JPWO2023242956A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2023242956A5 JPWO2023242956A5 JP2024527957A JP2024527957A JPWO2023242956A5 JP WO2023242956 A5 JPWO2023242956 A5 JP WO2023242956A5 JP 2024527957 A JP2024527957 A JP 2024527957A JP 2024527957 A JP2024527957 A JP 2024527957A JP WO2023242956 A5 JPWO2023242956 A5 JP WO2023242956A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- page
- gate conductor
- conductor layer
- voltage
- memory device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2022/023825 WO2023242956A1 (ja) | 2022-06-14 | 2022-06-14 | 半導体素子を用いたメモリ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2023242956A1 JPWO2023242956A1 (https=) | 2023-12-21 |
| JPWO2023242956A5 true JPWO2023242956A5 (https=) | 2025-02-28 |
Family
ID=89076656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024527957A Ceased JPWO2023242956A1 (https=) | 2022-06-14 | 2022-06-14 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US12362006B2 (https=) |
| JP (1) | JPWO2023242956A1 (https=) |
| WO (1) | WO2023242956A1 (https=) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022172318A1 (ja) * | 2021-02-09 | 2022-08-18 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 半導体素子を用いたメモリ装置 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2703970B2 (ja) | 1989-01-17 | 1998-01-26 | 株式会社東芝 | Mos型半導体装置 |
| JPH03171768A (ja) | 1989-11-30 | 1991-07-25 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
| JP3808763B2 (ja) | 2001-12-14 | 2006-08-16 | 株式会社東芝 | 半導体メモリ装置およびその製造方法 |
| JP5078338B2 (ja) | 2006-12-12 | 2012-11-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置 |
| JP2009252264A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置およびその駆動方法 |
| WO2013042884A1 (ko) * | 2011-09-19 | 2013-03-28 | 엘지전자 주식회사 | 영상 부호화/복호화 방법 및 그 장치 |
| CN116724354A (zh) * | 2020-12-25 | 2023-09-08 | 新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司 | 包含半导体元件的存储器装置 |
| JP7057037B1 (ja) * | 2021-01-29 | 2022-04-19 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 半導体素子を用いたメモリ装置 |
| WO2022219704A1 (ja) * | 2021-04-13 | 2022-10-20 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 半導体素子を用いたメモリ装置 |
| WO2022219703A1 (ja) * | 2021-04-13 | 2022-10-20 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 半導体素子を用いたメモリ装置 |
| WO2022239100A1 (ja) * | 2021-05-11 | 2022-11-17 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 半導体素子を用いたメモリ装置 |
| WO2022239193A1 (ja) * | 2021-05-13 | 2022-11-17 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 半導体素子を用いたメモリ装置 |
| WO2022239228A1 (ja) * | 2021-05-14 | 2022-11-17 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 半導体素子を用いたメモリ装置 |
| WO2022269740A1 (ja) * | 2021-06-22 | 2022-12-29 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 半導体素子を用いたメモリ装置 |
| WO2022269737A1 (ja) * | 2021-06-22 | 2022-12-29 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 半導体素子を用いたメモリ装置 |
| WO2023281613A1 (ja) * | 2021-07-06 | 2023-01-12 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 半導体素子を用いたメモリ装置 |
| WO2023058242A1 (ja) * | 2021-10-08 | 2023-04-13 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 半導体素子を用いたメモリ装置 |
| WO2023067686A1 (ja) * | 2021-10-19 | 2023-04-27 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 半導体素子を用いたメモリ装置 |
| JPWO2023105604A1 (https=) * | 2021-12-07 | 2023-06-15 | ||
| WO2023112146A1 (ja) * | 2021-12-14 | 2023-06-22 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | メモリ装置 |
| WO2023199474A1 (ja) * | 2022-04-14 | 2023-10-19 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 半導体素子を用いたメモリ装置 |
-
2022
- 2022-06-14 WO PCT/JP2022/023825 patent/WO2023242956A1/ja not_active Ceased
- 2022-06-14 JP JP2024527957A patent/JPWO2023242956A1/ja not_active Ceased
-
2023
- 2023-06-13 US US18/333,674 patent/US12362006B2/en active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI815350B (zh) | 半導體元件記憶裝置 | |
| US20230284433A1 (en) | Semiconductor-element-including memory device | |
| US12205629B2 (en) | Semiconductor-element-including memory device | |
| JP7381145B2 (ja) | メモリ素子を有する半導体装置 | |
| WO2022168158A1 (ja) | 半導体メモリ装置 | |
| US12363883B2 (en) | Memory device using semiconductor element | |
| US12477716B2 (en) | Memory device with stacked body orthogonal to substrate and method using write and ease page refresh operations | |
| WO2022172318A1 (ja) | 半導体素子を用いたメモリ装置 | |
| US12396154B2 (en) | Memory device using semiconductor element | |
| US12369302B2 (en) | Memory device using semiconductor element | |
| US12249366B2 (en) | Semiconductor-element-including memory device | |
| US12120864B2 (en) | Memory device using semiconductor element | |
| WO2024134761A1 (ja) | 半導体素子を用いたメモリ装置 | |
| WO2024018556A1 (ja) | 半導体素子を用いたメモリ装置 | |
| US20240334675A1 (en) | Memory device using semiconductor element | |
| US20240321343A1 (en) | Memory device using semiconductor element | |
| WO2022185540A1 (ja) | 半導体素子を用いたメモリ装置 | |
| US12362006B2 (en) | Semiconductor-element-including memory device | |
| US20230422473A1 (en) | Semiconductor-element-including memory device | |
| WO2022168147A1 (ja) | 半導体メモリ装置 | |
| WO2022157954A1 (ja) | 半導体素子メモリ装置 | |
| JPWO2023242956A5 (https=) | ||
| JPWO2023248418A5 (https=) | ||
| WO2024079816A1 (ja) | 半導体素子を用いたメモリ装置 | |
| US12315563B2 (en) | Memory apparatus using semiconductor devices |