KR0122864B1 - 무연의 주석-비스무트 납땜 합금 - Google Patents

무연의 주석-비스무트 납땜 합금

Info

Publication number
KR0122864B1
KR0122864B1 KR1019940011317A KR19940011317A KR0122864B1 KR 0122864 B1 KR0122864 B1 KR 0122864B1 KR 1019940011317 A KR1019940011317 A KR 1019940011317A KR 19940011317 A KR19940011317 A KR 19940011317A KR 0122864 B1 KR0122864 B1 KR 0122864B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
alloy
alloys
braze
component
lead
Prior art date
Application number
KR1019940011317A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950000903A (ko
Inventor
길버트 고냐 스티븐
케네스 레이크 제임스
클링턴 롱 렌디
네일 와일드 로저
Original Assignee
윌리암 티.엘리스
인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윌리암 티.엘리스, 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 filed Critical 윌리암 티.엘리스
Publication of KR950000903A publication Critical patent/KR950000903A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0122864B1 publication Critical patent/KR0122864B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C12/00—Alloys based on antimony or bismuth
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
    • B23K35/264—Bi as the principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
    • B23K35/262—Sn as the principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

본 발명에는 무연합금이 개시되어 있다. 이 합금은 Sn과 Bi의 합한 중량을 기준으로, 적어도 약 50중량%의 Bi, 약 50중량%이하의 Sn 및 물리적 및 기계적 특성을 증대시키는 효과량의 제 3성분을 포함하는 낮은 고상 온도의 다성분 납땜 합금이다. 상기 제 3성분은 Cu, In, Ag 및 Cu와 Ag의 혼합물일 수 있다.

Description

무연의 주석-비스무트 납땜 합금
본 발명은 무연 납땜, 특히 무연의 주석-비스무트 납땜 합금에 관한 것이다. 이들 합금은 극소 전자공학분야에 특히 유용한 저 독성 납땜 합금이다. 본 발명의 납땜 합금은 집적 회로칩을 인쇄 회로판으로 사용되는 칩 캐리어 및 기판에 결합시키고, 칩 캐리어를 기판에 결합시키며, 다충 인쇄 회로판에 회로화 랜드(land) 및 패드(pad)를 결합시키는데 특히 유용하다.
납땜은 통상적으로 가역적인, 저온의 연금술적 결합 공정이다. 저온 및 가역적 성질은 사용되는 물질과 재작업 및 엔지니어링 변화에 필수적이기 때문에 극소 전자공학 분야에서 특히 중요하다.
납땜 접합은 화학 반응이 수반되는 적심공정(wetting process)이다. 용융된 납땜은 선택적 적심성을 갖는다. 납땜의 선택적 점심성(wettability)때문에 용융된 납땜을 원하는 자리로 한정할 수 있다. 이러한 특성은 풀립 칩(flip chip)결합시 및 납땜마스크를 사용하여 작업할 때 특히 중요하다.
납땜 공정은 적셔지는 즉시, 예를 들어 수 초 범위에서 완료될 수 있다. 이러한 특성으로 인하여 납땜은 특히 자동의 고속, 디처리공정에 특히 바람직하다.
적심성은 접합될 재료와 함수 관계에 있는데, Cu, Ni, Au 및 Pd와, 이들 금속의 1종 이상의 풍부하게 함유된 합금이 납땜에 특히 적합하다.
적심에 수반되는 화학반응은 용융 납땜과 접합되는 금속 사이에서 발생하여 계면에서 금속간 물질상(intermetallic phase)영역을 형성한다. 전자 팩키지의 납땜으로 형성된 금속간 물질상은 통상적으로 화학 양론적인 2상 화학물이며, 만일 Sn이 납땜 합금내에 존재한다면 전형적으로 Sn을 포함한다. 베이스(base), 패드(pad)또는 랜드(land)가 Cu이고 납땜 합금이 Sn이 풍부할 경우, 납땜 과정중 제조되는 금속간 물질은 Cu-Sn이다. Cu-Sn 2계상의 예에는 Cu3Sn및 Cu6Sn5S가 포함된다.
납땜합금은 조성물의 주요 특성인 용융온도로 특징지어진다. 순수 금속이 단일의 불변하는 용융온도로 특징지어지는 반면 합금의 어느점 및 융점은 복잡하다. 합금의 어느점은 액상선으로 결정된다. 액상선위로는 오직 액상(들)이 존재할 수 있다. 합금의 융점은 고상선으로 결정된다. 고상선 아래로는 오직 고상(들)만이 존재할 수 있다. 두 상선 사이의 영역, 즉 액상선과 고상선 사이의 영역에서는 고체와 액체가 공존할 수 있다.
바람직한 납땜 합금은 공융특성을 갖는 것 즉, 공융점을 갖는 것이다. 공융점이란 액상선과 고상선이 만나는 점이다. 공융점으로부터의 어느 방향으로 농도를 변화시키면 액상선 온도가 증가한다.
조성물 및 냉각율도 또한 미세구조 및 생성된 납땜 접합의 기계적 성질을 결정한다. 따라서, 납땜 조성물의 선택 및 납땜 접합부의 열적 노출을 신중히 조절할 필요가 있다.
극소 전자공학 제품 제조에 사용되는 납땜 조성물은 납땜 합금으로서 적심성이 있어야 하며, 패드 또는 랜드 금속과 전기 전도성, 열안정성 및 쉽게 깨지지 않는 성질을 갖는 가소성 금속간 물질을 형성할 수 있는 최소한 한가지 성분을 포함하여야 한다. 상기와 같은 이유로, 대부분의 통상적인 납땜 합금은 Sn-Pb합금과 같은 납을 기재로하는 합금이다.
이전까지는 Pb/Sn 납땜의 극소 전자공학에 이용되어 왔다. Pb/Sn 합금의 광범위하게 사용되어온 데에는 역사적인 이유가 있다. 즉, Pb/Sn 납땜 합금의 저 고상선 온도, Pb/Sn 합금 및 생성된 Cu/Sn 금속간 물질(땜납/Cu 접촉부에 형성됨)의 광범위한 온도에서의 작업성, Pb/Sn 합금에서 얻어진 Cu/Sn 금속간 물질의 Cu 랜드 및 패드에 대한 접착성 및 상업적으로 용이하게 구입가능한 공정기구 및 예를 들어 Pb/Sn 합금용 수지, 플럭스 및 납땜 마스크 같은 저가의 부속물의 그 이유이다.
Pb/Sn 납땜 합금 공정에 요구되는 상대적으로 저온인 조건은 폴리머 절연체를 전자 팩키지 제조에 사용할 경우 특히 중요하다. 이러한 폴리머들은 고온에서의 조립 조작시 분해될 수 있다. 상대적으로 저온에서 용융되는 납땜 합금은 이러한 폴리머 기판을 조절할 수 있다.
이외에, 반도체 칩은 고온에서 열 확산되어 구조적 변형이 이루어진다. 저온 용융 합금의 경우에는 이러한 문제점을 갖지 않는다.
납 기재 합금에서 특히 중요한 성질은 연성 또는 가소성이다. 상기 합금의 이러한 연성 또는 가소성은 땜납으로 하여금 접합된 구조물간의 열팽창 계수가 불일치할 경우, 예를 들어 세라믹 절연체와 폴리머 절연체 사이, 또는 반도체 칩과 세라믹 또는 폴리머 칩 캐리어 또는 기판 사이의 열팽창계수가 불일치할 경우 이를 수용할 수 있다.
그러나, 납은 비교적 높은 독성의 중금속이다. 이러한 납의 사용은 바람직하지 못하며 대체되어야할 필요가 있다.
무연 합금의 예가 예를들면 Sn 40-85%, Bi 10-50%, Cu 1-15%의 합금을 함유하는 광학 데이타 저장 매체에 대해 기술하고 있는 스트랜조드(A.J.G Strandjord), 에이츠(R.L. Yates), 및 페레티(D.J. Perettie)의 EP 0-354-570-A2[발명의 명칭 : OPTICAL INFORMATION STORAGE MEDIUM]에 기재되어 있다.
무연 납땜 합금은 예를 들면 배관 납땜용 합금으로 유용한 것으로 개시된, 결합 및 밀봉용 무연 납땜 합금이 기재되어 있는 터커(K.L. Tuker), 및 마(U.Ma)의 미합중국 특허제 4,929,423호[발명의 명칭 : LOW TLXICITY ALLOY COMPOSITIONS FOR JOINING AND SEALING]에 개시되어 있다. 개시된 합금은 0.08-20%의 Bi, Cu, Ag, P, 회토류 및 잔여량(약 80%)의 Sn을 함유한다.
세라핌(Seraphim), 라스키(Lasky) 및 리(Li)는 문헌[PRINCIPLES OF ELECTR-ONIC PACKAGING]의 표 19.1에서 58%의 Bi 및 42%의 Sn을 함유하는 무연 합금을 나타낸다.
그러나, 상기 합금들은 전자 재료에 손상을 피하기에 충분히 낮은 온도에서 유동성이 있고, 특히 기판 및 납땜 마스크로 작용하는 유기 재료를 적시지 않으면서, 동시에 전자제품 제작에 전형적으로 사용된 결합 금속, 예를 들면 Cu, Au, Ag 및 Pd를 적시는 무연 납땜을 제공하고 있지 않다.
본 발명의 주요 목적은 무연 납땜을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 특히 기판 및 납땜 마스크와 같은 유기 재료를 적시지 않으면서, 전자제품 제작에 전형적으로 사용되는 접합금속, 예를 들면 Cu, Au, Ag 및 Pd를 젖게 하여 화학적으로 및 열적으로 안정한 중간체를 형성하는 무연 납땜을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 저낮 재료에 손상을 피하기에 충분히 낮은 온도에서 유동하는 무연 납땜을 제공하는 것이다.
선행 기술의 납땜 조성물의 상기 및 그 밖의 문제점들은 본 발명의 무연 납땜을 사용하여 극복된다. 본원에 개시된 납땜 조성물은 낮은 고상선 온도의 다성분 납땜 합금이다. 합금의 주요 금속들은 Bi 및 Sn이다.
본 발명의 바람직한 실시태양에서 낮은 고상선 온도의 다성분 납땜 합금은 주요성분으로서 Bi와 Sn 및 물리적 및 기계적 특성을 증대시키는 효과량의 제 3성분을 갖는다. 물리적 및 기계적 특성을 증대시키는 제 3성분을 In, Cu, Ag, 또는 이들의 혼합물일 수 있다.
본 발명의 다른 실시태양에서, 합금은 적어도 약 50중량%의 Bi, 약 50중량% 이하의 Sn 및 물리적 및 기계적 특성을 증대시키는 효과량의 제 3성분을 함유한다. 제3성분은 In, Cu, Ag 또는 Cu와 Ag와 같은 이들의 혼합물일 수 있다.
본 발명에 따르면 무연 Sn-Bi 납땜 계열이 제공된다. 상기 납땜들은 낮은 고상선 온도를 특징으로 한다. 합금의 주요 금속은 Bi 및 Sn이다.
본 발명의 바람직한 실시태양에서 낮은 고상선 온도나 다성분 납땜 합금은 대부분의 Bi 및 Sn과 물리적 및 기계적 특성을 증대시키는 효과량의 제3성분을 갖는다. 물리적 및 기계적 특성을 증대시키는 제 3성분은 In, Cu, Ag, 또는 이들의 혼합물 일 수 있다.
본 발명의 특히 바람직한 예에서 고상선을 강하시키는 제 3성분은 Ag와 Cu의 혼합물이다. 하나의 Bi-Sn-Cu-Ag 합금 조성물은 Bi를 약 46%, Sn을 약 48%, (즉, Bi와 Sn의 총량을 기준으로하여 적어도 약 50중량%의 Sn 및 50중량% 미만의 Bi), 약 4중량%의 Cu 및 약 2중량%의 Ag를 함유한다.
본 발명의 또다른 실시태양에서 합금은 Bi를 적어도 약 50중량%, Sn을 약 50중량% 이하로 포함하고, 물리적 및 기계적 특성을 증대시키는 효과량의 제 3성분을 함유한다. 제 3성분은 In, Cu, Ag, 또는 Cu 와 Ag의 혼합물과 같은 이들 성분들의 혼합물일 수 있다.
싱시태양의 하나의 예시에서 고상선을 강하시키는 제 3성분은 Cu이다. 바람직한 합금중의 하나는 Bi를 48-56중량%, Sn을 42-48중량%, 및 Cu를 2-4중량%로 함유한다.
실시태양의 다른 하나의 예시에서, 고상선을 강하시키는 제 3성분은 In이다. 바람직한 Bi-Sn 합금중 하나는 약 56중량%의 Bi, 약 42중량%의 Sn 및 약 2중량%의 In를 함유하는 것이다.
상기 조성물들을 요약하면 다음과 같다:
본 발명의 하나의 바람직한 실시태양에 따라 집적회로 칩을 회로화된 기판에 전기 접속시키는 방법이 제공된다. 상기 상호접속 방법은 대부분의 Bi와 Sn, 및 물리적 및 기계적 특성을 증대시키는 효과량의 제 3성분을 포함하는 납땜 합금을 부착시키는 단계를 포함한다. 상기 물리적 및 기계적 특성을 증대시키는 제 3성분은 In, Cu, Ag, 또는 이들의 혼합물일 수 있다. 상기 합금은 집적회로 칩의 전기 접촉부상에 부착된다. 상기 납땜 합금은 웨이브 납땜 부착법, 전착법에 의하거나, 또는 납땜 페이스트로 적용할 수 있다.
이어서, 회로화된 기판의 전기적 리드를 집적회로 칩의 전기 접촉부 상에서 납땜 합금과 접촉시킨다. 칩이“플립 칩”형태로 적재될 경우 회로화된 기판의 전류 리드는 기판 상의 패드이며, 납땜 합금부착부는 패드와 접촉하게 된다. 또는, 집적회로 칩이 바로 측면 상부에 적재될 경우, 전류 리드는 와이어 리드 및 탭 내부 리드 접속부이며, 집적회로 칩의 상부 표면상에서 납땜 합금 접촉부와 접촉하게 된다.
기판의 전류 리드와 납땜 부착부를 접촉한 상태로 유지시키면서 가열하면 상기 납땜 합금이 적셔지고, 상기 회로화된 기판의 전기적 리드에 결합하게 된다. 가열은 증기상 재유동, 적외선 재유동, 레이저 재유동 등과 같은 방법을 이용할 수 있다.
본 발명에 따라 제조된 극소 전자공학 회로 패키지는 기판, 즉, 회로화된 칩 캐리어, 반도체 집적회로 칩 및 회로화된 칩 캐리어와 반도체 집적회로 칩 간의 전기적 납땜 결합 접속체로, 주요 부분이 Bi, 및 Sn이고 물리적 및 기계적 특성을 증대시키는 효과량의 In, Cu, Ag, 또는 이들의 혼합물일 수 있는 제 3성분에 의해 형성된 합금을 갖는 집적회로 칩 모듈이다.
(실시예)
본 발명은 하기 실시예를 참조하므로써 이해할 수 있다.
일련의 48중량%의 Sn과 52중량%의 Bi로 된 납땜 합금을 제조하여 여러 납땜 특성에 대해 시험했다.
하나는 시험에서는, 납땜 합금을 제조하여 액체-고체 침지 특성에 대해 시험했다. Cu침지 특성 시험에서 Cu 0.35밀(mil)을 액체 납땜의 120초간 침지시켰다. 액체-고체 침지의 또다른 시험에서는, 120℃에서 100시간후에 측정된 IMC두께는 110이었다.
또다른 시험에서 상기 합금은 200psi의 하중하에서 80℃에서 시험하여 이들의 압축 크라프 특성을 측정했다. 제 2단계 크리프에서 40시간후 0.006in 직경의 납땜 볼의 압축 강도는 0.47이었다.
인장 강도는 9900Ibs/in2(psi), 항복 강도는 8300Ibs/in2, 신장율(%)은 43%로 측정되었으며, 모두 0,05in/분에서 측정했다. 인장 강도는 6700Ibs/in2,항복 강도는 5100Ibs/in2, 신장율(%)은 54%로 측정되었으며, 모두 0.002in/분에서 측정했다. 상기는 공융 혼합물 Pb/Sn에 비해 우수한 고 강도 특성을 나타낸다.
합금에 대해 또한 23℃에서 4.3% 편향시 피로 순환 시험을 수행했다. 3사이클(5사이클/분) 및 8사이클(1사이클/분)후에 파괴가 일어났다.
합금의 융점은 138℃로 측정되었다.
본 발명을 특정 바람직한 실시태양 및 예시에 대해 기술했지만, 이로써 본 발명의 범위가 제한되는 것으로 해석해서는 안되며, 본 발명은 다만 본원에 첨부된 특허청구범위에 의해서만 제한된다.

