드(5)를 갖추고 있는 리드 프레임 베이스(9a)는 "합금 42" CU 물질 등으로 이루어진 리드 프레임 베이스 물질을 에칭 혹은 프레싱 함으로써 형성된다. 여기서, 리드(3)은 내부 리드(1) 및 외부 리드(2)를 갖는다. 각 변(each side)에서의 각 내부 리드(1)의 선단부는 내부 리드 연결부(7)에 접속된다. 이어서, 내부 리드(1)와의 와이어 본딩의 신뢰성 향상을 위해, 선택적 전기 도금에 의해 내부 리드(1)의 소망의 위치들에 도금층(8)이 형성된다. 여기서의 도금은 최대 15μm의 두께로 퇴적되는 Ag 도금이다.
이어서, 제3도에 도시한 바와 같이, 열 경화성 수지를 포함하는 삽입 접착제가 리드 고정 테이프(10C)의 주위 장방형 스트립을 도금층(8)으로 코팅된 내부 리드 연결부(7)를 포함하는 내부 리드(1)의 선단부에 부착시키기 위해 사용된다.
내부 리드 연결부(7)를 포함하는 내부 리드(1) 부분과 리드 고정 테이프(10C)부분이, 절단 다이에 의해 2점 쇄선으로 도면에 표시한 절단 라인(C)을 따라 스탬핑(stamping) 함으로써 동시에 절단되어 제1(a)도 및 제1(b)도에 도시한 바와 같이 리드프레임을 형성한다.
이와 관련하여, 내부 리드의 선단부를 접속하는 절연 테이프를 가진 리드 프레임들이 공지되어 있다. 예를 들면, 일본국 공개 특허 공보 소64-27236호에는 내부 리드의 부분들에 부착되어 있는 절연 테이프를 가진 리드 프레임이 개시되어 있는데, 이 공보에 의하면, 내부 리드 부분들은 아일랜드와 내부 리드 간에 절연 테이프의 선단부의 와이어 본딩 및 위치를 위해 내측에 위치된다. 일본국 공개 특허 공보 평3-124055호 내부 리드의 선단부의 아래쪽에 부착된 절연 테이프를 가진 리드프레임을 개시하고 있다. 이 절연 테이프는 내부 리드 각각의 두께의 3배 또는 그 이상의 두께의 열경화성 접착제를 갖고 있고, 열경화성 접착제에 의해 리드들 간의 공극을 확실히 하도록 부착된다.
제1(a)도 및 제1(b)도에 도시된 종래 기술에 따르면, 리드 접속 테이프(10C)및 접착제가 내부 리드 연결부(7)가 절단될 때 동시에 스탬프된다. 그러나, 리드 프레임, 리드 고정 테이프(10C), 및 접착제가 서로 다른 물질로 되어 있기 때문에, 성공적으로 절단하기는 어렵다. 특히, 테이프(10C)가 리드 프레임의 오른쪽에 부착되어 있는 경우에(반도체 칩이 장치된 측), 절단 후에 다이의 리터닝(die returning)으로 인한 마찰에 의해 박리되는 경향이 있다. 리드 고정 테이프(10C)가 박리되면 테이프(10C)를 내부 리드(1)에 부착시킴으로 인해 발생되는 효과에 영향을 줄 수 있어서, 내부 리드(1)의 변형 혹은 본딩 와이어들의 쇼트 등의 악영향 뿐만 아니라, 테이프(10C)의 박리로 인해 부착 도구의 이동에 장애를 초래한다.
이러한 문제를 극복하기 위해, 내부 리드 연결부(7)가 절단되어 제거된 후에 리드 고정 테이프(10C)를 부착시키는 것이 제안될 수 있다. 그러나, 이러한 경우에는 트림된(trimmed) 리드 프레임의 이동 및 핸들링 동안 발생되는 진동에 의해 내부 리드(1)가 변형될 수 있어서, 리드 고정 테이프(10C)의 부착의 어려움 및 본딩 와이어의 쇼트 등 좋지 않은 영향이 발생될 수있다. 상술한 종래 기술에 따르면, 리드 고정 테이프(100C)가, 세트될 때 강성을 띠는 열경화성 수지와 같은 접착제에 의해 부착되므로, 이동 등 동안 발생되는 진동으로 인해 접착제에서 쪼개짐이 발생되기 때문에 이로 인해 리드 고정 테이프(10C)가 박리될 수 있다.
