JPH0936295A - リードフレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

リードフレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

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JPH0936295A
JPH0936295A JP1371496A JP1371496A JPH0936295A JP H0936295 A JPH0936295 A JP H0936295A JP 1371496 A JP1371496 A JP 1371496A JP 1371496 A JP1371496 A JP 1371496A JP H0936295 A JPH0936295 A JP H0936295A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＱＦＰタイプのリードフレームにおいて、リ
ードピッチが狭くなり、多ピン化に対応できない。 【解決手段】 ダイパッド部２０は、サポート部３０を
有し、その先端部が絶縁性物質３１と接続し、保持され
ているので、吊りリード部を排除することができる。そ
して吊りリード部がなく、インナーリード部領域に余裕
ができるので、各インナーリード部群２１，２２，２
３，２４の引き込み（配列）に制約を受けることはなく
なる。さらに載置する半導体素子のボンディングパッド
部の数に応じて、インナーリード部群２１，２２，２
３，２４の特定のインナーリード部群の一部を、隣接す
るインナーリード部群領域に分岐して配列することがで
き、従来のように吊りリード部を横切って金属細線を張
ることはなくなり、樹脂封止型半導体装置の信頼性低下
を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路、トラン
ジスタなどの半導体チップを搭載した樹脂封止型半導体
装置用のリードフレームおよびその製造方法に関し、特
に高信頼性化、多ピン化に好適のリードフレームおよび
その製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のリードフレームについて、図面を
参照しながら説明する。
【０００３】図１１は、従来のリードフレームの構成を
示す平面図である。図１１に示すように、従来のリード
フレームは、半導体素子が載置される四角形のダイパッ
ド部１と、半導体素子を載置した場合、その載置した半
導体素子と金属細線等の接続手段により電気的接続する
第１のインナーリード部群２，第２のインナーリード部
群３，第３のインナーリード部群４，第４のインナーリ
ード部群５と、前記第１のインナーリード部群２，第２
のインナーリード部群３，第３のインナーリード部群
４，第４のインナーリード部群５とそれぞれ連続して設
けられ、外部端子との接続のための第１のアウターリー
ド部群６，第２のアウターリード部群７，第３のアウタ
ーリード部群８，第４のアウターリード部群９と、前記
第１のアウターリード部群６，第２のアウターリード部
群７，第３のアウターリード部群８，第４のアウターリ
ード部群９のアウターリード部単体１０同士を連結固定
するダムバー部１１とより構成され、前記ダイパッド部
１は、その角部１２から延在し、前記ダムバー部１１と
接続した吊りリード部１３を有し、前記吊りリード部１
３によって前記ダイパッド部１を保持する構成であっ
た。
【０００４】また従来のリードフレームの製造方法にお
いては、図１２に示すような工程で製造されていた。図
１２は従来のリードフレームの製造方法を示す図であ
り、リードフレームの右上部分を示す部分平面図であ
る。
【０００５】図１２（ａ），図１２（ｂ）の部分平面工
程図に示すように、金属板１４に対してエッチング処
理、またはプレス加工により、前記金属板１４中に半導
体素子が載置されるダイパッド部１と、前記ダイパッド
部１の辺または角部１２に吊りリード部１３と、前記ダ
イパッド部１と接続した第１のインナーリード部群２
（３，４は省略），５と、前記第１のインナーリード部
群２（３，４は省略），５とそれぞれ連続して設けら
れ、外部端子との接続のための第１のアウターリード部
群６（７，８は省略），９と、前記第１のアウターリー
ド部群６（７，８は省略），９のアウターリード部単体
１０同士を連結固定するダムバー部１１とを形成し、リ
ードフレーム構成体１５を形成する第１工程（図１２
（ａ））と、前記リードフレーム構成体１５の前記各イ
ンナーリード部群２（３，４は省略），５の各インナー
リードの先端部を切断（先端カット）する第２工程（図
１２（ｂ））とにより、リードフレームを形成してい
た。また前記リードフレーム構成体１５を形成する第１
工程の後に、前記リードフレーム構成体１５にメッキを
付すメッキ工程が設けられる場合もあった。なお、前記
第２工程では、各インナーリード部群の各インナーリー
ドの２本ずつが連結固定されているので、その連結固定
された先端箇所を切断するものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
のリードフレームでは、吊りリード部１３がダムバー部
１１によって保持されている場合，リードの多ピン化に
おいて、特に前記吊りリード部１３によってインナーリ
ード部の引き込み（配列）に制約を受ける。特に図１３
の平面図に示すように、従来のリードフレームのダイパ
ッド部１に半導体素子１６を搭載した場合、インナーリ
ード部１７の引き込みには非常に困難を生じ、従来は、
半導体素子１６のボンディングパッド部１８とインナー
リード部１７との接続においては、吊りリード部１３を
横切って金属細線（ワイヤー）１９を張らなければなら
ず、また半導体素子１６の短辺側にボンディングパッド
部１８を設計する場合、金属細線１９の配線が困難で、
ショートするという問題があり、リードフレームのワイ
ヤー配線の設計および完成した半導体装置の信頼性上の
大きな課題があった。
【０００７】本発明はかかる課題を鑑みてなされたもの
であって、インナーリードを隣接領域内で引き回すこと
に着目し、樹脂封止型半導体装置の高信頼性化および多
ピン化に対応できる樹脂封止型半導体装置用のリードフ
レームおよびその製造方法ならびにそれを用いた樹脂封
止型半導体装置およびその製造方法を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明のリードフレームは、半導体素子を載
置するダイパッド部を吊りリード部により保持する機構
を排除し、ダイパッド部に設けたサポート部とインナー
リード部群とを絶縁性物質で接続することでダイパッド
部を保持することを特徴とする。そして、特定のインナ
ーリード部群の一部のインナーリード部群を隣接するイ
ンナーリード部群領域に分岐して配列させるものであ
る。
【０００９】また製造方法においては、まず金属板中に
ダイパッド部、インナーリード部群、アウターリード部
群、タイバー部を形成するとともに、前記ダイパッド部
にサポート部を形成し、リードフレーム構成体を形成す
る工程と、ダイパッド部をインナーリード部群により保
持した状態で絶縁性物質をダイパッド部のサポート部と
インナーリード部群とに設ける工程と、前記ダイパッド
部とインナーリード部群とを分離する工程とを有するも
のである。さらに、リードフレーム構成体を形成する工
程においては、特定のインナーリード部群の一部のイン
ナーリード部群を隣接するインナーリード部群領域に分
岐して配列するようにインナーリード部群を形成するも
のである。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明において、ダイパッド部は
サポート部を有し、その先端部が絶縁性物質と接合し、
保持されているので、吊りリード部を排除することがで
きる。そして、従来多く見られたダイパッド部の角部に
設けられていた吊りリード部を排除し、ダイパッド部に
設けたサポート部を、適宜ダイパッド部の必要箇所に設
けることができるので、インナーリード部の引き込み
（配列）に制約を受けることはなくなる。さらに載置す
る半導体素子のボンディングパッド部の数に応じて、イ
ンナーリード部群の特定のインナーリード部群の一部を
隣接するインナーリード部群領域に分岐して配列するこ
とができ、インナーリード部の引き込みの困難を解消で
き、従来のようにインナーリード間の間隔が狭くなった
り、また吊りリード部を横切って金属細線を張る必要が
なくなり、リード流れなどの半導体装置の信頼性低下を
防止することができる。
【００１１】また製造方法においては、ダイパッド部に
設けたサポート部とインナーリード部群とを絶縁性物質
で接合した後で、ダイパッド部とインナーリード部群と
を分離するので、ダイパッド部はサポート部で保持され
る。そしてダイパッド部に対して、サポート部はダイパ
ッド部の角部以外でも適宜設けることができ、インナー
リード部の引き込みの制約はなくなり、インナーリード
の数を減ずることなく、特定のインナーリード部群の一
部を隣接するインナーリード部群領域に分離して配列す
ることができ、半導体素子のボンディングパッド部の数
に対応したインナーリード部の配列ができる。
【００１２】以下、本発明の実施の形態について図面を
参照しながら説明する。図１は本発明のリードフレーム
における第１の実施の形態の平面図である。図１に示す
ように、本実施の形態は、ＱＦＰ（クワッド・フラット
・パッケージ）タイプの樹脂封止型半導体装置に用いら
れるリードフレームを一例としており、第１の辺２０
ａ，第２の辺２０ｂ，第３の辺２０ｃ，第４の辺２０ｄ
を有し、半導体素子が載置されるダイパッド部２０と、
前記ダイパッド部２０の第１の辺２０ａ，第２の辺２０
ｂ，第３の辺２０ｃ，第４の辺２０ｄの各辺の近傍に延
在し、半導体素子を載置した場合、その半導体素子と電
気的接続する第１のインナーリード部群２１，第２のイ
ンナーリード部群２２，第３のインナーリード部群２
３，第４のインナーリード部群２４と、前記第１，第
２，第３，第４のインナーリード部群２１，２２，２
３，２４と連続し、外部端子との接続のための第１のア
ウターリード部群２５，第２のアウターリード部群２
６，第３のアウターリード部群２７，第４のアウターリ
ード部群２８と、前記第１，第２，第３，第４のアウタ
ーリード部群２５，２６，２７，２８の各アウターリー
ド部同士を連結固定するダムバー部２９とより構成され
ている。そして前記ダイパッド部２０はサポート部３０
を有し、前記サポート部３０と前記第１，第２，第３，
第４の各インナーリード部群２１，２２，２３，２４と
が絶縁性テープ、絶縁性樹脂などの絶縁性物質３１によ
り接続され、前記ダイパッド部２０が保持されている構
成である。
【００１３】前記サポート部３０は、その先端部で幅広
となっており、絶縁性物質３１との接続を安定にするよ
うに構成されている。そしてその先端部には貫通穴３０
ａが形成されており、本実施の形態のリードフレームを
用いて樹脂封止型半導体装置を形成した際、アンカー効
果によって封止樹脂との密着力を向上させる機能を備え
ている。またサポート部３０は、ディプレス部３０ｂを
有している。
【００１４】したがって、本実施の形態に示すリードフ
レームは、半導体素子を載置するダイパッド部２０を従
来のように吊りリード部により保持する機構を排除し、
ダイパッド部２０に設けたサポート部３０と各インナー
リード部群２１，２２，２３，２４とを絶縁性物質３１
で接続することでダイパッド部を保持することを特徴と
する構成である。
【００１５】本実施の形態により、ダイパッド部２０
は、サポート部３０を有し、その先端部が絶縁性物質３
１と接続し、保持されているので、吊りリード部自体を
排除することができる。そして、従来のダイパッド部の
角部に設けられていた吊りリード部を排除し、ダイパッ
ド部２０に設けたサポート部３０を、適宜必要に応じて
前記ダイパッド部２０の必要箇所に設けることができる
ので、各インナーリード部群の各インナーリード部の引
き込み（配列）に制約を受けることはなくなる。すなわ
ち、本実施の形態のリードフレームは、吊りリードのス
ペースを活用し、インナーリード部の配列の自由度を向
上させることができ、半導体素子をダイパッド部２０に
載置し、樹脂封止型半導体装置を形成した際、半導体素
子とインナーリード部とのワイヤリングなどの電気的接
続の安定と効率を図ることができるリードフレームであ
る。さらに、吊りリード部がない分、インナーリード部
の配列領域に余裕ができ、多ピン化に対応でき、また、
狭ピッチによるワイヤのショートなどの障害も防止でき
るものである。
【００１６】また、従来のように吊りリード部が存在し
ないで、ダイパッド部２０を保持できるので、吊りリー
ド部が配設されるべき箇所に余裕ができ、図２の平面図
に示すように、半導体素子３２をダイパッド部２０に載
置し、樹脂封止型半導体装置を形成する際の樹脂注入工
程で、ゲート部３３の注入方向Ａから注入する樹脂に対
して、吊りリード部による抵抗がなくなり、樹脂に気泡
が発生するのを防止し、きわめてボイドの少ない樹脂封
止型半導体装置を形成できるものである。なお、図２に
おいて、ダイパッド部２０上に載置された半導体素子３
２と各インナーリード部３４との電気的接続は金属細線
３５により行なっている。
【００１７】なお、本実施の形態のリードフレームは、
必要に応じて、適宜表面がメッキされており、その材質
も、適宜鉄（Ｆｅ）系、銅（Ｃｕ）系、チタン（Ｔｉ）
系などを用いるものである。
【００１８】次に本発明の第２の実施の形態について図
面を参照しながら説明する。図３は、本発明のリードフ
レームにおける第２の実施の形態の示す平面図である。
図３に示すように本実施の形態のリードフレームは、前
記第１の実施の形態と同様に、ＱＦＰ（クワッド・フラ
ット・パッケージ）タイプの樹脂封止型半導体装置に用
いられるリードフレームを一例としており、第１の辺２
０ａ，第２の辺２０ｂ，第３の辺２０ｃ，第４の辺２０
ｄを有し、半導体素子が載置されるダイパッド部２０
と、前記ダイパッド部２０の第１の辺２０ａ，第２の辺
２０ｂ，第３の辺２０ｃ，第４の辺２０ｄの各辺の近傍
に延在し、半導体素子を載置した場合、その半導体素子
と電気的接続する第１のインナーリード部群２１，第２
のインナーリード部群２２，第３のインナーリード部群
２３，第４のインナーリード部群２４と、前記第１，第
２，第３，第４のインナーリード部群２１，２２，２
３，２４と連続し、外部端子との接続のための第１のア
ウターリード部群２５，第２のアウターリード部群２
６，第３のアウターリード部群２７，第４のアウターリ
ード部群２８と、前記第１，第２，第３，第４のアウタ
ーリード部群２５，２６，２７，２８の各アウターリー
ド部同士を連結固定するダムバー部２９とより構成され
ている。そして前記ダイパッド部２０はサポート部３０
を有し、前記サポート部３０と前記第１，第２，第３，
第４の各インナーリード部群２１，２２，２３，２４と
が絶縁性テープ、絶縁性樹脂などの絶縁性物質３１によ
り接続され、前記ダイパッド部２０が保持されている構
成である。さらに少なくとも前記第１のインナーリード
部群２１の分岐インナーリード部群２１ａが、隣接する
第２のインナーリード部群２２の領域または第４のイン
ナーリード部群２４の領域に配列し、前記ダイパッド部
２０の第２の辺２０ｂまたは第４の辺２０ｄの近傍に延
在しているものである。
【００１９】前記サポート部３０は、その先端部で幅広
となっており、絶縁性物質３１との接続を安定にするよ
うに構成されている。またその先端部には貫通穴３０ａ
が形成されており、本実施の形態のリードフレームを用
いて樹脂封止型半導体装置を形成した際、アンカー効果
によって樹脂との密着力を向上させる機能を備えてい
る。またサポート部３０は、ディプレス部３０ｂを有し
ている。
【００２０】したがって、本実施の形態に示すリードフ
レームは、前記第１の実施の形態と同様に、半導体素子
を載置するダイパッド部２０を従来のように吊りリード
部により保持する機構を排除し、ダイパッド部２０に設
けたサポート部３０と各インナーリード部群２１，２
２，２３，２４とを絶縁性物質３１で接続することでダ
イパッド部を保持することを特徴とするものであるが、
さらに、少なくとも前記第１のインナーリード部群２１
の分岐インナーリード部群２１ａが、隣接する第２のイ
ンナーリード部群２２の領域または第４のインナーリー
ド部群２４の領域に配列し、前記ダイパッド部２０の第
２の辺２０ｂまたは第４の辺２０ｄの近傍に延在させた
もので、特定のインナーリード部群の一部のインナーリ
ード部群を隣接するインナーリード部群の領域に分岐し
て配列させたものである。なお、第３のインナーリード
部群２３も同様に分岐し、分岐インナーリード部群２３
ａが前記ダイパッド部２０の第２の辺２０ｂまたは第４
の辺２０ｄの近傍に延在している。また図中、分岐イン
ナーリード部群２１ａ，２３ａは、１本のみ示している
が、１本に限定するものではなく、インナーリードの
数、配列などを考慮して、複数本分岐させるものであ
る。
【００２１】本実施の形態により、ダイパッド部２０
は、サポート部３０を有し、その先端部が絶縁性物質３
１と接続し、保持されているので、吊りリード部を排除
することができる。そして、従来のダイパッド部の角部
に設けられていた吊りリード部を排除し、ダイパッド部
２０に設けたサポート部３０を、適宜前記ダイパッド部
２０の必要箇所に設けることができるので、各インナー
リード部群の各インナーリード部の引き込み（配列）に
制約を受けることはなくなる。
【００２２】すなわち、本実施の形態のリードフレーム
は、図４の平面図に示すように、インナーリード部群の
配列の自由度を向上させることができ、半導体素子３２
をダイパッド部２０に載置し、樹脂封止型半導体装置を
形成した際、半導体素子３２とインナーリード部２１，
２１ａとの金属細線３５による電気的接続をした際、金
属細線間の間隔に余裕があり、金属細線３５同士の接触
を防止し、電気的接続の安定化と効率化を図ることがで
きるリードフレームである。
【００２３】本実施の形態のように、ダイパッド部２０
に設けたサポート部３０を、適宜前記ダイパッド部２０
の必要箇所に設けることができるので、インナーリード
部の引き込み（配列）に制約を受けることはなくなる。
さらに吊りリード部が存在しないため、載置する半導体
素子のボンディングパッド部の数に応じて、インナーリ
ード部群の特定のインナーリード部群の一部を隣接する
インナーリード部群領域に分岐して配列することがで
き、インナーリード部の引き込みの困難を解消でき、従
来のように吊りリード部を横切ってワイヤリングする
（金属細線を張る）必要がなくなり、リード流れなどの
半導体装置の信頼性低下を防止することができる。
【００２４】前記第１，第２の各実施の形態に示したよ
うに、本実施の形態のリードフレームは、ダイパッド部
２０を保持する吊りリード部を排除し、サポート部３０
を、適宜ダイパッド部２０の必要箇所に設けることによ
り、特にインナーリード部のレイアウトを自由にでき、
インナーリード部の引き込みを自由にできるものであ
る。そしてインナーリード部のレイアウトを自由にでき
るため、多ピン化・狭ピッチ化する樹脂封止型半導体装
置に対しては、その利用が非常に有効なものである。
【００２５】なお、前記第１，第２の各実施の形態で
は、図示するようにリードフレーム自体が略長方形であ
り、ダイパッド部２０が略正方形であるＱＦＰ（クワッ
ド・フラット・パッケージ）タイプの樹脂封止型半導体
装置に用いられるリードフレームを一例として説明した
が、図示された形状に限定されるものではなく、リード
フレーム自体が略正方形であり、ダイパッド部２０が略
長方形であるリードフレームに対しても、本実施の形態
で説明した構成を採用することによって、同様の作用・
効果があるものである。
【００２６】なお、図５には、サポート部３０をダイパ
ッド部２０の辺のほぼ中央部に設けた構造のリードフレ
ームを示しているが、インナーリードの数、ピッチ間隔
等を考慮してサポート部３０の配設を自由にできる。
【００２７】次に図６は、第２の実施の形態で示したリ
ードフレームの別の形態を示す平面図である。図６で示
すリードフレームは、その特徴として、半導体素子が載
置される箇所であるダイパッド部２０は、その載置され
る半導体素子の面積よりも小さく、半導体素子をセンタ
ーサポートできる構造を有している。この構造により、
半導体素子をダイパッド部２０に搭載し、周囲を封止樹
脂で封止して半導体装置を構成した場合、パッケージク
ラックの発生を防止することができる。すなわち、半導
体装置をプリント基板等に実装する際のリフロー工程で
の、熱によるパッケージクラックの発生を防止できる。
また半導体素子をダイパッド部２０に搭載し、周囲を封
止樹脂で封止して半導体装置を構成する際の封止工程
で、ダイパッド部２０の裏面側で、樹脂の流れ性が向上
し、樹脂ボイドの発生を防止することができる。以上の
ように、小型のダイパッド部２０により、半導体装置の
高信頼性が実現される。
【００２８】次に図７は、第２の実施の形態で示したリ
ードフレームの別の形態を示す平面図である。図７で示
すリードフレームは、その特徴として、半導体素子が載
置される箇所であるダイパッド部２０は、分割されてお
り、各分割された先端部が幅広に形成されているもので
ある。この構造により、半導体素子をダイパッド部２０
に搭載し、周囲を封止樹脂で封止して半導体装置を構成
した場合、パッケージクラックの発生を防止することが
できる。すなわち、半導体装置をプリント基板等に実装
する際のリフロー工程での、熱によるパッケージクラッ
クの発生を防止できる。また半導体素子をダイパッド部
２０に搭載し、周囲を封止樹脂で封止して半導体装置を
構成する際の封止工程で、ダイパッド部２０の裏面側
で、樹脂の流れ性が向上し、樹脂ボイドの発生を防止す
ることができる。さらに、リードフレームにディプレス
下降を施す際の引張応力を緩和し、リードフレーム自体
の変形を防止することができる。以上のように、小型の
ダイパッド部２０により、半導体装置の高信頼性が実現
される。
【００２９】次に本発明の第３の実施の形態にかかるリ
ードフレームの製造方法について図面を参照しながら説
明する。
【００３０】図８は本発明のリードフレームの製造方法
における第１の実施の形態を説明するための図であっ
て、リードフレームの右上部分を示す部分平面工程図で
ある。
【００３１】まず図８（ａ）に示すように、第１工程と
して、リードフレームのベースとなる金属板３６をエッ
チング処理等により加工し、前記金属板３６内に少なく
とも第１の辺２０ａ，（第２の辺２０ｂ，第３の辺２０
ｃは省略），第４の辺２０ｄを有し、半導体素子が載置
されるダイパッド部２０と、前記ダイパッド部２０に接
続したサポート部３０と、前記ダイパッド部２０と接続
した第１のインナーリード部群２１，第２のインナーリ
ード部群２２，第３のインナーリード部群２３，第４の
インナーリード部群２４と、前記第１，第２，第３，第
４の各インナーリード部群２１，（２２，２３），２４
と連続した第１のアウターリード部群２５，（第２のア
ウターリード部群２６，第３のアウターリード部群２７
は省略），第４のアウターリード部群２８と、前記第
１，第２，第３，第４の各アウターリード部群２５，
（２６，２７），２８の各アウターリード部同士を連結
固定するダムバー部２９とを形成し、リードフレーム構
成体３７を形成する。この工程では、ダイパッド部２０
に接続したサポート部３０を形成する際、前記サポート
部３０の先端部は幅広に形成し、さらに先端部には貫通
穴３０ａも形成する。サポート部３０の先端部に設けた
貫通穴３０ａにより、樹脂封止型半導体装置を形成した
際、アンカー効果によって封止樹脂との密着力を向上さ
せることができるものである。また前記ダイパッド部２
０に対して、サポート部３０はダイパッド部２０の角部
以外でも適宜設けることができ、各インナーリード部群
２１，（２２，２３），２４の配列位置の効率化を優先
させて、サポート部３０を形成する。
【００３２】なお、第１工程で前記リードフレーム構成
体３７を形成した後、目的とする金属を用いて前記リー
ドフレーム構成体３７にメッキ処理を施す。メッキ処理
は、封止樹脂との密着性向上等を狙ったものである。
【００３３】次に図８（ｂ）に示すように、第２工程と
して、前記リードフレーム構成体３７内に形成された前
記ダイパッド部２０と接続した前記サポート部３０と前
記各インナーリード部群２１，（２２，２３），２４と
を絶縁性物質３１で接続する。図示するように、本実施
の形態では、サポート部３０と各インナーリード部群２
１，（２２，２３），２４とを一連でつなぐように接続
している。接続に用いる絶縁性物質３１は、ポリイミ
ド、シリコンゴムなどの絶縁性を有した接着力のあるも
のを用い、その接続方法としては、あらかじめテープ状
に形成した絶縁性物質３１をサポート部３０と各インナ
ーリード部群２１，（２２，２３），２４とを一連でつ
なぐように接続するか、または、ポリイミド樹脂などを
用いて、サポート部３０と各インナーリード部群２１，
（２２，２３），２４とを一連でつなぐように塗布して
接続する。そして絶縁性物質３１の形成箇所は、インナ
ーリード部のワイヤーボンデイングされる領域以外の箇
所とする。
【００３４】本実施の形態では、サポート部３０と各イ
ンナーリード部群２１，（２２，２３），２４とを一連
でつなぐように絶縁性物質３１を設けているが、他にダ
イパッド部２０のサポート部３０と各インナーリード部
群２１，（２２，２３），２４とを部分的に接続し、ダ
イパッド部２０を保持できるように形成するものでもよ
い。なお、本実施の形態では、絶縁性物質３１の付設
は、リードフレーム構成体３７の表面から行なってい
る。
【００３５】そして図８（ｃ）に示すように、第３工程
として、絶縁性物質３１が付設されたリードフレーム構
成体３７のダイパッド部２０と各インナーリード部群２
１，（２２，２３），２４との接続領域をパンチング等
により切断して、ダイパッド部２０と各インナーリード
部群２１，（２２，２３），２４とを分離する。図示す
るように、この工程により、ダイパッド部２０には、第
１の辺２０ａ，（第２の辺２０ｂ，第３の辺２０ｃは省
略），第４の辺２０ｄの各辺が形成され、各インナーリ
ード部群２１，（２２，２３），２４のインナーリード
部の先端部が前記ダイパッド部２０の各辺の近傍に延在
するものである。
【００３６】本実施の形態のリードフレームの製造方法
では、前記第２の工程で、ダイパッド部２０と接続した
サポート部３０と前記各インナーリード部群２１，２
２，２３，２４とを絶縁性物質３１で接続して固定して
いるので、第３工程でダイパッド部２０と各インナーリ
ード部群２１，２２，２３，２４とを切断分離させて
も、ダイパッド部２０は落下することなく、保持される
ものである。これによって、吊りリード部が存在しない
リードフレームを得ることができる。
【００３７】次に本発明の第４の実施の形態にかかるリ
ードフレームの製造方法について図面を参照しながら説
明する。
【００３８】次に図９は、本発明のリードフレームの製
造方法における第２の実施の形態を説明するための図で
あって、リードフレームの右上部分を示す部分平面工程
図である。
【００３９】まず図９（ａ）に示すように、第１工程と
して、前記第３の実施の形態と同様に、リードフレーム
のベースとなる金属板３６をエッチング処理等により加
工し、前記金属板３６内に少なくとも第１の辺２０ａ，
（第２の辺２０ｂ，第３の辺２０ｃは省略），第４の辺
２０ｄを有し、半導体素子が載置されるダイパッド部２
０と、前記ダイパッド部２０に接続したサポート部３０
と、前記ダイパッド部２０と接続した第１のインナーリ
ード部群２１，（第２のインナーリード部群２２，第３
のインナーリード部群２３は省略），第４のインナーリ
ード部群２４と、前記第１，第２，第３，第４の各イン
ナーリード部群２１，（２２，２３），２４と連続した
第１のアウターリード部群２５，（第２のアウターリー
ド部群２６，第３のアウターリード部群２７は省略），
第４のアウターリード部群２８と、前記第１，第２，第
３，第４の各アウターリード部群２５，（２６，２
７），２８の各アウターリード部同士を連結固定するダ
ムバー部２９とを形成し、リードフレーム構成体３７を
形成する。そしてさらに、金属板中３６にダイパッド部
２０と接続した第１，第２，第３，第４のインナーリー
ド部群２１，２２，２３，２４を形成する際、少なくと
も前記第１のインナーリード部群２１の一部を隣接する
第２のインナーリード部群２２の領域または第４のイン
ナーリード部群２４の領域に配列した分岐インナーリー
ド部群２１ａを形成する。
【００４０】次に図９（ｂ）に示すように、第２工程と
して、前記リードフレーム構成体３７内に形成された前
記ダイパッド部２０と接続した前記サポート部３０と前
記各インナーリード部群２１，（２２，２３），２４お
よび分岐インナーリード部群２１ａとを絶縁性物質３１
で接続する。図示するように、本実施の形態では、サポ
ート部３０と各インナーリード部群２１，２２，２３，
２４および分岐インナーリード部群２１ａとを一連でつ
なぐように接続している。接続に用いる絶縁性物質３１
は、ポリイミド、シリコンゴムなどの絶縁性を有した接
着力のあるものを用い、その接続方法としては、あらか
じめテープ状に形成した絶縁性物質３１をサポート部３
０と各インナーリード部群２１，２２，２３，２４およ
び分岐インナーリード部群２１ａとを一連でつなぐよう
に接続するか、または、ポリイミド樹脂などを用いて、
サポート部３０と各インナーリード部群２１，２２，２
３，２４および分岐インナーリード部群２１ａとを一連
でつなぐように塗布して接続する。そして絶縁性物質３
１の形成箇所は、インナーリード部のワイヤーボンデイ
ングされる領域以外の箇所とする。
【００４１】本実施の形態では、サポート部３０と各イ
ンナーリード部群２１，２２，２３，２４および分岐イ
ンナーリード部群２１ａとを一連でつなぐように絶縁性
物質３１を設けているが、他にダイパッド部２０のサポ
ート部３０と各インナーリード部群２１，２２，２３，
２４および分岐インナーリード部群２１ａとを部分的に
接続し、ダイパッド部２０を保持できるように形成する
ものでもよい。なお、本実施の形態では、絶縁性物質３
１の付設は、リードフレーム構成体３７の表面から行な
っている。
【００４２】そして図９（ｃ）に示すように、第３工程
として、絶縁性物質３１が付設されたリードフレーム構
成体３７のダイパッド部２０と各インナーリード部群２
１，（２２，２３），２４および分岐インナーリード部
群２１ａとの接続領域をパンチング等により切断して、
ダイパッド部２０と各インナーリード部群２１，（２
２，２３），２４とを分離する。図示するように、この
工程により、ダイパッド部２０には、第１の辺２０ａ，
（第２の辺２０ｂ，第３の辺２０ｃは省略），第４の辺
２０ｄの各辺が形成され、各インナーリード部群２１，
（２２，２３），２４のインナーリード部および分岐イ
ンナーリード部群２１ａの先端部が前記ダイパッド部２
０の各辺の近傍に延在するものである。
【００４３】ここで、前記第１工程で、第１，第２，第
３，第４のインナーリード部群２１，２２，２３，２４
を形成する際、少なくとも前記第１のインナーリード部
群２１の一部を隣接する第２のインナーリード部群２２
の領域または第４のインナーリード部群２４の領域に配
列した分岐インナーリード部群２１ａを形成しているの
で、ダイパッド部２０の第２の辺２０ｂ，第４の辺２０
ｄの近傍には、第１のインナーリード部群２１より分岐
した分岐インナーリード部群２１ａが延在し、前記分岐
インナーリード部群２１ａは、第２のインナーリード部
群２２の領域または第４のインナーリード部群２４の領
域に配列されることになる。
【００４４】本実施の形態により、特定のインナーリー
ド部群の一部を、隣接するインナーリード部群領域に分
離して配列させることができ、半導体素子のボンディン
グパッド部の数に対応したインナーリード部の配列を実
現したリードフレームを得ることができる。
【００４５】なお、本実施の形態における図３において
は、リードフレーム自体は略長方形で、その内部に形成
されたダイパッド部２０は正方形である例を示してお
り、第１のインナーリード部群２１より分岐した分岐イ
ンナーリード部群２１ａと、第３のインナーリード部群
２３より分岐した分岐インナーリード部群２３ａとを示
し、インナーリード部群配列において、長辺側のインナ
ーリード部群の一部を分岐インナーリード部群として短
辺側のインナーリード部群領域に配列させている。
【００４６】なお、ダイパッド部２０には、必要に応じ
て表面加工により表面凹凸部を形成してもよい。前記表
面凹凸部により、接着剤を用いた半導体素子の接着性を
向上させるものである。
【００４７】次に本実施の形態で示したリードフレーム
を用いた樹脂封止型半導体装置について説明する。
【００４８】図１０は、本発明の樹脂封止型半導体装置
における一実施の形態の開封した状態を示す平面図であ
る。本実施の形態の樹脂封止型半導体装置は、半導体素
子３８が導電性接着剤で載置接合されているダイパッド
部３９と、前記ダイパッド部３９に設けられたサポート
部４０と、前記ダイパッド部３９の近傍に延在したイン
ナーリード部群４１と、前記インナーリード部群４１の
各インナーリードと半導体素子３８のボンディングパッ
ド部４２とを電気的に接続している金線（Ａｕ）または
アルミニウム線（Ａｌ）などの金属細線４３と、前記半
導体素子３８が載置接合されたダイパッド部３９を保持
するために、前記インナーリード部群４１と前記ダイパ
ッド部３９に設けられたサポート部４０とを接続してい
るテープ状の絶縁性物質４４と、前記インナーリード部
群４１と連接し、外部端子との接続のためのアウターリ
ード部群４５と、前記半導体素子３８、インナーリード
部群４１の領域を封止しているエポキシ樹脂などの封止
樹脂４６とより構成されている。さらに前記インナーリ
ード部群４１は、一部のインナーリードが隣接するイン
ナーリード部群領域に分岐した分岐インナーリード部４
１ａを有しており、インナーリードの配列において、多
ピン、狭ピッチ化に対応して配列を有している。また前
記絶縁性物質４４は、テープ状のポリイミド樹脂を用い
ているが、ポリイミド樹脂などの絶縁性樹脂を塗布によ
り設けてもよい。その付設については、本実施の形態で
は、インナーリード部群４１の表面側から付している
が、裏側からでもよい。また本実施の形態では、前記サ
ポート部４０はダイパッド部３９の角部付近に設けてい
るが、インナーリードの配列を考慮して、角部以外、辺
の端部、中央部付近等、自由に設けることができる。
【００４９】すなわち、本実施の形態の樹脂封止型半導
体装置は、長辺側のインナーリードの数が多いので、短
辺側に引き回した構造を有しているものである。本実施
の形態の樹脂封止型半導体装置においては、ダイパッド
部３９を保持している吊りリード部なるものが存在せ
ず、吊りリード部のスペースを有効に利用して、インナ
ーリードの数が多い長辺側から、短辺側に引き回し、各
インナーリードの間隔を維持できるものである。したが
って、金属細線４３を張るときは、金属細線４３同士の
接触を防止でき、短絡等の発生を抑え、信頼性の向上し
た樹脂封止型半導体装置が実現するものである。
【００５０】なお、本実施の形態では、略長方形のリー
ドフレームに対して、略正方形の半導体素子を搭載した
例を示したが、略正方形のリードフレームに対して、略
長方形の半導体素子を搭載した場合などにおいても、配
線効率を考慮して、インナーリード部群を分岐させて、
隣接の領域に引き回すことも同様にできる。
【００５１】次に前記樹脂封止型半導体装置の製造方法
について説明する。まず、第１工程として、少なくとも
第１，第２，第３，第４の辺を有し、半導体素子が載置
されるダイパッド部と、前記ダイパッド部の第１，第
２，第３，第４の各辺の近傍に延在し、載置された半導
体素子と電気的接続する第１，第２，第３，第４のイン
ナーリード部群と、前記第１，第２，第３，第４のイン
ナーリード部群と連続し、外部端子との接続のための第
１，第２，第３，第４のアウターリード部群と、前記第
１，第２，第３，第４のアウターリード部群のアウター
リード部同士を連結固定するダムバー部とよりなり、前
記ダイパッド部はサポート部を有し、前記サポート部と
前記第１，第２，第３，第４の各インナーリード部とが
絶縁性物質により接続され、さらに少なくとも前記第１
のインナーリード部群の分岐インナーリード部群が、隣
接する第２のインナーリード部群領域または第４のイン
ナーリード部群領域に配列し、前記ダイパッド部の第２
の辺または第４の辺の近傍に延在しているリードフレー
ムを用意する。この第１工程で用意するリードフレーム
は、前記第１または第２の実施の形態で説明したリード
フレームを用意するものである。
【００５２】そして第２工程として、前記リードフレー
ムのダイパッド部上に半導体素子を載置する。この半導
体素子の載置は、銀ペースト等の導電性接着剤によりダ
イパッド部と半導体素子とを接合するものである。
【００５３】第３工程として、前記半導体素子と前記リ
ードフレームの第１，第２，第３，第４のインナーリー
ド部群の各インナーリード部とを電気的に接続する。電
気的接続としては、通常、金（Ａｕ），アルミニウム
（Ａｌ）などの金属細線により接続するワイヤーボンド
法を用いる。場合によって、バンプ接続してもよい。
【００５４】第４工程として、前記半導体素子と前記第
１，第２，第３，第４のインナーリード部群領域を封止
樹脂により樹脂封止する。この樹脂封止工程は、エポキ
シ樹脂などを封止樹脂として用いて、トランスファーモ
ールド法、印刷法により行うことができる。トランスフ
ァーモールド法で封止する場合、リードフレームのゲー
ト口より樹脂を注入し、封止する。
【００５５】
【発明の効果】本発明のリードフレームは、従来のダイ
パッド部の角部に設けられていた吊りリード部を排除
し、ダイパッド部に設けたサポート部によって、ダイパ
ッド部を保持することができるので、吊りリード部のス
ペース分、インナーリード領域に余裕ができ、インナー
リード部の引き込み（配列）に制約を受けることはなく
なる。さらに吊りリード部がないため、載置する半導体
素子のボンディングパッド部の数に応じて、インナーリ
ード部群の特定のインナーリード部群の一部を隣接する
インナーリード部群領域に分岐して配列することがで
き、インナーリード部の引き込みの困難を解消でき、従
来のように吊りリード部を横切って金属細線を張る必要
がなくなり、リード流れ（ワイヤー流れ）などの樹脂封
止型半導体装置の信頼性低下を防止することができる。
【００５６】また本発明の製造方法においては、ダイパ
ッド部に設けたサポート部のインナーリード部群とを絶
縁性物質で接続した後で、ダイパッド部とインナーリー
ド部群とを分離するので、ダイパッド部はサポート部で
保持され、吊りリード部を削除できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態のリードフレームを
示す平面図
【図２】本発明の第１の実施の形態のリードフレームに
半導体素子を取り付けた構成を示す平面図
【図３】本発明の第２の実施の形態のリードフレームを
示す平面図
【図４】本発明の第２の実施の形態のリードフレームに
半導体素子を取り付けた構成を示す平面図
【図５】本発明の第１，第２の実施の形態の変形した例
を示す平面図
【図６】本発明の別の実施の形態のリードフレームを示
す平面図
【図７】本発明の別の実施の形態のリードフレームを示
す平面図
【図８】本発明のリードフレームの製造方法における第
１の実施の形態を説明するためのリードフレームの右上
部分を示す部分平面工程図
【図９】本発明のリードフレームの製造方法における第
２の実施の形態を説明するためのリードフレームの右上
部分を示す部分平面工程図
【図１０】本発明の樹脂封止型半導体装置における一実
施の形態の平面図
【図１１】従来のリードフレームの構成を示す平面図
【図１２】従来のリードフレームの製造方法を示す部分
平面工程図
【図１３】従来のリードフレームの構成を示す平面図
【符号の説明】
１ ダイパッド部 ２ 第１のインナーリード部群 ３ 第２のインナーリード部群 ４ 第３のインナーリード部群 ５ 第４のインナーリード部群 ６ 第１のアウターリード部群 ７ 第２のアウターリード部群 ８ 第３のアウターリード部群 ９ 第４のアウターリード部群 １０ アウターリード部単体 １１ ダムバー部 １２ 角部 １３ 吊りリード部 １４ 金属板 １５ リードフレーム構成体 １６ 半導体素子 １７ インナーリード部 １８ ボンディングパッド部 １９ 金属細線 ２０ ダイパッド部 ２１ 第１のインナーリード部群 ２１ａ 分岐インナーリード部 ２２ 第２のインナーリード部群 ２３ 第３のインナーリード部群 ２３ａ 分岐インナーリード部 ２４ 第４のインナーリード部群 ２５ 第１のアウターリード部群 ２６ 第２のアウターリード部群 ２７ 第３のアウターリード部群 ２８ 第４のアウターリード部群 ２９ ダムバー部 ３０ サポート部 ３０ａ 貫通穴 ３０ｂ ディプレス部 ３１ 絶縁性物質 ３２ 半導体素子 ３３ ゲート部 ３４ インナーリード部 ３５ 金属細線 ３６ 金属板 ３７ リードーフレーム構成体 ３８ 半導体素子 ３９ ダイパッド部 ４０ サポート部 ４１ インナーリード部群 ４１ａ 分岐インナーリード部 ４２ ボンディングパッド部 ４３ 金属細線 ４４ 絶縁性物質 ４５ アウターリード部群 ４６ 封止樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 南尾 匡紀 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体素子が載置されるダイパッド部と、
    載置された前記半導体素子と電気的接続する第１，第
    ２，第３，第４の各インナーリード部群と、前記各イン
    ナーリード部と連続し、外部端子と接続する第１，第
    ２，第３，第４の各アウターリード部群と、前記各アウ
    ターリード部群のアウターリード部同士を連結固定する
    ダムバー部とよりなるリードフレームであって、第１，
    第２，第３，第４の各インナーリード群の内の一部分の
    インナーリードが隣接するインナーリード群領域に配設
    されていることを特徴とするリードフレーム。
  2. 【請求項２】半導体素子が載置されるダイパッド部と、
    載置された前記半導体素子と電気的接続するインナーリ
    ード部群と、インナーリード部と連続し、外部端子と接
    続するアウターリード部群と、前記アウターリード部群
    のアウターリード部同士を連結固定するダムバー部とよ
    りなるリードフレームであって、前記ダイパッド部はサ
    ポート部を有し、前記サポート部と前記インナーリード
    部群とが絶縁性物質により接続されていることを特徴と
    するリードフレーム。
  3. 【請求項３】少なくとも第１，第２，第３，第４の辺を
    有し、半導体素子が載置されるダイパッド部と、前記ダ
    イパッド部の第１，第２，第３，第４の各辺の近傍に延
    在し、載置された半導体素子と電気的接続する第１，第
    ２，第３，第４のインナーリード部群と、前記第１，第
    ２，第３，第４のインナーリード部群と連続し、外部端
    子との接続のための第１，第２，第３，第４のアウター
    リード部群と、前記第１，第２，第３，第４のアウター
    リード部群のアウターリード部同士を連結固定するダム
    バー部とよりなるリードフレームであって、前記ダイパ
    ッド部はサポート部を有し、前記サポート部と前記第
    １，第２，第３，第４の各インナーリード部とが絶縁性
    物質により接続され、さらに少なくとも前記第１のイン
    ナーリード部群の分岐インナーリード部群が、隣接する
    第２のインナーリード部群領域または第４のインナーリ
    ード部群領域に配列し、前記ダイパッド部の第２の辺ま
    たは第４の辺に延在していることを特徴とするリードフ
    レーム。
  4. 【請求項４】ダイパッド部に設けられたサポート部は、
    その先端部が幅広に形成されていることを特徴とする請
    求項２または請求項３記載のリードフレーム。
  5. 【請求項５】ダイパッド部に設けられたサポート部は、
    その先端部が貫通穴を有していることを特徴とする請求
    項２または請求項３記載のリードフレーム。
  6. 【請求項６】サポート部と各インナーリード部群とを接
    続している絶縁性物質は、テープ状の絶縁性物質である
    ことを特徴とする請求項２または請求項３記載のリード
    フレーム。
  7. 【請求項７】ダイパッド部の面積は、載置される半導体
    素子の面積よりも小さいことを特徴とする請求項１〜請
    求項３のいずれかに記載のリードフレーム。
  8. 【請求項８】ダイパッド部は、分割されていることを特
    徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載のリード
    フレーム。
  9. 【請求項９】金属板を加工し、前記金属板中に半導体素
    子が載置されるダイパッド部と、前記ダイパッド部に接
    続したサポート部と、前記ダイパッド部と接続したイン
    ナーリード部群と、前記インナーリード部と連続したア
    ウターリード部群と、前記アウターリード部群の各アウ
    ターリード部同士を連結固定するダムバー部とを形成
    し、リードフレーム構成体を形成する第１工程と、前記
    リードフレーム構成体の前記ダイパッド部と接続した前
    記サポート部とインナーリード部群とを絶縁性物質で接
    続する第２工程と、前記絶縁性物質が付された前記リー
    ドフレーム構成体の前記ダイパッド部と前記インナーリ
    ード部群との接続領域を切断し、ダイパッド部とインナ
    ーリード部群とを分離する第３工程とを有することを特
    徴とするリードフレームの製造方法。
  10. 【請求項１０】金属板を加工し、前記金属板中に少なく
    とも第１，第２，第３，第４の辺を有し、半導体素子が
    載置されるダイパッド部と、前記ダイパッド部に接続し
    たサポート部と、前記ダイパッド部と接続した第１，第
    ２，第３，第４のインナーリード部群と、前記第１，第
    ２，第３，第４のインナーリード部と連続した第１，第
    ２，第３，第４のアウターリード部群と、前記第１，第
    ２，第３，第４のアウターリード部群のアウターリード
    部同士を連結固定するダムバー部とを形成し、リードフ
    レーム構成体を形成する第１工程と、前記リードフレー
    ム構成体の前記ダイパッド部と接続した前記サポート部
    と前記各インナーリード部群とを絶縁性物質で接続する
    第２工程と、前記絶縁性物質が付された前記リードフレ
    ーム構成体の前記ダイパッド部と前記各インナーリード
    部群との接続領域を切断し、ダイパッド部と各インナー
    リード部群とを分離する第３工程とを有するリードフレ
    ームの製造方法であって、前記リードフレーム構成体を
    形成する第１工程が、金属板中にダイパッド部と接続し
    た第１，第２，第３，第４のインナーリード部群を形成
    する際、少なくとも前記第１のインナーリード部群の一
    部を隣接する第２のインナーリード部群領域または第４
    のインナーリード部群領域に配列した分岐インナーリー
    ド部群を形成する工程を有することを特徴とするリード
    フレームの製造方法。
  11. 【請求項１１】半導体素子が載置接合されているダイパ
    ッド部と、前記ダイパッド部に設けられたサポート部
    と、前記ダイパッド部の近傍に延在したインナーリード
    部群と、前記インナーリード部群の各インナーリードと
    前記半導体素子とを電気的に接続している金属細線と、
    前記インナーリード部群と前記ダイパッド部に設けられ
    たサポート部とを接続している絶縁性物質と、前記イン
    ナーリード部群と連接し、外部端子との接続のためのア
    ウターリード部群と、少なくとも前記半導体素子、イン
    ナーリード部群の領域を封止している封止樹脂とよりな
    る樹脂封止型半導体装置であって、さらに前記インナー
    リード部群は、一部のインナーリードが隣接するインナ
    ーリード部群領域に分岐した分岐インナーリード部を有
    していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  12. 【請求項１２】半導体素子が載置されるダイパッド部
    と、載置された半導体素子と電気的接続するインナーリ
    ード部群と、前記インナーリード部と連続し、外部端子
    との接続のためのアウターリード部群と、前記アウター
    リード部群のアウターリード部同士を連結固定するダム
    バー部とよりなり、前記ダイパッド部はサポート部を有
    し、そのサポート部と前記インナーリード部群とが絶縁
    性物質により接続されたリードフレームを用意する工程
    と、前記リードフレームのダイパッド部上に半導体素子
    を載置する工程と、前記半導体素子と前記リードフレー
    ムのインナーリード部群の各インナーリード部とを電気
    的に接続する工程と、前記半導体素子とインナーリード
    部群領域を封止樹脂により樹脂封止する工程とを有する
    ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】少なくとも第１，第２，第３，第４の辺
    を有し、半導体素子が載置されるダイパッド部と、前記
    ダイパッド部の第１，第２，第３，第４の各辺の近傍に
    延在し、載置された半導体素子と電気的接続する第１，
    第２，第３，第４のインナーリード部群と、前記第１，
    第２，第３，第４のインナーリード部群と連続し、外部
    端子との接続のための第１，第２，第３，第４のアウタ
    ーリード部群と、前記第１，第２，第３，第４のアウタ
    ーリード部群のアウターリード部同士を連結固定するダ
    ムバー部とよりなり、前記ダイパッド部はサポート部を
    有し、前記サポート部と前記第１，第２，第３，第４の
    各インナーリード部とが絶縁性物質により接続され、さ
    らに少なくとも前記第１のインナーリード部群の分岐イ
    ンナーリード部群が、隣接する第２のインナーリード部
    群領域または第４のインナーリード部群領域に配列し、
    前記ダイパッド部の第２の辺または第４の辺に延在して
    いるリードフレームを用意する工程と、前記リードフレ
    ームのダイパッド部上に半導体素子を載置する工程と、
    前記半導体素子と前記リードフレームの第１，第２，第
    ３，第４のインナーリード部群の各インナーリード部と
    を電気的に接続する工程と、前記半導体素子と前記第
    １，第２，第３，第４のインナーリード部群領域を封止
    樹脂により樹脂封止する工程とを有することを特徴とす
    る樹脂封止型半導体装置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20010053792A (ko) * 1999-12-01 2001-07-02 마이클 디. 오브라이언 반도체 패키지 제조용 리드프레임
KR100580113B1 (ko) * 2000-03-29 2006-05-12 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 제조용 리드프레임

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