JPWO2021172397A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2021172397A5 JPWO2021172397A5 JP2022503672A JP2022503672A JPWO2021172397A5 JP WO2021172397 A5 JPWO2021172397 A5 JP WO2021172397A5 JP 2022503672 A JP2022503672 A JP 2022503672A JP 2022503672 A JP2022503672 A JP 2022503672A JP WO2021172397 A5 JPWO2021172397 A5 JP WO2021172397A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ruthenium
- delete
- acid
- treatment liquid
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023102260A JP7627717B2 (ja) | 2020-02-25 | 2023-06-22 | ルテニウムの半導体用処理液 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020029907 | 2020-02-25 | ||
| JP2020029907 | 2020-02-25 | ||
| PCT/JP2021/006986 WO2021172397A1 (ja) | 2020-02-25 | 2021-02-25 | ルテニウムの半導体用処理液 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023102260A Division JP7627717B2 (ja) | 2020-02-25 | 2023-06-22 | ルテニウムの半導体用処理液 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2021172397A1 JPWO2021172397A1 (https=) | 2021-09-02 |
| JPWO2021172397A5 true JPWO2021172397A5 (https=) | 2022-07-12 |
| JP7496410B2 JP7496410B2 (ja) | 2024-06-06 |
Family
ID=77491848
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022503672A Active JP7496410B2 (ja) | 2020-02-25 | 2021-02-25 | ルテニウムの半導体用処理液 |
| JP2023102260A Active JP7627717B2 (ja) | 2020-02-25 | 2023-06-22 | ルテニウムの半導体用処理液 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023102260A Active JP7627717B2 (ja) | 2020-02-25 | 2023-06-22 | ルテニウムの半導体用処理液 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US12538727B2 (https=) |
| JP (2) | JP7496410B2 (https=) |
| KR (1) | KR102582791B1 (https=) |
| CN (1) | CN115152005A (https=) |
| TW (1) | TWI899164B (https=) |
| WO (1) | WO2021172397A1 (https=) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI901664B (zh) * | 2020-03-31 | 2025-10-21 | 日商德山股份有限公司 | 半導體用處理液及其製造方法 |
| WO2026083966A1 (ja) * | 2024-10-16 | 2026-04-23 | 株式会社トクヤマ | 半導体処理液、処理方法及び半導体基板の製造方法 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59230197A (ja) | 1983-06-14 | 1984-12-24 | 三菱重工業株式会社 | 放射性廃液の処理方法 |
| JPH0348748A (ja) | 1989-07-18 | 1991-03-01 | Hitachi Ltd | Ｒｕ濃度センサ及びＲｕ検出システム |
| JP3113033B2 (ja) | 1992-02-05 | 2000-11-27 | 株式会社日立製作所 | 放射性溶液中のルテニウム及びテクネチウムの分離方法並びにそれを用いた使用済核燃料再処理プロセス |
| JPH0972833A (ja) | 1995-09-04 | 1997-03-18 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 揮発性四酸化ルテニウムのサンプリング方法 |
| JP3637670B2 (ja) | 1996-02-28 | 2005-04-13 | 三菱化学株式会社 | ルテニウム錯体の回収方法 |
| TW490756B (en) | 1999-08-31 | 2002-06-11 | Hitachi Ltd | Method for mass production of semiconductor integrated circuit device and manufacturing method of electronic components |
| JP3619745B2 (ja) | 1999-12-20 | 2005-02-16 | 株式会社日立製作所 | 固体表面の処理方法及び処理液並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法 |
| JP3585437B2 (ja) | 2000-11-22 | 2004-11-04 | 株式会社荏原製作所 | ルテニウム膜のエッチング方法 |
| BRPI0418529A (pt) * | 2004-02-11 | 2007-05-15 | Mallinckrodt Baker Inc | composições de limpeza para microeletrÈnicos contendo ácidos de halogênio oxigenados, sais e derivados dos mesmos |
| JP2007302938A (ja) | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Mitsubishi Chemicals Corp | 金属の分離方法 |
| US8008202B2 (en) | 2007-08-01 | 2011-08-30 | Cabot Microelectronics Corporation | Ruthenium CMP compositions and methods |
| JP2009081247A (ja) | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Panasonic Corp | ルテニウム膜のエッチング方法 |
| KR100980607B1 (ko) * | 2007-11-08 | 2010-09-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 루테늄 연마용 슬러리 및 그를 이용한 연마 방법 |
| CN101481345A (zh) * | 2009-02-24 | 2009-07-15 | 云南大学 | 螺环-β-内酰胺1-烷基-2,7-二羰-1-氮杂螺[3.5]-壬-5,8-二烯-3-取代羧酸酯及其制备方法 |
| CN103119694A (zh) * | 2009-12-11 | 2013-05-22 | 高级技术材料公司 | 掩蔽材料的去除 |
| WO2011074601A1 (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | 昭和電工株式会社 | ルテニウム系金属のエッチング用組成物およびその調製方法 |
| JPWO2012017819A1 (ja) | 2010-08-05 | 2013-10-03 | 昭和電工株式会社 | ニッケル白金合金系金属除去用組成物 |
| WO2016068183A1 (ja) | 2014-10-31 | 2016-05-06 | 富士フイルム株式会社 | ルテニウム除去組成物、及び、磁気抵抗メモリの製造方法 |
| CN111684570B (zh) | 2018-01-16 | 2024-02-27 | 株式会社德山 | 含有次氯酸根离子的半导体晶圆的处理液 |
| CN111684575B (zh) * | 2018-02-05 | 2023-09-29 | 富士胶片株式会社 | 药液、药液的制造方法、基板的处理方法 |
| US11572533B2 (en) * | 2018-05-23 | 2023-02-07 | Tokuyama Corporation | Quaternary alkylammonium hypochlorite solution, method for manufacturing same, and method for cleaning semiconductor wafer |
| JP6901998B2 (ja) | 2018-06-15 | 2021-07-14 | 株式会社トクヤマ | ４級アルキルアンモニウムイオン、亜塩素酸イオン、及び次亜塩素酸イオンを含む酸化性組成物 |
| JP7450334B2 (ja) * | 2018-12-27 | 2024-03-15 | 東京応化工業株式会社 | エッチング液、及び半導体素子の製造方法 |
-
2021
- 2021-02-25 KR KR1020227030598A patent/KR102582791B1/ko active Active
- 2021-02-25 TW TW110106725A patent/TWI899164B/zh active
- 2021-02-25 CN CN202180016821.2A patent/CN115152005A/zh active Pending
- 2021-02-25 JP JP2022503672A patent/JP7496410B2/ja active Active
- 2021-02-25 WO PCT/JP2021/006986 patent/WO2021172397A1/ja not_active Ceased
- 2021-02-25 US US17/801,964 patent/US12538727B2/en active Active
-
2023
- 2023-06-22 JP JP2023102260A patent/JP7627717B2/ja active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPWO2021172397A5 (https=) | ||
| Breugst et al. | σ‐Hole Interactions in Catalysis | |
| CN101490308B (zh) | 用于无电铜沉积的电镀溶液 | |
| JP2023126825A5 (https=) | ||
| TW593744B (en) | Plating method | |
| KR20120082443A (ko) | 루테늄계 금속의 에칭용 조성물 및 그 조제 방법 | |
| Viciano‐Chumillas et al. | Coordination Versatility of Pyrazole‐Based Ligands towards High‐Nuclearity Transition‐Metal and Rare‐Earth Clusters | |
| JP2010156058A5 (https=) | ||
| JP2013500393A5 (https=) | ||
| JP2009504913A5 (https=) | ||
| WO2017195456A1 (ja) | 被膜形成用組成物、表面処理金属部材の製造方法、および金属‐樹脂複合体の製造方法 | |
| WO2018135203A1 (ja) | 被膜形成用組成物、表面処理金属部材の製造方法、および金属‐樹脂複合体の製造方法 | |
| JP2024536092A5 (https=) | ||
| EA017686B1 (ru) | Способ стабилизации альдегида | |
| JP7627717B2 (ja) | ルテニウムの半導体用処理液 | |
| JP5496103B2 (ja) | イミダゾリウム塩を含有する混合物の後処理法 | |
| CN103923110A (zh) | 具有抗菌活性的苯并咪唑衍生物金属配合物及其制备方法 | |
| JP2009504911A (ja) | 表面活性化剤を用いる金属含有フィルムの原子層蒸着 | |
| WO2017033913A1 (ja) | 複核ルテニウム錯体からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法 | |
| JPWO2023204274A5 (https=) | ||
| US20040040852A1 (en) | Plating method | |
| JP2024544194A5 (https=) | ||
| CN106496581A (zh) | 5‑硝基间苯二甲酸四核铜聚合物及其制备方法 | |
| JP2018515466A5 (https=) | ||
| JP2003223010A (ja) | 剥離剤組成物 |