일본국 공개 특허 공보 소64-27236호에 개시된 바와 같은 구조에서는, 고정테이프가 내부 리드의 선단으로부터 연장되어 있는 구조로 되어 있어서 수지가 내부 리드의 선단과 아일랜드 간의 갭 속으로 흐르는 것을 방해하는 문제점이 있다. 이러한 문제를 신뢰성 있게 해결하기 위해서는 내부 리드의 선단을 따라 고정 테이프를 접착시키는 것이지만, 현재 고정 테이프를 접착시키기 위한 접착제는 단지 ±0.1mm 정도의 최대 접착 정밀도를 갖고 있으므로, 선단을 따라 테이프를 접착시키기 위해 이것을 사용하면 상술한 바와 같이 내부 리드의 선단으로부터 연장되는 테이프가 수지의 흐름을 방해하여 많은 리드 프레임에서 결함이 발생된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 제1 실시예를 설명한다.
제4(a)도 및 제4(b)도를 참조하면, "합금 42", CU 물질 등으로 형성된 리드프레임(9)은 4개의 코너에 아일랜드 지지부(6)에 의해 지지된 아일랜드(5) 및 프레임부로부터 아일랜드(5)까지 연장되는 리드(3)를 포함한다. 리드(3)는 와이어 본딩 되는 내부 리드(1) 및 패키지 밖으로 인출되는 외부 리드(2)를 포함한다. 내부 리드(1) 및 외부리드(2)는 성형용으로서 사용되는 수지의 누설을 방지하는 기능의 댐바(4)에 의해 서로 접속된다. 내부 리드(1) 각각의 선단 부분의 면은 그 위에 형성되는 도금 층(8)을 갖고 있으며, 리드 고정 테이프(10a)는 평균 두께가 대략 20μm인 접착제(11a)에 의해 내부 리드(1)의 끝 부분에 부착된다.
이 상태에서, 리드 고정 테이프(10a)의 내측은 내부 리드(1)의 선단 부분에서 내측으로 0.3mm의 위치에서 부착된다. 현재 제품화된 테이프 접착제는 0.1mm정도의 최대 정밀도로 리드 고정 테이프를 접착시킬 수 있으므로, 리드 고정 테이프 (10a)의 내측과 내부 리드(1)의 선단 부분 간의 간격 x가 0.1mm 혹은 그 이상으로세트되어야 한다. 리드-고정 테이프(10a)의 내측이 내부 리드(1)의 선단으로부터 2mm 이상 내측의 위치에 놓여 있는 경우에, 리드 고정 테이프(10a)의 접착은 성형될 때 본딩 와이어가 스위프되는 내부 리드(1)의 선단 부분의 비고정 부분이 2mm이상의 길이를 갖기 때문에 쓸모 없게 된다. 따라서, 리드 고정 테이프(10a)를 내부리드(1)의 선단부와 리드 고정 테이프(10a)의 내측 간의 간격 x가 0.lmm 내지 2mm로 세트되는 식으로 내부 리드에 부착시키는 것을 권고한다.
리드 고정 테이프(10a)는 폴리이미드 등의 열결화성 수지의 테이프, 폴리프로 필렌 등의 열 가소성 수지의 테이프 흑은 열 가소성 수지 중에서 아크리로니트릴, 부타디엔 또는 스틸렌 등의 고무 물질이 분산되어 있는 합성 수지 물질의 테이프로 이루어져 있다. 한편, 사용 가능한 접착제(11a)는 니트릴, 페놀 수지 등을 포함하는 열경화성 수지 중에서의 부타디엔 혹은 고무 등의 고무 물질을 분산시킴에 의해 제조된 조성 물질, 및 아크릴, 열 가소성 소지 물질을 포함하며 세트될 때 탄성 특성이 있는 접착제를 포함한다.
이하, 제5도 내지 제7도를 참조하여, 제4(a)도 및 제4(b)도에 도시된 본 발명의 제1 실시예의 리드 프레임 제조 방법에 관한 설명을 하고자 한다.
먼저, 제5도에 도시한 바와 같이, 리드 프레임 베이스(9a)는 댐바(4)에 의해 접속되어 있고 내부 리드(1) 및 외부 리드(2)를 갖고 있는 리드(3)를 구비하고 있으며, 아일랜드 지지부(6)에 의해 지지되는 아일랜드(5)는 "합금 42", CU 물질 등으로 이루어진 리드 프레임 베이스를 에칭 혹은 프레싱 함으로써 형성된다. 여기서, 내부 리드(1)의 각 측면의 선단 부분은 내부 리드 연결부(7)와 접속된다.
이어서, 제6도에 도시한 바와 같이, 반도체 칩상의 패드와 내부 리드 간의 와이어 본딩의 신뢰성 향상을 위해, 아일랜드(5) 부근에 위치한 내부 리드(1)의 소망의 위치가 도금층(8)으로 도포된다. 여기서, 도금은 15μm의 최대 두께로 Ag가 도금 퇴적된다.
그후에, 세트될 때 탄성 특성을 얻을 수 있는 접착제가 미리 제공되어 있는 리드 고정 테이프 개시제가 리드 고정 테이프(10a)를 형성하도록 다이 등으로 소망의 형태로 절단된다. 이어서 이 테이프(10a)는 제7도에 도시된 바와 같이 테이프 접착제에 의해 리드 프레임 베이스(9a)의 내부 리드(1)에 부착된다. 이어서, 내부리드(1)는 제4(a)도 및 제4(b)에 도시된 본 발명의 실시예의 리드 프레임을 제공하도록 선단부가 프레싱 기계에 의해 절단된다.
내부 리드(1)에 제공될 도금 영역과 관련하여, 리드 고정 테이프(10a) 위로 스트래들(straddle)하도록 본딩 와이어가 부착되므로, 도금은 적어도 댐바(4) 방향으로 리드 고정 테이프(10a)가 접착되는 영역을 가로질러 행해진다. 또, 리드 고정 테이프(10a)가 접착될 면에 관하여, 테이프(10a)는 조립체 설비 등에 내장될 반도체 소자의 이송을 저해하지 않도록 아일랜드(5) 상에 반도체 소자를 설치한 면에 접착되는 것이 바람직하다. 접착제가 제공되는 리드 고정 테이프 개시제는 다이 등에 의해 소망의 형태로 스탬프됨으로, 리드 고정 테이프(10a)의 폭은 최소한 리드 고정테이프 개시제의 두께 보다 크게 설계되는 것이 좋다.
이러한 방법으로 형성된 리드 프레임에서, 내부 리드 연결부(7)가 절단될 때, 절단 다이는, 리드 고정 테이프(10a)가 내부 리드가 절단된 위치에서 내측에 위치됨으로 리드 고정 테이프(10a)와 접촉하지 않아서 박리가 발생되지 않는다. 또한, 리드 고정 테이프(10a)를 부착시키는데 사용되는 접착제는 세트될 때 탄성이 있는 물질로 되어 있으므로, 접착제 자체는 이송 동안 리드 프레임에 가해질 수 있는 진동에 의한 외압을 흡수할 수 있어서 접착제의 쪼개짐이 방지될 수 있다.
본 발명의 제2 실시예를 제8도를 참조하여 설명한다. 동 도면에서, 제1 실시예의 부분에 대응하는 부분에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기하였으므로 그 설명은 생략한다. 본 발명에 따르면, 리드 고정 테이프(10b)는 코너에서 아일랜드 지지부(6) 부근에 위치된 내부 리드(1)에만 부착되고, 변의 중심에 위치된 내부 리드(11)에는 부착되지 않는다. 일반적으로, 내부 리드 및 본딩 와이어가 큰 길이를 갖고 있는 코너들은 변들의 중심 보다 변형 및 쇼트되기 쉽다. 이러한 이유로 인해, 코너에 있는 내부 리드(1)만이 본 실시예에 따른 리드 고정 테이프(10b)로 고정된다. 본 실시예는 리드 고정 테이프가 지시된 위치에서만 내부 리드에 접착되므로 리드고정 테이프의 비용 절감 효과를 가질 수 있다.
전술한 설명은 양호한 실시예에 대해 집중되었지만, 본 발명은 이들 실시예들에 제한되지 않으며 첨부한 청구 범위의 영역 내에서 여러 가지로 변형 실시될 수 있다. 예를 들면, 상술한 실시예에 따른 리드 프레임이 댐바를 갖고 있지만, 본 발명은 댐바가 없는 리드 프레임, 그리고 리드 프레임 베이스 물질과 다른 수지 등으로 형성된 댐바가 있는 리드 프레임에도 적용될 수 있다.

Claims (7)

  1. (1) 아일랜드(island) 지지부에 의하여 지지되는 아일랜드와, 상기 아일랜드 주변에서 방사상으로 연장되는 복수의 리드를 구비하고, 상기 리드의 내부 리드(inner lead)의 각 선단부가 내부 리드 연결부에 의해 접속되어 있는 리드프레임 전구체(precursor)를 형성하는 공정과,
    (2) 상기 내부 리드 각각을 내부 리드 본딩부 내측에서 연결하는 리드 고정테이프를, 상기 리드 고정 테이프의 내측부에서 내부 리드 절단 예정부까지의 거리가 상기 리드 고정 테이프의 접착 정밀도를 초과하는 범위로 설정하여 접착하는 공정과,
    (3) 상기 내부 리드를 그 선단부에서 절단하여 상기 리드프레임 전구체로부터 상기 내부 리드 연결부를 분리하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 리드프레임의 제조방법.
  2. (신설) 제1항에 있어서, 상기 (1) 공정과 (2) 공정 사이에, 상기 리드의 내부리드에 도금을 실시하는 공정이 삽입되어 있는 것을 특징으로 하는 리드프레임의 제조방법.
  3. (신설) 제1항의 방법으로 제조되는 리드프레임
  4. (신설) 제3항에 있어서, 상기 리드 고정 테이프는, 경화시에 탄성을 갖는 접착제에 의하여 접착되어 있는 것을 특징으로 하는 리드프레임.
  5. (신설) 제3항에 있어서, 상기 리드 고정 테이프가 상기 아일랜드의 반도체소자의 탑재면과 동일측에 접착되어 있는 것을 특징으로 하는 리드프레임.
  6. (신설) 제3항에 있어서, 상기 내부 리드에는, 상기 리드 고정 테이프의 접착부의 외측 부분을 포함하여 도금층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 리드프레임.
  7. (신설) 제3항에 있어서, 상기 리드 고정 테이프가 코너부에만 접착되어 있는것을 특징으로 하는 리드프레임.
KR1019960001693A 1995-01-26 1996-01-26 다수의 리드의 내부 리드부에 부착된 리드 고정 테이프를구비한 리드프레임및그제조방법 KR100236575B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7028920A JP2663897B2 (ja) 1995-01-26 1995-01-26 リードフレームおよびその製造方法
JP95-028920 1995-01-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960030387A KR960030387A (ko) 1996-08-17
KR100236575B1 true KR100236575B1 (ko) 1999-12-15

Family

ID=12261843

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960001693A KR100236575B1 (ko) 1995-01-26 1996-01-26 다수의 리드의 내부 리드부에 부착된 리드 고정 테이프를구비한 리드프레임및그제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6043108A (ko)
JP (1) JP2663897B2 (ko)
KR (1) KR100236575B1 (ko)
TW (1) TW384532B (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2933554B2 (ja) * 1996-11-28 1999-08-16 九州日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
EP1104016A1 (en) * 1999-11-25 2001-05-30 General Semiconductor of Taiwan, Ltd. Lead assembly for semiconductor devices and assembling method therefor
TW466720B (en) * 2000-05-22 2001-12-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package with flash-prevention structure and manufacture method
JP3602453B2 (ja) * 2000-08-31 2004-12-15 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP3476442B2 (ja) * 2001-05-15 2003-12-10 沖電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6619786B2 (en) 2001-06-08 2003-09-16 Lexmark International, Inc. Tab circuit for ink jet printer cartridges
JP2002368156A (ja) * 2001-06-11 2002-12-20 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
TW544894B (en) * 2002-04-10 2003-08-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Chip carrier with dam bar
US20110012240A1 (en) * 2009-07-15 2011-01-20 Chenglin Liu Multi-Connect Lead
JP2011238770A (ja) * 2010-05-11 2011-11-24 Fujitsu Semiconductor Ltd リードフレーム、半導体装置及び半導体装置の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0661411A (ja) * 1992-08-04 1994-03-04 Nec Kyushu Ltd 半導体装置用リードフレーム

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01106461A (ja) * 1987-10-20 1989-04-24 Fujitsu Ltd リードフレーム
JPH0215663A (ja) * 1988-07-04 1990-01-19 Tomoegawa Paper Co Ltd リードフレーム用両面接着テープ
JPH04291752A (ja) * 1991-03-20 1992-10-15 Hitachi Cable Ltd Ｉｃ用リードフレームの製造方法
JP2622632B2 (ja) * 1991-07-04 1997-06-18 株式会社三井ハイテック 半導体装置用リードフレームの製造方法
KR100552353B1 (ko) * 1992-03-27 2006-06-20 가부시키가이샤 히타치초엘에스아이시스템즈 리이드프레임및그것을사용한반도체집적회로장치와그제조방법
JP2679913B2 (ja) * 1992-04-06 1997-11-19 日電精密工業株式会社 リードフレームの製造方法
JPH05326795A (ja) * 1992-05-25 1993-12-10 Hitachi Cable Ltd 半導体装置用リードフレーム
JPH06163780A (ja) * 1992-11-19 1994-06-10 Mitsui High Tec Inc リードフレームの製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0661411A (ja) * 1992-08-04 1994-03-04 Nec Kyushu Ltd 半導体装置用リードフレーム

Also Published As

Publication number Publication date
TW384532B (en) 2000-03-11
JP2663897B2 (ja) 1997-10-15
US6043108A (en) 2000-03-28
JPH08204111A (ja) 1996-08-09
KR960030387A (ko) 1996-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100356455B1 (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
JP3730412B2 (ja) 半導体集積回路装置およびその製造方法
US5652461A (en) Semiconductor device with a convex heat sink
JPH09213826A (ja) パッケージ
JPH0355859A (ja) 半導体ダイボンディング方法
KR100236575B1 (ko) 다수의 리드의 내부 리드부에 부착된 리드 고정 테이프를구비한 리드프레임및그제조방법
US5796160A (en) Resin-sealed semiconductor device
US6002181A (en) Structure of resin molded type semiconductor device with embedded thermal dissipator
JPH10329461A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3427492B2 (ja) 凸型ヒートシンク付き半導体装置及びその凸型ヒートシンクの製造方法
EP0723293A1 (en) Semiconductor device with a heat sink and method of producing the heat sink
JPS611042A (ja) 半導体装置
JP3229816B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPS634945B2 (ko)
JP3583403B2 (ja) Ｌｏｃ用リードフレーム及びその製造方法
KR100244254B1 (ko) 리드 프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지
JP2663897C (ko)
JP2582534B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003204019A (ja) 凸型ヒートシンク付き半導体装置の製造方法及び凸型ヒートシンクの製造方法
JPH04124842A (ja) テープキャリア用トランスファーモールド金型
JPH0225061A (ja) 半導体装置およびその製造に用いるリードフレーム
JPH031551A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2001024137A (ja) リードフレーム及び半導体装置
JPH06260578A (ja) 半導体装置用リードフレーム
JPH06209067A (ja) 電子部品用リードフレーム

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030924

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee