JPH031551A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH031551A JPH031551A JP13533889A JP13533889A JPH031551A JP H031551 A JPH031551 A JP H031551A JP 13533889 A JP13533889 A JP 13533889A JP 13533889 A JP13533889 A JP 13533889A JP H031551 A JPH031551 A JP H031551A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 16
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ方式に
より製造する樹脂封止型半導体装置の改良に関し、 グイステージを有しないで、ＴＡＢ方式により半導体チ
ップをリードにより支持する樹脂封止型半導体装置にお
ける半導体チップの変位を防止することが可能な樹脂封
止型半導体装置の提供を目的とし、 複数の電極が表面に形成された半導体チップと、一端が
前記電極（１ａ）と接続し、他端が外リードと接続した
複数のインナーリードと、前記インナーリードを補強す
るために表面が前記複数のインナーリードにまたがって
接着されたサポートテープを樹脂で封止した樹脂封止型
半導体装置において、前記サポートテープを補強するよ
うに、該サポートテープ裏面にサポートバーを接着して
設けるよう構成する。
より製造する樹脂封止型半導体装置の改良に関し、 グイステージを有しないで、ＴＡＢ方式により半導体チ
ップをリードにより支持する樹脂封止型半導体装置にお
ける半導体チップの変位を防止することが可能な樹脂封
止型半導体装置の提供を目的とし、 複数の電極が表面に形成された半導体チップと、一端が
前記電極（１ａ）と接続し、他端が外リードと接続した
複数のインナーリードと、前記インナーリードを補強す
るために表面が前記複数のインナーリードにまたがって
接着されたサポートテープを樹脂で封止した樹脂封止型
半導体装置において、前記サポートテープを補強するよ
うに、該サポートテープ裏面にサポートバーを接着して
設けるよう構成する。
本発明は、Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉ
ｎｇ方式（以下、ＴＡＢ方式と略称する。）により製造
する樹脂封止型半導体装置の改良に関するものである。
ｎｇ方式（以下、ＴＡＢ方式と略称する。）により製造
する樹脂封止型半導体装置の改良に関するものである。
近年、樹脂封止型半導体装置の高集積化、薄型化を実現
するために、半導体チップを搭載しているリードフレー
ムのグイステージの除去と、ＴＡＢ方式による組立方法
の採用が行われている。
するために、半導体チップを搭載しているリードフレー
ムのグイステージの除去と、ＴＡＢ方式による組立方法
の採用が行われている。
このＴＡＢ方式による組立においては半導体チップを直
接支持しないで、半導体チップのバンプに圧着している
多数のリードによって半導体チップを支持しているので
、半導体チップが変位すると、半導体チップを支持して
いる導体が変形してそれに伴う種々の障害が発生してい
る。
接支持しないで、半導体チップのバンプに圧着している
多数のリードによって半導体チップを支持しているので
、半導体チップが変位すると、半導体チップを支持して
いる導体が変形してそれに伴う種々の障害が発生してい
る。
以上のような状況から、グイステージを備えていないリ
ードフレームを用い、ＴＡＢ方式により組み立てた場合
に、半導体チップの変移が発生しない樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
ードフレームを用い、ＴＡＢ方式により組み立てた場合
に、半導体チップの変移が発生しない樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
従来の樹脂封止型半導体装置について第３図〜第６図に
より詳細に説明する。
より詳細に説明する。
第３図は従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図であ
る。図に示すように、半導体チップ１のバンプ１ａとフ
ィルムサポート２ａの表面に形成されている導体３のＩ
ＬＢリード３ａとが圧着されており、更に導体３のＯＬ
Ｂリード３ｂとリード１４ｂとが圧着され、半導体チッ
プ１とリード１４ｂとが電気的に接続されている。
る。図に示すように、半導体チップ１のバンプ１ａとフ
ィルムサポート２ａの表面に形成されている導体３のＩ
ＬＢリード３ａとが圧着されており、更に導体３のＯＬ
Ｂリード３ｂとリード１４ｂとが圧着され、半導体チッ
プ１とリード１４ｂとが電気的に接続されている。
このフィルムサポー）２ａの表面に導体３を形成したも
のを導体付フィルムサポートと称し、この導体付フィル
ムサポートは下記に第５図により詳細に説明する導体付
絶縁フィルムの中央部分を切り出して製造する。
のを導体付フィルムサポートと称し、この導体付フィル
ムサポートは下記に第５図により詳細に説明する導体付
絶縁フィルムの中央部分を切り出して製造する。
このようにＴＡＢ方式により組み立てた半導体チップ１
は、モールド金型を用いてモールド樹脂１５により図示
のように封止されて樹脂封止型半導体装置が完成する。
は、モールド金型を用いてモールド樹脂１５により図示
のように封止されて樹脂封止型半導体装置が完成する。
このような樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレー
ム１４を第４図に示す。図に示すように、板厚０．１５
ｍｍの銅系或いはＦｅ−Ｎｉ合金系の材料からなるこの
リードフレーム１４はタイバー１４ａと、このタイバー
１４ａの内側に突出して設けたり一ド１４ｂから構成さ
れている。
ム１４を第４図に示す。図に示すように、板厚０．１５
ｍｍの銅系或いはＦｅ−Ｎｉ合金系の材料からなるこの
リードフレーム１４はタイバー１４ａと、このタイバー
１４ａの内側に突出して設けたり一ド１４ｂから構成さ
れている。
ＴＡＢ方式の組立に用いる上記の導体付絶縁フィルムを
第５図に示す。図に示すように膜厚が約１２５μｍのポ
リイミドからなる絶縁フィルム２の両側の周縁部にはそ
の表面に厚さ３０〜３５μｍの導体３を形成する製造工
程においてこの絶縁フィルム２を正確に移動するのに用
いる送り用孔２ｂが設けられている。
第５図に示す。図に示すように膜厚が約１２５μｍのポ
リイミドからなる絶縁フィルム２の両側の周縁部にはそ
の表面に厚さ３０〜３５μｍの導体３を形成する製造工
程においてこの絶縁フィルム２を正確に移動するのに用
いる送り用孔２ｂが設けられている。
絶縁フィルム２の導体付絶縁フィルムを形成する領域の
中心部には半導体チップより一回り大きな角孔が設けら
れており、この角孔を取り囲む台形の孔が設けられてい
る。
中心部には半導体チップより一回り大きな角孔が設けら
れており、この角孔を取り囲む台形の孔が設けられてい
る。
この角孔と台形の孔の間の幅２〜３酊の絶縁フィルム２
、この部分をフィルムサポート２ａと称する、の表面及
び台形の孔の外側の絶縁フィルム２の表面にはこの角孔
の内部に突出する連続した導体３が設けられており、そ
の外周端には試験用電極３ｃが設けられている。この角
孔の内部に突出する導体３の部分をＩＬＢリード３ａと
称している。
、この部分をフィルムサポート２ａと称する、の表面及
び台形の孔の外側の絶縁フィルム２の表面にはこの角孔
の内部に突出する連続した導体３が設けられており、そ
の外周端には試験用電極３ｃが設けられている。この角
孔の内部に突出する導体３の部分をＩＬＢリード３ａと
称している。
このような導体付絶縁フィルムをＴＡＢ方式の組立に用
いる場合には、図において二点鎖線にて示す領域内のみ
を用いる。この場合の導体３の外周部分をＯＬＢリード
３ｂと称している。
いる場合には、図において二点鎖線にて示す領域内のみ
を用いる。この場合の導体３の外周部分をＯＬＢリード
３ｂと称している。
このような二点鎖線にて示す領域内の導体付絶縁フィル
ムを導体付フィルムサポートと称する。
ムを導体付フィルムサポートと称する。
この導体付フィルムサポートと半導体チップ１とリード
フレーム１４とを第６図に示すように組み立てる。
フレーム１４とを第６図に示すように組み立てる。
半導体チップ１のバンプ１ａと導体３のＩＬＢＵ−ド３
ａ、導体３のＯＬＢリード３ｂとリードフレーム゛１４
のリード１４ｂ とは圧着されて接続される。
ａ、導体３のＯＬＢリード３ｂとリードフレーム゛１４
のリード１４ｂ とは圧着されて接続される。
このようにして組み立てられた状態でモールド金型によ
りモールド樹脂１５で成形し、タイバー１４ａとリード
１４ｂとを切断して切り離すと第３図に示すような外リ
ード１４ｅがモールド樹脂１５の側面に突出した樹脂封
止型半導体装置が完成する。
りモールド樹脂１５で成形し、タイバー１４ａとリード
１４ｂとを切断して切り離すと第３図に示すような外リ
ード１４ｅがモールド樹脂１５の側面に突出した樹脂封
止型半導体装置が完成する。
以上説明した従来の樹脂封止型半導体装置においては、
第３図に示すようにリードフレーム１４がグイステージ
を有しないで、半導体チップ１のバンブ１ａに圧着され
ている多数の導体３により半導体チップ１が支持されて
おり、半導体チップ１が高集積化されて半導体チップ１
の面積が大きくなると、組立工程における取扱いやモー
ルド成形工程におけるモールド樹脂の流れにより半導体
チップ１が変位し、半導体チップ１のバンプ１ａと導体
３のＩＬＢ’Ｊ−ド３ａとの圧着部の剥離や導体３の切
断が発生するという問題点があり、またモールド樹脂１
５が薄型化しているので、第７図に示すようにこの半導
体チップ１の変位によりモールド樹脂１５の表面と半導
体チップ１或いは導体３との距離が小さくなり吸湿性能
が低下するという問題点があった。
第３図に示すようにリードフレーム１４がグイステージ
を有しないで、半導体チップ１のバンブ１ａに圧着され
ている多数の導体３により半導体チップ１が支持されて
おり、半導体チップ１が高集積化されて半導体チップ１
の面積が大きくなると、組立工程における取扱いやモー
ルド成形工程におけるモールド樹脂の流れにより半導体
チップ１が変位し、半導体チップ１のバンプ１ａと導体
３のＩＬＢ’Ｊ−ド３ａとの圧着部の剥離や導体３の切
断が発生するという問題点があり、またモールド樹脂１
５が薄型化しているので、第７図に示すようにこの半導
体チップ１の変位によりモールド樹脂１５の表面と半導
体チップ１或いは導体３との距離が小さくなり吸湿性能
が低下するという問題点があった。
本発明は以上のような状況から、グイステージを有しな
いで、ＴＡＢ方式により半導体チップをリードにより支
持する樹脂封止型半導体装置における半導体チップの変
位を防止することが可能な樹脂封止型半導体装置の提供
を目的としたものである。
いで、ＴＡＢ方式により半導体チップをリードにより支
持する樹脂封止型半導体装置における半導体チップの変
位を防止することが可能な樹脂封止型半導体装置の提供
を目的としたものである。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、複数の電極が表面に
形成された半導体チップと、一端がこの電極と接続し、
他端が外リードと接続した複数のインナーリードと、こ
のインナーリードを補強するために表面がこの複数のイ
ンナーリードにまたがって接着されたサポートテープを
樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置において、このサ
ポートテープを補強するように、サポートテープ裏面に
サポートバーを接着して設けるよう構成する。
形成された半導体チップと、一端がこの電極と接続し、
他端が外リードと接続した複数のインナーリードと、こ
のインナーリードを補強するために表面がこの複数のイ
ンナーリードにまたがって接着されたサポートテープを
樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置において、このサ
ポートテープを補強するように、サポートテープ裏面に
サポートバーを接着して設けるよう構成する。
即ち本発明においては、半導体チップのバンプと、半導
体チップを取り囲むフィルムサポートの表面に形成した
導体のこのフィルムサポートの内側に突出したＩＬＢリ
ードとを圧着し、リードフレームのタイバーから内側に
突出したリードと、導体のこのフィルムサポートの外側
に突出したＯＬＢリードとを圧着し、このリードフレー
ムのタイバーとサポートバーとを支持部により連結し、
このサポートバーとフィルムサポートとを接着して一体
にしてフィルムサポートを補強しているので、フィルム
サポートの表面に形成した導体とバンプとを圧着して支
持している半導体チップのハンドリング中或いはモール
ド成形時の変位を防止することが可能となるので、半導
体チップのバンプと、ＩＬＢリードとの圧着部の剥離と
ＩＬＢリードの切断を防止することが可能となり、半導
体チップの変位によるモールド樹脂表面と半導体チップ
或いはＩＬＢＩＪ−ドとの距離の縮小に起因する耐湿性
の低下を防止することが可能となる。
体チップを取り囲むフィルムサポートの表面に形成した
導体のこのフィルムサポートの内側に突出したＩＬＢリ
ードとを圧着し、リードフレームのタイバーから内側に
突出したリードと、導体のこのフィルムサポートの外側
に突出したＯＬＢリードとを圧着し、このリードフレー
ムのタイバーとサポートバーとを支持部により連結し、
このサポートバーとフィルムサポートとを接着して一体
にしてフィルムサポートを補強しているので、フィルム
サポートの表面に形成した導体とバンプとを圧着して支
持している半導体チップのハンドリング中或いはモール
ド成形時の変位を防止することが可能となるので、半導
体チップのバンプと、ＩＬＢリードとの圧着部の剥離と
ＩＬＢリードの切断を防止することが可能となり、半導
体チップの変位によるモールド樹脂表面と半導体チップ
或いはＩＬＢＩＪ−ドとの距離の縮小に起因する耐湿性
の低下を防止することが可能となる。
以下第１図、第２図、第５図、第６図により本発明によ
る一実施例について詳細に説明する。
る一実施例について詳細に説明する。
第１図は本発明による一実施例の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図である。図に示すように、半導体チップ１
のバンプ１ａとフィルムサポート２ａの表面に形成され
ている導体３のＩＬＢリード３ａとが圧着されており、
更に導体３のＯＬＢリード３ｂとリード１４ｂとが圧着
され、半導体チップ１とリード４ｂとが電気的に接続さ
れている。
を示す断面図である。図に示すように、半導体チップ１
のバンプ１ａとフィルムサポート２ａの表面に形成され
ている導体３のＩＬＢリード３ａとが圧着されており、
更に導体３のＯＬＢリード３ｂとリード１４ｂとが圧着
され、半導体チップ１とリード４ｂとが電気的に接続さ
れている。
本発明においてはこのフィルムサポート２ａの下にこの
フィルムサポート２ａに接着されて一体化したサポート
パー４０が設けられている。
フィルムサポート２ａに接着されて一体化したサポート
パー４０が設けられている。
このフィルムサポート２ａとサポートパー４０との接着
は接着剤或いは絶縁性の両面テープを用いて行うが、フ
ィルムサポー）２ａと導体３の位置が逆の場合は、導体
３のサポートパー４０による短絡を防止するために、必
ず絶縁性の両面テープを用いなければならない。
は接着剤或いは絶縁性の両面テープを用いて行うが、フ
ィルムサポー）２ａと導体３の位置が逆の場合は、導体
３のサポートパー４０による短絡を防止するために、必
ず絶縁性の両面テープを用いなければならない。
このようにＴＡＢ方式により組み立てた半導体チップ１
′は、モールド金型を用いてモールド樹脂５により図示
のように封止されて樹脂封止型半導体装置が完成する。
′は、モールド金型を用いてモールド樹脂５により図示
のように封止されて樹脂封止型半導体装置が完成する。
このような樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレー
ム４を第２図に示す。図に示すように、このリードフレ
ーム４はタイバー４８と、このタイバー４ａの内側に突
出して設けたり−ド４ｂ及びタイバー４８と支持部４ｄ
により連結されているサポートバー４０から構成されて
いる。
ム４を第２図に示す。図に示すように、このリードフレ
ーム４はタイバー４８と、このタイバー４ａの内側に突
出して設けたり−ド４ｂ及びタイバー４８と支持部４ｄ
により連結されているサポートバー４０から構成されて
いる。
本発明のＴＡＢ方式の組立に用いる導体付フィルムサポ
ートは、第５図に示す従来の導体付絶縁フィルムの二点
鎖線内の領域のものと同一のものである。
ートは、第５図に示す従来の導体付絶縁フィルムの二点
鎖線内の領域のものと同一のものである。
この導体付フィルムサポートと半導体チップ１とリード
フレーム４とを第６図と同様に組み立てる。
フレーム４とを第６図と同様に組み立てる。
半導体チップ１のバンプ１ａと導体３のＩＬＢＩＪ−ド
３ ａ ｓ導体３のＯＬＢリード３ｂとリードフレーム
４のリード４ｂとは圧着されて接続される。
３ ａ ｓ導体３のＯＬＢリード３ｂとリードフレーム
４のリード４ｂとは圧着されて接続される。
このようにして組み立てられた状態でモールド金型によ
りモールド樹脂５で成形し、タイバー４８とリード４ｂ
とを切断して切り離すと第１図に示すような外リード４
ｅがモールド樹脂５の側面に突出した樹脂封止型半導体
装置が完成する。
りモールド樹脂５で成形し、タイバー４８とリード４ｂ
とを切断して切り離すと第１図に示すような外リード４
ｅがモールド樹脂５の側面に突出した樹脂封止型半導体
装置が完成する。
このように中央部にタイバー４ａと支持部４ｄにより連
結されているサポートパー４０を備えたリードフレーム
４を用いて樹脂封止型半導体装置を組み立てると、サポ
ートパー４０と導体付フィルムサポートのフィルムサポ
ート２ａとが接着されて一体化しているので、フィルム
サポート２ａがサポートパー４ｃの強度により補強され
、このフィルムサポート２ａの表面に形成されている導
体３を介して半導体チップ１が強固に支持されるように
なる。
結されているサポートパー４０を備えたリードフレーム
４を用いて樹脂封止型半導体装置を組み立てると、サポ
ートパー４０と導体付フィルムサポートのフィルムサポ
ート２ａとが接着されて一体化しているので、フィルム
サポート２ａがサポートパー４ｃの強度により補強され
、このフィルムサポート２ａの表面に形成されている導
体３を介して半導体チップ１が強固に支持されるように
なる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、ダイス
テージを有しないリードフレームにサポートパーを設け
る極めて簡単な構造の変更によってフィルムサポートを
補強することにより、半導体チップの変位を防止するこ
とが可能となり、この半導体チップの変位に起因する種
々の障害を防止することが可能となる利点があり、著し
い経済的及び、信頬性向上の効果が期待できる樹脂封止
型半導体装置の提供が可能となる。
テージを有しないリードフレームにサポートパーを設け
る極めて簡単な構造の変更によってフィルムサポートを
補強することにより、半導体チップの変位を防止するこ
とが可能となり、この半導体チップの変位に起因する種
々の障害を防止することが可能となる利点があり、著し
い経済的及び、信頬性向上の効果が期待できる樹脂封止
型半導体装置の提供が可能となる。
第１図は本発明による一実施例の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図、 第２図は本発明による一実施例のリードフレームを示す
平面図、 第３図は従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図、 第４図は従来のリードフレームの平面図、第５図はＴＡ
Ｂ方式の組立に用いる導体付絶縁フィルムを示す図、 第６図は半導体チップと導体付フィルムサポートとり−
ド゛フレームとを組み立てた状態を示す図、第７図は発
明が解決しようとする問題点を示す断面図、 である。 図において、 １は半導体チップ、 １ａはバンプ、 ２は絶縁フィルム、 ２ａはフィルムサポート、 ２ｂは送り用孔、 ３は導体、 ３ａは ＩＬＢＩＪ−ド、 を示す。 ３ｂはＯＬＢリード、 ３ｃは試験用電極、 ４はリードフレーム、 ４ａはタイバー ４ｂはリード、 ４ｃはサポートパー ４ｄは支持部、 ４ｅは外リード、 ５はモールド樹脂、 本発明による一実施例の樹脂封止型半導体装置を示す断
面図第 図 本発明による一実施例のリードフレームの平面図＋ａ＋ 平 面 図 ■） 八−Ａ断面図 ＴＡＢ方式の組立に用いる導体付絶縁フィルムを示す１
第 図 従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図第 図 従来のリードフレームの平面図 ａｔ 平 面 図 Ｑ）１ Ｂ−Ｂ断面図 第 図
を示す断面図、 第２図は本発明による一実施例のリードフレームを示す
平面図、 第３図は従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図、 第４図は従来のリードフレームの平面図、第５図はＴＡ
Ｂ方式の組立に用いる導体付絶縁フィルムを示す図、 第６図は半導体チップと導体付フィルムサポートとり−
ド゛フレームとを組み立てた状態を示す図、第７図は発
明が解決しようとする問題点を示す断面図、 である。 図において、 １は半導体チップ、 １ａはバンプ、 ２は絶縁フィルム、 ２ａはフィルムサポート、 ２ｂは送り用孔、 ３は導体、 ３ａは ＩＬＢＩＪ−ド、 を示す。 ３ｂはＯＬＢリード、 ３ｃは試験用電極、 ４はリードフレーム、 ４ａはタイバー ４ｂはリード、 ４ｃはサポートパー ４ｄは支持部、 ４ｅは外リード、 ５はモールド樹脂、 本発明による一実施例の樹脂封止型半導体装置を示す断
面図第 図 本発明による一実施例のリードフレームの平面図＋ａ＋ 平 面 図 ■） 八−Ａ断面図 ＴＡＢ方式の組立に用いる導体付絶縁フィルムを示す１
第 図 従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図第 図 従来のリードフレームの平面図 ａｔ 平 面 図 Ｑ）１ Ｂ−Ｂ断面図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数の電極（１ａ）が表面に形成された半導体チップ（
１）と、 一端が前記電極（１ａ）と接続し、他端が外リード（４
ｅ）と接続した複数のインナーリード（３）と、前記イ
ンナーリード（３）を補強するために表面が前記複数の
インナーリード（３）にまたがって接着されたサポート
テープ（２ａ）を樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置
において、 前記サポートテープ（２ａ）を補強するように、該サポ
ートテープ裏面にサポートバー（４ｃ）を接着して設け
たことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13533889A JP2697743B2 (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13533889A JP2697743B2 (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH031551A true JPH031551A (ja) | 1991-01-08 |
| JP2697743B2 JP2697743B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=15149436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13533889A Expired - Lifetime JP2697743B2 (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2697743B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100982611B1 (ko) * | 2005-07-28 | 2010-09-15 | 산에츠긴조쿠가부시키가이샤 | 동합금 압출재 및 그 제조 방법 |
| JP2016516309A (ja) * | 2013-04-09 | 2016-06-02 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス素子、支持体結合体及び複数のオプトエレクトロニクス素子を製造するための方法 |
-
1989
- 1989-05-29 JP JP13533889A patent/JP2697743B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100982611B1 (ko) * | 2005-07-28 | 2010-09-15 | 산에츠긴조쿠가부시키가이샤 | 동합금 압출재 및 그 제조 방법 |
| JP2016516309A (ja) * | 2013-04-09 | 2016-06-02 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス素子、支持体結合体及び複数のオプトエレクトロニクス素子を製造するための方法 |
| US9614134B2 (en) | 2013-04-09 | 2017-04-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting semiconductor component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2697743B2 (ja) | 1998-01-14 |
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