JPWO2025023001A5 - - Google Patents
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Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023119164 | 2023-07-21 | ||
| PCT/JP2024/024715 WO2025023001A1 (ja) | 2023-07-21 | 2024-07-09 | 炭化珪素半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2025023001A1 JPWO2025023001A1 (https=) | 2025-01-30 |
| JPWO2025023001A5 true JPWO2025023001A5 (https=) | 2026-04-21 |
Family
ID=94374319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2025535701A Pending JPWO2025023001A1 (https=) | 2023-07-21 | 2024-07-09 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPWO2025023001A1 (https=) |
| CN (1) | CN121420644A (https=) |
| DE (1) | DE112024003047T5 (https=) |
| WO (1) | WO2025023001A1 (https=) |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015162579A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
| JP6428489B2 (ja) * | 2014-09-16 | 2018-11-28 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| JP6400548B2 (ja) * | 2015-09-14 | 2018-10-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JPWO2018042835A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2019-06-24 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| JP7081087B2 (ja) * | 2017-06-02 | 2022-06-07 | 富士電機株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法 |
| WO2020110514A1 (ja) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | 富士電機株式会社 | 超接合炭化珪素半導体装置および超接合炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JP7541315B2 (ja) | 2022-02-16 | 2024-08-28 | プライムプラネットエナジー&ソリューションズ株式会社 | ニッケル鉱からのニッケルの浸出方法および硫酸ニッケルの製造方法 |
| JP7807731B2 (ja) * | 2022-03-22 | 2026-01-28 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
-
2024
- 2024-07-09 DE DE112024003047.5T patent/DE112024003047T5/de active Pending
- 2024-07-09 CN CN202480042705.1A patent/CN121420644A/zh active Pending
- 2024-07-09 JP JP2025535701A patent/JPWO2025023001A1/ja active Pending
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