KR100217968B1 - 새로운 선스크린제, 그것을 함유하는 광보호성 화장용 조성물과 그 용도 - Google Patents

새로운 선스크린제, 그것을 함유하는 광보호성 화장용 조성물과 그 용도 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 3-벤질리덴캄포르 유도체들, 벤조트리아졸들, 벤조페논들 그리고 벤즈이미다졸들에서 선택된, 술폰아미드기-함유 스크린 단위를 갖는, 짧은사슬의 선형 혹은 고리형 디오르가노실록산형 또는 트리오르가노실란형의 새로운 화합물들, 더욱 특별하게는 자외선 복사에 대해 피부 및 모발의 보호를 위한 화장용 조성물에서 유기(有機) 선스크린제 (sunscreen agent)로사용할 수 있는 새로운 화합물들에 관한 것이다. 본 발명은 또한 상기 화합물을 함유하는, 성질이 개선된 화장용 조성물에 관한 것일 뿐만 아니라, 그 화합물을 상기의 화장품으로이용하는 용도에 관한 것이기도 하다.

Description

새로운 선스크린제 , 그것을 함유하는 광보호성 화장용 조성물과 그 용도
본 발명은, 공통 특징으로서 술폰아미드기(基)를 함유하는 특별히 적합한 것으로 선택된 적어도 하나의 스크린 단위 (screening unit)를 갖는, 짧은사슬의 선형 혹은 고리형 디오르가노실록산형 또는 트리오르가 노실란형의 새로운 화합물들, 더욱 특별하게는 자외선 복사에 대해 피부 및 모발의 보호를 위한 화장용 조성물에서 유기(有機) 선스크린제 (sunscreen agent) 로사용할 수 있는 새로운 화합물들에 관한 것이다. 본 발명은 또한 상기 화합물을 함유하는, 성질이 개선된 화장용 조성물에 관한 것일 뿐만 아니라, 그 화합물을 상기의 화장품으로이용하는 용도에 관한 것이기도 하다.
280 nm 내지 400 nm의 파장의 광(光)복사 (light radiation)가 인체의 피부를 태울 수 있다는 것 그리고, 그 중에서도 더욱 특히, 통칭 UV-B 광선으로 알려져 있는, 280 nm 내지 320 nm의 파장의 광선은 (피부의) 햇볕타기 (tan)의 자연 발생에 손상을 줄 수 있는 피부화상 및 홍반(紅斑)의 원인이 된다는 것은 알려져 있다; 따라서,이러한 UV-B 복사에 피부가 타게 되는 것은 방지되어야만 할 것이다.
또한 피부가 타는 원인이 되는, 320 nm 내지 400 nm의 파장의 UV-A 광선이 피부를 태우는과정에서, 특히 예민한 피부나 태양 복사에 끊임없이 노출된 피부의 경우에서는, 해로운 변화들을 유발하기 쉽다는 것도 알려져 있다. UV-A 광선은 특히 조숙한 피부 노화로 결과되는, 피부의 탄력 감소 및 주름살 외관의 원인이 된다. UV-A 광선은 어떤 피실험 대상에서는 홍반성 반응의 유발을 촉진하거나이 홍반성 반응을 잘 일어나게 하며 심지어 광(光)독성 반응이나 광(光)알레르기 반응의 원인이 될 수도 있다. 따라서 UV-A 복사에 피부가 타게 되는 것도 또한 방지하는 것이 바람직하다.
빛 (UV-A 및/혹은 UV-B)으로부터 피부를 보호하는 목적을 갖는 화합물들이 지금까지 많이 제안되어 왔다.
그 대부분은 280 nm 내지 315 nm의 영역이나 315 nm 내지 400 nm의 영역, 아니면 상기 둘을 합친 영역의 UV 광선을 흡수할 수 있는 방향족 화합물들이다. 그것들은 대개, 수중 유형(水中油型) 에멀션 (즉, 연속 분산 수성상과 불연속 분산 유성상으로이루어져 있는, 화장용으로 허용가능한 부형제)의 형태를 취하고 있는, 따라서 해로운 UV 복사의 선택적 흡수 능력을 갖는, 친지성(親脂性) 및/혹은 친수성의 방향족 관능기 함유의 표준 유기 스크린제 하나 혹은 그이상을, 다양한 농도로, 함유하는 햇볕화상방지(antisun) 조성물로서 제조되며,이 때 상기 스크린제 들 (그리고 그것들의 양)은 원하는 차단지수 (遮斷指數, protection factor)의 함수(函數)로서 선택된다 [차단지수 (PF)는 수학적으로 표현하면 UV 스크린제사용시의 홍반생성 역치(threshold)의 도달에 필요한 시간 대 UV 스크린제 미사용시의 홍반생성 역치의 도달에 필요한 시간의 비율이 됨].
항-UV 활성이 있는 상기 화합물들은, 그 차단 능력 외에도, 그것이 함유된 조성물에서의 화장용 특성, 보통 용매 및 특히 오일과 지방 등의 지방질 물질에서의 용해성이 좋아야 할 뿐만 아니라 수분 및 땀에 대한 저항성 (지속성 효과)도 또한 좋아야 한다.
이와 같은 목적으로 추천되었던 모든 방향족 화합물들 중에서도, p-아미노벤조산 유도체들, 벤질리덴캄포르 유도체들 및 특히 3-벤질리덴캄포르 유도체들, 신남산 유도체들 그리고 벤조트리아졸 유도체들이 특히 언급될 수 있다. 그러나이들 물질들의 일부는 햇볕화상방지 조성물의 UV 스크린제 로서의 적합한사용에 필요한 모든 성질들을 보여주는 것은 아니다. 특히, 그것들 자체에 본래 갖추어져 있는 차단 능력이 불충분한 것일 수 있고, 햇볕화상방지에 관련하여사용되는 여러 종류의 제조품에서의 용해성이 항상 충분할 정도로 좋은 것은 아니며 (특히 지방용해성), 그것들은 내광성(耐光性) [광(光)안정성]이 충분하지 않을 수도 있고, 그것들은 또한 수분 및 땀에 대한 저항성이 불충분한 것일 수도 있다. 또한이와 같은 스크린제 들은 피부에 스며들지 않는 것이 바람직한 것이기도 하다.
따라서, 벤조트리아졸형이나 3-벤질리덴캄포르형의 스크린제 와 같은 더욱 특별한 경우에서는, 알킬렌형 혹은 알킬렌옥시형의 연결체사슬 단위를사용하여 실리콘형 (오르가노폴리실록산)의 거대분자사슬에의 접합 [히드로실릴화 (hydrosilylatio n)]에의한 방법으로 벤조트리아졸 스크린기 (screeninggroup)혹은 3-벤질리덴캄포르 스크린기를 부착시킴으로써, 특히 스크린제의 지방용해성 및 화장용 특성에 관한 점에서, 성질이 개선된 제품을 얻으려는 노력이 있어 왔다. 상기 테크닉 (특허 출원 EP-A-0,392,883 호 (벤조트리아졸)와 EP-A-0,335,777호 (3-벤질리덴캄포르)에 각각, 둘 다 본 출원인의이름으로, 기술되어 있음)에의해 유리한 화합물들 [이들 제품들은 일반적으로 "실리콘 스크린제 (screening silicone)"로 알려져 있다]이 실제로 만들어지나,이들 화합물들의 지방용해 특성은 여전히 불충분한 것으로 나타날 수가 있으며, 더욱이,이러한 종류의 제품으로 만족스러운 차단 특성을 얻기 위하여서는, 상기 스크린 중합체 (screening polymer)를 비교적 많은 양사용하는 것이 흔히 필요하여,이로 인해 그것을 함유하는 제조품에 관한 점에서는 화장용 특성이 뒤떨어지는 결과가 나타난다.
