JP7496410B2 - ルテニウムの半導体用処理液 - Google Patents
ルテニウムの半導体用処理液 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7496410B2 JP7496410B2 JP2022503672A JP2022503672A JP7496410B2 JP 7496410 B2 JP7496410 B2 JP 7496410B2 JP 2022503672 A JP2022503672 A JP 2022503672A JP 2022503672 A JP2022503672 A JP 2022503672A JP 7496410 B2 JP7496410 B2 JP 7496410B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ruthenium
- acid
- ligand
- hydroxyl group
- treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 409
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 title claims description 407
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 73
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 68
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 189
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 164
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 135
- -1 hypobromite ions Chemical class 0.000 claims description 116
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 91
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 72
- JGJLWPGRMCADHB-UHFFFAOYSA-N hypobromite Chemical group Br[O-] JGJLWPGRMCADHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 69
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 45
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 39
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 22
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PTBDIHRZYDMNKB-UHFFFAOYSA-N 2,2-Bis(hydroxymethyl)propionic acid Chemical compound OCC(C)(CO)C(O)=O PTBDIHRZYDMNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QEVGZEDELICMKH-UHFFFAOYSA-N Diglycolic acid Chemical compound OC(=O)COCC(O)=O QEVGZEDELICMKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LOMVENUNSWAXEN-UHFFFAOYSA-N Methyl oxalate Chemical compound COC(=O)C(=O)OC LOMVENUNSWAXEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PAVQGHWQOQZQEH-UHFFFAOYSA-N adamantane-1,3-dicarboxylic acid Chemical compound C1C(C2)CC3CC1(C(=O)O)CC2(C(O)=O)C3 PAVQGHWQOQZQEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GGAUUQHSCNMCAU-UHFFFAOYSA-N butane-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)C(C(O)=O)CC(O)=O GGAUUQHSCNMCAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims description 6
- DTGRIEIJTWNZQF-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2,3,4,5,6-hexacarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1C(C(O)=O)C(C(O)=O)C(C(O)=O)C(C(O)=O)C1C(O)=O DTGRIEIJTWNZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OREAFAJWWJHCOT-UHFFFAOYSA-N dimethylmalonic acid Chemical compound OC(=O)C(C)(C)C(O)=O OREAFAJWWJHCOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 6
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 177
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 131
- 229910001927 ruthenium tetroxide Inorganic materials 0.000 description 81
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 71
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 66
- WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N hypochlorite Chemical compound Cl[O-] WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 55
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 36
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 36
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 35
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 33
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 29
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 19
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 15
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 14
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 11
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 11
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 11
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 11
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000005708 Sodium hypochlorite Substances 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 10
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- CUILPNURFADTPE-UHFFFAOYSA-N hypobromous acid Chemical compound BrO CUILPNURFADTPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- TWLXDPFBEPBAQB-UHFFFAOYSA-N orthoperiodic acid Chemical compound OI(O)(O)(O)(O)=O TWLXDPFBEPBAQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 7
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 7
