JPH0215663A - リードフレーム用両面接着テープ - Google Patents
リードフレーム用両面接着テープInfo
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置を構成するリードフレーム周辺の
部材、例えば、リードピンと、半導体チップ搭載用プレ
ーン又は半導体チップ自身とを接着するための耐熱性両
面接着テープに関する。
部材、例えば、リードピンと、半導体チップ搭載用プレ
ーン又は半導体チップ自身とを接着するための耐熱性両
面接着テープに関する。
従来の技術
従来の半導体装置は、第３図に示すように、リードフレ
ームすなわちダイパッド２の上にダイボンディングペー
スト３を介して、半導体チップ４が搭載され、その半導
体チップとリードピ、ン１とがボンディングワイヤー５
によって接続され、それ等全体が樹脂６によって封止さ
れた構造を有するものである。
ームすなわちダイパッド２の上にダイボンディングペー
スト３を介して、半導体チップ４が搭載され、その半導
体チップとリードピ、ン１とがボンディングワイヤー５
によって接続され、それ等全体が樹脂６によって封止さ
れた構造を有するものである。
ところが、上記ｍ造を有する従来の半導体装置は、それ
をさらにコンパクトにすることが困難であって、パッケ
ージを小さくすることができないという問題があった。
をさらにコンパクトにすることが困難であって、パッケ
ージを小さくすることができないという問題があった。
更に半導体チップを載置するためのダイパッドが小さい
ために、半導体チップからの熱を放熱する効果が小さく
、したがって高出力のＩＣには不適当であるという問題
があった。
ために、半導体チップからの熱を放熱する効果が小さく
、したがって高出力のＩＣには不適当であるという問題
があった。
発明が解決しようとする課題
これ等の問題点を改善するために、最近、第２図に示さ
れる構造の半導体装置が提案されている。
れる構造の半導体装置が提案されている。
第２図（ａ）はその半導体装置の断面図であり、（ｂ）
は平面図である。この半導体装置は、リードピン１とプ
レーン２′とが、接着層７によって接続され、半導体チ
ップ４は、ダイボンディングペースト３を介してプレー
ン２′上に搭載されており、そしてボンディングワイヤ
ー５と共に、樹脂６によって封止された構造を有してい
る。この半導体装置によれば、上記従来の半導体装置に
おける問題点か解消され、コンパクトで、高出力のＩＣ
に適用することか可能になる。
は平面図である。この半導体装置は、リードピン１とプ
レーン２′とが、接着層７によって接続され、半導体チ
ップ４は、ダイボンディングペースト３を介してプレー
ン２′上に搭載されており、そしてボンディングワイヤ
ー５と共に、樹脂６によって封止された構造を有してい
る。この半導体装置によれば、上記従来の半導体装置に
おける問題点か解消され、コンパクトで、高出力のＩＣ
に適用することか可能になる。
ところが、この様な半導体装置において、リードピン１
とプレーン２′とを接着するための適当な手段が知られ
ていなかった。
とプレーン２′とを接着するための適当な手段が知られ
ていなかった。
したがって、本発明の目的は２上記第２図に示される構
成を有する半導体装置において、リードピン１とプレー
ン２′等、リードフレーム周辺の部材を接着する為の接
着テープを提供することにある。
成を有する半導体装置において、リードピン１とプレー
ン２′等、リードフレーム周辺の部材を接着する為の接
着テープを提供することにある。
課題を解決するための手段
本発明は、リードフレーム用両面接着テープに関するも
ので、耐熱性フィルムの両面に、半硬化状のポリイミド
系接着剤層を積層し、該ポリイミド系接着剤層の少なく
とも一方の上にセパレーター層を設けてなることを特徴
とする。
ので、耐熱性フィルムの両面に、半硬化状のポリイミド
系接着剤層を積層し、該ポリイミド系接着剤層の少なく
とも一方の上にセパレーター層を設けてなることを特徴
とする。
以下、本発明を図面を参酌して説明する。
第１図（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ本発明のリードフ
レーム用両面接着テープの一実施例である。第１図（ａ
）においては、耐熱性フィルム８の両面に、ポリイミド
系接着剤層９及びセパレーター層１０か順次積層されて
いる。また、第１図（ｂ）においては、耐熱性フィルム
８の一面に、ポリイミド系接着剤層９及びセパレーター
層１０か順次積層され、他面にポリイミド系接着剤層の
みが設けられている。前者は、リードフレーム用両面接
着テープをシート状で供給する場合に適しており、後者
は、ロール状に捲回した形態で供給する場合に適してい
る。
レーム用両面接着テープの一実施例である。第１図（ａ
）においては、耐熱性フィルム８の両面に、ポリイミド
系接着剤層９及びセパレーター層１０か順次積層されて
いる。また、第１図（ｂ）においては、耐熱性フィルム
８の一面に、ポリイミド系接着剤層９及びセパレーター
層１０か順次積層され、他面にポリイミド系接着剤層の
みが設けられている。前者は、リードフレーム用両面接
着テープをシート状で供給する場合に適しており、後者
は、ロール状に捲回した形態で供給する場合に適してい
る。
本発明のリードフレーム用両面接着テープは、第２図に
示すように、リードピン１とプレーン２′との間の接着
層７として使用するのに好適であるが、リードピン１と
プレーン２′との間の接着のみならず、例えば、プレー
ン２′と半導体チップ４との接着、半導体チップとリー
ドピンとの接着、或いは、リードピンとプレーンとの間
に電極板を介在させた構成を有する装置において、リー
ドピンと電極板との間及び電極板とプレーンとの間の接
着等に使用することも可能である。したがって、本明細
書において、「リードフレーム用両面接着テープ」とは
、上記のようなリードフレーム周辺の部材の接着に使用
するためのものを意味する。
示すように、リードピン１とプレーン２′との間の接着
層７として使用するのに好適であるが、リードピン１と
プレーン２′との間の接着のみならず、例えば、プレー
ン２′と半導体チップ４との接着、半導体チップとリー
ドピンとの接着、或いは、リードピンとプレーンとの間
に電極板を介在させた構成を有する装置において、リー
ドピンと電極板との間及び電極板とプレーンとの間の接
着等に使用することも可能である。したがって、本明細
書において、「リードフレーム用両面接着テープ」とは
、上記のようなリードフレーム周辺の部材の接着に使用
するためのものを意味する。
次に、本発明のリードフレーム用両面接着テープを構成
する各層について説明する。
する各層について説明する。
（耐熱性フィルム）
厚さ１０〜１５０μｍ、好ましくは２５〜７５μｍの、
例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニ
レンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン等の耐
熱性フィルムや、エポキシ樹脂−ガラスクロス、エポキ
シ樹脂−ポリイミド−ガラスクロス等の複合耐熱フィル
ムが使用される。
例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニ
レンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン等の耐
熱性フィルムや、エポキシ樹脂−ガラスクロス、エポキ
シ樹脂−ポリイミド−ガラスクロス等の複合耐熱フィル
ムが使用される。
（ポリイミド系接着剤層）
ポリイミド系接着剤層に使用されるポリイミド系接着剤
としては、分子内にイミド環又は縮合してイミド環を形
成する付加型ポリイミド、網台型ポリイミド等が用いら
れ、耐熱フィルム上に、乾燥後の塗布厚が５〜５０μｍ
、好ましくは２０μｍ以下になるように塗布、乾燥して
、半硬化状に形成される。
としては、分子内にイミド環又は縮合してイミド環を形
成する付加型ポリイミド、網台型ポリイミド等が用いら
れ、耐熱フィルム上に、乾燥後の塗布厚が５〜５０μｍ
、好ましくは２０μｍ以下になるように塗布、乾燥して
、半硬化状に形成される。
ポリイミド系接着剤の代表的な仁のとして、縮重合反応
によってイミド環を形成する下記構造式の単量体単位を
有するポリアミド酸（例えは、商品名ＬＡＲにづＰＩ）
、 両末端にアセチレン基を有するポリイミド（例えば商品
名： ＨＣ−６００、ＩＰ−６００１、ＩＰ−６３０、
ＦＡ−７００１等）があげられる。
によってイミド環を形成する下記構造式の単量体単位を
有するポリアミド酸（例えは、商品名ＬＡＲにづＰＩ）
、 両末端にアセチレン基を有するポリイミド（例えば商品
名： ＨＣ−６００、ＩＰ−６００１、ＩＰ−６３０、
ＦＡ−７００１等）があげられる。
（セパレーター層）
セパレーター層としては、厚さ１０〜１００ ａｎの、
シリコーン樹脂等で剥離性を付与したポリエチレンテレ
フタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、フッ素
樹脂系フィルム、離型処理した紙等が適用され、前記し
た接着層を構成するフィルムに貼着はするが、容易に剥
離することができる性質を持つものである。
シリコーン樹脂等で剥離性を付与したポリエチレンテレ
フタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、フッ素
樹脂系フィルム、離型処理した紙等が適用され、前記し
た接着層を構成するフィルムに貼着はするが、容易に剥
離することができる性質を持つものである。
実施例
厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産■製、ユ
ーピレックス２５Ｓ）の両面に、固形分２８．１％、粘
度２１．５ｘ １０３ｃｐｓ／２３℃のポリイミド樹脂
（三井東圧化学■製、商品名［＾ＲにづＰＩ）５０ 、
と溶剤としてジメチルアセトアミド１１．からなる接着
層用塗料を、厚さ２０μｍになるように塗布し、１００
℃で５分間乾燥して半硬化（８ステージ）状の接着剤層
を形成した。
ーピレックス２５Ｓ）の両面に、固形分２８．１％、粘
度２１．５ｘ １０３ｃｐｓ／２３℃のポリイミド樹脂
（三井東圧化学■製、商品名［＾ＲにづＰＩ）５０ 、
と溶剤としてジメチルアセトアミド１１．からなる接着
層用塗料を、厚さ２０μｍになるように塗布し、１００
℃で５分間乾燥して半硬化（８ステージ）状の接着剤層
を形成した。
その後、上記両面に形成された接着剤層の表面に、厚さ
３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからな
るセパレーターを８０℃、４ＩＬｚ／ｄの熱ロールを用
いて貼り合わせ、リードフレーム用両面接着テープを得
た。
３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからな
るセパレーターを８０℃、４ＩＬｚ／ｄの熱ロールを用
いて貼り合わせ、リードフレーム用両面接着テープを得
た。
得られた両面接着テープのセパレータ層を剥離し、下記
の評価を行った。
の評価を行った。
測定結果
＞１０ｈｇ／ａ＆
＞１０ｋｒ／ｃｉ
１０ｇ／ａｎ
５．６ Ｘ １０３ｋｇ／ ｄｌ
抽出水
Ｃ１濃度０．１８ｐｐｌ
Ｎａ４度０．１５ｐｐｌ
に濃度０．０５ｐｐ１
なお、測定方法は次の通りである。■及び■は剪断力試
験機を用い、室温又は２４０℃に加熱した銅板に幅５開
のテストテープを端部から５市貼着し、水平方向に引張
ることによって測定した。■は測定機としてテンシロン
を用い、銅板に幅１０闘のテストテープを貼着し、１８
０°折り曲げた方向に引張ることによって測定した。■
は、ＴＨ＾（Ｔｈｅｒｒａａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
Ａｎａｌｙｚｅｒ）での引張りヤング率を２４０’Ｃ
の雰囲気下で測定した。■はテストテープ１０ｇをイオ
ン交換水５０ｇに浸漬して１２１℃で２０時間抽出し、
抽出液の各元素の濃度を測定し測定項目 ■室温剪断接着力 ■２４０℃剪断接着力 ■室温１８０℃ビール接着力 ０２４０°Ｃヤング率 ■不純物イオン濃度 た。
験機を用い、室温又は２４０℃に加熱した銅板に幅５開
のテストテープを端部から５市貼着し、水平方向に引張
ることによって測定した。■は測定機としてテンシロン
を用い、銅板に幅１０闘のテストテープを貼着し、１８
０°折り曲げた方向に引張ることによって測定した。■
は、ＴＨ＾（Ｔｈｅｒｒａａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
Ａｎａｌｙｚｅｒ）での引張りヤング率を２４０’Ｃ
の雰囲気下で測定した。■はテストテープ１０ｇをイオ
ン交換水５０ｇに浸漬して１２１℃で２０時間抽出し、
抽出液の各元素の濃度を測定し測定項目 ■室温剪断接着力 ■２４０℃剪断接着力 ■室温１８０℃ビール接着力 ０２４０°Ｃヤング率 ■不純物イオン濃度 た。
上記の結果から、本発明のリードフレーム用両面接着テ
ープは、半導体装置に実装した場合に要求される全ての
特性を満足することが確認された。
ープは、半導体装置に実装した場合に要求される全ての
特性を満足することが確認された。
発明の効果
本発明は、上記の構成を有するから、高温時における高
い接着力、低汚染性、高熱伝導性、低アウトカス性、高
温時における高い弾性率、及び高絶縁性を有しており、
したかって、半導体装置を構成するリードフレームの周
辺の部材、例えば、リードピンと、半導体チップ搭載用
プレーン又は半導体チップ自身とを接着するのに極めて
有用である。
い接着力、低汚染性、高熱伝導性、低アウトカス性、高
温時における高い弾性率、及び高絶縁性を有しており、
したかって、半導体装置を構成するリードフレームの周
辺の部材、例えば、リードピンと、半導体チップ搭載用
プレーン又は半導体チップ自身とを接着するのに極めて
有用である。
３図は、従来の半導体装置の断面図である。
１・・・リードピン、２・・・タイパッド、２′・・・
プレーン、３・・・ホンディングペースト、４・・・半
導体チップ、５・・・ボンディングワイヤー、６・・・
樹脂、７・・・接着剤、８・・・耐熱性フィルム、９・
・・ポリイミド系接着剤層、１０・・・セパレーター！
蕾。
プレーン、３・・・ホンディングペースト、４・・・半
導体チップ、５・・・ボンディングワイヤー、６・・・
樹脂、７・・・接着剤、８・・・耐熱性フィルム、９・
・・ポリイミド系接着剤層、１０・・・セパレーター！
蕾。
特許出願人 株式会社巴川製紙所
代理人 弁理士 液部 剛
Claims (1)
- （１）耐熱性フィルムの両面に、半硬化状のポリイミド
系接着剤層を積層し、該ポリイミド系接着剤層の少なく
とも一方の上にセパレーター層を設けてなることを特徴
とするリードフレーム用両面接着テープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63165083A JPH0215663A (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | リードフレーム用両面接着テープ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63165083A JPH0215663A (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | リードフレーム用両面接着テープ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0215663A true JPH0215663A (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=15805551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63165083A Pending JPH0215663A (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | リードフレーム用両面接着テープ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0215663A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685157A (ja) * | 1992-01-15 | 1994-03-25 | Advanced Micro Devices Inc | 多層リードフレームアセンブリを作る方法および多層集積回路ダイパッケージ |
| JPH08204111A (ja) * | 1995-01-26 | 1996-08-09 | Nec Corp | リードフレームおよびその製造方法 |
| EP0814138A2 (en) * | 1996-06-17 | 1997-12-29 | Occidental Chemical Corporation | Tape comprising solvent-containing non-tacky, free-standing, fully imidized polyimide film |
| US5744405A (en) * | 1994-08-22 | 1998-04-28 | Toray Industries, Inc. | Product of vapor deposition and method of manufacturing same |
| US6111308A (en) * | 1991-06-05 | 2000-08-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ground plane for plastic encapsulated integrated circuit die packages |
| US6468664B1 (en) | 1999-10-19 | 2002-10-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Poly(imide-siloxane) compound for tapeless LOC packaging |
| WO2020038368A1 (zh) * | 2018-08-21 | 2020-02-27 | 黄沛 | 一种防热膜 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5966157A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPS6035072A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-22 | Nitto Electric Ind Co Ltd | シ−ト状接着剤 |
| JPS6035418A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-23 | 日東電工株式会社 | 絶縁接着性シ−ト |
| JPS61241959A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-28 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 半導体モジユ−ル |
-
1988
- 1988-07-04 JP JP63165083A patent/JPH0215663A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5966157A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPS6035072A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-22 | Nitto Electric Ind Co Ltd | シ−ト状接着剤 |
| JPS6035418A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-23 | 日東電工株式会社 | 絶縁接着性シ−ト |
| JPS61241959A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-28 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 半導体モジユ−ル |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6111308A (en) * | 1991-06-05 | 2000-08-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ground plane for plastic encapsulated integrated circuit die packages |
| JPH0685157A (ja) * | 1992-01-15 | 1994-03-25 | Advanced Micro Devices Inc | 多層リードフレームアセンブリを作る方法および多層集積回路ダイパッケージ |
| US5744405A (en) * | 1994-08-22 | 1998-04-28 | Toray Industries, Inc. | Product of vapor deposition and method of manufacturing same |
| JPH08204111A (ja) * | 1995-01-26 | 1996-08-09 | Nec Corp | リードフレームおよびその製造方法 |
| EP0814138A2 (en) * | 1996-06-17 | 1997-12-29 | Occidental Chemical Corporation | Tape comprising solvent-containing non-tacky, free-standing, fully imidized polyimide film |
| EP0814138A3 (en) * | 1996-06-17 | 1998-09-09 | Occidental Chemical Corporation | Tape comprising solvent-containing non-tacky, free-standing, fully imidized polyimide film |
| US6468664B1 (en) | 1999-10-19 | 2002-10-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Poly(imide-siloxane) compound for tapeless LOC packaging |
| WO2020038368A1 (zh) * | 2018-08-21 | 2020-02-27 | 黄沛 | 一种防热膜 |
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