JPH04306855A - 樹脂封止型半導体装置及びその形成方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置及びその形成方法Info
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- JPH04306855A JPH04306855A JP3071067A JP7106791A JPH04306855A JP H04306855 A JPH04306855 A JP H04306855A JP 3071067 A JP3071067 A JP 3071067A JP 7106791 A JP7106791 A JP 7106791A JP H04306855 A JPH04306855 A JP H04306855A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に、半導体ペレットの外部端子とリードとが電気的に接
続され、この半導体ペレット及びリードのインナーリー
ドを樹脂封止体で封止する樹脂封止型半導体装置に適用
して有効な技術に関するものである。
に、半導体ペレットの外部端子とリードとが電気的に接
続され、この半導体ペレット及びリードのインナーリー
ドを樹脂封止体で封止する樹脂封止型半導体装置に適用
して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＱＦＰ構造、ＤＩＰ構造、ＳＯＰ構造等
の樹脂封止型半導体装置は、半導体ペレットの外部端子
（ボンディングパッド）とリードのインナーリードとを
電気的に接続し、この半導体ペレット及びインナーリー
ドを樹脂封止体で封止する。半導体ペレットはタブ吊り
リードで支持されたタブの表面に搭載される。半導体ペ
レットの外部端子、インナーリードの夫々の間はボンデ
ィングワイヤで接続される。樹脂封止体は、トランスフ
ァーモールド法で成型され、例えばエポキシ系樹脂が使
用される。リードのアウターリードは、樹脂封止体の外
部に突出し、所定の形状に成型される。
の樹脂封止型半導体装置は、半導体ペレットの外部端子
（ボンディングパッド）とリードのインナーリードとを
電気的に接続し、この半導体ペレット及びインナーリー
ドを樹脂封止体で封止する。半導体ペレットはタブ吊り
リードで支持されたタブの表面に搭載される。半導体ペ
レットの外部端子、インナーリードの夫々の間はボンデ
ィングワイヤで接続される。樹脂封止体は、トランスフ
ァーモールド法で成型され、例えばエポキシ系樹脂が使
用される。リードのアウターリードは、樹脂封止体の外
部に突出し、所定の形状に成型される。
【０００３】この種の樹脂封止型半導体装置は、製造価
格を安価にでき、メモリー製品においては需要が高いの
で、一貫組立ライン装置を使用し、多量に生産が行われ
る。この一貫組立ライン装置は少なくともリードフレー
ム供給装置（ローダ）、半導体ペレット取付装置、ワイ
ヤボンディング装置、リードフレーム収納装置（アンロ
ーダ）の各々がリードフレームの搬送経路に順次配置さ
れる。また、一貫組立ライン装置は前記ワイヤボンディ
ング装置、リードフレーム収納装置の夫々の間にトラン
スファーモールド装置、フレーム切断成型装置の各々が
付加されるものもある。
格を安価にでき、メモリー製品においては需要が高いの
で、一貫組立ライン装置を使用し、多量に生産が行われ
る。この一貫組立ライン装置は少なくともリードフレー
ム供給装置（ローダ）、半導体ペレット取付装置、ワイ
ヤボンディング装置、リードフレーム収納装置（アンロ
ーダ）の各々がリードフレームの搬送経路に順次配置さ
れる。また、一貫組立ライン装置は前記ワイヤボンディ
ング装置、リードフレーム収納装置の夫々の間にトラン
スファーモールド装置、フレーム切断成型装置の各々が
付加されるものもある。
【０００４】前記一貫組立ライン装置の半導体ペレット
取付装置は、リードフレームのタブの表面に半導体ペレ
ットを取り付け、このタブの表面に半導体ペレットを固
着する。リードフレームは例えばＦｅ−Ｎｉ合金、Ｃｕ
、Ｃｕ系合金のいずれかで形成され、タブと半導体ペレ
ットとの接着には例えばＡｇペーストが接着剤として使
用される。
取付装置は、リードフレームのタブの表面に半導体ペレ
ットを取り付け、このタブの表面に半導体ペレットを固
着する。リードフレームは例えばＦｅ−Ｎｉ合金、Ｃｕ
、Ｃｕ系合金のいずれかで形成され、タブと半導体ペレ
ットとの接着には例えばＡｇペーストが接着剤として使
用される。
【０００５】前記ワイヤボンディング装置は、半導体ペ
レットの複数個配列された外部端子の各々と、それに対
応するリードフレームの複数本のインナーリードのボン
ディング領域の各々との間を１本づつボンディングワイ
ヤで接続する（ボンディングする）。ボンディングワイ
ヤとしては例えばＡｕワイヤが使用される。
レットの複数個配列された外部端子の各々と、それに対
応するリードフレームの複数本のインナーリードのボン
ディング領域の各々との間を１本づつボンディングワイ
ヤで接続する（ボンディングする）。ボンディングワイ
ヤとしては例えばＡｕワイヤが使用される。
【０００６】なお、樹脂封止型半導体装置及びその一貫
組立ライン装置については、例えば、日経エレクトロニ
クス、別冊マイクロデバイセズ Ｎｏ．２、１９８４年
６月１１日号、第７４頁乃至第８１頁に記載される。
組立ライン装置については、例えば、日経エレクトロニ
クス、別冊マイクロデバイセズ Ｎｏ．２、１９８４年
６月１１日号、第７４頁乃至第８１頁に記載される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前述の樹
脂封止型半導体装置の組立工程において、下記の問題点
を見出した。
脂封止型半導体装置の組立工程において、下記の問題点
を見出した。
【０００８】前記一貫組立ライン装置の半導体ペレット
取付装置は、１個のリードフレームのタブの表面に１個
の半導体ペレットを取り付ける工程であるので、取り付
けに要する時間（作業時間）が短い。これに対して、次
段の組立工程であるワイヤボンディング装置は、半導体
ペレットの複数個の外部端子の各々と複数本のインナー
リードの各々との間を１本づつボンディングワイヤで接
続するので、特にリードの本数が多い（多ピン化の）樹
脂封止型半導体装置の場合、ボンディングに要する時間
が長くなる。つまり、一貫組立ライン装置においては、
前段の組立工程の終了後に即座に次段の組立工程に移れ
ず、組立中に製品が停滞し、組立プロセスでのスループ
ットが低下する。通常、このスループットの低下を避け
るためには、半導体ペレット取付装置の処理能力を基準
にした場合、１台の半導体ペレット取付装置に対して数
台のワイヤボンディング装置が一貫組立ライン装置に組
込まれる。
取付装置は、１個のリードフレームのタブの表面に１個
の半導体ペレットを取り付ける工程であるので、取り付
けに要する時間（作業時間）が短い。これに対して、次
段の組立工程であるワイヤボンディング装置は、半導体
ペレットの複数個の外部端子の各々と複数本のインナー
リードの各々との間を１本づつボンディングワイヤで接
続するので、特にリードの本数が多い（多ピン化の）樹
脂封止型半導体装置の場合、ボンディングに要する時間
が長くなる。つまり、一貫組立ライン装置においては、
前段の組立工程の終了後に即座に次段の組立工程に移れ
ず、組立中に製品が停滞し、組立プロセスでのスループ
ットが低下する。通常、このスループットの低下を避け
るためには、半導体ペレット取付装置の処理能力を基準
にした場合、１台の半導体ペレット取付装置に対して数
台のワイヤボンディング装置が一貫組立ライン装置に組
込まれる。
【０００９】しかしながら、樹脂封止型半導体装置は多
ピン化の傾向にある。つまり、半導体ペレットの外部端
子の配列数の増加や配列間隔の縮小化、リードの配列数
の増加や配列間隔の縮小化等の変更が頻繁に行われ、一
貫組立ライン装置のワイヤボンディング装置の処理能力
が変更の都度減少し、組立中の製品に停滞が生じる。こ
のため、樹脂封止型半導体装置は、半導体ペレットの外
部端子の配列数の増加等毎に、組立プロセスでのスルー
プットが低下する。
ピン化の傾向にある。つまり、半導体ペレットの外部端
子の配列数の増加や配列間隔の縮小化、リードの配列数
の増加や配列間隔の縮小化等の変更が頻繁に行われ、一
貫組立ライン装置のワイヤボンディング装置の処理能力
が変更の都度減少し、組立中の製品に停滞が生じる。こ
のため、樹脂封止型半導体装置は、半導体ペレットの外
部端子の配列数の増加等毎に、組立プロセスでのスルー
プットが低下する。
【００１０】この組立プロセスでのスループットの低下
を防止するには、前述のように、ワイヤボンディング装
置の処理能力を高めればよいが、前述の変更の都度、一
貫組立ライン装置を改良することは、組立プロセスのラ
インを停止するだけでなく、ラインの改良に時間がかか
り、さらに改良費用が非常に高くなる。
を防止するには、前述のように、ワイヤボンディング装
置の処理能力を高めればよいが、前述の変更の都度、一
貫組立ライン装置を改良することは、組立プロセスのラ
インを停止するだけでなく、ラインの改良に時間がかか
り、さらに改良費用が非常に高くなる。
【００１１】また、前述の組立プロセスでのスループッ
トの低下は、前記樹脂封止型半導体装置に変えて、品種
が異なりかつピン数が多い樹脂封止型半導体装置の一貫
組立ライン装置として使用する場合も同様に発生する。
トの低下は、前記樹脂封止型半導体装置に変えて、品種
が異なりかつピン数が多い樹脂封止型半導体装置の一貫
組立ライン装置として使用する場合も同様に発生する。
【００１２】本発明の目的は、樹脂封止型半導体装置の
形成方法において、半導体ペレットの外部端子の配列や
リードの配列の変更に関係なく、組立プロセスのスルー
プットを向上することが可能な技術を提供することにあ
る。
形成方法において、半導体ペレットの外部端子の配列や
リードの配列の変更に関係なく、組立プロセスのスルー
プットを向上することが可能な技術を提供することにあ
る。
【００１３】本発明の他の目的は、前述の目的を達成す
る樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
る樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
【００１４】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記のとおりである。
【００１６】（１）半導体ペレットの外部端子にリード
が電気的に接続され、前記半導体ペレット及びリードの
インナーリードがトランスファーモールド法で成型され
る樹脂封止体で封止される樹脂封止型半導体装置の形成
方法において、前記半導体ペレットの複数個の外部端子
の配列に対応する位置に各々の一端側が位置し、かつ前
記複数本のリードの各々のインナーリードのボンディン
グ領域に対応する位置に各々の他端側が位置する複数本
の連結用配線が主面に配置された配線基板を用意する段
階と、この配線基板の主面の複数本の連結用配線の各々
の一端側に各々突起電極を介在して前記半導体ペレット
の複数個の外部端子の各々を一括に接続するとともに、
前記複数本の連結用配線の各々の他端側に各々突起電極
を介在して前記複数本のリードの各々のインナーリード
を一括に接続する段階と、前記半導体ペレット、前記複
数本のリードの各々のインナーリード及び前記配線基板
をトランスファーモールド法で成型される樹脂封止体で
封止する段階とを備える。
が電気的に接続され、前記半導体ペレット及びリードの
インナーリードがトランスファーモールド法で成型され
る樹脂封止体で封止される樹脂封止型半導体装置の形成
方法において、前記半導体ペレットの複数個の外部端子
の配列に対応する位置に各々の一端側が位置し、かつ前
記複数本のリードの各々のインナーリードのボンディン
グ領域に対応する位置に各々の他端側が位置する複数本
の連結用配線が主面に配置された配線基板を用意する段
階と、この配線基板の主面の複数本の連結用配線の各々
の一端側に各々突起電極を介在して前記半導体ペレット
の複数個の外部端子の各々を一括に接続するとともに、
前記複数本の連結用配線の各々の他端側に各々突起電極
を介在して前記複数本のリードの各々のインナーリード
を一括に接続する段階と、前記半導体ペレット、前記複
数本のリードの各々のインナーリード及び前記配線基板
をトランスファーモールド法で成型される樹脂封止体で
封止する段階とを備える。
【００１７】（２）半導体ペレットの外部端子にリード
が電気的に接続され、前記半導体ペレット及びリードの
インナーリードがトランスファーモールド法で成型され
る樹脂封止体で封止される樹脂封止型半導体装置におい
て、前記半導体ペレットの複数個の外部端子の配列に対
応する位置に各々の一端側が位置し、かつ前記複数本の
リードの各々のインナーリードのボンディング領域に対
応する位置に各々の他端側が位置する複数本の連結用配
線が主面に配置された配線基板を構成し、この配線基板
の主面の複数本の連結用配線の各々の一端側に各々突起
電極を介在して前記半導体ペレットの複数個の外部端子
の各々を接続するとともに、前記複数本の連結用配線の
各々の他端側に各々突起電極を介在して前記複数本のリ
ードの各々のインナーリードを接続し、前記半導体ペレ
ット、前記複数本のリードの各々のインナーリード及び
前記配線基板をトランスファーモールド法で成型される
樹脂封止体で封止する。
が電気的に接続され、前記半導体ペレット及びリードの
インナーリードがトランスファーモールド法で成型され
る樹脂封止体で封止される樹脂封止型半導体装置におい
て、前記半導体ペレットの複数個の外部端子の配列に対
応する位置に各々の一端側が位置し、かつ前記複数本の
リードの各々のインナーリードのボンディング領域に対
応する位置に各々の他端側が位置する複数本の連結用配
線が主面に配置された配線基板を構成し、この配線基板
の主面の複数本の連結用配線の各々の一端側に各々突起
電極を介在して前記半導体ペレットの複数個の外部端子
の各々を接続するとともに、前記複数本の連結用配線の
各々の他端側に各々突起電極を介在して前記複数本のリ
ードの各々のインナーリードを接続し、前記半導体ペレ
ット、前記複数本のリードの各々のインナーリード及び
前記配線基板をトランスファーモールド法で成型される
樹脂封止体で封止する。
【００１８】
【作用】上述した手段（１）によれば、前記半導体ペレ
ットの複数個の外部端子の配列（配列数及び配列間隔）
及び複数本のリードの各々のインナーリードの配列（配
列数及び配列間隔）に対応し、かつ両者の間を電気的に
接続する連結用配線が配列される配線基板を用意し、半
導体ペレットの複数個の外部端子の各々と複数本の連結
用配線の一端側の各々との電気的及び機械的な接続を一
度（若しくは一回）のボンディング工程で行い、複数本
のリードのインナーリードの各々と複数本の連結用配線
の他端側の各々との電気的及び機械的な接続を一度（若
しくは一回）のボンディング工程で行ったので、各々の
ボンディング工程に要する時間が実質的に等しくなり（
ペレット付工程、ワイヤボンディング工程の各々に要す
る時間を等しくしたことに等価となり）、前記半導体ペ
レットの外部端子の配列数やリードの配列数（ピン数）
の変更（増加や減少）に関係なく、樹脂封止型半導体装
置の組立プロセス時間を一律にでき、この樹脂封止型半
導体装置の組立プロセスのスループットを向上できる。
ットの複数個の外部端子の配列（配列数及び配列間隔）
及び複数本のリードの各々のインナーリードの配列（配
列数及び配列間隔）に対応し、かつ両者の間を電気的に
接続する連結用配線が配列される配線基板を用意し、半
導体ペレットの複数個の外部端子の各々と複数本の連結
用配線の一端側の各々との電気的及び機械的な接続を一
度（若しくは一回）のボンディング工程で行い、複数本
のリードのインナーリードの各々と複数本の連結用配線
の他端側の各々との電気的及び機械的な接続を一度（若
しくは一回）のボンディング工程で行ったので、各々の
ボンディング工程に要する時間が実質的に等しくなり（
ペレット付工程、ワイヤボンディング工程の各々に要す
る時間を等しくしたことに等価となり）、前記半導体ペ
レットの外部端子の配列数やリードの配列数（ピン数）
の変更（増加や減少）に関係なく、樹脂封止型半導体装
置の組立プロセス時間を一律にでき、この樹脂封止型半
導体装置の組立プロセスのスループットを向上できる。
【００１９】上述した手段（２）によれば、前記手段（
１）の作用効果を奏する樹脂封止型半導体装置を提供で
きる。
１）の作用効果を奏する樹脂封止型半導体装置を提供で
きる。
【００２０】以下、本発明の構成について、樹脂封止型
半導体装置に本発明を適用した、一実施例とともに説明
する。
半導体装置に本発明を適用した、一実施例とともに説明
する。
【００２１】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【００２２】
【実施例】（実 施 例 １）本発明の実施例１である
樹脂封止型半導体装置の概略構成を図１（平面図）及び
図２（断面図）で示す。
樹脂封止型半導体装置の概略構成を図１（平面図）及び
図２（断面図）で示す。
【００２３】図１及び図２に示すように、樹脂封止型半
導体装置１は半導体ペレット２の図示しない外部端子（
ボンディングパッド）、リード３のインナーリード３Ａ
のボンディング領域の夫々が電気的に接続される。この
半導体ペレット２及びインナーリード３Ａは樹脂封止体
７で封止される。
導体装置１は半導体ペレット２の図示しない外部端子（
ボンディングパッド）、リード３のインナーリード３Ａ
のボンディング領域の夫々が電気的に接続される。この
半導体ペレット２及びインナーリード３Ａは樹脂封止体
７で封止される。
【００２４】前記半導体ペレット２は例えば単結晶珪素
で形成され、この半導体ペレット２の素子形成面（図２
中、下側の面、つまりフェイスダウンボンディングされ
る）には半導体素子を集積化して形成される回路システ
ムが搭載される。半導体ペレット２の外部端子は、図示
しないが、通常、配線層の最上層に形成され、例えばア
ルミニウム合金膜で形成される。この外部端子の表面に
は例えばＡｕメッキ層等のメッキ層が構成される。この
メッキ層はボンダビリティを向上する目的で構成される
。
で形成され、この半導体ペレット２の素子形成面（図２
中、下側の面、つまりフェイスダウンボンディングされ
る）には半導体素子を集積化して形成される回路システ
ムが搭載される。半導体ペレット２の外部端子は、図示
しないが、通常、配線層の最上層に形成され、例えばア
ルミニウム合金膜で形成される。この外部端子の表面に
は例えばＡｕメッキ層等のメッキ層が構成される。この
メッキ層はボンダビリティを向上する目的で構成される
。
【００２５】前記リード３のインナーリード３Ａはアウ
ターリード３Ｂと一体に構成され、アウターリード３Ｂ
は樹脂封止体７の外部に突出し所定の形状に成型される
。リード３は例えばＦｅ−Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ系合金
のいずれかの金属材料で形成され、少なくともインナー
リード３Ａのボンディング領域の表面にはＡｇメッキ等
のメッキ層が構成される。メッキ層はボンダビリティを
向上する目的で構成される。
ターリード３Ｂと一体に構成され、アウターリード３Ｂ
は樹脂封止体７の外部に突出し所定の形状に成型される
。リード３は例えばＦｅ−Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ系合金
のいずれかの金属材料で形成され、少なくともインナー
リード３Ａのボンディング領域の表面にはＡｇメッキ等
のメッキ層が構成される。メッキ層はボンダビリティを
向上する目的で構成される。
【００２６】前記半導体ペレット２の外部端子、リード
３のインナーリード３Ａの夫々は配線基板４を介在して
電気的及び機械的に接続される。配線基板４は、この形
状に限定はされないが、本実施例の場合、半導体ペレッ
ト２の平面形状に相似形の方形状で構成され、半導体ペ
レット２の平面サイズに比べて大きいサイズで構成され
る。つまり、配線基板４は、少なくとも半導体ペレット
２の外部端子とインナーリード３Ａのボンディング領域
との間に存在する形状で構成され、例えば、中央部分に
貫通穴が形成されていてもよい。
３のインナーリード３Ａの夫々は配線基板４を介在して
電気的及び機械的に接続される。配線基板４は、この形
状に限定はされないが、本実施例の場合、半導体ペレッ
ト２の平面形状に相似形の方形状で構成され、半導体ペ
レット２の平面サイズに比べて大きいサイズで構成され
る。つまり、配線基板４は、少なくとも半導体ペレット
２の外部端子とインナーリード３Ａのボンディング領域
との間に存在する形状で構成され、例えば、中央部分に
貫通穴が形成されていてもよい。
【００２７】前記配線基板４は基板本体４Ａ及びこの基
板本体４Ａの表面上（図２中、上側の面）に配置された
連結用配線４Ｂを主体に構成される。基板本体４Ａは例
えばテープ状若しくは板状のポリイミド系樹脂膜で形成
される。連結用配線４Ｂは、例えば、Ｃｕ箔をフォトリ
ソグラフィ技術及びエッチング技術でパターンニングし
たＣｕ層で形成される。このＣｕ層の表面には例えばＳ
ｕメッキ層等のメッキ層が構成される。このメッキ層は
ボンダビリティを向上する目的で構成される。
板本体４Ａの表面上（図２中、上側の面）に配置された
連結用配線４Ｂを主体に構成される。基板本体４Ａは例
えばテープ状若しくは板状のポリイミド系樹脂膜で形成
される。連結用配線４Ｂは、例えば、Ｃｕ箔をフォトリ
ソグラフィ技術及びエッチング技術でパターンニングし
たＣｕ層で形成される。このＣｕ層の表面には例えばＳ
ｕメッキ層等のメッキ層が構成される。このメッキ層は
ボンダビリティを向上する目的で構成される。
【００２８】また、前記配線基板４の基板本体４Ａは、
ポリイミド樹脂膜に限定されず、エポキシ系樹脂膜等の
有機材料、セラミック、ＳｉＣ、Ｓｉ等の無機材料等で
構成してもよい。例えば、セラミックで基板本体４Ａを
構成する場合、連結用配線４Ｂは単層に限らず、多層化
し、連結用配線４Ｂの占有面積を低減してもよい。
ポリイミド樹脂膜に限定されず、エポキシ系樹脂膜等の
有機材料、セラミック、ＳｉＣ、Ｓｉ等の無機材料等で
構成してもよい。例えば、セラミックで基板本体４Ａを
構成する場合、連結用配線４Ｂは単層に限らず、多層化
し、連結用配線４Ｂの占有面積を低減してもよい。
【００２９】前記配線基板４の複数本の連結用配線４Ｂ
の半導体ペレット２側の一端部の各々は半導体ペレット
２の複数配列された外部端子の各々の位置に対応する位
置に配置される。この連結用配線４Ｂの一端部、外部端
子の夫々は対応する毎に突起電極（バンプ電極）５を介
在して電気的及び機械的に接続される。同様に、複数本
の連結用配線４Ｂのインナーリード３Ａ側の他端部の各
々は複数本のインナーリード３Ａのボンディング領域の
各々の位置に対応する位置に配置される。この連結用配
線４Ｂの他端部、インナーリード３Ａの夫々は対応する
毎に突起電極６を介在して電気的及び機械的に接続され
る。
の半導体ペレット２側の一端部の各々は半導体ペレット
２の複数配列された外部端子の各々の位置に対応する位
置に配置される。この連結用配線４Ｂの一端部、外部端
子の夫々は対応する毎に突起電極（バンプ電極）５を介
在して電気的及び機械的に接続される。同様に、複数本
の連結用配線４Ｂのインナーリード３Ａ側の他端部の各
々は複数本のインナーリード３Ａのボンディング領域の
各々の位置に対応する位置に配置される。この連結用配
線４Ｂの他端部、インナーリード３Ａの夫々は対応する
毎に突起電極６を介在して電気的及び機械的に接続され
る。
【００３０】これらの突起電極５、６の夫々は例えばメ
ッキ法で形成されたＳｎ、Ｐｂ−Ｓｎ、Ａｕ等で形成さ
れる。また、前記半導体ペレット２の外部端子、配線基
板４の連結用配線４Ｂの一端部の夫々の間の接続、前記
連結用配線４Ｂの他端部、インナーリード３Ａのボンデ
ィング領域の夫々の間の接続は、いずれも熱圧着法で行
う。
ッキ法で形成されたＳｎ、Ｐｂ−Ｓｎ、Ａｕ等で形成さ
れる。また、前記半導体ペレット２の外部端子、配線基
板４の連結用配線４Ｂの一端部の夫々の間の接続、前記
連結用配線４Ｂの他端部、インナーリード３Ａのボンデ
ィング領域の夫々の間の接続は、いずれも熱圧着法で行
う。
【００３１】前記樹脂封止体７は、トランスファーモー
ルド法で成型され、例えば熱硬化性エポキシ系樹脂を使
用する。樹脂封止体７は、前述のように、半導体ペレッ
ト２、インナーリード３Ａの夫々を封止するとともに、
併せて配線基板４も封止する。
ルド法で成型され、例えば熱硬化性エポキシ系樹脂を使
用する。樹脂封止体７は、前述のように、半導体ペレッ
ト２、インナーリード３Ａの夫々を封止するとともに、
併せて配線基板４も封止する。
【００３２】次に、前述の樹脂封止型半導体装置１の形
成方法（組立プロセス）について、図３乃至図６（各組
立工程毎に示す要部断面図）を使用し、簡単に説明する
。
成方法（組立プロセス）について、図３乃至図６（各組
立工程毎に示す要部断面図）を使用し、簡単に説明する
。
【００３３】まず、図３に示すように、配線基板４を用
意する。この配線基板４の連結用配線４Ｂの一端側には
予じめ突起電極５を形成するとともに、連結用配線４Ｂ
の他端側にも予じめ突起電極６を形成する。
意する。この配線基板４の連結用配線４Ｂの一端側には
予じめ突起電極５を形成するとともに、連結用配線４Ｂ
の他端側にも予じめ突起電極６を形成する。
【００３４】次に、図４に示すように、配線基板４に半
導体ペレット２を取り付ける。この半導体ペレット２は
、その外部端子、突起電極５の夫々を熱圧着法でボンデ
ィングすることにより、配線基板４の連結用配線４Ｂに
接続され、かつこの配線基板４に取り付けられる。この
ボンディング工程は、半導体ペレット２の複数配列され
た外部端子の各々と配線基板４の複数本の連結用配線４
Ｂの各々とが一度に一括してボンディングされる。
導体ペレット２を取り付ける。この半導体ペレット２は
、その外部端子、突起電極５の夫々を熱圧着法でボンデ
ィングすることにより、配線基板４の連結用配線４Ｂに
接続され、かつこの配線基板４に取り付けられる。この
ボンディング工程は、半導体ペレット２の複数配列され
た外部端子の各々と配線基板４の複数本の連結用配線４
Ｂの各々とが一度に一括してボンディングされる。
【００３５】次に、図５に示すように、配線基板４に突
起電極６を介在してリード３のインナーリード３Ａを取
り付ける。同様に、インナーリード３Ａは熱圧着法でボ
ンディングされる。このボンディング工程は、複数本の
インナーリード３Ａの各々と配線基板４の複数本の連結
用配線４Ｂの各々とが一度に一括してボンディングされ
る。
起電極６を介在してリード３のインナーリード３Ａを取
り付ける。同様に、インナーリード３Ａは熱圧着法でボ
ンディングされる。このボンディング工程は、複数本の
インナーリード３Ａの各々と配線基板４の複数本の連結
用配線４Ｂの各々とが一度に一括してボンディングされ
る。
【００３６】つまり、半導体ペレット２の外部端子のボ
ンディング工程、インナーリード３Ａのボンディング工
程のいずれも、外部端子の配列数の増加や配列間隔の縮
小、インナーリード３Ａの配列数の増加や配列間隔の縮
小等の変更が発生しても、その変更に応じた配線基板４
を使用すれば、一度のボンディングによりボンディング
される。
ンディング工程、インナーリード３Ａのボンディング工
程のいずれも、外部端子の配列数の増加や配列間隔の縮
小、インナーリード３Ａの配列数の増加や配列間隔の縮
小等の変更が発生しても、その変更に応じた配線基板４
を使用すれば、一度のボンディングによりボンディング
される。
【００３７】次に、図６に示すように、トランスファー
モールド法を使用し、半導体ペレット２、インナーリー
ド３Ａ、配線基板４の夫々を樹脂封止体７で封止する。
モールド法を使用し、半導体ペレット２、インナーリー
ド３Ａ、配線基板４の夫々を樹脂封止体７で封止する。
【００３８】次に、前記樹脂封止体７の外部に突出する
アウターリード３Ｂをリードフレームから切断し、前述
の図１及び図２に示すように、アウターリード３Ｂを成
型することにより、樹脂封止型半導体装置１が完成する
。
アウターリード３Ｂをリードフレームから切断し、前述
の図１及び図２に示すように、アウターリード３Ｂを成
型することにより、樹脂封止型半導体装置１が完成する
。
【００３９】これらの組立工程は、装置の構成を省略し
てあるが、一貫組立ライン装置において行われる。
てあるが、一貫組立ライン装置において行われる。
【００４０】このように、半導体ペレット２の外部端子
にリード３が電気的に接続され、前記半導体ペレット２
及びリード３のインナーリード３Ａがトランスファーモ
ールド法で成型される樹脂封止体７で封止される樹脂封
止型半導体装置１の形成方法において、前記半導体ペレ
ット４の複数個の外部端子の配列に対応する位置に各々
の一端側が位置し、かつ前記複数本のリード３の各々の
インナーリード３Ａのボンディング領域に対応する位置
に各々の他端側が位置する複数本の連結用配線４Ｂが主
面に配置された配線基板４を用意する段階と、この配線
基板４の主面の複数本の連結用配線４Ｂの各々の一端側
に各々突起電極５を介在して前記半導体ペレット２の複
数個の外部端子の各々を一括に接続するとともに、前記
複数本の連結用配線４Ｂの各々の他端側に各々突起電極
６を介在して前記複数本のリード３の各々のインナーリ
ード３Ａを一括に接続する段階と、前記半導体ペレット
２、前記複数本のリード３の各々のインナーリード３Ａ
及び前記配線基板４をトランスファーモールド法で成型
される樹脂封止体７で封止する段階とを備える。この構
成により、前記半導体ペレット２の複数個の外部端子の
配列及び複数本のリード３の各々のインナーリード３Ａ
の配列に対応し、かつ両者の間を電気的に接続する連結
用配線４Ｂが配列される配線基板４を用意し、半導体ペ
レット２の複数個の外部端子の各々と複数本の連結用配
線４Ｂの一端側の各々との電気的及び機械的な接続を一
度（若しくは一回）のボンディング工程で行い、複数本
のリード３のインナーリード３Ａの各々と複数本の連結
用配線４Ｂの他端側の各々との電気的及び機械的な接続
を一度のボンディング工程で行ったので、各々のボンデ
ィング工程に要する時間が実質的に等しくなり（ペレッ
ト付工程、ワイヤボンディング工程の各々に要する時間
を等しくしたことに等価となり）、前記半導体ペレット
２の外部端子の配列数やリード３の配列数（ピン数）の
変更（増加や減少）に関係なく、樹脂封止型半導体装置
１の組立プロセス時間を一律にでき、この樹脂封止型半
導体装置１の組立プロセスのスループットを向上できる
。
にリード３が電気的に接続され、前記半導体ペレット２
及びリード３のインナーリード３Ａがトランスファーモ
ールド法で成型される樹脂封止体７で封止される樹脂封
止型半導体装置１の形成方法において、前記半導体ペレ
ット４の複数個の外部端子の配列に対応する位置に各々
の一端側が位置し、かつ前記複数本のリード３の各々の
インナーリード３Ａのボンディング領域に対応する位置
に各々の他端側が位置する複数本の連結用配線４Ｂが主
面に配置された配線基板４を用意する段階と、この配線
基板４の主面の複数本の連結用配線４Ｂの各々の一端側
に各々突起電極５を介在して前記半導体ペレット２の複
数個の外部端子の各々を一括に接続するとともに、前記
複数本の連結用配線４Ｂの各々の他端側に各々突起電極
６を介在して前記複数本のリード３の各々のインナーリ
ード３Ａを一括に接続する段階と、前記半導体ペレット
２、前記複数本のリード３の各々のインナーリード３Ａ
及び前記配線基板４をトランスファーモールド法で成型
される樹脂封止体７で封止する段階とを備える。この構
成により、前記半導体ペレット２の複数個の外部端子の
配列及び複数本のリード３の各々のインナーリード３Ａ
の配列に対応し、かつ両者の間を電気的に接続する連結
用配線４Ｂが配列される配線基板４を用意し、半導体ペ
レット２の複数個の外部端子の各々と複数本の連結用配
線４Ｂの一端側の各々との電気的及び機械的な接続を一
度（若しくは一回）のボンディング工程で行い、複数本
のリード３のインナーリード３Ａの各々と複数本の連結
用配線４Ｂの他端側の各々との電気的及び機械的な接続
を一度のボンディング工程で行ったので、各々のボンデ
ィング工程に要する時間が実質的に等しくなり（ペレッ
ト付工程、ワイヤボンディング工程の各々に要する時間
を等しくしたことに等価となり）、前記半導体ペレット
２の外部端子の配列数やリード３の配列数（ピン数）の
変更（増加や減少）に関係なく、樹脂封止型半導体装置
１の組立プロセス時間を一律にでき、この樹脂封止型半
導体装置１の組立プロセスのスループットを向上できる
。
【００４１】また、半導体ペレット２の外部端子にリー
ド３が電気的に接続され、前記半導体ペレット２及びリ
ード３のインナーリード３Ａがトランスファーモールド
法で成型される樹脂封止体７で封止される樹脂封止型半
導体装置１において、前記半導体ペレット２の複数個の
外部端子の配列に対応する位置に各々の一端側が位置し
、かつ前記複数本のリード３の各々のインナーリード３
Ａのボンディング領域に対応する位置に各々の他端側が
位置する複数本の連結用配線４Ｂが主面に配置された配
線基板４を構成し、この配線基板４の主面の複数本の連
結用配線４Ｂの各々の一端側に各々突起電極５を介在し
て前記半導体ペレット２の複数個の外部端子の各々を接
続するとともに、前記複数本の連結用配線４Ｂの各々の
他端側に各々突起電極６を介在して前記複数本のリード
３の各々のインナーリード３Ａを接続し、前記半導体ペ
レット２、前記複数本のリード３の各々のインナーリー
ド３Ａ及び前記配線基板４をトランスファーモールド法
で成型される樹脂封止体７で封止する。この構成により
、前述の効果を奏することができる樹脂封止型半導体装
置１を提供できる。
ド３が電気的に接続され、前記半導体ペレット２及びリ
ード３のインナーリード３Ａがトランスファーモールド
法で成型される樹脂封止体７で封止される樹脂封止型半
導体装置１において、前記半導体ペレット２の複数個の
外部端子の配列に対応する位置に各々の一端側が位置し
、かつ前記複数本のリード３の各々のインナーリード３
Ａのボンディング領域に対応する位置に各々の他端側が
位置する複数本の連結用配線４Ｂが主面に配置された配
線基板４を構成し、この配線基板４の主面の複数本の連
結用配線４Ｂの各々の一端側に各々突起電極５を介在し
て前記半導体ペレット２の複数個の外部端子の各々を接
続するとともに、前記複数本の連結用配線４Ｂの各々の
他端側に各々突起電極６を介在して前記複数本のリード
３の各々のインナーリード３Ａを接続し、前記半導体ペ
レット２、前記複数本のリード３の各々のインナーリー
ド３Ａ及び前記配線基板４をトランスファーモールド法
で成型される樹脂封止体７で封止する。この構成により
、前述の効果を奏することができる樹脂封止型半導体装
置１を提供できる。
【００４２】また、前記樹脂封止型半導体装置１は、ボ
ンディングワイヤを廃止したことにより、ボンディング
ワイヤ間のショート、ボンディングワイヤと半導体ペレ
ットの端部とのショート等の不良の要素をなくすことが
できる。
ンディングワイヤを廃止したことにより、ボンディング
ワイヤ間のショート、ボンディングワイヤと半導体ペレ
ットの端部とのショート等の不良の要素をなくすことが
できる。
【００４３】（実 施 例 ２）本実施例２は、前述の
実施例１の樹脂封止型半導体装置１の形成方法と別の形
成方法を説明する、本発明の第２実施例である。
実施例１の樹脂封止型半導体装置１の形成方法と別の形
成方法を説明する、本発明の第２実施例である。
【００４４】本発明の実施例２である樹脂封止型半導体
装置の形成方法について、図７乃至図９（各組立工程毎
に示す要部断面図）を使用し、簡単に説明する。
装置の形成方法について、図７乃至図９（各組立工程毎
に示す要部断面図）を使用し、簡単に説明する。
【００４５】まず、前述の実施例１と同様に、図７に示
すように、配線基板４を用意する。この配線基板４の連
結用配線４Ｂには突起電極５、６の夫々が予じめ形成さ
れていない。
すように、配線基板４を用意する。この配線基板４の連
結用配線４Ｂには突起電極５、６の夫々が予じめ形成さ
れていない。
【００４６】次に、半導体ペレット２の外部端子に突起
電極５を形成し、図８に示すように、この半導体ペレッ
ト２を前記突起電極５を介在して配線基板４に取り付け
る。
電極５を形成し、図８に示すように、この半導体ペレッ
ト２を前記突起電極５を介在して配線基板４に取り付け
る。
【００４７】次に、リード３のインナーリード３Ａのボ
ンディング領域に突起電極６を形成し、図９に示すよう
に、このインナーリード３Ａを前記突起電極６を介在し
て配線基板４に取り付ける。
ンディング領域に突起電極６を形成し、図９に示すよう
に、このインナーリード３Ａを前記突起電極６を介在し
て配線基板４に取り付ける。
【００４８】この後、前記実施例１と同様に、樹脂封止
体７、アウターリード３Ｂの切断成型の夫々を行うこと
により、樹脂封止型半導体装置１は完成する。
体７、アウターリード３Ｂの切断成型の夫々を行うこと
により、樹脂封止型半導体装置１は完成する。
【００４９】このように構成される樹脂封止型半導体装
置１は、前述の実施例１と同様の効果を奏することがで
きる。
置１は、前述の実施例１と同様の効果を奏することがで
きる。
【００５０】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論である
。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論である
。
【００５１】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００５２】樹脂封止型半導体装置の形成方法において
、半導体ペレットの外部端子の配列やリードの配列の変
更に関係なく、組立プロセスのスループットを向上でき
る。
、半導体ペレットの外部端子の配列やリードの配列の変
更に関係なく、組立プロセスのスループットを向上でき
る。
【００５３】前述の効果を奏する樹脂封止型半導体装置
を提供できる。
を提供できる。
【図１】本発明の実施例１である樹脂封止型半導体装置
の概略構成を示す平面図。
の概略構成を示す平面図。
【図２】前記樹脂封止型半導体装置の断面図。
【図３】前記樹脂封止型半導体装置の形成方法を説明す
る第１工程での断面図。
る第１工程での断面図。
【図４】第２工程での断面図。
【図５】第３工程での断面図。
【図６】第４工程での断面図。
【図７】本発明の実施例２である樹脂封止型半導体装置
の形成方法を説明する第１工程での断面図。
の形成方法を説明する第１工程での断面図。
【図８】第２工程での断面図。
【図９】第３工程での断面図。
１…樹脂封止型半導体装置、２…半導体ペレット、３…
リード、３Ａ…インナーリード、３Ｂ…アウターリード
、４…配線基板、４Ａ…基板本体、４Ｂ…連結用配線、
５，６…突起電極、７…樹脂封止体。
リード、３Ａ…インナーリード、３Ｂ…アウターリード
、４…配線基板、４Ａ…基板本体、４Ｂ…連結用配線、
５，６…突起電極、７…樹脂封止体。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ペレットの外部端子にリードが
電気的に接続され、前記半導体ペレット及びリードのイ
ンナーリードがトランスファーモールド法で成型される
樹脂封止体で封止される樹脂封止型半導体装置の形成方
法において、前記半導体ペレットの複数個の外部端子の
配列に対応する位置に各々の一端側が位置し、かつ前記
複数本のリードの各々のインナーリードのボンディング
領域に対応する位置に各々の他端側が位置する複数本の
連結用配線が主面に配置された配線基板を用意する段階
と、この配線基板の主面の複数本の連結用配線の各々の
一端側に各々突起電極を介在して前記半導体ペレットの
複数個の外部端子の各々を一括に接続するとともに、前
記複数本の連結用配線の各々の他端側に各々突起電極を
介在して前記複数本のリードの各々のインナーリードを
一括に接続する段階と、前記半導体ペレット、前記複数
本のリードの各々のインナーリード及び前記配線基板を
トランスファーモールド法で成型される樹脂封止体で封
止する段階とを備えたことを特徴とする樹脂封止型半導
体装置。 - 【請求項２】 半導体ペレットの外部端子にリードが
電気的に接続され、前記半導体ペレット及びリードのイ
ンナーリードがトランスファーモールド法で成型される
樹脂封止体で封止される樹脂封止型半導体装置において
、前記半導体ペレットの複数個の外部端子の配列に対応
する位置に各々の一端側が位置し、かつ前記複数本のリ
ードの各々のインナーリードのボンディング領域に対応
する位置に各々の他端側が位置する複数本の連結用配線
が主面に配置された配線基板を構成し、この配線基板の
主面の複数本の連結用配線の各々の一端側に各々突起電
極を介在して前記半導体ペレットの複数個の外部端子の
各々を接続するとともに、前記複数本の連結用配線の各
々の他端側に各々突起電極を介在して前記複数本のリー
ドの各々のインナーリードを接続し、前記半導体ペレッ
ト、前記複数本のリードの各々のインナーリード及び前
記配線基板をトランスファーモールド法で成型される樹
脂封止体で封止したことを特徴とする樹脂封止型半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3071067A JPH04306855A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 樹脂封止型半導体装置及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3071067A JPH04306855A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 樹脂封止型半導体装置及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04306855A true JPH04306855A (ja) | 1992-10-29 |
Family
ID=13449813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3071067A Pending JPH04306855A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 樹脂封止型半導体装置及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04306855A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007335449A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Denso Corp | 半導体装置 |
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1991
- 1991-04-03 JP JP3071067A patent/JPH04306855A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007335449A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Denso Corp | 半導体装置 |
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