Claims (2)

  1. 56중량%의 Bi, 42중량%의 Sn 및 2중량%의 In을 포함하는 다성분 납땜 합금.
  2. 46중량%의 Bi, 48중량%의 Sn, 4중량%의 Cu 및 2중량%의 Ag를 포함하는 다성분 납땜 합금.
KR1019940011317A 1993-06-16 1994-05-24 무연의 주석-비스무트 납땜 합금 KR0122864B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/079,064 US5368814A (en) 1993-06-16 1993-06-16 Lead free, tin-bismuth solder alloys
US079,064 1993-06-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950000903A KR950000903A (ko) 1995-01-03
KR0122864B1 true KR0122864B1 (ko) 1997-12-03

Family

ID=22148192

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940011317A KR0122864B1 (ko) 1993-06-16 1994-05-24 무연의 주석-비스무트 납땜 합금

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5368814A (ko)
EP (1) EP0629467B1 (ko)
JP (1) JPH071179A (ko)
KR (1) KR0122864B1 (ko)
DE (1) DE69418096D1 (ko)

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6184475B1 (en) * 1994-09-29 2001-02-06 Fujitsu Limited Lead-free solder composition with Bi, In and Sn
US5569433A (en) * 1994-11-08 1996-10-29 Lucent Technologies Inc. Lead-free low melting solder with improved mechanical properties
DE19538992A1 (de) * 1995-04-28 1996-10-31 Hewlett Packard Co Wismut-Zinn-Lötmittel-Verbindungen mit verbesserten mechanischen Eigenschaften
US5985692A (en) * 1995-06-07 1999-11-16 Microunit Systems Engineering, Inc. Process for flip-chip bonding a semiconductor die having gold bump electrodes
KR0168964B1 (ko) * 1995-06-30 1999-01-15 이형도 납땜성이 우수한 무연땜납
JP3220635B2 (ja) * 1996-02-09 2001-10-22 松下電器産業株式会社 はんだ合金及びクリームはんだ
GB2312438A (en) * 1996-04-26 1997-10-29 Ibm Electrodeposition bath containing zinc salt
US5755896A (en) * 1996-11-26 1998-05-26 Ford Motor Company Low temperature lead-free solder compositions
US5985212A (en) * 1996-12-12 1999-11-16 H-Technologies Group, Incorporated High strength lead-free solder materials
BR9807975A (pt) 1997-04-22 2000-03-08 Ecosolder International Pty Lt Composição de solda, solda, utilização de uma solda, método de união de dois ou mais componentes e componente eletrônico ou placa de circuito impresso
JP3592486B2 (ja) 1997-06-18 2004-11-24 株式会社東芝 ハンダ付け装置
US5833921A (en) * 1997-09-26 1998-11-10 Ford Motor Company Lead-free, low-temperature solder compositions
JP3622462B2 (ja) * 1997-12-16 2005-02-23 株式会社日立製作所 半導体装置
US6156132A (en) * 1998-02-05 2000-12-05 Fuji Electric Co., Ltd. Solder alloys
US5938862A (en) * 1998-04-03 1999-08-17 Delco Electronics Corporation Fatigue-resistant lead-free alloy
JP3829475B2 (ja) * 1998-05-13 2006-10-04 株式会社村田製作所 Ｃｕ系母材接合用のはんだ組成物
JP4135268B2 (ja) * 1998-09-04 2008-08-20 株式会社豊田中央研究所 無鉛はんだ合金
JP3074649B1 (ja) 1999-02-23 2000-08-07 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション 無鉛半田粉末、無鉛半田ペースト、およびそれらの製造方法
JP4338854B2 (ja) * 1999-11-25 2009-10-07 三井金属鉱業株式会社 スズ−ビスマス系無鉛はんだ
DE10117404A1 (de) * 2001-04-06 2002-10-17 Paff Stannol Loetmittel Verfahren zum Löten von elektronischen Baugruppen mit niedrig schmelzenden Weichloten
JP4293500B2 (ja) * 2001-05-07 2009-07-08 第一電子工業株式会社 電子部品の製造方法
EP1705258A3 (en) * 2001-05-28 2007-01-17 Honeywell International, Inc. Composition, methods and devices for high temperature lead-free solder
EP1266975A1 (de) * 2001-06-12 2002-12-18 ESEC Trading SA Bleifreies Lötmittel
GB2380964B (en) 2001-09-04 2005-01-12 Multicore Solders Ltd Lead-free solder paste
DE10147378A1 (de) * 2001-09-26 2003-02-20 Infineon Technologies Ag Bleifreies Weichlot, insbesondere Elektroniklot
DE10243139A1 (de) * 2002-09-17 2004-03-25 Omg Galvanotechnik Gmbh Dunkle Schichten
GB0302230D0 (en) * 2003-01-30 2003-03-05 Pilkington Plc Vehicular glazing panel
JP4230251B2 (ja) * 2003-03-04 2009-02-25 内橋エステック株式会社 合金型温度ヒューズ及び温度ヒューズエレメント用材料
WO2005006374A2 (en) * 2003-07-11 2005-01-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Fusible alloy and thermal fuse
US20050085062A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-21 Semitool, Inc. Processes and tools for forming lead-free alloy solder precursors
JP2006032851A (ja) * 2004-07-21 2006-02-02 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 被覆銅、ホイスカの発生抑制方法、プリント配線基板および半導体装置
US20060104855A1 (en) * 2004-11-15 2006-05-18 Metallic Resources, Inc. Lead-free solder alloy
US7628871B2 (en) * 2005-08-12 2009-12-08 Intel Corporation Bulk metallic glass solder material
KR101088658B1 (ko) * 2005-11-11 2011-12-01 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 솔더 페이스트와 땜납 이음매
GB0605883D0 (en) * 2006-03-24 2006-05-03 Pilkington Plc Electrical connector
GB0605884D0 (en) * 2006-03-24 2006-05-03 Pilkington Plc Electrical connector
US20080023665A1 (en) * 2006-07-25 2008-01-31 Weiser Martin W Thermal interconnect and interface materials, methods of production and uses thereof
JP2008183590A (ja) * 2007-01-30 2008-08-14 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置
WO2009013210A1 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Henkel Limited Solder flux
EP2096905A1 (en) * 2008-02-26 2009-09-02 ROAL ELECTRONICS S.p.A. Process for mounting electronic and/or electro-optical devices on an electronic board
WO2009131913A2 (en) * 2008-04-21 2009-10-29 Honeywell International Inc. Thermal interconnect and interface materials, methods of production and uses thereof
JP2011014705A (ja) * 2009-07-01 2011-01-20 Hitachi Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2011071152A (ja) * 2009-09-24 2011-04-07 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法
EP2339894A1 (de) * 2009-12-22 2011-06-29 Saint-Gobain Glass France Scheibe mit elektrischem Anschlusselement
JP6072032B2 (ja) * 2011-08-02 2017-02-01 アルファ・メタルズ・インコーポレイテッドAlpha Metals, Inc. 高い衝撃靱性のはんだ合金
CN102296208A (zh) * 2011-08-17 2011-12-28 天津百瑞杰焊接材料有限公司 用于制作温度保险丝的熔断芯的无铅低温合金及其制备方法
JP2014146652A (ja) * 2013-01-28 2014-08-14 Toppan Printing Co Ltd 配線基板およびその製造方法
US9272371B2 (en) 2013-05-30 2016-03-01 Agc Automotive Americas R&D, Inc. Solder joint for an electrical conductor and a window pane including same
CZ306552B6 (cs) * 2013-11-19 2017-03-08 SVĂšM a.s. Střela typu frangible a způsob její výroby
CN107076858A (zh) 2015-05-26 2017-08-18 西门子医疗有限公司 辐射检测器设备
CN104889594B (zh) * 2015-06-08 2017-07-11 哈尔滨工业大学 低温超声SnBi基钎料及其制备方法，及其超声钎焊陶瓷和/或陶瓷基复合材料的方法
DE102016005340A1 (de) * 2016-05-02 2017-11-02 Axel Weinbrecht Schreibfähige bleifreie Legierung
EP3696850A3 (en) 2016-09-12 2020-11-11 Interflux Electronics N.V. Method of soldering an electronic component to a substrate with the use of a solder paste comprising a lead-free solder alloy consisting of sn, bi and at least one of sb and mn
US10263362B2 (en) 2017-03-29 2019-04-16 Agc Automotive Americas R&D, Inc. Fluidically sealed enclosure for window electrical connections
US10849192B2 (en) 2017-04-26 2020-11-24 Agc Automotive Americas R&D, Inc. Enclosure assembly for window electrical connections
JP6418349B1 (ja) * 2018-03-08 2018-11-07 千住金属工業株式会社 はんだ合金、はんだペースト、はんだボール、やに入りはんだおよびはんだ継手
CN109158795B (zh) * 2018-10-12 2021-08-06 苏州优诺电子材料科技有限公司 一种低温焊料合金粉及其制备方法
CN110549030A (zh) * 2019-08-23 2019-12-10 江苏太阳科技股份有限公司 一种用于hit异质结的光伏焊带的低温焊料及制备方法
KR102343751B1 (ko) * 2020-01-23 2021-12-28 엔트리움 주식회사 솔더 페이스트, 이를 사용하여 형성된 솔더링 접합부 및 솔더링 접합부를 가지는 플렉시블 인쇄회로기판
DE102020128470A1 (de) * 2020-10-29 2022-05-05 Endress+Hauser SE+Co. KG Elektronisches Gerät und Verfahren zum Feststellen einer mechanischen Überbeanspruchung eines elektronischen Geräts
CN112756843B (zh) * 2021-01-11 2022-08-19 杭州华光焊接新材料股份有限公司 一种锡铋钎料及其制备方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3607253A (en) * 1969-12-24 1971-09-21 Ibm Tin base solder alloy
JPS527422B2 (ko) * 1972-08-19 1977-03-02
JPS589136B2 (ja) * 1975-03-20 1983-02-19 株式会社東芝 Ｂｉ−ｓｎ−ｉｎ−ｐｂ ケイゴウキン
JPS5810451B2 (ja) * 1975-03-20 1983-02-25 株式会社東芝 Ｂｉ−ｓｎ−ｉｎ ケイゴウキン
GB1468973A (en) * 1975-07-18 1977-03-30 Atomic Energy Authority Uk Microcircuit packages
DE2712517C2 (de) * 1977-03-22 1979-05-23 Et. Dentaire Ivoclar, Schaan (Liechtenstein) Verwendung einer Wismut-Zinn-Legierung zur Herstellung von Modellen in der Zahntechnik
JPS5810451A (ja) * 1981-07-06 1983-01-21 Honda Motor Co Ltd 曲面の仕上加工装置
US4643875A (en) * 1985-07-24 1987-02-17 Gte Products Corporation Tin based ductile brazing alloys
US4667871A (en) * 1985-07-24 1987-05-26 Gte Products Corporation Tin based ductile brazing alloys
EP0235546B1 (de) * 1986-02-19 1991-07-24 Degussa Aktiengesellschaft Verwendung einer Weichlotlegierung zum Verbinden von Keramikteilen
US4778733A (en) * 1986-07-03 1988-10-18 Engelhard Corporation Low toxicity corrosion resistant solder
JPS6471593A (en) * 1987-09-12 1989-03-16 Nippon Genma Kk Solder
US4806309A (en) * 1988-01-05 1989-02-21 Willard Industries, Inc. Tin base lead-free solder composition containing bismuth, silver and antimony
GB8807730D0 (en) * 1988-03-31 1988-05-05 Cookson Group Plc Low toxicity soldering compositions
IL91213A0 (en) * 1988-08-11 1990-03-19 Dow Chemical Co Discontinuous film optical storage media

Also Published As

Publication number Publication date
US5368814A (en) 1994-11-29
JPH071179A (ja) 1995-01-06
EP0629467A1 (en) 1994-12-21
EP0629467B1 (en) 1999-04-28
KR950000903A (ko) 1995-01-03
DE69418096D1 (de) 1999-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0122864B1 (ko) 무연의 주석-비스무트 납땜 합금
KR970010891B1 (ko) 고온의 무연 주석 기재 납땜 조성물
US5328660A (en) Lead-free, high temperature, tin based multi-component solder
US5411703A (en) Lead-free, tin, antimony, bismtuh, copper solder alloy
US5414303A (en) Lead-free, high tin, ternary solder alloy of tin, bismuth, and indium
US6010060A (en) Lead-free solder process
US5730932A (en) Lead-free, tin-based multi-component solder alloys
Kang et al. Lead (Pb)-free solders for electronic packaging
KR101004589B1 (ko) 기능 부품용 리드와 그 제조 방법
US20010002982A1 (en) Lead-free, high tin ternary solder alloy of tin, silver, and bismuth
US7754343B2 (en) Ternary alloy column grid array
KR20010012083A (ko) 무연 땜납
JPS592595B2 (ja) ろう合金
JP3991788B2 (ja) はんだおよびそれを用いた実装品
JP3460438B2 (ja) 鉛フリーはんだ及びそれを用いた実装品
US20070059548A1 (en) Grid array package using tin/silver columns
JPH0985484A (ja) 鉛フリーはんだとそれを用いた実装方法及び実装品
US4492842A (en) Process of brazing using low temperature braze alloy of gold-indium tin
JPH11151591A (ja) 高温無鉛はんだ合金
WO1997047425A1 (en) Lead-free, high tin ternary solder alloy of tin, silver, and bismuth
WO1999003632A1 (en) A coating used for manufacturing and assembling electronic components
Kamarudin Effect of Al Addition to IMC Formation, Mechanical and Wetting Properties of Low-Ag SAC Solder Alloy

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20010904

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee