TW201521255A - 有機電激發光二極體儲存電容結構及其製備方法 - Google Patents

Abstract

本發明公開了一種有機電激發光二極體儲存電容結構及其製備方法，包括在玻璃基板上依次設置的多晶矽層、第一絕緣層、第一金屬層、第二絕緣層、第二金屬層以及第三絕緣層，第一金屬層與第二金屬層相互平行形成第一電容。在第三絕緣層上設有第三金屬層，第三金屬層與第二金屬層相互平行形成第二電容，第二絕緣層與第三絕緣層對應第一金屬層與第三金屬層位置形成有接觸洞，第二金屬層形成有用於避開接觸洞的避讓區域，第三金屬層與第一金屬層通過接觸洞接觸導通，從而形成第一電容與第二電容的並聯連接。透過在第一電容上增加一第三金屬層，使其與第二金屬層構成第二電容，通過接觸洞使得第二電容與第一電容並聯，即減小電容面積，還可維持電容容量。

Description

有機電激發光二極體儲存電容結構及其製備方法

本發明涉及一種AMOLED背板圖元佈局工藝，尤其涉及一種有機電激發光二極體儲存電容結構及其製備方法。

目前AMOLED背板圖元(pixel)佈局佔用面積最大的就是儲存電容，如第1圖和第2圖所示，儲存電容由上下兩層平行金屬層21和22構成，金屬層面積越大電容值越大，儲存能力越強，若可以減小儲存電容的面積，則可大大縮小圖元面板的面積，從而達到高密度圖元內插(Pixel Per Inch，簡稱PPI)需求。但若儲存電容面積減小，電容的容值就會跟著減小，影響圖元電路驅動能力。隨著AMOLED產品解析度增加，同時畫面品質需求提升，圖元尺寸越來越小，圖元電路越來越複雜。如何在儲存電容平面面積減小的情況下，又可以維持電容容量，保持電性需求，是一個關鍵的技術研究方向。

本發明所要解決的技術問題是提供一種可以在維持電容容量不變的情況下，減小電容平面佈局面積，達到提高圖元品質的有機電激發光二極體儲存電容結構。

為實現上述技術效果，本發明公開了一種有機電激發光二極 體儲存電容結構，包括在玻璃基板上依次設置的一多晶矽層、一第一絕緣層、一第一金屬層、一第二絕緣層、一第二金屬層以及一第三絕緣層，該第一金屬層與該第二金屬層相互平行形成一第一電容，其中：在該第三絕緣層上設有一第三金屬層，該第三金屬層與該第二金屬層相互平行形成一第二電容，該第二絕緣層與該第三絕緣層對應該第一金屬層與該第三金屬層位置形成有接觸洞，該第二金屬層形成有用於避開該接觸洞的避讓區域，該第三金屬層與該第一金屬層通過該接觸洞接觸導通，從而形成該第一電容與該第二電容的並聯連接。

本發明由於採用了以上技術方案，使其具有以下有益效果 是：透過在立體空間上在第一金屬層與第二金屬層構成的第一電容上增加一層第三金屬層，並使得其與第二金屬層構成一第二電容，再通過接觸洞使得第一金屬層與第三金屬層接觸導通，使得第二電容與第一電容構成兩個相互並聯的電容結構，這樣就可以在減小存儲電容平面面積的情況下，維持電容容量，不影響圖元電路驅動能力。

本發明進一步的改進在於，該避讓區域的面積大於該接觸洞 的面積，且該第三絕緣層的材料沉積填充於該避讓區域與接觸洞之間。在製作第二金屬層時，需要避開接觸洞對應的位置，並且避讓範圍要比接觸洞大，這樣第三絕緣層順勢沉積下來，接觸洞蝕刻完成後，在第二金屬層的側壁仍可以保留一定的第三絕緣層材料，避免沉積第三金屬層時流進接觸洞內與側面第二金屬層接觸。

本發明還公開了一種有機電激發光二極體儲存電容結構的 製備方法，依次在玻璃基板上製作一多晶矽層、一第一絕緣層、一第一金屬層、一第二絕緣層、一第二金屬層以及一第三絕緣層，使得該第一金屬層與該第二金屬層相互平行形成一第一電容，其中：在製作該第二金屬層時形成一避讓區域，於該第二金屬層上製作該第三絕緣層，並且該第三絕緣層的材料順勢沉積於該避讓區域；於該第二絕緣層與該第三絕緣層對應該第一金屬層和避讓區域位置形成接觸洞；於該第三絕緣層上製作一第三金屬層，使得該第三金屬層與該第二金屬層相互平行形成一第二電容，並且通過該接觸洞使得該第三金屬層與該第一金屬層接觸導通，從而形成該第一電容與該第二電容的並聯連接。

《習知技術》

21‧‧‧金屬層

22‧‧‧金屬層

《本發明》

11‧‧‧玻璃基板

12‧‧‧多晶矽層

13‧‧‧第一絕緣層

14‧‧‧第一金屬層

15‧‧‧第二絕緣層

16‧‧‧第二金屬層

17‧‧‧第三絕緣層

18‧‧‧第三金屬層

19‧‧‧接觸洞

190‧‧‧避讓區域

C1‧‧‧第一電容

C2‧‧‧第二電容

第1圖 是現有的儲存電容結構的示意圖。

第2圖 是第1圖的局部剖面圖。

第3圖 是本發明有機電激發光二極體儲存電容結構的示意圖。

第4圖 是第3圖的局部剖面圖。

第5圖 是本發明有機電激發光二極體儲存電容結構的局部電路示意圖。

為使貴審查委員對本發明之目的、特徵及功效能夠有更進一步之瞭解與認識，以下茲請配合【圖式簡單說明】詳述如后： 本發明公開了一種有機電激發光二極體儲存電容結構，參閱第3圖~第5圖所示，包括在玻璃基板11上依次設置有一多晶矽層12、一第一絕緣層13、一第一金屬層14、一第二絕緣層15、一第二金屬層16以及一第三絕緣層17，第一金屬層14與第二金屬層16相互平行形成一第一電容C1。

在第三絕緣層17上設有一第三金屬層18，第三金屬層18與第二金屬層16相互平行形成一第二電容C2。第二絕緣層15與第三絕緣層17對應第一金屬層14與第三金屬層18位置形成有接觸洞19，第二金屬層16形成有用於避開接觸洞19的避讓區域190，避讓區域190的面積大於接觸洞19的面積，且第三絕緣層17的材料沉積填充於避讓區域190與接觸洞19之間，接觸洞19蝕刻完成後，在第二金屬層16的側壁仍可以保留一定的第三絕緣層17材料，避免沉積第三金屬層18時流進接觸洞19內與側面第二金屬層16接觸，第三金屬層18通過接觸洞19直接與第一金屬層14接觸導通，從而形成第一電容C1與第二電容C2的並聯連接。

本發明的有機電激發光二極體儲存電容結構的製備方法主要包括：在玻璃基板11上蒸鍍製作多晶矽層12，在多晶矽層12上沉積第一絕緣層13，在第一絕緣層13上沉積第一金屬層14並進行蝕刻，在第一金屬層14上再沉積第二絕緣層15，並且在第二絕緣層15再沉積第二金屬層16進行蝕刻，第一金屬層14與第二金屬層16相互平行形成第一電容C1，在沉積第二金屬層16時在第二金屬層16蝕刻形成避讓區域190，於第二金屬層16上沉積第三絕緣層17，並且使得第三絕緣層17的材料順勢沉積於避讓區域190內緣，在第二金屬層16的側壁仍可以保留一定的第三絕緣層17材料。

然後於第二絕緣層15與第三絕緣層17對應第一金屬層14和 避讓區域190位置形成接觸洞19；於第三絕緣層17上沉積一第三金屬層18並進行蝕刻，使得第三金屬層18與第二金屬層16相互平行形成一第二電容C2，並且通過接觸洞19使得第三金屬層18與第一金屬層14接觸導通，從而形成第一電容C1與第二電容C2的並聯連接。

本發明的有機電激發光二極體儲存電容結構通過在立體空 間上在第一金屬層14與第二金屬層16構成的第一電容C1上增加一層第三金屬層18，並使得其與第二金屬層16構成一第二電容C2，再通過接觸洞19將第一金屬層14與第三金屬層18接觸導通，使得第二電容C2與第一電容C1構成兩個相互並聯的電容結構，這樣就可以在減小存儲電容平面面積的情況下，維持電容容量，不影響圖元電路驅動能力。

以上結合附圖實施例對本發明進行了詳細說明，本領域中具有通常知識者可根據上述說明對本發明做出種種變化例。因而，實施例中的某些細節不應構成對本發明的限定，本發明將以所附申請專利範圍界定的範圍作為本發明的保護範圍。

11‧‧‧玻璃基板

12‧‧‧多晶矽層

13‧‧‧第一絕緣層

14‧‧‧第一金屬層

15‧‧‧第二絕緣層

16‧‧‧第二金屬層

17‧‧‧第三絕緣層

18‧‧‧第三金屬層

19‧‧‧接觸洞

190‧‧‧避讓區域

Claims (3)

1. 一種有機電激發光二極體儲存電容結構，包括在玻璃基板上依次設置的一多晶矽層、一第一絕緣層、一第一金屬層、一第二絕緣層、一第二金屬層以及一第三絕緣層，該第一金屬層與該第二金屬層相互平行形成一第一電容，其特徵在於：在該第三絕緣層上設有一第三金屬層，該第三金屬層與該第二金屬層相互平行形成一第二電容，該第二絕緣層與該第三絕緣層對應該第一金屬層與該第三金屬層位置形成有接觸洞，該第二金屬層形成有用於避開該接觸洞的避讓區域，該第三金屬層與該第一金屬層通過該接觸洞接觸導通，從而形成該第一電容與該第二電容的並聯連接。
2. 如申請專利範圍第1項所述的儲存電容結構，其特徵在於：該避讓區域的面積大於該接觸洞的面積，且該第三絕緣層的材料沉積填充於該避讓區域與接觸洞之間。
3. 一種有機電激發光二極體儲存電容結構的製備方法，依次在玻璃基板上製作一多晶矽層、一第一絕緣層、一第一金屬層、一第二絕緣層、一第二金屬層以及一第三絕緣層，使得該第一金屬層與該第二金屬層相互平行形成一第一電容，其特徵在於：在製作該第二金屬層時形成一避讓區域，於該第二金屬層上製作該第三絕緣層，並且該第三絕緣層的材料順勢沉積於該避讓區域；於該第二絕緣層與該第三絕緣層對應該第一金屬層和避讓區域位置形成接觸洞；於該第三絕緣層上製作一第三金屬層，使得該第三金屬層與該第二金屬層相互平行形成一第二電容，並且通過該接觸洞使得該第三金 屬層與該第一金屬層接觸導通，從而形成該第一電容與該第二電容的並聯連接。