KR0123264B1 - 에스 램(sram) 메모리 구조와 그 제조방법 - Google Patents
에스 램(sram) 메모리 구조와 그 제조방법Info
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Abstract
Description
Claims (20)
- 플립플롭 회로를 구성하는 제1도전형의 한쌍의 드라이버 트랜지스터(Q₁, Q₂)와 제2도전형의 한쌍의 로드 트랜지스터(Q5, Q6)를 갖는 스태틱 메모리 셀과, 한쌍의 액세스 트랜지스터(Q, Q₄)를 포함하는 반도체 메모리 장치에 있어서 ; 상기 반도체 메모리 장치는 주표면을 갖는 반도체 기판(20)과 ; 상기 반도체 기판의 주표면 위에 형성되는 상기 드라이버 트랜지스터들(Q₁, Q₂) 각각을 형성하는 제1의 FET(field effevt transistor)와 ; 상기 반도체 기판의 주표면에 형성되는 상기 액세스 트랜지스터들(Q, Q₄) 각각을 형성하는 제2의 FET를 포함하고 상기 제1의 FET는 상기 반도체 기판의 주표면 위에 형성되고, 제1의 유전율을 갖는 제1의 게이트 전극(23,24)을 포함하고, 상기 제2의 FET는 상기 반도체 기판의 주표면 위에 형성되는 제1의 게이트 전극(23,24)을 포함하고, 상기 제 2의 FET는 상기 반도체 기판의 주표면 위에 형성되고 제1의 유전율보다 작은 제2의 유전율을 갖는 제2의 게이트 절연막(27c ; 27e,27f ; 27e,27fa,27h ; 27k)과, 상기 제2의 게이트 절연막 위에 형성되는 제2의 게이트 전극(21,22)을 포함하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1의 게이트 절연막은 제1의 절연막(27a)과, 상기 제1의 절연막과 상이한 유전율을 갖는 제2의 절연막(27b)을 포함하고, 상기 제2의 게이트 절연막은 제3의 절연막(27c)을 포함하는 반도체 메모리 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 제1의 절연막(27a)은 실리콘 산화막을 포함하고, 상기 제2의 절연막(27b)은 실리콘 질화막을 포함하며, 상기 제3의 절연막(27c)은 실리콘 산화막을 포함하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1의 게이트 절연막은 제1의 절연막(27a)과, 상기 제1의 절연막과 상이한 유전율을 갖는 제2의 절연막(27b)과, 상기 제2의 게이트 절연막과 상이한 유전율을 갖는 제3의 절연막(27d)을 포함하고, 상기 제2의 게이트 절연막은 제4의 절연막(27c)을 포함하는 반도체 메모리 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 제1과, 제3 및 제4의 절연막들(27a,27b,27c) 각각은 실리콘 산화막을 포함하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1의 게이트 절연막은 제1의 절연막(27g)을 포함하고, 상기 제1의 게이트 절연막은 제2의 절연막(27e)과, 상기 제2의 절연막과 상이한 유전율을 갖는 제3의 절연막(27f)을 포함하는 반도체 메모리 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 제1의 절연막(27g)은 실리콘 산화막을 포함하고, 상기 제2의 절연막(27e)과, 상기 제2의 절연막과 상이한 유전율을 갖는 제3의 절연막(27f)을 포함하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1의 게이트 절연막은 제1의 절연막(27g)을 포함하고, 상기 제2의 게이트 절연막은 제2의 절연막(27e)과, 상기 제2의 절연막과 상이한 유전율을 갖는 제3의 절연막(27fa)과, 상기 절연막과 상이한 유전율을 갖는 제4의 절연막(27h)을 포함하는 반도체 메모리 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 제1과, 제2 및 제4의 절연막(27g,27e.27h) 각각은 실리콘 산화막을 포함하는 반도체 메모리 장치.
- 플립플롭 회로를 구성하는 제1도전형의 한쌍의 드라이버 트랜지스터(Q₁, Q₂)와 제2도전형의 한쌍의 로드 트랜지스터(Q5,Q6)를 갖는 스태틱 메모리 셀과, 한쌍의 액세스 트랜지스터(Q3, Q4)를 포함하고, 상기 드라이버 트랜지스터들과 상기 액세스 트랜지스터들은 반도체 기판(20)의 주표면 위에 형성되는 FET(field effect transistor)들로 형성되고, 상기 로드 트랜지스터들은 상기 FET들 위에 형성되는 제1 및 제2의 박막 트랜지스터들로 형성되는 반도체 메모리 장치에 있어서; 상기 반도체 메모리 장치는 상기 반도체 기판 위에 형성되고 제1의 방향으로 펼쳐지는 제1의 스트립부(41n)와, 제2의 방향으로 펼쳐지는 제2의 스트립부(41m)를 갖는 제1의 반도체 층과 ; 상기 제1의 반도체 층 위에 형성되고 상기 제2의 방향에 교차하는 제3의 방향으로 펼쳐지는 제3의 스트립 부(43n)와, 상기 제1의 방향과 교차하는 제4의 방향으로 펼쳐지는 제4의 스트립 부(42m)를 갖는 제2의 반도체 층(42)과 ; 상기 제4의 스트립 부에 대향하는 제1의 채널영역(41c)을 규정하도록 제1의 스트립 부에 서로 공간을 두고 형성되어 상기 제1의 박막 트랜지스터를 형성하는 제1의 소오스(41b) 및 드레인(41a) 영역들과 ; 상기 제2의 스트립 부에 대향하는 제2의 채널영역(42c)을 규정하도록 제3의 스트립 부에 서로 공간을 두고 형성되어 상기 제2의 박막 트랜지스터를 형성하는 제2의 소오스(42b) 및 드레인(42a) 영역들과 ; 상기 제4의 스트립 부와 상기 제1의 채널영역 사이에 형성되는 제1의 게이트 절연막(54)과 ; 상기 제2의 스트립 부와 상기 채널영역 사이에 형성되는 제2의 게이트 절연막(54)을 포함하고 ; 상기 제1의 반도체 층과 상기 제2의 반도체 층은 상기 제1의 스트립 부와 상기 제4의 스트립 부 사이에 그리고 상기 제2의 스트립 부와 상기 제3의 스트립 부사이에서 서로 겹치는 반도체 메모리 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 제1의 반도체 층(41)의 두께는 상기 제2의 반도체 층(42)의 두께보다 더작은 반도체 메모리 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 제1의 반도체 층(41)의 두께는 약 1500Å이고, 반면에 상기 제2의 반도체 층(42)의 두께는 약 2000Å인 반도체 메모리 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 제1의 게이트 절연막(54) 및 상기 제2의 절연막(54)은 동일한 층으로 형성되는 반도체 메모리 장치.
- 플립플롭 회로를 구성하는 제1도전형의 한쌍의 드라이버 트랜지스터(Q₁, Q₂)와 제2도전형의 한쌍의 로드 트랜지스터(Q5, Q6)를 갖는 스태틱 메모리 셀과, 한쌍의 액세스 트랜지스터(Q3, Q₄)를 포함하는 반도체 메모리 장치에 있어서; 상기 반도체 메모리 장치는 주표면을 갖는 반도체 기판(20)과, 상기 반도체 기판의 주표면 위에 형성되는 상기 드라이버 트랜지스터들 각각을 형성하는 제1의 FET(field effect transistor)와; 상기 반도체 기판의 주표면 위에 형성되는 상기 액세스 트랜지스터들 각각을 형성하는 제2의 FET를 포함하고, 상기 제1 FET는 상기 반도체 기판의 주표면에서 서로 거리를 두고 형성되는 한쌍의 제1의 소오스 및 드레인영역들(26a,26b)과, 상기 한쌍의 제1 소오스 및 드레인영역들 사이에 제1의 불순물 농도 프러파일을 갖는 상기 반도체 기판의 제1의 채널 영역을 갖고, 상기 제1의 불순물 농도 프러파일은 상기 주표면으로부터 제1의 깊이 위치에서 불순물 농도 피크를 가지며, 상기 제2의 FET는 상기 반도체 기판에 서로 거리를 두고 형성되는 한쌍의 제2의 소오스 및 드레인영역들(25d,25d)과 상기 한쌍의 제 2 의 소오스 및 드레인영역들 사이에 제 2의 불순물 농도 프러파일을 갖는 상기 반도체 기판의 제 2의 채널영역을 갖고, 상기 제2의 불순물 농도 프러파일은 상기 주표면으로부터 상기 제 2의 깊이 위치보다 더 얕은 제2의 깊이 위치에서 불순물 농도 피크를 가지며, 상기 제2의 깊이 위치보다 더 깊은 위치에서, 상기 제1의 불순물 농도 프러파일은 상기 제2의 불순물 농도 프러파일 보다 더 높은 농도값을 주는 반도체 메모리 장치.
- 플립플롭 회로를 구성하는 제1도전형의 한쌍의 드라이버 트랜지스터(Q₁, Q₂)와 제2도전형의 한쌍의 로드 트랜지스터(Q5, Q6)를 갖는 스태틱 메모리 셀과, 한쌍의 액세스 트랜지스터(Q3, Q₄)를 포함하는 반도체 메모리 장치에 있어서 , 상기 반도체 메모리 장치는 주표면을 갖는 반도체 기판(20)과; 상기 반도체 기판의 주표면 위에 형성되는 상기 드라이버 트랜지스터들 각각을 형성하는 제1의 FET ; 상기 반도체 기판의 주표면에 형성되는 액세스 트랜지스터들 각각을 형성하는 제2의 FET를 포함하고, 상기 제1의 FET는 상기 반도체 기판의 주표면에서 서로 거리를 두고 형성되는 한쌍의 제1의 소오스 및 드레인영역(26a,26b)과, 상기 한쌍의 제2의 소오스 및 드레인영역들 사이에 제1의 불순물 농도 프러파일을 갖는 상기 반도체 기판의 제1의 채널영역을 갖고, 상기 제1의 불순물 농도 프러파일은 상기 주표면으로부터 제1의 깊이 위치에서 불순물 농도 피크를 가지며, 상기 제2의 FET는 상기 반도체 기판에 서로 거리를 두고 형성되는 한쌍의 제2의 소오스 및 드레인영역들(25d,25d)과, 상기 한쌍의 제2 소오스 및 드레인 영역들 사이에 제2의 불순물 농도 프러파일을 갖는 상기 반도체 기판의 제2의 채널영역을 갖고, 상기 제2의 불순물 농도 프러파일은 상기 주표면으로부터 상기 제1의 깊이 위치보다 더 얕은 제2의 깊이 위치에서 불순물 농도 피크를 가지며, 상기 제1의 깊이 위치 보다 더 깊은 제3의 위치까지의 상기 제1의 불순물 농도 프러파일에 의해 결정되는 불순물의 양은 상기 주표면으로부터 상기 제3의 깊이 위치까지의 상기 제2의 불순물 농도 프러파일에 의해 결정되는 불순물의 양보다 더 큰 반도체 메모리 장치.
- 플립플롭 회로를 구성하는 제1도전형의 한쌍의 드라이버 트랜지스터와 제2도전형의 한쌍의 로드 트랜지스터를 갖는 스태틱 메모리 셀과, 한쌍의 액세스 트랜지스터를 포함하는 반도체 메모리 장치에 있어서 ; 상기 반도체 메모리 장치는 주표면을 갖는 반도체 기판과 ; 상기 반도체 기판의 주표면에 형성되는 상기 드라이버 트랜지스터들 각각을 형성하는 제1의 FET(field effect transistor)와 ; 상기 반도체 기판의 주표면에 형성되는 액세스 트랜지스터들 각각을 형성하는 제2의 FET를 포함하고, 상기 제1의 FET는 상기 반도체 기판의 주표면에 형성되고 제1의 두께와 제1의 유전율을 갖는 제1의 게이트 절연막과, 상기 제1의 게이트 절연막 위에 형성되는 제1의 게이트 전극을 포함하고, 상기 제2의 FET는 상기 반도체 기판의 주표면 위에 형성되고 제2의 두께와 제2의 유전율을 갖는 제2의 게이트 절연막과, 상기 제2의 게이트 절연막 위에 형성되는 제2의 게이트 전극을 포함하고, 상기 제1의 두께에 대한 상기 제1의 유전율의 비는 상기 제2의 두께에 대한 상기 제2의 유전율의 비보다 더 큰 반도체 메모리 장치.
- 플립플롭 회로를 구성하는 제1도전형의 한쌍의 드라이버 트랜지스터(Q₁, Q₂)와 제2도전형의 한쌍의 로드 트랜지스터(Q5, Q6)를 갖는 스태틱 메모리 셀과, 한쌍의 액세스 트랜지스터(Q3, Q₄)를 포함하는 반도체 메모리 장치를 제조하는 방법에 있어서 ; 상기 제조 방법은 반도체 기판(20)의 주표면 위에 제1의 유전율을 갖는 제1의 게이트 절연막(27a;27b:27a,27bA;27d;27g;27j)을 형성하는 단계와; 상기 반도체 기판의 상기 주표면위에 제1의 유전율보다 더 작은 제2의 유전율을 갖는 제2의 게이트 절연막(27c;27e,27f;27e,27fa,27h;27k)을 형성하는 단계와 ; 상기 제1의 게이트 절연막 위에 제1의 게이트 전극(23,24)을 형성하는 단계와 ; 상기 제2의 게이트 절연막 위에 제2의 게이트 전극(21,22)을 형성하는 단계를 포함함으로써, 제1의 FET(field effect transistor)가 상기 제1의 게이트 절연막과 상기 제1의 게이트 전극을 포함하도록 형성되는 제1의 드라이버 트랜지스터들 각각을 형성하고, 제2의 FET가 상기 제2의 게이트 절연막과 상기 제2의 게이트 전극을 포함하도록 형성되는 상기 액세스 트랜지스터들 각각을 형성하는 반도체 메모리 장치의 제조방법.
- 플립플롭 회로를 구성하는 제1도전형의 한쌍의 드라이버 트랜지스터(Q₁, Q₂)와 제2도전형의 한쌍의 로드 트랜지스터(Q5, Q6)를 갖는 스태틱 메모리 셀과, 한쌍의 액세스 트랜지스터(Q3, Q₄)를 포함하고, 상기 드라이버 트랜지스터들과 상기 액세스 트랜지스터들은 반도체 기판(20)의 주표면 위에 형성되는 FET(field effect transistor)들로 형성되고, 상기 로드 트랜지스터들은 상기 FET들 위에 형성되는 제1 및 제2의 박막 트랜지스터들로 형성되는 반도체 메모리 장치를 제조하는 방법에 있어서; 상기 제조 방법은 상기 반도체 기판 위에 제1의 방향으로 펼쳐지는 제1의 스트립부(41n)와 제2의 방향으로 펼쳐지는 제2의 스트립부(41m)를 갖는 제1의 반도체 층(41)을 형성하는 단계와 ; 상기 제1의 반도체 층 위에 절연막(54)을 형성하는 단계와; 상기 절연막 위에, 상기 제2의 방향과 교차하는 제3의 방향으로 펼쳐지는 제3의 스트립 부(42n)와, 상기 제3의 스트립 부가 상기 제2의 스트립 부를 교차하는 방식으로 상기 제1의 방향을 교차하는 제4의 방향으로 펼쳐지는 제4의 스트립 부(42m)를 갖되, 상기 제4의 스트립 부는 상기 제1의 스트립 부를 교차하는 제2의 반도체 층(42)을 형성하는 단계와 ; 채널영역(41c)으로서 상기 제1의 스트립 부가 상기 제4의 스트립 부를 교차하는 영역을 규정하도록 상기 제1의 스트립 부에 서로 거리를 두고 제1의 소오스(41b) 및 드레인(41a) 영역들을 형성하고, 상기 제1의 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와; 채널영역(42c)으로서 상기 제3의 스트립 부가 상기 제2의 스트립 부를 교차하는 영역을 규정하도록 상기 제3의 스트립 부에 서로 거리를 두고 제2의 소오스(42b) 및 드레인(42a) 영역들을 형성하고, 상기 제2의 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 메모리 장치.
- 플립플롭 회로를 구성하는 제1도전형의 한쌍의 드라이버 트랜지스터(Q₁, Q₂)와 제2도전형의 한쌍의 로드 트랜지스터(Q5, Q6)를 갖는 스태틱 메모리 셀과, 한쌍의 액세스 트랜지스터(Q3, Q₄)를 포함하는 반도체 메모리 장치를 제조하는 방법에 있어서 ; 상기 제조방법은 반도체 기판(20)으로 불순물을 주입하여, 상기 반도체 기판의 주표면에 , 이 주표면으로부터 제1의 깊이 위치에 불순물 농도 피크를 갖는 제1의 불순물 농도 프러파일을 갖도록 제1의 채널영역을 형성하는 단계와 ; 상기 반도체 기판으로 불순물을 주입하여, 상기 반도체 기판의 주표면에, 이 주표면으로부터 상기 제1의 깊이 위치보다 더 얕은 제2의 위치에 불순물 농도 피크를 갖는 제1의 불순물 농도 프러파일과 제2이 깊이 위치보다 더 깊은 위치에 상기 제1의 불순물 농도값보다 더 높은 농도값을 갖도록 제2의 채널영역을 형성하는 단계와 ; 상기 제1의 채널영역을 사이에 두고 상기 드라이버 트랜지스터의 한쌍의 제1 소오스 및 드레인영역(26a,26b)을 형성하는 단계와, 상기 제2의 채널영역을 사이에 두고 상기 반도체 기판의 주표면에 상기 액세스 트랜지스터의 한쌍의 제2의 소오스 및 드레인영역들 (25d,25d)을 형성하는 단계를 포함함으로써; 제1의 FET(field effect transistor)는 상기 한쌍의 제1 소오스 및 드레인 영역들을 포함하도록 형성되는 상기 드라이버 트랜지스터들 각각을 형성하고, 제2의 FET는 상시 한쌍의 제2의 소오스 및 드레인 영역들을 포함하도록 형성되는 상기 액세스 트랜지스터들 각각을 형성하는 반도체 메모리 장치의 제조법.
- 플립플롭 회로를 구성하는 제1도전형의 한쌍의 드라이버 트랜지스터(Q₁, Q₂)와 제2도전형의 한쌍의 로드 트랜지스터(Q5, Q6)를 갖는 스태틱 메모리 셀과, 한쌍의 액세스 트랜지스터(Q3, Q₄)를 포함하는 반도체 메모리 장치를 제조하는 방법에 있어서; 상기 제조방법은 반도체 기판(20)으로 불순물을 주입하여, 상기 반도체 기판의 주표면에, 이 주표면으로부터 제1의 깊이 위치에 불순물 농도피크를 갖는 제1의 불순물 농도 프러파일을 갖도록 제1의 채널영역을 형성하는 단계와 ; 상기 반도체 기판으로 불순물을 주입하여, 상기 반도체 기판의 주표면에, 이 주표면으로부터 상기 제1의 깊이 위치보다 더 얕은 제2의 깊이 위치에 불순물 농도 피크를 갖는 제1의 불순물 농도 프러파일과 제2의 깊이 위치 보다 더 깊은 위치까지의 상기 제1의 불순물 농도값보다 더 높은 농도값을 가짐으로써, 상기 제1의 깊이 위치보다 더 깊은 제3의 위치까지의 상기 제1의 불순물 농도 프러파일에 의해 결정되는 불순물의 양이 상기 주표면으로부터 상기 제3의 깊이 위치까지의 상기 제2의 불순물 농도 프러파일에 의해 결정되는 불순물의 양보다 더 커지도록 제2의 채널영역을 형성하는 단계와; 상기 제1의 채널영역을 사이에 두고 상기 기판의 주표면에 상기 드라이버 트랜지스터의 한쌍의 제1의 소오스 및 드레인영역들(26a,26b)을 형성하는 단계와 ; 상기 제2의 채널영역을 사이에 두고 상기 반도체 기판의 주표면에 상기 액세스 트랜지스터의 한쌍의 제2의 소오스 및 드레인영역들(25d,25d)을 형성하는 단계를 포함함으로써 ; 제1의 FET(field effect transistor)는 상기 한쌍의 제1의 소오스 및 드레인영역들을 포함하도록 형성되는 상기 드라이버 트랜지스터들 각각을 형성하고, 제2의 FET는 상기 한쌍의 소오스 및 드레인들을 포함하도록 상기 액세스 트랜지스터들 각각을 형성하는 반도체 메모리 장치의 제조방법.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100702011B1 (ko) * | 2005-03-16 | 2007-03-30 | 삼성전자주식회사 | 다중 게이트 트랜지스터들을 채택하는 씨모스 에스램 셀들및 그 제조방법들 |
KR100781197B1 (ko) * | 1999-01-27 | 2007-11-30 | 소니 가부시끼 가이샤 | 반도체 메모리 장치 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3085073B2 (ja) * | 1994-01-24 | 2000-09-04 | 富士通株式会社 | スタティックram |
JP2601202B2 (ja) * | 1994-07-05 | 1997-04-16 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP2689923B2 (ja) * | 1994-11-11 | 1997-12-10 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
EP0821413B1 (en) * | 1996-06-20 | 2002-10-09 | United Microelectronics Corporation | SRAM-cells and method of fabrication |
JP3795606B2 (ja) | 1996-12-30 | 2006-07-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 回路およびそれを用いた液晶表示装置 |
US6330182B1 (en) | 1998-09-23 | 2001-12-11 | Intel Corporation | Method for evaluating soft error immunity of CMOS circuits |
JP4592193B2 (ja) * | 2001-02-06 | 2010-12-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2002359298A (ja) | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
US6919647B2 (en) * | 2003-07-03 | 2005-07-19 | American Semiconductor, Inc. | SRAM cell |
JP4763967B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2011-08-31 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体記憶装置の製造方法 |
JP4855786B2 (ja) * | 2006-01-25 | 2012-01-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP4775352B2 (ja) | 2007-09-26 | 2011-09-21 | ソニー株式会社 | 半導体記憶装置の製造方法 |
US8004871B2 (en) * | 2008-05-26 | 2011-08-23 | Panasonic Corporation | Semiconductor memory device including FET memory elements |
JP2010245293A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US8335101B2 (en) * | 2010-01-21 | 2012-12-18 | Qualcomm Incorporated | Resistance-based memory with reduced voltage input/output device |
KR101863941B1 (ko) * | 2010-06-08 | 2018-06-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 오프셋 구조의 박막 트랜지스터 |
US10957373B2 (en) | 2018-07-05 | 2021-03-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2702909B2 (ja) * | 1986-04-23 | 1998-01-26 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置 |
US4760557A (en) * | 1986-09-05 | 1988-07-26 | General Electric Company | Radiation hard memory cell circuit with high inverter impedance ratio |
JPS63156352A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
US4835740A (en) * | 1986-12-26 | 1989-05-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Floating gate type semiconductor memory device |
JP2526566B2 (ja) * | 1987-02-27 | 1996-08-21 | ソニー株式会社 | メモリ装置 |
US4965721A (en) * | 1987-03-31 | 1990-10-23 | Bull Hn Information Systems Inc. | Firmware state apparatus for controlling sequencing of processing including test operation in multiple data lines of communication |
JPH0752774B2 (ja) * | 1988-04-25 | 1995-06-05 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JP2661141B2 (ja) * | 1988-05-27 | 1997-10-08 | ソニー株式会社 | 半導体メモリ |
JPH0334569A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Toshiba Corp | スタティック型半導体記憶装置 |
JP2749689B2 (ja) * | 1990-02-09 | 1998-05-13 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
JP3070060B2 (ja) * | 1990-02-21 | 2000-07-24 | ソニー株式会社 | 半導体メモリ |
JP3070064B2 (ja) * | 1990-04-18 | 2000-07-24 | ソニー株式会社 | 半導体メモリ |
JPH0461377A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Sony Corp | 半導体メモリ |
JPH0482264A (ja) * | 1990-07-25 | 1992-03-16 | Sony Corp | 半導体メモリ |
JP2969864B2 (ja) * | 1990-08-28 | 1999-11-02 | ソニー株式会社 | 半導体メモリ装置 |
JP2539299B2 (ja) * | 1991-03-01 | 1996-10-02 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
US5327002A (en) * | 1991-05-15 | 1994-07-05 | Kawasaki Steel Corporation | SRAM with gate oxide films of varied thickness |
-
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100781197B1 (ko) * | 1999-01-27 | 2007-11-30 | 소니 가부시끼 가이샤 | 반도체 메모리 장치 |
KR100702011B1 (ko) * | 2005-03-16 | 2007-03-30 | 삼성전자주식회사 | 다중 게이트 트랜지스터들을 채택하는 씨모스 에스램 셀들및 그 제조방법들 |
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