JPWO2021144648A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 第１導電体と、
   前記第１導電体上方の第２導電体と、
   前記第２導電体上方の第３導電体と、
   前記第３導電体上方の第４導電体と、
   前記第４導電体上方の第５導電体と、
   前記第５導電体上方の第６導電体と、
   第７導電体と、
   第１絶縁体と、
   第２絶縁体と、
   第１半導体と、
   第２半導体と、
   を有し、
   少なくとも前記第３導電体および前記第４導電体は、それぞれが開口を有し、
   前記開口それぞれにおいて、内側側面から順に前記第１絶縁体、前記第１半導体、前記第２絶縁体、および前記第２半導体が設けられ、
   前記第３導電体と前記第２絶縁体の間の領域において、前記第１半導体と前記第２絶縁体の間に前記第７導電体が設けられ、
   前記第１半導体は、前記第２導電体の上面、および前記第５導電体の側面と接し、
   前記第２半導体は、前記第１導電体の上面、および前記第６導電体の側面と接する記憶装置。
2. 前記第３導電体が有する前記開口の内側において、前記第１絶縁体、前記第１半導体、前記第７導電体、前記第２絶縁体、および前記第２半導体がそれぞれ同心円状の層として設けられる、
   請求項１に記載の記憶装置。
3. 前記第４導電体が有する前記開口の内側において、前記第１絶縁体、前記第１半導体、前記第２絶縁体、および前記第２半導体がそれぞれ同心円状の層として設けられる、
   請求項１または請求項２に記載の記憶装置。
4. 前記第１半導体が第１の酸化物半導体である、
   請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の記憶装置。
5. 前記第１の酸化物半導体は、インジウム、元素Ｍ（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、およびチタンから選ばれた一、または複数）、および亜鉛を含む請求項４に記載の記憶装置。
6. 前記第２半導体が第２の酸化物半導体である、
   請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の記憶装置。
7. 前記第１の酸化物半導体は、インジウム、元素Ｍ（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、およびチタンから選ばれた一、または複数）、および亜鉛を含む請求項６に記載の記憶装置。
8. 前記開口は、前記第２導電体、および前記第５導電体にも設けられ、
   前記第２導電体と、前記第２半導体の間に、前記第２絶縁体が設けられ、
   前記第５導電体と、前記第２半導体の間に、前記第２絶縁体が設けられる、
   請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の記憶装置。
9. 第１導電体を形成し、
   前記第１導電体上方に第２導電体を形成し、
   前記第２導電体と電気的に接続する第１半導体を形成し、
   前記第１半導体、および前記第２導電体に開口を形成し、
   前記開口内において、前記第１半導体の側面、および前記第２導電体の側面を覆う絶縁体を形成し、
   前記第１導電体と電気的に接続する第２半導体を形成する工程を有し、
   前記第１半導体と前記第２半導体の間に前記絶縁体が設けられ、
   前記第２導電体と前記第２半導体の間に前記絶縁体が設けられる、記憶装置の作製方法。
10. 前記第１半導体が第１の酸化物半導体である、
    請求項９に記載の記憶装置の作製方法。
11. 前記第１の酸化物半導体は、インジウム、元素Ｍ（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、およびチタンから選ばれた一、または複数）、および亜鉛を含む請求項１０に記載の記憶装置の作製方法。
12. 前記第２半導体が第２の酸化物半導体である、
    請求項９乃至請求項１１のいずれか１項に記載の記憶装置の作製方法。
13. 前記第２の酸化物半導体は、インジウム、元素Ｍ（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、およびチタンから選ばれた一、または複数）、および亜鉛を含む請求項１２に記載の記憶装置の作製方法。