본 발명은, 특히 지방질 물질에서의 용해성과 화장용 특성에 관한 점에서 성질이 개선된, 특정 스크린 단위 함유 실리콘 스크린제 형의 새로운 화합물들을 제안함으로써 상기 문제점들의 해결에 노력을 기울인 것이다.
더욱 더 정확하게는, 3-벤질리덴캄포르 유도체들, 벤조트리아졸들, 벤조페논들 그리고 벤즈이미아졸들에서 선택된 하나 혹은 그이상의 특정한 스크린 단위를 술폰아미드기를 함유하는 특정한 연결체사슬 단위를 통하여, 접합 특히, 히드로실릴화 반응에의한 방법으로, 적합한 것으로 선택된 선형 혹은 고리형의 실리콘사슬이나, 또는 적합한 것으로 선택된 실란에 부착시킴으로써, 종래 기술의 실리콘 스크린제의 결함을 극복한 실리콘 스크린제 형의 새로운 화합물을 얻는 것이 가능함이, 본 발명에의해, 밝혀졌으며,이들 새로운 화합물들은 그 화학적 구조에 따라 UV-A 영역에서나 아니면 UV-B 영역에서의 차단 특성이 특별히 매우 높고, 보통 유기용매 및 특히 오일 등의 지방질 물질에 아주 잘 용해되며, 뿐만 아니라 우수한 화장용 특성도 지니고 있어서, 자외선 복사에 대해 피부 및/혹은 모발의 보호를 위한 화장용 조성물의 선스크린제 로서의 용도에, 혹은 상기 화장용 조성물의 제조에, 특별히 적합한 것이게 한다.
본 발명의 제1 주제는 따라서 다음의 식 (1)내지 식 (3)의 하나에 해당하는 점에 그 특징이 있는 새로운 화합물들이다:
혹은
혹은
식(1)내지 식(3)에서 :
- 기 R은 (동일하거나 서로 다를 수 있음) C₁- C10알킬 라디칼, 페닐 라디칼 및 3,3,3-트리플루오로프로필 라디칼에서 선택되고, 라디칼들 R의 수로 환산하여 적어도 80%는 메틸 라디칼이고,
- 기 B는 (동일하거나 서로 다를 수 있음) 상기의 라디칼들 R과 아래에 정의한 라디칼 A 에서 선택되고,
- R'은 (동일하거나 서로 다를 수 있음) C₁- C8알킬 라디칼 들이나, 혹은 페닐 라디칼 들에서 선택되고,
- R은 0과 50을 포함하여 0과 50사이의 정수이며, s는 0과 20을 포함하여 0과 20사이의 정수이고 (단, s 가 0이면 기호 B 2 개 중의 적어도 하나는 A 를 표시함을 조건으로 함),
- u는 1과 6을 포함하여 1과 6사이의 정수이며, t는 0과 10을 포함하여 0과 10사이의 정수이고 (단, t + u는 3이거나 3 보다 큰 것을 조건으로 함),
- 그리고 기호 A는 규소 원자에 직접 연결된 라디칼을 표시하며, 상기 라디칼 A는 다음의 식 (4.1) 내지 (4.4)의 하나에 해당하는 것이다 :
1)
식(4.1)에서 :
* X¹은 수소 원자 혹은 다음의 식 (5)의 2가(價) 라디칼 -Y-를 나타낸다 :
식(5)에서 :
- R¹은 수소 원자 혹은 C₁- C₄알킬 또는 히드록시알킬 라디칼을 표시하고,
- R²는 수소 원자 혹은 C₁- C6알킬 또는 C₁- C6알콕시 라디칼을 나타내고,
- p는 1과 10을 포함하여 1과 10사이의 정수이며,
- 말단 -CH₂-기는 규소 원자에 직접 결합됨;
* X²와 X³은 (동일하거나 서로 다를 수 있음) 수소 혹은 할로겐 원자, C₁- C₄알킬 혹은 알콕시 라디칼, 2가 라디칼 -Y- 혹은 다음의 식(6)의 라디칼 Z를 나타내거나 :
혹은이와 달리로는 합쳐져서 알킬리덴기에 하나 혹은 2 개의 탄소 원자가 함유된 알킬리덴디옥시기를 형성하는 것일 수 있다;
단, 상기 식(4.1)에서 :
- 3 개의 기호 X¹,X²그리고 X³중의 하나는 반드시 2가 라디칼 -Y-를 나타내는 것이어야 하며,이 때 나머지의 다른 2개의 기호들은 각각 2가 라디칼 -Y-를 나타내는 것일 수가 없고,
- X¹이 수소 원자를 나타내는 경우이며, X²와 X³은 필연적으로 다르고 어느 쪽도 라디칼 Z 를 나타내는 것일 수 없으며,
- X¹이 2가 라디칼 -Y-를 나타내는 경우이면, X²와 X³은 동시에 라디칼 Z를 나타내는 것일 수가 없고,
- X¹이 수소 원자를 표시하고 X³이 2가 라디칼 -Y-를 나타내는 경우이면, X²는 수소 원자가 아닌 다른 것이 바람직하다;
2)
식(4.2)에서 :
* X⁴는 수소 원자, C₁- C8알킬 라디칼 혹은 2가 라디칼 -Y-를 나타내고,
* X5는 수소 혹은 할로겐 원자, C₁- C₄알킬 혹은 알콕시 라디칼 또는 2가 라디칼 -Y-를 나타내며,
* R³은 C₁- C8알킬 라디칼을 나타내고,
단, 상기 식(4.2)에서 2기의 기호 X⁴와 X5중의 하나는 반드시 2가 라디칼 -Y-를 나타내는 것이어야 하며,이 때 나머지의 기호가 2가 라디칼 -Y-를 나타낼 수 없다;
3)
4)
상기의 식(1) 내지 식(3)에서, A는 그러므로 3-벤질리덴캄포르 유도체들 (식 4.1), 벤조트리아졸들 (식 4.2), 벤즈이미다졸들 (식 4.3) 그리고 벤조페논들 (식 4.4)에서 선택된 스크린기를 나타내며, 그것이 실리콘-함유의 짧은 출발사슬에 또는 출발 실란에 부착됨으로 해서, 선형 디오르가노실록산형 (식(1)) 혹은 고리형 디오르가노실록산형 (식(2))의 화합물들 또는 트리오르가노실란형 (식(3))의 화합물이 280 nm 내지 400 nm의 범위까지이를 수 있는 파장 영역의 자외선에 대한 흡수 특성을 갖게 되는 것이다. 위에서 나타낸 바와 같이, 위에서 주어진 식(4.1) 내지 식(4.4)의 정의에서 나타나는 바와 같이,이 기는 적어도 하나의 술폰아미드 관능기 (식(5))를 필연적으로 가지는데,이 술폰아미드 관능기는 스크린 단위를 실리콘사슬이나 실란에 확실하게 연결(anchoring)하여 주는사슬 단위 (chain unit)에의해 공급될 수 있다. 본 발명에 따른 화합물, 더 구체적으로 스크린 단위 A가 식(4.1) 혹은 식 (4.2)에 해당하는 화합물들의이점 중의 하나는이 스크린 단위 A가 포함하고 있는 각종 치환기의 성질 및/혹은 위치에 따라,이례적으로 높은 흡광계수(吸光係數)를 갖는, 순수 UV-A 스크린제 나 아니면, 반대로, 순수 UV-B 스크린제 를 얻는 것이 가능하다는 것이다.
위에서 주어진 정의에서 나타나는 바와 같이,사슬 단위 -SO₂-N(R¹)-(CH₂)p-Ch(R2)-CH2-(즉 술폰아미드 관능기를 함유하는 식(5)의 2가 라디칼 -Y-)는, 본 발명에 따르면, 3-벤질리덴캄포르 유래의 스크린 단위상에 연결될 수 있으며, 따라서 기호 X¹,X²및 X³이 차지하는 위치 중의 어느 위치에서 상기 단위와 실리콘-함유사슬의 규소 원자 혹은 실란의 규소 원자간의 연결이 확실하게 되어, 상기사슬 단위의 -SO₂- 말단 부분은 3-벤질리덴캄포르 유래의 단위에 부착되게 되며 상기사슬 단위의 -CH₂- 말단 부분은 실리콘-함유사슬의 규소 원자 혹은 실란의 규소 원자에 부착되게 된다. 또한사용되는 스크린 단위가 3-벤질리덴캄포르 유도체인 특별한 경우에서도, 또한 상기 스크린 단위는 2 개의 연결체사슬 단위를 임의 소유할 수 있으며 (이는 X¹이 2가 라디칼 -Y-를 나타내면서, 동시에, X²또는 X³은 그와 동일한 2가 라디칼 -Y-를 함유하는 라디칼 Z를 나타내는 경우일 때 효과적으로 가능함) 따라서 2 개의 다른 실리콘-함유사슬이나 2 개의 다른 실릴 단위에 연결될 수 있다.
스크린 단위가 벤조트리아졸형 (식 4.2) 또는 벤즈이미다졸형 (식 4.3) 또는 벤조페논형 (식 4.4)인 경우에는, 단 하나의 연결체사슬 단위 -Y-가 될 수가 있을 뿐이다; 이사슬 단위는 벤조트리아졸의 경우에서는 기호 X⁴ 및 X5가 차지하는 위치 중의 하나에 위치하여 있고, 뒤의 다른 두 경우에서는 명확한 특정 위치에 위치하여 있다.
상기의 식(1) 내지 식(3)에서, 알킬 라디칼은 선형(linear)이거나 가지가 있는 형(branched)일 수 있으며, 특히, 메틸, 에틸, n-프로필,이소프로필, n-부틸,이소부틸, tert-부틸, n-아밀,이소아밀, 네오펜틸, n-헥실, n-헵틸, n-옥틸, 2-에틸헥실 그리고 tert-옥틸 라디칼에서 선택될 수 있다. 본 발명에 따른 바람직한 알킬 라디칼 R, R'및 B 에는 메틸, 에틸, 프로필, n-부틸, n-옥틸 그리고 2-에틸헥실 라디칼이 있다. 더욱 더 바람직하게는, 라디칼 R, R'및 B 가 모두 메틸 라디칼인 것이 좋다. 할로겐에 관하여는, 그것은 특히 염소, 불소 그리고 브롬에서 선택될 수 있으며, 바람직하게는 염소인 것이 좋다. 알콕시 라디칼은 특히 메톡시, 에톡시, n-프로폭시,이소프로폭시, n-부톡시 그리고이소부톡시 라디칼들에서 선택될 수 있다.
상기의 식(1) 내지 식(3)의 화합물들 중에서도, 식(1) 혹은 식(2)에 해당하는 화합물들 즉, 짧은사슬의 선형 혹은 고리형 디오르가노실록산들을사용하는 것이 좋다.
본 발명의 범위 내에 포함되는 선형 혹은 고리형 디오르가노실록산들 중에서도, (스크린 단위가 3-벤질리덴캄포르 유도체인 경우의 3개의 기호 X¹,X²및 X³에 대해, 또는 스크린 단위가 벤조트리아졸인 경우의 2 개의 기호 X⁴및 X5에 대해 위에서 언급된 상호 배제의 경우를 제외하고는)아래의 특징들을 적어도 하나, 더욱 더 바람직하게는 모두를 갖는 무작위 유도체(無作爲誘導體, random derivative)나 명확한 블록 유도체(block derivative)가 더욱 특히 좋다:
- R은 알킬이고, 더욱 더 바람직하게는 메틸인 것,
- B는 알킬이고, 더욱 더 바람직하게는 메틸인 것 (식(1)의 선형화합물의 경우),
- R은 0과 3을 포함하여 0과 3사이이고; s는 0과 3을 포함하여 0과 3사이인 것 (식(1)의 선형 화합물의 경우),
- t + u는 3과 5사이인 것 (식(2)의 고리형 화합물의 경우),
- R¹은 H 인 것,
- R²는 H 혹은 메틸인 것,
- p는 1과 3을 포함하여 1과 3사이인 것,
- X¹은 H 혹은 -Y-인 것,
- X²는 H, 메틸, 메톡시, -Y- 혹은 Z 인 것,
- X³은 H 혹은 -Y- 인 것,
- X⁴는 tert-부틸 혹은 -Y-인 것,
- X5는 H 혹은 -Y- 인 것,
- R³은 메틸 혹은 tert-부틸인 것.
본 발명의 범위 내의 식(1) 내지 식(3)의 바람직한 화합물은 위에 주어진 식(4.1)에 해당하는 3-벤질리덴캄포르 유도체들에서 선택된 스크린 단위 A 를 나타내는 화합물이다.
식(1) 및 식(2)의 실리콘-함유 스크린제 를 제조하기 위해, 예를 들어 모든 라디칼들 A가 수소 원자들인 상응하는 실리콘으로부터 출발하는 히드로실릴화 반응 :
을이용하는 표준적인 방법 (경로 1)에 따르는 것이 가능하다. 이 출발 실리콘은이하에 SiH-함유 유도체 (SiH-containing derivative) 라고 부른다; SiH 기는 실리콘사슬 및/혹은 실리콘사슬의 말단에 존재할 수 있다. 이들 SiH-함유 유도체들은 실리콘 산업에서 잘 알려져 있는 생성물들이며, 대개는 시중에서 얻을 수가 있다. 그것들에 관하여 기술되어 있는 곳은, 예를 들면, 미합중국, 특허 US-A-3,220,972 호, US-A-3,697,473 호 그리고 US-A-4,340,709 호 등이다.
이 SiH-함유 유도체는 그러므로, 경우에 따라, 다음의 식 (1bis)로 표시되거나 :
[여기서, R, R및 s는 식(1)에 대해서 위에 주어진의미를 가지며 라디칼들 B'은 (동일하거나 서로 다를 수 있음) 라디칼들 R및 수소원자에서 선택됨],
아니면 다음의 식 (2bis)로 표시될 수 있다 :
(여기서, R, t 및 u는 식(2)에 대하여 위에 주어진의미를 가짐).
표준적인 히드로실릴화 반응은 따라서 상기 식 (1bis) 혹은 식 (2bis)의 SiH-함유 유도체에 대해, 촉매작용상 유효한 양의 백금 촉매의 존재하에서 수행되며,이는 경우에 따라 (즉, 접합시킬 스크린 기의 성질에 따라),
-다음의 식(4.1bis) :
[여기서 X¹,X²및 X³은,이들 세 라디칼 중의 하나가 위에서 정의된 식(5)의 포화 2가 라디칼 -Y-를 나타내는 대신이 경우에서는 다음의 식 (5bis) :
(여기서, R¹,R²및 p는 식(5)에서와 동일한의미를 가짐)의 상응하는 불포화 동족(homologous) 1가 라디칼 -Y'을 나타내는 것을 제외하고는, 식(4.1)에 대해 위에서 주어진의미와 동일한의미를 가짐]의 유기 3-벤질리덴캄포르 유도체상에서 ;
- 혹은 다음의 식(4.2bis) :
[여기서 X⁴및 X5,이들 두 라디칼 중의 하나가 위에서 정의된 식(5)의 포화 2가 라디칼 -Y-를 나타내는 대신이 경우에서는 위에 주어진 식(5bis)의 상응하는 불포화 동족 1가 라디칼 -Y'을 나타내는 것을 제외하고는, 식(4.2)에 대해 위에서 주어진의미와 동일한의미를 가짐]의 유기 벤조트리아졸 유도체상에서;
- 혹은 다음의 식(4.3bis) :
(여기서 Y'은 식(4.3)의 포화이중라디칼 -Y-의 동족체인, 위에 주어진 식(5bis)의 불포화 1가 라디칼을 나타냄)의 유기 벤즈이미다졸 유도체 상에서;
- 혹은 다음의 식(4.4bis) :
(여기서 Y'은 식(4.4)의 포화이중라디칼 -Y-의 동족체인,위에 주어진 식(5bis)의 불포화 1가 라디칼을 나타냄)의 유기 벤조페논 유도체상에서 수행된다.
본 발명의 범위 내에 아주 잘 들어맞는 식(4.1bis)의 상기 화합물들 중에서도, 특히 다음의 것들이 언급될 수 있다 :
a) N-알릴-4-(4,7,7-트리메틸-3-옥소비시클로[2.2.1]헵트-2-일리덴메틸)벤젠술폰아미드
b) N-알릴-C-[3-(4-메톡시벤질리덴)-7, 7-디메틸-2-옥소비시클로[2. 2.1]헵트-1-일]메탄술폰아미드
c) N-알릴-C-(3-벤질리덴-7,7-디메틸-2-옥소비시클로[2.2.1]헵트-1-일)메탄술폰아미드
d) N-알릴-C-(3-벤조[1,3]디옥솔-5-일메틸렌-7,7-디메틸-2옥소비시클로[2.2. 1] 헵트-1-일)메탄술폰아미드.
e) N-(2-메틸-알릴)-4-(4, 7, 7-트리메틸-3-옥소비시클로[2. 2. 1]헵트-2-일리덴메틸)벤젠술폰아미드.
상기의 식(4.1bis)내지 (4.4bis)의 생성물들 자체는 (i)식
(여기서 R¹,R²및 p는 식(5)에서와 동일한의미를 가짐)의 상응하는 불포화 아민을
(ⅱ) 접합시키고자 하는 스크린 단위의 염화술포닐, 즉, 그러므로 :
- 다음의 식(4.1ter) :
(여기서 X¹,X²및 X³은,이들 세 라디칼 중의 하나가 위에서 정의된 식(5)의 2가 라디칼 -Y-를 나타내는 대신이 경우에서는 1가 라디칼 -SOCl을 나타내는 것을 제외하고는, 식(4.1)에 대해 위에서 주어진의미와 동일한의미를 가짐)의 유도체들에서 선택된 유기 3-벤질리덴캄포르 유도체의 염화 술포닐;
- 혹은 다음의 식(4.2ter) :
(여기서 X⁴및 X5는,이들 두 라디칼 중의 하나가 위에서 정의된 식(5)의 포화 2가 라디칼 -Y-를 나타내는 대신이 경우에서는 1가 라디칼 -SO2Cl을 나타내는 것을 제외하고는, 식(4.2)에 대해 위에서 주어진의미와 동일한의미를 가짐)의 유도체들에서 선택된 유기 벤조트리아졸 유도체의 염화 술포닐;
- 혹은 다음의 식(4.3ter)
의 염화 벤즈이미다졸술포닐
- 혹은 다음의 식(4.4ter)
의 염화 벤조페논술포닐과 반응을 시킴으로써 기존의 방식 (이 점에서, 식 4.1bis의 화합물들에 관하여는 특히 FR-A-2,529,887 호를 참조)으로 얻어질 수 있다.
상기의 모든 염화 술포닐들 자체는 기존의 방법에의해, DMF와 같은 용매에서, (i) 상기 상응하는 술폰산 나트륨 (즉 라디칼 -Y'이이 경우에는 -SO3Na를 표시하는 식4.1bis, 4.2bis, 4.3bis 및 4.4bis의 화합물들)과 (ⅱ) 염화 티오닐간의 반응으로 얻어질 수 있다 (이 점에서는 특히 상기의 출원 FR-A-2,529,887 호를 참조).
상기의 식(1bis) 혹은 (2bis)의 화합물과 상기의 식(4.1bis)내지 식(4.4bis)의 화합물간의 히드로실릴화 반응을 수행하는 데사용되는 백금 촉매는 잘 알려져 있는 것이며 문헌에 널리 기술되어 있다. 미합중국 특허 US-A-3,159,601 호, US-A-3,159,602 호, US-A-3,220,972 호와 유럽 특허 출원 EP-A-0,057,459 호, EP-A-0,188,978 호 및 EP-A-0,190,530 호에 기술되어 있는 백금과 유기 생성물의 복합체들 그리고 미합중국 특허 US-A-3,419,593 호, US-A-3,377,432 호 및 US-A-3,814,730 호에 기술되어 있는 백금과 비닐 오르가노폴리실록산의 복합체들이 특히 언급될 수 있다. 식(1bis) 혹은 (2bis)의 화합물과 식 (4.1bis) 내지 (4.4bis)의 화합물간의 반응을 시키기 위하여는, 식(1bis) 혹은 (2bis)의 화합물의 중량을 기준으로 하여, 백금 금속의 중량으로 계산하였을 때, 5 ppm 내지 600 ppm, 바람직하게는 10 ppm 내지 200 ppm의 백금 촉매의 양이 일반으로사용된다. 히드로실릴화 반응은 실제의 반응물 만으로 (in bulk) 일어날 수 있으며 혹은 톨루엔, 헵탄, 크실렌, 테트라히드로푸란, 테트라클로로에틸렌 등의 휘발성 유기용매에서도 일어날 수 있다. 일반적으로 반응 혼합물은 반응이 완결되는 데 필요한 시간 동안 60℃ 내지 120℃의 온도까지 가열시켜 주는 것이 바람직하다. 식(1bis) 혹은 (2bis)의 화합물을 상기의 촉매가 함유된 유기 용매에서 용액 중의 식(4.1bis), (4.2bis), (4.3bis) 혹은 (4.4bis)의 화합물에 한방울씩 부가될 수 있다. 식(1bis) 혹은 (2bis)의 화합물과 식(4.1bis)(혹은 (4.2bis)내지 (4.4bis)의 각각)의 화합물은 또한 촉매의 유기용매 현탁액에 동시에 부가될 수도 있다. 알코올성 수산화 칼륨을사용하여 남아 있는 SiH를 분석평가하고, 용매를 예를 들어 감압하에서 증류에의한 방법으로 제거시켜 반응이 완료된 것을 확인하는 것이 좋을 것이다. 얻어진 그대로의 생(生)오일은 예를 들어 흡수성의 실리카 칼럼의 통과로 정제될 수 있다.
앞서 주어진 식(3)의 트리오르가노실란형의 스크린제 제조에 관해서는, 전과 마찬가지로이 경우에는 식(R')₃SiH( 식(3bis), 여기서 R'은 식(3)의 화합물에 대한 경우에서와 같은의미를 가짐)의 출발 실란과 상기 정의된 식(4.1bis)의 유기 3-벤질리덴캄포르 유도체, 상기 정의된 식(4.2bis)의 유기 벤조트리아졸 유도체, 상기 정의된 식(4.3bis)의 유기 벤즈이미다졸 유도체, 그리고 상기 정의된 식 (4.4bis)의 유기 벤조페논 유도체에서 (최종 생성물의 원하는 스크린기에 따라) 선택된 유기 유도체간을, 히드로실릴화 반응에의해서, 위에 기술한 바의 방법을 수행할 수 있다.
식(1) 및 식(2)의 실리콘-함유 스크린제의 제조에 적당한 또 하나의 가능한 합성 경로 (경로 2)는 모든 라디칼들 A 가 다음의 식(5quater) :
(여기서 R¹,R²및 p는 식(5)에서와 동일한의미를 가짐)의 라디칼로 치환된 각각 식(1) 혹은 식(2)에 상응하는 유도체로 출발하는 것으로이루어져 있다.
식(5quater)의 라디칼들은 실리콘-함유사슬 중에 및/또는 실리콘 함유사슬의 말단에 존재할 수 있다. 이들 출발 아미노실록산 유도체들은 따라서 다음의 식(1ter)(선형 아미노 실록산 유도체) :
[여기서 R, R및 s는 식(1)에 대해 위에서 주어진의미를 가지며 라디칼들 B″은 (동일하거나 서로 다를 수 있음) 라디칼들 R과 식(5quater)의 라디칼에서 선택됨] 로 표시되거나 아니면 다음의 식(2ter)(고리형 아미노 실록산 유도체) :
(여기서 R, t 및 u는 식(2)에 대해 위에서 주어진의미를 가짐)로 표시될 수 있다.
상기의 식(1ter) 혹은 (2ter)의 아미노 실록산 유도체들은 실리콘 산업에서 잘 알려져 있는 생성물들이며 대개는 시중에서 얻을 수가 있다. 그리고 또한, 그것들은 짧은사슬 실리콘에 대해서는, 특히 특허 출원 DE-A-3,702,631 호에 기술되어 있다.
이들 아미노 실록산 유도체들은이후 접합시키고자 하는 스크린 단위의 염화 술포닐, 즉, 그러므로 :
- 상기 정의된 식 (4.1ter)의 유도체들에서 선택된 유기 3-벤질리덴캄포르 유도체의 염화 술포닐;
- 혹은 상기 정의된 식(4.2ter)의 유도체들에서 선택된 유기 벤조트리아졸 유도체의 염화 술포닐;
- 혹은 상기 정의된 식(4.3ter)의 벤즈이미다졸의 염화 술포닐;
- 혹은 상기 정의된 식(4.4ter)의 벤조페논의 염화 술포닐과 반응을 시킨다.
종래 기술의 실리콘 스크린제 , 특히 앞서 말한 특허 출원 EP-A-0,392,883 호 및 EP-A-0,335,777 호에 기술된 실리콘 스크린제 에 비해, 본 발명에 따른 실리콘 스크린제는 그러므로 그 주목할 만한 성질의 근원이 되는 본질적인 구조적 차이가 하나 혹은 그이상 나타나고 있으며, 구체적으로는: 첫째, 선택된 스크린 단위가 접합되는 실리콘 함유사슬은 휠씬 더 짧다; 다음으로는, 선택된 스크린 단위에는 여전히 술폰아미드 관능기가 포함되어 있다는 것이다.
앞서 언급한 바와 같이, 상기의 식(1) 내지 식(3)의 화합물들은 자외선 복사(UV-A 및/혹은 UV-B, 상기 생성물의 구조에 따라 결정됨)에 대해 우수한 고유 차단능력을 보여준다. 서로 다른 구조의 생성물들을 함께 혼합시키면, 즉, 더 정확하게는, 전적으로 UV-A활성을 갖는 본 발명에 따른 생성물과 전적으로 UV-B 활성을 갖는 본 발명에 따른 생성물을 함께 혼합시키면, 유해한 UV 영역 (UV-A+UV-B)전체에 걸쳐 전반적으로 차단 활성을 보여줄 수 있는 조성물을 얻는 것이 따라서 가능하며,이는 상당한이점이기도 하다. 게다가, 지방에 아주 잘 용해되는 특성 때문에, 상기의 식(1)내지 식(3)의 화합물들은 높은 농도로사용될 수 있으며, 그로 인해 최종 조성물은 매우 높은 고유 차단지수를 가질 수 있게 된다; 더군다나, 그것들 자체는 적어도 하나의 지방상(脂肪相, fatty phase)이나 화장용으로 허용가능한 유기 용매가 함유된 종래의 보통 화장용 부형제에 균일하게 분포되며, 따라서 효과적인 보호막을 형성해 주는 목적으로 피부나 모발에 활용될 수 있다. 마지막으로, 그것들의 화장 특성은 매우 좋다 즉, 특히이들 제품들은, 종래 기술의 실리콘 스크린제 들에 비해, 덜 끈적하며 (피부나 모발을) 더 부드럽게 해 준다.
본 발명의 주제는 그러므로 또한, 바람직하게는 적어도 하나의 지방상이나 하나의 유기용매가 함유된 화장용으로 허용가능한 부형제내에, 위에서 정의된 식(1) 내지 식(3)의 적어도 하나의 화합물을 유효량 포함하는 화장용 조성물이기도 하다.
식(1)내지 식(3)의 화합물은 일반적으로 조성물의 총 중량에 대해 0.1 중량% 내지 20 중량%, 바람직하게는 0.5 중량% 내지 10 중량%의 비율로 존재하는 것이 좋다.
본 발명의 화장용 조성물은 자외선으로부터 인체 표피나 모발을 보호해 주는 조성물로서, 햇볕화상방지 조성물로서 혹은 메이크업 제품으로서도사용될 수 있다.
이 조성물은 특히 로션, 농축로션(thickened lotion), 겔, 크림, 유제(乳劑), 파우더 혹은 고형 스틱의 형태로 존재할 수 있고, 적합한 경우에는 에어로졸(aerosol)로서 채워질 수도 있으며 거품이나 스프레이(spray)의 형태로 존재할 수도 있다.
그것은 본 발명의 분야에서 통상사용되는 화장보조제(化粧補助劑)들,이를테면 지방질 물질, 유기 용매, 실리콘, 농후제, (피부) 연화제, 추가보충 선스크린제 , 발포(發泡)억제제, 수화(水化)제, 방향제(芳香劑), 보존제, 표면활성제, 충전제, 봉쇄제, 양이온성, 음이온성, 비이온성 혹은 양성 중합체들 또는 그것들의 혼합물, 추진제, 알킬리화 작용제 혹은 산성화 작용제, 착색제, 색소 혹은 미소색소(nanopigment)(특히 자외선 복사를 물리적으로 차단시킴으로써 광보호 효과를 추가 제공할 수 있도록 만들어진 것), 또는 화장품에서 통상사용되는, 특히 햇볕화상방지 조성물의 제조에사용되는 기타 여러 가지 성분 등을 포함할 수 있다.
유기 용매들 중에서는, 저급 폴리올 및 알코올들,이를 테면 에탄올,이소프로판올, 프로필렌 글리콜, 글리세롤 그리고 소르비톨 등이 언급될 수 있다.
지방질 물질은 오일이나 왁스 또는 그것들의 화합물, 지방산, 지방산 에스테르, 지방족 알코올, 페트롤레이텀 (바세린), 파라핀, 라놀린, 수소화 라놀린 또는 아세틸화 라놀린으로 구성되어 있을 수 있다. 오일은 동물유, 식물유, 광유(鑛油) 혹은 합성유, 그리고 특히, 수소화 팜유, 수소화 피마자유, 유동 파라핀, 파라핀유, 퍼셀린유 (Purcellin oil), 휘발성 혹은 비휘발성 실리콘유, 그리고이소파라핀에서 선택될 수 있다.
본 발명에 따른 화장용 조성물이 더욱 특별히 UV 광선으로부터 인체의 표피를 보호하기 위한 것이거나 혹은 햇볕화상방지 조성물로서 인체의 표피를 보호하기 위한 것인 경우에는, 그것은 용매나 지방질 물질의 현탁액 혹은 분산액의 형태로 존재할 수 있으며, 또는이와 달리로는 크림이나 유제등의 에멀션 (특히 O/W 혹은 W/O형, 그러나 바람직 하게는 O/W형), 또는 소포성(vesicular) 분산액, 연고, 겔, 고형 스틱 혹은 에어로졸 거품의 형태로 존재할 수 있다. 상기 에멀션은 추가로 음이온성 표면활성제, 비이온성 표면활성제, 양이온성 표면활성제 혹은 양성 표면활성제를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 조성물을 모발 보호용으로사용하는 경우에는, 그것은 샴푸, 로션, 겔이나 또는 린스용 조성물, 머리감기 전후, 염색 혹은 블리칭(bleaching) 전후, 퍼머 혹은 스트레이트 동안이나 전후에사용하는 조성물의 형태로 존재할 수 있으며, 또는 스타일링 혹은 트리트먼트용 로션이나 겔, 드라이어용 혹은 머리-세트용 로션이나 겔, 헤어래커(haiRlacquer), 퍼머 혹은 스트레이트용 조성물, 또는 머리를 염색 혹은 블리칭하는 용도의 조성물의 형태로 존재할 수 있다.
본 발명에 따른 화장용 조성물을 속눈썹, 눈썹, 피부 또는 모발용의 메이크업 제품,이를 테면 피부-치료용 크림, 파운데이션, 립스틱의 스틱, 아이새도, 연지, 아이-라이너, 마스카라 혹은 착색겔 (colouringgel) 등으로사용하는 경우에는, 그것을 고형 혹은 페이스트(paste)형 그리고 무수형 혹은 수용액형,이를 테면 수중유 (oil-in-water) 또는 유중수 (water-in-oil) 에멀션, 현탁액 혹은 겔 등일 수가 있다.
본 발명의 주제는 또한 자외선 복사, 특히 태양 복사로부터 피부 및 모발을 보호하기 위한 방법이기도 하며, 그것은 피부나 모발에 상기 정의한 화장용 조성물, 즉 상기 정의한 바의 식(1), (2) 또는 (3)의 화합물의 유효량을 바르는 것으로이루어져 있다.
다음에 나오는 실시예들은 본 발명의 범위를 제한하는 일 없이, 그러나, 본발명을 구체적으로 설명한 것이다.
[실시예 1]
이 실시예는 N-3-[1, 3, 3, 3-테트라메틸-1-[(트리메틸실릴)옥시]디실록사닐]프로필-4-(4, 7, 7-트리메틸)-3-옥소비시클로[2. 2. 1]헵트-2-일리덴메틸)벤젠술폰아미드, 즉 다음의 식에 해당하는 본 발명에 따른 화합물의 (경로 1에의한) 제조를 구체적으로 설명한 것이다.
[여기서 A는 다음을 나타낸다:
(이 생성물은 식(1)에서 R= B = CH₃; R= 0 ; s = 1 ; X¹= X³= H ; R¹= R²= H ; p = 1 인 경우의 화합물에 해당함)].
a) 제1 단계 :
4-(4,7,7-트리메틸-3-옥소비시클로[2.2.1]헵트-2-일리덴메틸)벤젠술폰산의 나트륨염 34.2g과 디메틸포름아미드 200 ml를 500 ml-반응용기내에 도입한다. 그리고 나서 염화티오닐 13g을 한방울씩 도입한다. 그 다음에는 그 반응 혼합액을 실온에서 2시간 동안 휘저어 준다. 알릴아민 (6.3g) 그리고 그 다음에는 트리에틸아민 (11.1g)을 그 다음으로 한 방울씩 가하여 주며 뒤섞어주기는 3 시간 동안 계속한다. 그 반응 혼합액은 300 ml의 물 속에 부어 넣는다. 얻어지는 고형물은 물기를 빼낸 다음 건조시키며, 정제 후, 다음의 특징을 갖는, N-알릴-4-(4,7,7-트리메틸-3-옥소비시클로[2.2.1]헵트-2-일리덴메틸)벤젠술폰아미드 21.4g이 회수된다:
백색 분말
m.p.:131℃
원소 분석:
이론 C 67.09 H 7.04 N 3.66 S 8.88
실험 C 66.82 H 7.01 N 3.90 S 8.92
b) 제2 단계:
상기 얻어진 생성물 17.97g과 톨루엔 50 ml를 반응용기 내에 넣는다. 혼합액은 질소하에서 80℃ 가 되게 한다. 히드로실릴화 촉매(Huls Petrarch PC085의 시클로비닐메틸실록산 중에 Pt 3-3.5% 가 함유된 복합체, 100㎕)를 가하고, 그 다음에는 헵타메틸트리실록산 11.24g을 가한다.
질소하에서 80℃ 에서 4 시간 후, 반응 매질을 농축시키고, 압력하의 실리카 상에서 크로마토그라피를 수행한다 (용출액 : 헵탄/EtOAc 97/3). 다음의 특징을 갖는, 원하는 최종 생성물 21.8g이 그리하여 얻어진다:
백색 분말
m.p.: 73℃
원소 분석:
이론 C 55.72 H 8.14 N 2.41 S 5.51 Si 14.48
실험 C 55.88 H 8.09 N 2.62 S 5.49 Si 14.28
이 생성물의 UV 흡수 특성(에탄올에서 측정함)은 다음과 같다:
λmax: 295 nmεmax: 28,900
이 생성물은 그러므로 UV-B 영역에 활성이 있는 선스크린제 로서 매우 유효하게사용될 수 있다.
[실시예 2]
실시예 1에 주어진 실험절차와 같은 절차에 따라, 본 발명에 따른 4 가지의 다른 화합물들 (화합물 A ~ 화합물 D)이 제조되었으며, 그 모두는 일반식(1)의 범위내에 포함되고 아래:
와 동일한 실리콘-함유 골격을 가지나 각 경우에 스크린 단위의 성질은 서로 다르다.
결과들은 표 1에 정리되어 있다.
상기 화합물들 A, B, C 그리고 D는 그러므로 각각 UV-A 영역, UV-B 영역, UV-A 영역 그리고 UV-B 영역에 활성이 있는 선스크린제 로서 매우 유효하게사용될 수 있다.
[실시예 3]
이 실시예는 비스-N-{3-[1,3,3,3-테트라메틸-1-[(트리메틸실릴)옥시]디실록사닐]프로필}-3, 3'-테레프탈릴리덴-10, 10'-디캄포르술폰아미드 즉, 다음의 식에 해당하는 본 발명에 따른 화합물의 (경로 2 에의한) 제조를 구체적으로 설명한 것이다:
(이 생성물은 식(1)에서 R= B = CH₃; R= O ; s = 1 ; X¹= -Y-이때 R¹= R²= H 및 p = 1 ; X²= Z ; X³= H 인 경우의 화합물에 해당함).
3,3'-테레프탈릴리덴-10, 10'-디캄포르술폰산의 디소듐염 4g과 디메틸포름아미드 16 ml 를 반응용기내에 넣는다. 그리고 나서 거기에 염화 티오닐 1.1 ml를 한 방울씩 가하고, 뒤섞어주기는 30분 동안 계속한다. 이 불균질 혼합액(heterogeneous mixture)은 트리에틸아민 (3.04g)과 1-아미노-1-[1,3,3,3-테트라메틸-3-[(트리메틸실릴)-옥시]디실록사닐]프로판 (4.2g)의 혼합액에 약간씩 가하여 준다. 반응 혼합액은 실온에서 3시간 동안 유지시켜 준 다음 얼음으로 차게 한 물 100 ml 속에 부어 넣고, 마지막에는 디클로로메탄으로 추출한다. 유기상을 황산 나트륨으로 건조시키고, 농축한다. 실리카 상에서의 크로마토그라피 (용출액 : CH₂Cl₂)후, 다음의 특징을 갖는, 원하는 최종 생성물 3g이 그리하여 얻어진다:
백색 분말
m.p.:176 - 177℃
원소 분석:
이론 C 52.23 H 8.00 N 2.65 S 6.06 Si 15.93
실험 C 52.92 H 8.12 N 2.43 S 5.94 Si 15.37
이 생성물의 UV 흡수 특성 (CHCl₃에서 측정함)은 다음과 같다:
λmax:344 nmεmax: 47,100
이 생성물은 그러므로 UV-A 영역에 활성이 있는 선스크린제 로서 매우 유효하게사용될 수 있다.
[실시예 4]
이 실시예는 2-페닐-1H-벤즈이미다졸-5-{N-3-[1,3,3,3-테트라메틸
[여기서 A는 다음을 나타낸다:
(이 생성물은 식(1)에서 R= B = CH₃; R= 0 ; s = 1 ; R¹= R²= H 그리고 p = 1 인 경우의 화합물에 해당함)].
건조 디클로로메탄 100 ml, 트리에틸아민 60 ml 그리고 헵타메틸아미노프로필트리실록산 ( 식(1 ter)에서 R= B″= CH₃; R= 0 ; s = 1 ; R¹= R²= H ; p = 1 인 경우의 화합물에 해당하는 생성물) 67g을 반응용기내에 넣는다. 이 혼합액에 염화 2-페닐-1H-벤즈이미다졸-5-술포닐 23.4g을, 실온에서 약간씩 30 분에 걸쳐서 가하여 준다. 얻어진 불균질 혼합액을 그 다음에 60℃에서 3 시간 동안 가열한다. 냉각 후, 그 반응 혼합액은 300 ml의 물 속에 부어 넣는다. 디클로로메탄에의한 추출 및 실리카 상에서의 크로마토그라리 (용출액 : 헵탄/CH2Cl₂50/50) 에의한 정제 후, 다음의 특징을 갖는, 원하는 최종 생성물 8g이 얻어진다 : 각 후, 그 반응 혼합액은 300 ml의 물 속에 부어 넣는다. 디클로로메탄에의한 추출 및 실리카 상에서의 크로마토그라피 (용출액 : 헵탄/CH2Cl₂50/50)에의한 정제 후, 다음의 특징을 갖는, 원하는 최종 생성물 8g이 얻어진다 :
백색 분말
m.p.:169 - 170℃
이 생성물의 UV 흡수 특성 (에탄올에서 측정함)은 다음과 같다 :
λmax: 305 nmεmax: 29,500
λmax: 317 nmεmax: 19,675
이 생성물은 그러므로 UV-B 영역에 활성이 있는 선스크린제 로서 매우 유효하게사용될 수 있다.
[실시예 5]
실시예 4 에 주어진 실험절차와 같은 절차에 따라, 다음의 식에 해당하는, 본 발명에 따른 또 하나의 화합물이 제조되었다 :
[여기서 A는 다음을 나타낸다 :
(이 생성물은 식(1)에서 R= B = CH₃; R= 0 ; s = 1 ; X⁴= -Y-이 때 R¹= R²= H 및 p = 1 ; X5= H ; R³ = 메틸인 경우의 화합물에 해당함)].
이 생성물의 UV 흡수 특성 (에탄올에서 측정함)은 다음과 같다 :
λmax: 294 nmεmax: 12,100
λmax: 325 nmεmax: 7,300
이 생성물을 그러므로 UV-B 영역과 UV-A 영역에 활성이 있는 선스크린제 로서 매우 유효하게사용될 수 있다.
[실시예 6]
본 발명에 따른 햇볕화상방지 화장용 조성물 즉, 햇볕화상방지 크림 (antisun cream)의 구체적인 제법을 여기에 구체적으로 설명한다.
- 실시예 1의 화합물 5g
- EO 33 몰을 함유하는, 세틸스테아릴 알코올과
옥시에틸렌화 세틸스테아릴 알코올의 혼합물
(HENKEL의 "SINNOVAX AO")7g
- 모노스테아르산 글리세롤과 디스테아르산 글리세롤의
비자동성 유화 홉합물 (non-self-emulsifiable mixture) 2g
- 세틸 알코올1.5g
- C12- C15알킬의 벤조산염
(WITCO의 "FINSOLV TN")20g
- 폴리디메틸실록산1.5g
- 글리세롤 17.5g
- 방향제, 보존제충분한 양
- 물충분한 양 100g
이 크림은 에멀션의 제조를 위한 종래의 기존 테크닉에 따라, 유화제가 함유된 지방상에 스크린제 를 녹이고,이 지방상을 70 - 80℃ 정도까지 가열하여 물 (같은 온도까지 가열된 것)을 가하고, 강하게 뒤섞어 줌으로써 제조된다. 뒤섞어주기는 10 분 내지 15 분 동안 계속하고, 그 다음에는 냉각시키면서 적당히 휘저어준 후, 약 40℃ 에서, 마지막으로 방향제와 보존제를 가한다.

Claims (33)

  1. 다음의 식을 갖는 화합물 :
    혹은
    혹은
    식(1)내지 식(3)에서 : - 기 R은 (동일하거나 서로 다를 수 있음) C₁- C10알킬 라디칼, 페닐 라디칼 및 3,3,3-트리플루오로프로필 라디칼에서 선택되고, 라디칼들 R의 수로 환산하여 80 %이상이 메틸 라디칼이고, - 기 B는 (동일하거나 서로 다를 수 있음) 상기의 라디칼들 R과 아래에 정의한 라디칼 A에서 선택되고, - 기 R'은 (동일하거나 서로 다를 수 있음) C₁- C8알킬 라디칼들이나, 혹은 페닐 라디칼들에서 선택되고, - R은 0과 50을 포함하여 0과 50사이의 정수이며, s는 0과 20을 포함하여 0과 20사이의 정수이고 (단, s 가 0이면 기호 B 2 개 중의 적어도 하나는 A 를 표시함을 조건으로 함), - u는 1과 6을 포함하여 1과 6사이의 정수이며, t는 0과 10을 포함하여 0과 10사이의 정수이고 (단, t + u는 3이거나 3 보다 큰 것을 조건으로 함), - 그리고 기호 A는 규소 원자에 직접 연결된 라디칼을 표시하며, 상기 라디칼 A는 다음의 식(4.1) 내지 (4.4)의 하나에 해당하는 것이다 :
    식(4.1)에서 : * X¹은 수소 원자 혹은 다음의 식(5)의 2가(價) 라디탈 -Y- 를 나타낸다 :
    식(5)에서 : - R¹은 수소 원자 혹은 C₁- C₄알킬 또는 히드록시알킬 라디칼을 표시하고, - R²는 수소 원자 혹은 C₁- C6알킬 또는 C₁- C6알콕시 라디칼을 나타내고, - p는 1과 10을 포함하여 1과 10사이의 정수이며, - 말단 -CH₂- 기는 규소 원자에 직접 결합됨; * X²와 X³은 (동일하거나 서로 다를 수 있음) 수소 혹은 할로겐 원자, C₁- C₄알킬 혹은 알콕시 라디칼, 2가 라디칼 -Y- 혹은 다음의 식(6)의 라디칼 Z 를 나타내거나 :
    혹은 대안적으로는, 합쳐져서 알킬리덴기가 하나 혹은 2 개의 탄소 원자를 함유하고 있는 알킬리덴디옥시기를 형성하는 것일 수 있다 ; 단, 상기 식(4.1)에서 : - 3 개의 기호 X¹,X²그리고 X³중의 하나는 반드시 2가 라디칼 -Y- 를 나타내는 것이어야 하며,이 때 나머지의 다른 2 개의 기호들은 각각 2가 라디칼 - Y - 를 나타내는 것일 수가 없고, - X¹이 수소 원자를 나타내는 경우이면, X²와 X³은 필연적으로 다르고 어느 쪽도 라디칼 Z 를 나타내는 것일 수 없으며, - X¹이 2가 라디칼 -Y- 를 나타내는 경우이면, X²와 X³은 동시에 라디칼 Z를 나타내는 것일 수가 없고, - X¹이 수소 원자를 표시하고 X³이 2가 라디칼 -Y- 를 나타내는 경우이면, X²는 수소 원자가 아닌 다른 것이다 ;
    식(4.2)에서 : * X⁴는 수소 원자, C₁- C8알킬 라디칼 혹은 2가 라디칼 -Y- 를 나타내고, * X5는 수소 혹은 할로겐 원자, C₁- C₄알킬 혹은 알콕시 라디칼 또는 2가 라디칼 -Y- 를 나타내며, * R³은 C₁- C8알킬 라디칼을 나타내고, 단, 상기 식(4.2)에서 2 개의 기호 X⁴와 X5중의 하나는 반드시 2가 라디칼 -Y- 를 나타내는 것이어야 하며,이 때 나머지의 기호가 2가 라디칼 -Y- 를 나타낼 수 없다 ;
  2. 제1항에 있어서, 라디칼들 R은 알킬 라디칼들인 것을 특징으로 하는, 식(1) 또는 식(2)에 해당하는 화합물.
  3. 제2항에 있어서, 라디칼들 R은 메틸 라디칼, 에틸 라디칼, 프로필 라디칼, n-부틸 라디칼, n-옥틸 라디칼 혹은 2-에틸헥실 라디칼인 것을 특징으로 하는 화합물.
  4. 제3항에 있어서, 라디칼들 R은 메틸 라디칼들인 것을 특징으로 하는 화합물.
  5. 제1항 내지 제4항 중의 어느 한항에 있어서, 라디칼들 B는 알킬 라디칼들인 것을 특징으로 하는, 식(1)에 해당하는 화합물.
  6. 제5항에 있어서, 라디칼들 B는 메틸 라디칼, 에틸 라디칼, 프로필 라디칼, n-부틸 라디칼, n-옥틸 라디칼 혹은 2-에틸헥실 라디칼인 것을 특징으로 하는 화합물.
  7. 제6항에 있어서, 라디칼들 B는 메틸 라디칼인 것을 특징으로 하는 화합물.
  8. 제1항 내지 제4항 중의 어느 한항에 있어서, R은 0과 3을 포함하여 0과 3사이이고, s는 0과 3을 포함하여 0과 3사이인 것을 특징으로 하는, 식(1)에 해당하는 화합물.
  9. 제1항 내지 제4항 중의 어느 한항에 있어서, t + u는 3과 5를 포함하여 3과 5사이에 있는 것을 특징으로 하는 화합물.
  10. 제1항에 있어서, 라디칼들 R'은 메틸 라디칼, 에틸 라디칼, 프로필 라디칼, n-부틸 라디칼, n-옥틸 라디칼 그리고 2-에틸헥실 라디칼에서 선택되는 알킬 라디칼들인 것을 특징으로 하는, 식(3)에 해당하는 화합물.
  11. 제10항에 있어서, 라디칼들 R'은 메틸 라디칼들 인 것을 특징으로 하는 화합물.
  12. 제1항 내지 제4항, 제10항 그리고 제11항 중의 어느 한항에 있어서, 2가 라디칼 -Y- 에서 p는 1과 3을 포함하여 1과 3사이에 있는 것을 특징으로 하는 화합물.
  13. 제1항 내지 제4항, 제10항 그리고 제11항 중의 어느 한항에 있어서, 2가 라디칼 -Y- 에서 R'은 수소를 나타내는 것을 특징으로 하는 화합물.
  14. 제1항 내지 제4항, 제10항 그리고 제11항 중의 어느 한항에 있어서, 2가 라디칼 -Y- 에서 R²는 수소 혹은 메틸 라디칼을 나타내는 것을 특징으로 하는 화합물.
  15. 제1항 내지 제4항, 제10항 그리고 제11항 중의 어느 한항에 있어서, A는 식(4.1)에 해당하는 것을 특징으로 하는 화합물.
  16. 제15항에 있어서, X²는 수소, 메틸, 메톡시 혹은 -Y- 인 것을 특징으로 하는 화합물.
  17. 제15항에 있어서, X³은 수소 혹은 -Y- 인 것을 특징으로 하는 화합물.
  18. 제1항 내지 제4항, 제10항 그리고 제11항 중의 어느 한항에 있어서, A는 식(4.2)에 해당하는 것을 특징으로 하는 화합물.
  19. 제18항에 있어서, X⁴는 tert-부틸 혹은 -Y- 인 것을 특징으로 하는 화합물.
  20. 제18항에 있어서, X5는 수소 혹은 -Y- 인 것을 특징으로 하는 화합물.
  21. 제18항에 있어서, R³은 메틸 혹은 tert-부틸인 것을 특징으로 하는 화합물.
  22. 제1항 내지 제4항, 제10항 그리고 제11항 중의 어느 한항에 있어서, A는 식(4.3)에 해당하는 것을 특징으로 하는 화합물.
  23. 제1항 내지 제4항, 제10항 그리고 제11항 중의 어느 한항에 있어서, A는 식(4.4)에 해당하는 것을 특징으로 하는 화합물.
  24. 화장용으로 허용가능한 부형제내에, 제1항 내지 제23항 중의 어느 한항에서 정의된 화합물 하나이상을 유효량 함유하는 것을 특징으로 하는 화장용 조성물.
  25. 제24항에 있어서, 상기의 화장용으로 허용가능한 부형제는 하나이상의 지방상(脂肪相)이나 하나의 유기 용매를 함유하는 것을 특징으로 하는 화장용 조성물.
  26. 제25항에 있어서, 상기의 부형제는 수중유형 에멀션 혹은 유중수형 에멀션의 형태로 존재하는 것을 특징으로 하는 화장용 조성물.
  27. 제24항 내지 제26항 중의 어느 한항에 있어서, 스크린 화합물(들)의 함량은 상기 조성물의 총 중량에 대해 0.1 중량% 와 20 중량%의사이에 있는 것을 특징으로 하는 화장용 조성물.
  28. 제27항에 있어서, 상기 함량은 0.5 중량% 와 10 중량%의사이에 있는 것을 특징으로 하는 화장용 조성물.
  29. 제16항에 있어서, X³은 수소 혹은 -Y- 인 것을 특징으로 하는 화합물.
  30. 제19항에 있어서, X5는 수소 혹은 -Y- 인 것을 특징으로 하는 화합물.
  31. 제19항 또는 제20항에 있어서, R³은 메틸 혹은 tert-부틸인 것을 특징으로 하는 화합물.
  32. 제24항에 있어서, 조성물은 자외선을 차단시키는 것을 특징으로 하는 화장용 조성물.
  33. 제26항에 있어서, 상기 부형제는 수중유형 에멀션의 형태로 존재하는 것을 특징으로 하는 화장용 조성물.
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