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 6
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 6
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 5
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical compound OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- ZEYHEAKUIGZSGI-UHFFFAOYSA-N 4-methoxybenzoic acid Chemical compound COC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 ZEYHEAKUIGZSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QPFYGMQICBPALA-UHFFFAOYSA-N Br[O-].C[N+](C)(C)C Chemical compound Br[O-].C[N+](C)(C)C QPFYGMQICBPALA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 4
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 4
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 125000005207 tetraalkylammonium group Chemical group 0.000 description 4
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GVXNBUDRLXVUCE-UHFFFAOYSA-N tetramethylazanium;hypochlorite Chemical compound Cl[O-].C[N+](C)(C)C GVXNBUDRLXVUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001420 alkaline earth metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N benzopyrrole Natural products C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 3
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 3
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Chemical group 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 3
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 3
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M .beta-Phenylacrylic acid Natural products [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LNETULKMXZVUST-UHFFFAOYSA-N 1-naphthoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)=CC=CC2=C1 LNETULKMXZVUST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWMLJOLKUYYJFJ-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5,6,7-Hexahydroxyheptanoic acid Chemical compound OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O KWMLJOLKUYYJFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WLJVXDMOQOGPHL-PPJXEINESA-N 2-phenylacetic acid Chemical compound O[14C](=O)CC1=CC=CC=C1 WLJVXDMOQOGPHL-PPJXEINESA-N 0.000 description 2
- WHSXTWFYRGOBGO-UHFFFAOYSA-N 3-methylsalicylic acid Chemical compound CC1=CC=CC(C(O)=O)=C1O WHSXTWFYRGOBGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N Cinnamic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 2
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- UKXSKSHDVLQNKG-UHFFFAOYSA-N benzilic acid Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)(C(=O)O)C1=CC=CC=C1 UKXSKSHDVLQNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940087675 benzilic acid Drugs 0.000 description 2
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 2
- SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-N bromic acid Chemical compound OBr(=O)=O SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 150000001728 carbonyl compounds Chemical class 0.000 description 2
- ITZXULOAYIAYNU-UHFFFAOYSA-N cerium(4+) Chemical class [Ce+4] ITZXULOAYIAYNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 2
- QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N chlorous acid Chemical compound OCl=O QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930016911 cinnamic acid Natural products 0.000 description 2
- 235000013985 cinnamic acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N diethylenediamine Natural products C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 2
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 2
- KWMLJOLKUYYJFJ-VFUOTHLCSA-N glucoheptonic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)C(O)=O KWMLJOLKUYYJFJ-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 2
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 2
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 2
- 150000002395 hexacarboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 150000002475 indoles Chemical class 0.000 description 2
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 2
- IWYDHOAUDWTVEP-UHFFFAOYSA-N mandelic acid Chemical compound OC(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 IWYDHOAUDWTVEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960002510 mandelic acid Drugs 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N methyl benzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1 QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZIHFWKZFHZASV-UHFFFAOYSA-N methyl formate Chemical compound COC=O TZIHFWKZFHZASV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N methyl p-hydroxycinnamate Natural products OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 150000002763 monocarboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 150000004893 oxazines Chemical class 0.000 description 2
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001139 pH measurement Methods 0.000 description 2
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000004885 piperazines Chemical class 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 150000003216 pyrazines Chemical class 0.000 description 2
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N pyridine Substances C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 2
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 2
- 150000000000 tetracarboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003628 tricarboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- 150000003920 1,2,4-triazines Chemical class 0.000 description 1
- CSNIZNHTOVFARY-UHFFFAOYSA-N 1,2-benzothiazole Chemical class C1=CC=C2C=NSC2=C1 CSNIZNHTOVFARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000182 1,3,5-triazines Chemical class 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WENISBCJPGSITQ-UHFFFAOYSA-N 1-azatricyclo[3.3.1.13,7]decane Chemical class C1C(C2)CC3CC1CN2C3 WENISBCJPGSITQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDGCBNTXZHJTHJ-UHFFFAOYSA-N 2h-1,3-oxazol-2-id-4-one Chemical class O=C1CO[C-]=N1 WDGCBNTXZHJTHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHSACZVQYSVGDJ-UHFFFAOYSA-N 2h-indole Chemical compound C1=CC=CC2=NCC=C21 KHSACZVQYSVGDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCJVBDBJSMFBRW-UHFFFAOYSA-N 4-diphenylphosphanylbutyl(diphenyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CCCCP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 BCJVBDBJSMFBRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002471 4H-quinolizinyl group Chemical class C=1(C=CCN2C=CC=CC12)* 0.000 description 1
- GFFGJBXGBJISGV-UHFFFAOYSA-N Adenine Chemical class NC1=NC=NC2=C1N=CN2 GFFGJBXGBJISGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHPQYMZQTOCNFJ-UHFFFAOYSA-N Calcium cation Chemical compound [Ca+2] BHPQYMZQTOCNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N L-methionine Chemical compound CSCC[C@H](N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical group [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISAKRJDGNUQOIC-UHFFFAOYSA-N Uracil Chemical class O=C1C=CNC(=O)N1 ISAKRJDGNUQOIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001251 acridines Chemical class 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001860 alkaline earth metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001538 azepines Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 150000008316 benzisoxazoles Chemical class 0.000 description 1
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical class C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-M bromate Inorganic materials [O-]Br(=O)=O SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- DKSMCEUSSQTGBK-UHFFFAOYSA-N bromous acid Chemical compound OBr=O DKSMCEUSSQTGBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001424 calcium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical group 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-N chloric acid Chemical compound OCl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940005991 chloric acid Drugs 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001919 chlorite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052619 chlorite group Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940077239 chlorous acid Drugs 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000259 cinnolinyl group Chemical class N1=NC(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 1
- OPTASPLRGRRNAP-UHFFFAOYSA-N cytosine Chemical class NC=1C=CNC(=O)N=1 OPTASPLRGRRNAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 125000002576 diazepinyl group Chemical class N1N=C(C=CC=C1)* 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N glymidine Chemical compound N1=CC(OCCOC)=CN=C1NS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYTPUPDQBNUYGX-UHFFFAOYSA-N guanine Chemical class O=C1NC(N)=NC2=C1N=CN2 UYTPUPDQBNUYGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000001469 hydantoins Chemical class 0.000 description 1
- GEOVEUCEIQCBKH-UHFFFAOYSA-N hypoiodous acid Chemical compound IO GEOVEUCEIQCBKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002461 imidazolidines Chemical class 0.000 description 1
- 150000002462 imidazolines Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 150000002473 indoazoles Chemical class 0.000 description 1
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003387 indolinyl group Chemical class N1(CCC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000003406 indolizinyl group Chemical class C=1(C=CN2C=CC=CC12)* 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- SRPSOCQMBCNWFR-UHFFFAOYSA-N iodous acid Chemical compound OI=O SRPSOCQMBCNWFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000008040 ionic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229940035429 isobutyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930182817 methionine Natural products 0.000 description 1
- 229940095102 methyl benzoate Drugs 0.000 description 1
- 150000005054 naphthyridines Chemical class 0.000 description 1
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCSAJNNLRCFZED-UHFFFAOYSA-N nitroethane Chemical compound CC[N+]([O-])=O MCSAJNNLRCFZED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012457 nonaqueous media Substances 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- LLYCMZGLHLKPPU-UHFFFAOYSA-N perbromic acid Chemical compound OBr(=O)(=O)=O LLYCMZGLHLKPPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002988 phenazines Chemical class 0.000 description 1
- 125000001484 phenothiazinyl group Chemical class C1(=CC=CC=2SC3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 150000005030 phenoxathiins Chemical class 0.000 description 1
- 125000001644 phenoxazinyl group Chemical class C1(=CC=CC=2OC3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Chemical group 0.000 description 1
- LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N phthalazine Chemical class C1=NN=CC2=CC=CC=C21 LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003053 piperidines Chemical class 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000001042 pteridinyl group Chemical class N1=C(N=CC2=NC=CN=C12)* 0.000 description 1
- 150000003212 purines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003218 pyrazolidines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004892 pyridazines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003235 pyrrolidines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003236 pyrrolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002294 quinazolinyl group Chemical class N1=C(N=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical class C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 1
- 150000008584 quinuclidines Chemical class 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- CRWJEUDFKNYSBX-UHFFFAOYSA-N sodium;hypobromite Chemical compound [Na+].Br[O-] CRWJEUDFKNYSBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- KZNICNPSHKQLFF-UHFFFAOYSA-N succinimide Chemical class O=C1CCC(=O)N1 KZNICNPSHKQLFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Chemical group 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000004897 thiazines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003557 thiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000001467 thiazolidinediones Chemical class 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- RWQNBRDOKXIBIV-UHFFFAOYSA-N thymine Chemical class CC1=CNC(=O)NC1=O RWQNBRDOKXIBIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000870 ultraviolet spectroscopy Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
- C11D3/04—Water-soluble compounds
- C11D3/042—Acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/168—Organometallic compounds or orgometallic complexes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/39—Organic or inorganic per-compounds
- C11D3/3942—Inorganic per-compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/395—Bleaching agents
- C11D3/3956—Liquid compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/08—Acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/266—Esters or carbonates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/32—Alkaline compositions
- C23F1/40—Alkaline compositions for etching other metallic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Weting (AREA)
Description
項1 ルテニウムと配位する配位子を含む、ルテニウムの半導体用処理液。
項2 前記ルテニウムと配位する配位子がカルボニル基を有する化合物である、項1に記載のルテニウムの半導体用処理液。
項3 前記ルテニウムと配位する配位子が窒素を含む複素環式化合物である、項1に記載のルテニウムの半導体用処理液。
項4 前記ルテニウムと配位する配位子が、下記式(1)~(4)で表される配位子からなる群から選ばれる一種以上である、項1または2に記載のルテニウムの半導体用処理液。
項5 前記ルテニウムと配位する配位子が、下記式(5)で表される配位子である、項1または2に記載のルテニウムの半導体用処理液。
項6 前記カルボニル基を有する化合物が、シュウ酸、シュウ酸ジメチル、1,2,3,4,5,6-シクロヘキサンヘキサカルボン酸、コハク酸、酢酸、ブタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸、ジメチルマロン酸、グルタル酸、ジグリコール酸、クエン酸、マロン酸、1,3-アダマンタンジカルボン酸、または2,2-ビス(ヒドロキシメチル)プロピオン酸である、項4または5に記載のルテニウムの半導体用処理液。
項7 前記窒素を含む複素環式化合物が、ピリジン化合物、ピペラジン化合物、トリアゾール化合物、ピラゾール化合物、またはイミダゾール化合物である、項3に記載のルテニウムの半導体用処理液。
項8 25℃におけるpHが7以上14以下である、項1~7のいずれか一項に記載のルテニウムの半導体用処理液。
項9 前記ルテニウムと配位する配位子の濃度が0.0001~60質量%である、項1~8のいずれか一項に記載のルテニウムの半導体用処理液。
項10 前記処理液が酸化剤を含む、項1~9のいずれか一項に記載のルテニウムの半導体用処理液。
項11 前記酸化剤が次亜塩素酸イオンであり、かつ該次亜塩素酸イオンの濃度が0.05~20.0質量%である、項10に記載のルテニウムの半導体用処理液。
項12 前記酸化剤が次亜臭素酸イオンであり、かつ該次亜臭素酸イオンの濃度が0.01~1.9質量%である、項10に記載のルテニウムの半導体用処理液。
項13 前記酸化剤が次亜臭素酸イオンであり、かつ該次亜臭素酸イオンの濃度が0.012~1.9質量%である、項10に記載のルテニウムの半導体用処理液。
項14 前記酸化剤が、次亜塩素酸イオンおよび次亜臭素酸イオンであり、並びに該次亜塩素酸イオンの濃度が0.05~20.0質量%であり、該次亜臭素酸イオンの濃度が0.01~1.9質量%である、項10に記載のルテニウムの半導体用処理液。
項15 前記酸化剤がオルト過ヨウ素酸またはメタ過ヨウ素酸である、項10に記載のルテニウムの半導体用処理液。
項16 項1~15のいずれか一項に記載の処理液を用いる、ルテニウム含有ウェハを処理する方法。
項17 ルテニウムと配位する配位子を含む、ルテニウム含有ガスの発生抑制剤。
項18 前記ルテニウムと配位する配位子がカルボニル基を有する化合物である、項17に記載のルテニウム含有ガスの発生抑制剤。
項19 前記ルテニウムと配位する配位子が窒素を含む複素環式化合物である、項17に記載のルテニウム含有ガスの発生抑制剤。
項20 前記カルボニル基を有する化合物が、下記式(1)~(4)で表される化合物からなる群から選ばれる一種以上である、項18に記載のルテニウム含有ガスの発生抑制剤。
項21 前記カルボニル基を有する化合物が、下記式(5)で表される化合物である、項18に記載のルテニウム含有ガスの発生抑制剤。
項22 前記カルボニル基を有する化合物が、シュウ酸、シュウ酸ジメチル、1,2,3,4,5,6-シクロヘキサンヘキサカルボン酸、コハク酸、酢酸、ブタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸、ジメチルマロン酸、グルタル酸、ジグリコール酸、クエン酸、マロン酸、1,3-アダマンタンジカルボン酸、または2,2-ビス(ヒドロキシメチル)プロピオン酸である、項20または21に記載のルテニウム含有ガスの発生抑制剤。
項23 前記窒素を含む複素環式化合物が、ピリジン化合物、ピペラジン化合物、トリアゾール化合物、ピラゾール化合物、またはイミダゾール化合物である、項19に記載のルテニウム含有ガスの発生抑制剤。
項24 25℃におけるpHが7以上14以下である、項17~23のいずれか一項に記載のルテニウム含有ガスの発生抑制剤。
項25 前記ルテニウムと配位する配位子の濃度が0.0001~60質量%である、項17~24のいずれか一項に記載のルテニウム含有ガスの発生抑制剤。
項26 さらに酸化剤を含む、項17~25のいずれか一項に記載のルテニウム含有ガスの発生抑制剤。
項27 前記酸化剤が次亜塩素酸イオンであり、かつ該次亜塩素酸イオンの濃度が0.05~20.0質量%である、項26に記載のルテニウム含有ガスの発生抑制剤。
項28 前記酸化剤が次亜臭素酸イオンであり、かつ該次亜臭素酸イオンの濃度が0.01~1.9質量%である、項26に記載のルテニウム含有ガスの発生抑制剤。
項29 前記酸化剤が、次亜塩素酸イオンおよび次亜臭素酸イオンであり、並びに該次亜塩素酸イオンの濃度が0.05~20.0質量%であり、該次亜臭素酸イオンの濃度が0.01~1.9質量%である、項26に記載のルテニウム含有ガスの発生抑制剤。
項30 前記酸化剤がオルト過ヨウ素酸またはメタ過ヨウ素酸である、項26に記載のルテニウム含有ガスの発生抑制剤。
項31 項17~30のいずれか一項に記載のルテニウム含有ガスの発生抑制剤の使用。
項32 ルテニウムと配位する配位子を含む、ルテニウム含有廃液の処理剤。
項33 前記ルテニウムと配位する配位子がカルボニル基を有する化合物である、項32に記載のルテニウム含有廃液の処理剤。
項34 前記ルテニウムと配位する配位子が窒素を含む複素環式化合物である、項32に記載のルテニウム含有廃液の処理剤。
項35 前記カルボニル基を有する化合物が、下記式(1)~(4)で表される化合物からなる群から選ばれる一種以上である、項33に記載のルテニウム含有廃液の処理剤。
項36 前記カルボニル基を有する化合物が、下記式(5)で表される化合物である、項33に記載のルテニウム含有廃液の処理剤。
項37 前記ルテニウムと配位する配位子の濃度が、0.0001~60質量%である、項32~36のいずれか一項に記載のルテニウム含有廃液の処理剤。
項38 項32~37のいずれか一項に記載の処理剤を用いる、ルテニウム含有廃液の処理方法。
配位子は、ルテニウムの溶解により生成されたルテニウム含有化合物(RuO4等)をトラップするために添加され、窒素、酸素、硫黄、リン等のヘテロ原子を含む化合物、より具体的には、例えば、アミノ基、ホスフィノ基、カルボキシル基、カルボニル基、チオール基を有する化合物や、窒素を含む複素環式化合物を含む。これらの配位子の中でも、後述する酸化剤に対する耐性の高い、カルボキシル基またはカルボニル基を有する化合物や、窒素を含む複素環式化合物は、ルテニウムの半導体用処理液、ルテニウム含有ガスの発生抑制剤、及び/またはルテニウム含有廃液の処理剤に含まれる配位子として好適に使用できる。なお、「ルテニウムの半導体」とは、ルテニウムを含む半導体を意味する。一般に、ルテニウム(Ru)と配位する配位子として様々な種類が知られているが、本明細書における「ルテニウムと配位する配位子」とは、後述するように、ルテニウム含有化合物(RuO4等)に配位するものを指す。すなわち、ルテニウム含有化合物に配位しないものは、本発明の「ルテニウムと配位する配位子」には含まれない。ルテニウム(Ru)と錯体を形成する配位子としては、例えば、塩化物イオン(Cl-)や硝酸イオン(NO3 -)などが知られている。しかし、これらの配位子は、ルテニウム(Ru)には配位するものの、ルテニウム含有化合物(RuO4等)には配位しないため、本発明の「ルテニウムと配位する配位子」には含まれない。この理由は必ずしも明らかではないが、Ru-O間の結合が強く、RuO4の酸素(O)と配位子(Cl-、NO3 -)の置換反応が遅いため、もしくは、Ru-O間の結合が強く、適当な空間配置を取れない(立体的な制約により配位できない)ためであると推測される。したがって、ルテニウムと配位する配位子、すなわち、ルテニウム含有化合物(RuO4等)と配位する配位子としては、適切な配位子を選ぶことが重要となる。
上記の構造を持つ配位子は、アルカリ性の処理液等の中で安定に存在しうる。また、上記式(1)~(5)において、R1~16の炭素数、水酸基若しくは/およびエーテル結合の有無を適宜選択することで、該配位子の処理液等への溶解度、及び該配位子とRuO4等から成る化合物の安定性を制御することが可能である。
好ましくは、トリエタノールアミン、ニトリロ三酢酸、エチレンジアミン四酢酸、グリシンなどのアミン類、システイン、メチオニンなどのチオール類、トリブチルホスフィン、テトラメチレンビス(ジフェニルホスフィン)などのホスフィン類、酢酸、ギ酸、乳酸、グリコール酸、2,2-ビス(ヒドロキシメチル)プロピオン酸、グルコン酸、α―グルコへプトン酸、へプチン酸、フェニル酢酸、フェニルグリコール酸、ベンジル酸、没食子酸、けい皮酸、ナフトエ酸、アニス酸、サリチル酸、クレソチン酸、アクリル酸、安息香酸などのモノカルボン酸またはそのエステル類、リンゴ酸、アジピン酸、コハク酸、マレイン酸、酒石酸、シュウ酸、シュウ酸ジメチル、グルタル酸、マロン酸、1,3-アダマンタンジカルボン酸、ジグリコール酸、フタル酸などのジカルボン酸またはそのエステル類、クエン酸に代表されるトリカルボン酸またはそのエステル類、ブタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸に代表されるテトラカルボン酸またはそのエステル類、1,2,3,4,5,6-シクロヘキサンヘキサカルボン酸に代表されるヘキサカルボン酸またはそのエステル類、アセト酢酸エチル、ジメチルマロン酸などのカルボニル化合物等を挙げることができ、
より好ましくは、酢酸、ギ酸、乳酸、グリコール酸、2,2-ビス(ヒドロキシメチル)プロピオン酸、グルコン酸、α―グルコへプトン酸、へプチン酸、フェニル酢酸、フェニルグリコール酸、ベンジル酸、没食子酸、けい皮酸、ナフトエ酸、アニス酸、サリチル酸、クレソチン酸、アクリル酸、安息香酸などのモノカルボン酸またはそのエステル類、リンゴ酸、アジピン酸、コハク酸、マレイン酸、酒石酸、シュウ酸、シュウ酸ジメチル、グルタル酸、マロン酸、1,3-アダマンタンジカルボン酸、ジグリコール酸などのジカルボン酸またはそのエステル類、クエン酸に代表されるトリカルボン酸またはそのエステル類、ブタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸に代表されるテトラカルボン酸またはそのエステル類、1,2,3,4,5,6-シクロヘキサンヘキサカルボン酸に代表されるヘキサカルボン酸またはそのエステル類、アセト酢酸エチル、ジメチルマロン酸などのカルボニル化合物、
さらに好ましくは、シュウ酸、シュウ酸ジメチル、1,2,3,4,5,6-シクロヘキサンヘキサカルボン酸、コハク酸、酢酸、ブタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸、ジメチルマロン酸、グルタル酸、ジグリコール酸、クエン酸、マロン酸、1,3-アダマンタンジカルボン酸、または2,2-ビス(ヒドロキシメチル)プロピオン酸、等を挙げることができる。
本発明のルテニウムの半導体用処理液(以下、単に処理液とも記載)は、RuO4ガスなどのルテニウム含有ガスの発生を抑制しながらルテニウムを含む半導体ウェハを処理できる処理液である。そのため、本発明の処理液は、半導体製造工程におけるエッチング工程、残渣除去工程、洗浄工程、CMP工程、ルテニウム含有廃液処理工程等で好適に用いることができる処理液である。
(酸化剤)
酸化剤は、半導体ウェハに含まれるルテニウムを実質的に溶解し得る能力を有するものを指す。酸化剤としてはルテニウムを溶解し得る酸化剤として公知の酸化剤を何ら制限なく用いることができる。該酸化剤の一例を挙げれば、ハロゲン酸素酸、過マンガン酸、およびこれらの塩、過酸化水素、オゾン、セリウム(IV)塩等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。ここで、ハロゲン酸素酸は、次亜塩素酸、亜塩素酸、塩素酸、過塩素酸、次亜臭素酸、亜臭素酸、臭素酸、過臭素酸、次亜ヨウ素酸、亜ヨウ素酸、ヨウ素酸、メタ過ヨウ素酸、オルト過ヨウ素酸またはこれらのイオンを指す。該酸化剤を含む半導体ウェハ用処理液は、ウェハに含まれるルテニウムを溶解することができるため、該酸化剤とルテニウムと配位する配位子を含む処理液は、ルテニウムの溶解とRuO4ガス抑制を同時に行うことができる。また、処理液が酸化剤を含有することで、ルテニウムの溶解が促進されると共に、析出したRuO2パーティクルの再溶解が促進される。このため、配位子と酸化剤を含有する処理液は、RuO4ガスとRuO2パーティクルの発生を抑制しながら効率的にルテニウム含有ウェハの処理を行うことができる。
上記のように、本発明では、ルテニウムが溶解する際に生成されたRuO4等へ配位子が配位する事により、RuO4等が処理液中に保持される事で、RuO4ガスの発生を抑制している。この場合、ルテニウム配位体の処理液中における溶解度を超えた場合は沈殿物となる。この沈殿物は半導体形成工程においてRuO2パーティクルの要因となるため、歩留まりの低下を招く。そのため、沈殿物を生じさせないことが重要であり、それにはルテニウム配位体の溶解度を上げることが好ましい。この方法として有機溶媒の添加が有効である。
本発明の処理液には、所望により本発明の目的を損なわない範囲で、従来から半導体用処理液に使用されているその他の添加剤を配合してもよい。例えば、その他の添加剤として、酸、金属防食剤、水溶性有機溶媒、フッ素化合物、還元剤、錯化剤、キレート剤、界面活性剤、消泡剤、pH調整剤、安定化剤などを加えることができる。これらの添加剤は単独で添加してもよいし、複数を組み合わせて添加してもよい。
ルテニウム含有ガスの発生抑制剤とは、ルテニウムを処理するための液に添加する事で、ルテニウム含有ガスの発生を抑制するものであり、ルテニウムと配位する配位子を含む液を指す。
ルテニウム含有ガスの発生抑制方法は、上記のルテニウム含有ガスの発生抑制剤を、ルテニウムを処理するための液に添加する工程を含む、ルテニウム含有ガスの発生抑制方法である。具体的には、たとえば、半導体製造工程におけるエッチング工程、残渣除去工程、洗浄工程、CMP工程等のルテニウムを処理する工程において使用する液(ルテニウムを処理するための液)に対して、本発明のルテニウム含有ガスの発生抑制剤を添加する事で、ルテニウム含有ガスの発生を抑制する事ができる。また、これら半導体製造工程に使用した各装置において、チャンバー内壁や配管等に付着したルテニウムを洗浄する際にも、ルテニウム含有ガスの発生抑制剤を用いる事でルテニウム含有ガスの発生を抑制できる。例えば、物理蒸着(PVD)や化学蒸着(CVD)を用いてルテニウムを形成する装置のメンテナンスにおいて、チャンバーや配管等に付着したルテニウムを除去する際に使用する洗浄液へ、本発明のルテニウム含有ガスの発生抑制剤を添加する事により、洗浄中に発生するルテニウム含有ガスの抑制が可能となる。当該方法によれば、上記のルテニウム含有ガスの発生抑制剤の説明で示したメカニズムにより、ルテニウム含有ガスの発生を抑制できる。
ルテニウム含有廃液の処理剤とは、ルテニウム含有廃液に添加する事で、ルテニウム含有ガスの発生を抑制するものであり、ルテニウムと配位する配位子を含む液を指す。よって、本発明のルテニウムの半導体用処理液は、そのルテニウム含有ガスの発生抑制効果を利用して、ルテニウム含有廃液の処理剤としても用いることができる。
本発明のルテニウム含有廃液の処理方法は、上記のルテニウム含有廃液の処理剤を、ルテニウム含有廃液に添加する工程を含む、ルテニウム含有廃液の処理方法である。当該方法によれば、上記のルテニウム含有ガスの発生抑制剤の説明で示したメカニズムにより、ルテニウム含有廃液から発生するルテニウム含有ガスを抑制できる。そのため、ルテニウム含有廃液の取り扱いが容易になるだけでなく、排気設備や除外設備を簡素化でき、ルテニウム含有ガスの処理にかかる費用を削減できる。さらに、毒性の高いルテニウム含有ガスに作業者が晒される危険性が減り、安全性が大幅に向上する。
100mLのフッ素樹脂製容器に次亜塩素酸ナトリウム(和光純薬製)あるいは次亜臭素酸ナトリウム(関東化学製)あるいはオルト過ヨウ素酸(富士フィルム和光純薬)、配位子、超純水を加え、HClおよびNaOH水溶液を用いてpHを調整する事で表1に記載の組成の処理液60mLを得た。
(次亜塩素酸イオンおよび次亜臭素酸イオン濃度の算出方法)
次亜塩素酸イオンおよび次亜臭素酸イオン濃度の測定は紫外可視分光光度計(UV-2600、島津製作所社製)を用いた。濃度既知の次亜塩素酸イオンおよび次亜臭素酸イオン水溶液を用いて検量線を作成し、製造した溶液中の次亜塩素酸イオンおよび次亜臭素酸イオン濃度を決定した。次亜塩素酸イオンおよび次亜臭素酸イオン濃度は、溶液調製後、吸収スペクトルが安定したときの測定データから求めた。
実施例及び比較例で調製した処理液10mLを、卓上型pHメーター(LAQUA F―73、堀場製作所製)を用いてpH測定した。pH測定は、処理液を調製し、25℃で安定した後に、実施した。
RuO4ガスの発生量は、ICP-OESを用いて測定した。密閉容器に処理液を5mLとり、膜厚1200Åのルテニウムを成膜した10×20mmのSiウェハ1枚を、25℃でルテニウムが全て溶解するまで浸漬させた。なお、実施例25および26では、上記ルテニウムを製膜したウェハの代わりに、2.1mgの過酸化ルテニウムテトラプロピルアンモニウムおよび0.4mgのRuO2粉末をそれぞれ用いた。その後、密閉容器にAirをフローし、密閉容器内の気相を吸収液(1mol/L NaOH)の入った容器にバブリングして、Ruウェハ浸漬中に発生したRuO4ガスを吸収液にトラップした。この吸収液中のルテニウム量をICP-OESにより測定し、発生したRuO4ガス中のルテニウム量を求めた。処理液に浸漬したSiウェハ上のルテニウムが全て溶解したことは、四探針抵抗測定器(ロレスタ‐GP、三菱ケミカルアナリテック社製)により浸漬前および浸漬後のシート抵抗をそれぞれ測定し、膜厚に換算する事で確認した。
<実施例1~29および比較例1~6>
表1に、処理液の組成および各評価結果を示す。なお、表1におけるルテニウム量は、ルテニウム含有ガスの吸収液に含まれるルテニウムの重量を、ルテニウム付ウェハの面積で割った値である。
(ルテニウムを処理するための液、およびルテニウム含有ガスの発生抑制剤の混合液の調製)
まず、100mLのフッ素樹脂製容器に、次亜塩素酸ナトリウム(和光純薬製)および超純水を加え、HClおよびNaOH水溶液を用いてpHを調整する事で、表2に記載の組成のルテニウムを処理するための液30mLを得た。次に、100mLのフッ素樹脂製容器に、配位子および超純水を加えた後、上記と同様、表2に記載のpHに調整する事で、30mLのルテニウム含有ガスの発生抑制剤を得た。得られたルテニウムを処理するための液と、ルテニウム含有ガスの発生抑制剤を混合した混合液60mLを得た。なお、比較例7~12では、ルテニウム含有ガスの発生抑制剤の代わりに、ルテニウムを処理するための液と同じpHに調整した超純水30mLを混合した。各液中の酸化剤濃度およびpHは実施例1~29と同様の方法により評価した。
得られた混合液を用いて、実施例1~29と同様の方法に従い、RuO4ガスの定量分析を行った。なお、実施例54および55では、ルテニウムを製膜したウェハの代わりに、2.1mgの過酸化ルテニウムテトラプロピルアンモニウム、および0.4mgのRuO2粉末をそれぞれ用いた。
(ルテニウム含有廃液と、ルテニウム含有廃液の処理剤との混合液の調製)
フッ素樹脂製容器に次亜塩素酸ナトリウム(和光純薬製)、超純水を加えた後、HClあるいはNaOH水溶液を用いて表3に記載のpHに調整することで、2.0質量%の次亜塩素酸ナトリウムを含むルテニウムエッチング用の処理液を得た。得られた処理液1Lへ膜厚1360Åのルテニウムを成膜した300mmのSiウェハを25℃にてルテニウムが全て溶解するまで浸漬した後、ルテニウム含有廃液を廃液タンクに回収した。
(RuO4ガスの定量分析)
RuO4ガスの発生量は、得られた混合液を用いて、実施例1と同様の方法により測定した。
<実施例74>
実施例59と同様の方法により、4.0質量%の次亜塩素酸ナトリウムを含むルテニウムエッチング用処理液を得た。得られた処理液1Lを、膜厚2720Åのルテニウムを成膜した300mmのSiウェハ表面へ25℃にて10分間かけ流し、1Lの超純水にてリンスした後、ルテニウム含有廃液を廃液タンクに回収した。次に、実施例59と同様の方法により得られた、表3に記載のルテニウム含有廃液の処理剤2Lを廃液タンクに混合することで、6.0×10-4mol/Lのルテニウムを含む、表3に記載の、ルテニウム含有廃液とルテニウム含有廃液の処理剤との混合液を得た。RuO4ガスの定量分析については、実施例59と同様の手順で行った。
フッ素樹脂製容器に次亜塩素酸ナトリウム(和光純薬製)、超純水を加えた後、HClあるいはNaOH水溶液を用いて表4に記載のpHに調整することで、2.0質量%の次亜塩素酸ナトリウムを含むルテニウムエッチング用の処理液を得た。得られた処理液1Lへ膜厚680Åのルテニウムを成膜した300mmのSiウェハを25℃にて10分間浸漬した後、廃液タンクに回収することで、6.0×10-4mol/LのRuを含む、表4に記載のルテニウム含有廃液を得た。RuO4ガスの定量分析については、実施例59と同様の手順で行った。
実施例59と同様の方法により、4.0質量%の次亜塩素酸ナトリウムを含むルテニウムエッチング用の処理液を得た。得られた処理液1Lを、膜厚1360Åのルテニウムを成膜した300mmのSiウェハ表面へ25℃にて10分間かけ流し、1Lの超純水にてリンスした後、廃液タンクに回収することで、6.0×10-4mol/LのRuを含む表4に記載のルテニウム含有廃液を得た。RuO4ガスの定量分析については、実施例59と同様の手順で行った。
まず、実施例1と同様の手順に従い、表5に記載の各処理液を得た。得られた処理液を60℃にて保管し、5、20、40、60時間経過後の次亜塩素酸イオンおよび次亜臭素酸イオン濃度を実施例1と同様の方法により測定した。0時間(処理液製造直後)の酸化剤濃度を100%とし、各測定時間における酸化剤濃度を表5にまとめた。
Claims (6)
- ルテニウムと配位する配位子と酸化剤を含む、ルテニウムの半導体用処理液であって、
前記酸化剤が次亜臭素酸イオンであり、
該次亜臭素酸イオンの濃度が0.01~1.9質量%であり、
前記ルテニウムと配位する配位子がカルボニル基を有する化合物であり、
前記ルテニウムと配位する配位子の濃度が0.01~35質量%である、ルテニウムの半導体用処理液。 - 前記ルテニウムと配位する配位子が、下記式(1)~(4)で表される配位子からなる群から選ばれる一種以上である、請求項1に記載のルテニウムの半導体用処理液。
(R1およびR2は独立して、水酸基若しくは/およびエーテル結合を含んでもよい炭素数1~10の炭化水素基、または水酸基である。)
(R3、R5は独立して、水酸基若しくは/およびエーテル結合を含んでもよい炭素数1~10の炭化水素基、または水酸基であり、R4は水酸基若しくは/およびエーテル結合を含んでもよい炭素数1~10の炭化水素基である。)
(R6、R8、R9は独立して、水酸基若しくは/およびエーテル結合を含んでもよい炭素数1~10の炭化水素基、または水酸基であり、R7は水酸基若しくは/およびエーテル結合を含んでもよい炭素数1~10の炭化水素基である。)
(R10、R12~14は独立して、水酸基若しくは/およびエーテル結合を含んでもよい炭素数1~10の炭化水素基、または水酸基であり、R11は水酸基若しくは/およびエーテル結合を含んでもよい炭素数1~10の炭化水素基である。) - 前記カルボニル基を有する化合物が、シュウ酸、シュウ酸ジメチル、1,2,3,4,5,6-シクロヘキサンヘキサカルボン酸、コハク酸、酢酸、ブタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸、ジメチルマロン酸、グルタル酸、ジグリコール酸、クエン酸、マロン酸、1,3-アダマンタンジカルボン酸、または2,2-ビス(ヒドロキシメチル)プロピオン酸である、請求項2または3に記載のルテニウムの半導体用処理液。
- 前記次亜臭素酸イオンの濃度が0.012~1.9質量%である、請求項1~4のいずれか一項に記載のルテニウムの半導体用処理液。
- 請求項1~5のいずれか一項に記載の処理液を用いる、ルテニウム含有ウェハを処理する方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023102260A JP2023126825A (ja) | 2020-02-25 | 2023-06-22 | ルテニウムの半導体用処理液 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020029907 | 2020-02-25 | ||
JP2020029907 | 2020-02-25 | ||
PCT/JP2021/006986 WO2021172397A1 (ja) | 2020-02-25 | 2021-02-25 | ルテニウムの半導体用処理液 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023102260A Division JP2023126825A (ja) | 2020-02-25 | 2023-06-22 | ルテニウムの半導体用処理液 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2021172397A1 JPWO2021172397A1 (ja) | 2021-09-02 |
JPWO2021172397A5 JPWO2021172397A5 (ja) | 2022-07-12 |
JP7496410B2 true JP7496410B2 (ja) | 2024-06-06 |
Family
ID=77491848
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022503672A Active JP7496410B2 (ja) | 2020-02-25 | 2021-02-25 | ルテニウムの半導体用処理液 |
JP2023102260A Pending JP2023126825A (ja) | 2020-02-25 | 2023-06-22 | ルテニウムの半導体用処理液 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023102260A Pending JP2023126825A (ja) | 2020-02-25 | 2023-06-22 | ルテニウムの半導体用処理液 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230207329A1 (ja) |
JP (2) | JP7496410B2 (ja) |
KR (1) | KR102582791B1 (ja) |
CN (1) | CN115152005A (ja) |
TW (1) | TW202200843A (ja) |
WO (1) | WO2021172397A1 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011074601A1 (ja) | 2009-12-17 | 2011-06-23 | 昭和電工株式会社 | ルテニウム系金属のエッチング用組成物およびその調製方法 |
WO2019150990A1 (ja) | 2018-02-05 | 2019-08-08 | 富士フイルム株式会社 | 薬液、薬液の製造方法、基板の処理方法 |
JP2019218436A (ja) | 2018-06-15 | 2019-12-26 | 株式会社トクヤマ | 4級アルキルアンモニウムイオン、亜塩素酸イオン、及び次亜塩素酸イオンを含む酸化性組成物 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59230197A (ja) * | 1983-06-14 | 1984-12-24 | 三菱重工業株式会社 | 放射性廃液の処理方法 |
JP3113033B2 (ja) * | 1992-02-05 | 2000-11-27 | 株式会社日立製作所 | 放射性溶液中のルテニウム及びテクネチウムの分離方法並びにそれを用いた使用済核燃料再処理プロセス |
JP3637670B2 (ja) * | 1996-02-28 | 2005-04-13 | 三菱化学株式会社 | ルテニウム錯体の回収方法 |
JP3619745B2 (ja) * | 1999-12-20 | 2005-02-16 | 株式会社日立製作所 | 固体表面の処理方法及び処理液並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法 |
JP3585437B2 (ja) | 2000-11-22 | 2004-11-04 | 株式会社荏原製作所 | ルテニウム膜のエッチング方法 |
CA2555665C (en) * | 2004-02-11 | 2012-10-02 | Mallinckrodt Baker Inc. | Microelectronic cleaning composition containing halogen oxygen acids, salts and derivatives thereof |
JP2007302938A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Mitsubishi Chemicals Corp | 金属の分離方法 |
US8008202B2 (en) | 2007-08-01 | 2011-08-30 | Cabot Microelectronics Corporation | Ruthenium CMP compositions and methods |
JP2009081247A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Panasonic Corp | ルテニウム膜のエッチング方法 |
EP2602815A1 (en) * | 2010-08-05 | 2013-06-12 | Showa Denko K.K. | Composition for removal of nickel-platinum alloy metal |
WO2016068183A1 (ja) | 2014-10-31 | 2016-05-06 | 富士フイルム株式会社 | ルテニウム除去組成物、及び、磁気抵抗メモリの製造方法 |
EP3726565A4 (en) * | 2018-01-16 | 2021-10-13 | Tokuyama Corporation | SEMICONDUCTOR SLICE TREATMENT LIQUID, CONTAINING HYPOCHLORITE IONS |
JP6982686B2 (ja) * | 2018-05-23 | 2021-12-17 | 株式会社トクヤマ | 次亜塩素酸第4級アルキルアンモニウム溶液の製造方法および半導体ウエハの処理方法 |
-
2021
- 2021-02-25 CN CN202180016821.2A patent/CN115152005A/zh active Pending
- 2021-02-25 US US17/801,964 patent/US20230207329A1/en active Pending
- 2021-02-25 KR KR1020227030598A patent/KR102582791B1/ko active IP Right Grant
- 2021-02-25 JP JP2022503672A patent/JP7496410B2/ja active Active
- 2021-02-25 WO PCT/JP2021/006986 patent/WO2021172397A1/ja active Application Filing
- 2021-02-25 TW TW110106725A patent/TW202200843A/zh unknown
-
2023
- 2023-06-22 JP JP2023102260A patent/JP2023126825A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011074601A1 (ja) | 2009-12-17 | 2011-06-23 | 昭和電工株式会社 | ルテニウム系金属のエッチング用組成物およびその調製方法 |
WO2019150990A1 (ja) | 2018-02-05 | 2019-08-08 | 富士フイルム株式会社 | 薬液、薬液の製造方法、基板の処理方法 |
JP2019218436A (ja) | 2018-06-15 | 2019-12-26 | 株式会社トクヤマ | 4級アルキルアンモニウムイオン、亜塩素酸イオン、及び次亜塩素酸イオンを含む酸化性組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220130811A (ko) | 2022-09-27 |
JP2023126825A (ja) | 2023-09-12 |
US20230207329A1 (en) | 2023-06-29 |
TW202200843A (zh) | 2022-01-01 |
WO2021172397A1 (ja) | 2021-09-02 |
JPWO2021172397A1 (ja) | 2021-09-02 |
CN115152005A (zh) | 2022-10-04 |
KR102582791B1 (ko) | 2023-09-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI512142B (zh) | An etching method for etching a copper-containing and titanium-containing multilayer film, a method of manufacturing a multi-layer film wiring of copper and titanium by the etching method of the copper-containing and titanium-containing multilayer film of the liquid composition And a substrate made by the method for manufacturing the multilayer wiring | |
JP7477466B2 (ja) | オニウム塩を含む半導体ウェハの処理液 | |
JP6874231B1 (ja) | RuO4ガスの発生抑制剤及びRuO4ガスの発生抑制方法 | |
JPWO2011074601A1 (ja) | ルテニウム系金属のエッチング用組成物およびその調製方法 | |
EP4023791B1 (en) | Semiconductor treatment liquid for ruthenium and method for producing same | |
JP7496410B2 (ja) | ルテニウムの半導体用処理液 | |
TWI839661B (zh) | 釕處理液以及將該釕處理液使用於半導體製造步驟中處理釕之步驟之用途 | |
JP7342288B2 (ja) | 遷移金属の半導体の処理方法、および遷移金属酸化物の還元剤含有処理液 | |
KR20130062928A (ko) | 기판의 처리를 위한 방법 및 상기 방법을 위한 처리 조성물 | |
JP7081010B2 (ja) | オニウム塩を含む半導体ウェハの処理液 | |
JP3503326B2 (ja) | 半導体表面処理溶液 | |
US10508344B1 (en) | Stabilized alkaline hydrogen peroxide formulations | |
JP2022025039A (ja) | ルテニウム含有液からのルテニウム含有ガスの発生抑制方法 | |
KR20230104741A (ko) | 천이 금속의 반도체의 처리 방법, 및 천이 금속 산화물의 환원제 함유 처리액 | |
US20240055272A1 (en) | Method for processing semiconductor containing transition metal, method for producing semiconductor containing transition metal, and processing liquid for semiconductors | |
JP2003297791A (ja) | 半導体基板の処理液およびこれを用いる処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A529 | Written submission of copy of amendment under article 34 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A5211 Effective date: 20220513 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220513 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20220513 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220809 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220928 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230307 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230322 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230622 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20230630 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20230804 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240527 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7496410 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |