JP3195570U - 薄膜トランジスタ基板 - Google Patents

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Abstract

【課題】画素の蓄積容量及び絶縁層の接触面積を同時に増加させる薄膜トランジスタ基板を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタ基板は基板１１及び基板に設置される複数の薄膜トランジスタユニットを備え、且つ複数の薄膜トランジスタユニットは、基板に設置されると共にポリシリコン（polysilicon）で製造される活性層１０３、活性層に設置される絶縁層１０４、１０５、及び絶縁層に設置されるソース極及びドレイン極をそれぞれ含む。絶縁層は第一領域及び第二領域からなり、第一領域は活性層に対応させ、第二領域は活性層以外の領域に対応させ、且つ第一領域の粗面度は第二領域の粗面度より大きい。【選択図】図４

Description

本考案は、薄膜トランジスタ基板に関し、より詳しくは、画素の蓄積容量及び絶縁層の接触面積を増加させる薄膜トランジスタ基板に関する。
ディスプレイ技術は不断の進歩を続けており、ディスプレイ装置は小型化、薄型化、軽量化等を目指して発展し続けている。現在市場で主流のディスプレイ装置はＣＲＴディスプレイから液晶ディスプレイ装置や有機ＥＬディスプレイ装置等のフラットパネルディスプレイに進化している。なかでも、液晶ディスプレイ装置や有機ＥＬディスプレイ装置は応用可能な分野が相当に広く、日常生活で使用される携帯電話、ノートパソコン、ビデオカメラ、カメラ、音楽プレーヤー、ＧＰＳ装置、テレビ等のディスプレイ装置に応用されている。これらの大部分は前記フラットパネルディスプレイを使用している。
しかしながら、液晶ディスプレイ装置や有機ＥＬディスプレイ装置は既にポピュラーなディスプレイ装置となっており、特に液晶ディスプレイ装置の技術はかなり成熟しているが、但しディスプレイ装置の不断の発展及び消費者のディスプレイ装置の表示品質に対する要求の高まりに従い、各メーカーではより高い表示品質を有するディスプレイ装置の開発を続けている。薄膜トランジスタ基板の構造は、表示品質に影響を及ぼす要因の一つである。
従って、現在液晶ディスプレイ装置や有機ＥＬディスプレイ装置は既にポピュラーなディスプレイ装置ではあるが、しかし薄膜トランジスタ基板については、改良を加えて更に好ましい表示品質を有するディスプレイ装置を開発し、消費者の需要に応える必要がある。
そこで、本考案者は上記の欠点が改善可能と考え、鋭意検討を重ねた結果、合理的設計で上記の課題を効果的に改善する本考案の薄膜トランジスタ基板の提案に到った。
本考案は、このような従来の問題に鑑みてなされたものである。上記課題解決のため、本考案は、薄膜トランジスタ基板を提供することを主目的とする。すなわち、画素の蓄積容量及び絶縁層の接触面積を同時に増加させる目的を達成させる。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本考案に係る薄膜トランジスタ基板は、基板と、前記基板に設置される複数の薄膜トランジスタユニットを備え、前記複数の薄膜トランジスタユニットは、前記基板に設置され、ポリシリコンで製造される活性層と、前記活性層に設置される絶縁層と、前記絶縁層に設置されるソース極及びドレイン極をそれぞれ含み、ここでは、前記絶縁層は第一領域及び第二領域からなり、且つ前記第一領域は前記活性層に対応させ、前記第二領域は前記活性層以外の領域に対応させ、且つ前記第一領域の粗面度は前記第二領域の粗面度より大きいことを特徴とする。
本考案に係る薄膜トランジスタ基板において、これら前記薄膜トランジスタユニットは更に前記絶縁層に設置される金属層をそれぞれ備え、且つ前記金属層は複数の第一凸部を有する。
本考案に係る薄膜トランジスタ基板において、前記金属層は第一厚さを有し、これら前記第一凸部から前記金属層の均一表面の高さまでの距離と前記第一厚さとの比は１０％〜３０％である。
本考案に係る薄膜トランジスタ基板において、前記絶縁層は複数の第二凸部を有する。
本考案に係る薄膜トランジスタ基板において、前記絶縁層は第二厚さを有し、これら前記第二凸部から前記絶縁層の均一表面の高さまでの距離と前記第二厚さとの比は３０％〜７０％である。
本考案に係る薄膜トランジスタ基板において、前記絶縁層は複数の第二凸部を有し、且つこれら前記第一凸部の少なくとも一部分はこれら前記第二凸部に対応させる。
本考案に係る薄膜トランジスタ基板において、前記活性層は側辺を有し、前記絶縁層の前記側辺に対応させる箇所の曲率は前記側辺の曲率より小さい。
また、本考案の他の薄膜トランジスタ基板は、基板と、
前記基板に設置される複数の薄膜トランジスタユニットを備え、且つ前記複数の薄膜トランジスタユニットは、前記基板に設置され、ポリシリコンで製造される活性層、前記活性層に設置される絶縁層、及び前記絶縁層に設置されるソース極及びドレイン極をそれぞれ含み、ここでは、前記絶縁層は複数の第二凸部を有することを特徴とする。
本考案に係る薄膜トランジスタ基板において、前記絶縁層は第二厚さを有し、これら前記第二凸部から前記絶縁層の均一表面の高さまでの距離と前記第二厚さとの比は３０％〜７０％である。
本考案に係る薄膜トランジスタ基板において、これら前記薄膜トランジスタユニットは更に前記絶縁層に設置される金属層をそれぞれ備え、且つ前記金属層は複数の第一凸部を有する。
本考案に係る薄膜トランジスタ基板において、前記金属層は第一厚さを有し、これら前記第一凸部から前記金属層の均一表面の高さまでの距離と前記第一厚さとの比は１０％〜３０％である。
本考案に係る薄膜トランジスタ基板において、前記金属層のこれら前記第一凸部の少なくとも一部分は前記絶縁層のこれら前記第二凸部に対応させる。
本考案に係る薄膜トランジスタ基板において、前記絶縁層は第一領域及び第二領域を備え、且つ前記第一領域は前記活性層に対応させ、前記第二領域は前記活性層以外の領域に対応させ、前記第一領域の粗面度は前記第二領域の粗面度より大きい。
本考案に係る薄膜トランジスタ基板において、前記活性層は側辺を有し、前記絶縁層の前記側辺に対応させる箇所の曲率は前記側辺の曲率より小さい。
本考案に係る薄膜トランジスタ基板において、絶縁層の表面は第二凸部を有する凹凸の起伏形状に設計されており、他の層が絶縁層に接触する接触面積が増加され、絶縁層と他の層との接着力を強化し、両者が剥離する現象を減少させる。また、本考案に係る前述の薄膜トランジスタ基板の、絶縁層の金属層は第一凸部を有する凹凸の起伏形状に設計されており、金属層の面積を増加させることで金属層は高い容量値を有し、画素の蓄積容量を増加させる。
本考案の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイ装置をする断面図である。 本考案の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイ装置の回路配置の概略図である。 本考案の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイ装置の薄膜トランジスタ基板を示す断面の概略図である。 本考案の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイ装置の薄膜トランジスタ基板の一部を示す断面の概略図である。 本考案の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイ装置の薄膜トランジスタ基板の一部を示す断面の概略図である。
本考案における好適な実施の形態について、添付図面を参照して説明する。尚、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本考案の内容を限定するものではない。また、以下に説明される構成の全てが、本考案の必須要件であるとは限らない。
（第１実施形態）
まず、本考案に係る薄膜トランジスタ基板を図１乃至図５を参照しながら説明する。図１は本考案の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイ装置の断面図である。有機ＥＬディスプレイ装置の製造工程では、先ず第一基板１１及び第二基板１２を提供する。第一基板１１には有機発光ダイオードユニット１５及び画素限定層１６が設置され、各画素限定層１６は２つの隣接する有機発光ダイオードユニット１５の間に設置される。また、第二基板１２には複数の支持部材１４が設置されると共に先に第二基板１２の辺縁にはシール材１３が形成され(本実施形態ではシール材)、且つシール材１３は接着及び加熱焼結工程により第二基板１２に接合される。次に、第一基板１１及び第二基板１２を対にし、第二基板１２の支持部材１４は画素限定層１６の画素が未形成の開口部１６１の領域に対応させる。その後、レーザー加熱方式によりシール材１３を第一基板１１に接合させ、本実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ装置を製造する。
この好ましい実施形態では、第一基板１１及び第二基板１２は共にガラス基板である。また、本実施形態に係る有機ＥＬフラットパネルディスプレイは、表示領域Ａ及び非表示領域Ｂを含み、所謂非表示領域Ｂは配線が分布される領域である。さらに、本実施形態において、各有機発光ダイオードユニット１５は赤色光、緑色光、及び青色光をそれぞれ発光させるが、但し他の実施形態ではこの限りではない。例えば、有機発光ダイオードユニット１５は白色光の有機発光ダイオードユニットであり、この場合、第一基板１１或いは第二基板１２の内の何れか一側にはカラーフィルター部材の設置が必須である(図示せず)。
図２は本考案の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイ装置の画素ユニットの回路配置の概略図である。なお、図２に示すように、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ装置において、各画素ユニットは、走査線、データ線、容量線、電源供給線、スイッチ薄膜トランジスタユニット(図２に示す駆動ＴＦＴ参照)、駆動薄膜トランジスタユニット(図２に示す駆動ＴＦＴ参照)、蓄積容量、及び第一電極並びに第二電極極にそれぞれ接続される有機ＥＬ部材をそれぞれ備える(図２に示すＯＬＥＤ参照)。
図３は本考案の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイ装置の薄膜トランジスタ基板を示す断面の概略図である。図１及び図３によれば、本実施形態の薄膜トランジスタ基板は、第一基板１１及び第一基板１１に対応するように設置される第二基板１２を備える。さらに、本考案の実施形態では、薄膜トランジスタ基板の薄膜トランジスタ部材は低温ポリシリコン薄膜トランジスタである。図３に示すように、すなわち、図１の表示領域Ａに、先ず第一基板１１を提供し、その上方には順にバッファー層１０１が設置され、バッファー層１０１には活性層１０３が更に形成され、アモルファスシリコンのレーザーアニール（anneal）後にポリシリコン層が形成される。次に、第一基板１１に第一絶縁層１０４、第二絶縁層１０５、第一金属層１１１、第三絶縁層１１２、及び第四絶縁層１１４が順に形成される。ここでは、薄膜トランジスタ素子区ＴＦＴ１及び薄膜トランジスタ素子区ＴＦＴ２に位置される第一金属層１１１はゲートとなる。第一絶縁層１０４及び第二絶縁層１０５はそれぞれゲート絶縁層となり、材料は本技術分野で常用される酸化ケイ素や窒化ケイ素等の絶縁層材料である。同様に、第三絶縁層１１２及び第四絶縁層１１４には前述の本技術分野で常用される絶縁層材料が使用される。その後、第四絶縁層１１４に第二金属層１１６が形成される。なお、薄膜トランジスタ素子区ＴＦＴ１及び薄膜トランジスタ素子区ＴＦＴ２に位置される第二金属層１１６は第三絶縁層１１２及び第四絶縁層１１４を更に貫通させ、且つ第一絶縁層１０４及び第二絶縁層１０を選択的に貫通させ、ソース極及びドレイン極となり、活性層１０３に電気的に接続される。これにより、本実施形態による薄膜トランジスタ基板が完成する。このほかに、本実施形態では、薄膜トランジスタ基板は２つの薄膜トランジスタ素子区ＴＦＴ１及び薄膜トランジスタ素子区ＴＦＴ２を備え、薄膜トランジスタ素子区ＴＦＴ１は図２のスイッチＴＦＴに対応させ、薄膜トランジスタ素子区ＴＦＴ２は図２の駆動ＴＦＴに対応させる。また、本実施形態によると、薄膜トランジスタ素子区ＴＦＴ１及び薄膜トランジスタ素子区ＴＦＴ２のほかに、更に容量区Ｃも同時に形成され、図２の蓄積容量に対応させる。
図１及び図３によれば、薄膜トランジスタ基板が完成した後、保護層１１５、平坦層１１７、第一電極１５１、及び画素限定層１６が順に形成される。第一電極１５１は平坦層１１７に設置される以外、平坦層１１７の平坦層開口部１１７ａ及び保護層１１５の保護層開口部１１５ａに更に設置されると共に第二金属層１１６に電気的に接続される。また、画素限定層１６には画素開口部１６１が更に設けられる。その後、画素限定層１６、第一電極１５１、及び画素開口部１６１に有機発光層１５２及び第二電極１５３が順に重層され、本実施形態による有機発光ダイオードユニット１５が完成する。これにより、図１乃至図３に示すように、本実施形態の有機發光ユニット１５は順に重層される第一電極１５１、有機発光層１５２、及び第二電極１５３を含み、且つ第一電極１５１は第二金属層１１６に電気的に接続される。このほか、画素限定層１６は第一電極１５１と有機発光層１５２との間に設けられ、且つ画素限定層１６の画素開口部１６１により光射出領域が定義される。
ここでは、第一金属層１１１及び第二金属層１１６は回路として用いられる。例えば、図３に示すように、第一金属層１１１はスイッチ薄膜トランジスタ部材のゲートである。第二金属層１１６はスイッチ薄膜トランジスタ部材のソース極及びドレイン極である。そして、第一金属層１１１に形成されるゲート及び走査線(図示せず)は互いに電気的に接続され、第二金属層１１６に形成されるソース極、ドレイン極、及びデータ線(図示せず)は互いに電気的に接続される。このほか、本実施形態では、第一金属層１１１及び第二金属層１１６の材料には本技術分野で常用される導電材料が使用され、例えば金属、合金、金属酸化物、窒化酸化金属化合物、或いは他の本技術分野で常用される電極材料が使用される。好ましくは金属材料である。また、本実施形態では、第一金属層１１１はモリブデンであり、第二金属層１１６は第一基板１１からＴｉ層、Ａｌ層、及びＴｉ層が順に重層される複合金属層である。このほか、保護層１１５の材料は本技術分野で常用される酸化ケイ素や窒化ケイ素等の絶縁層材料である。
さらに、本実施形態では、第一電極１５１には本考案が属する技術分野の既知の反射電極材料が選択され、第二電極１５３には本考案が属する技術分野の既知の透明電極或いは半透明電極が選択される。ここでは、反射電極材料はＡｇ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｓｎ、ＡｌＮｄ、ＡＣＸ、ＡＰＣ等であり、透明電極は、ＩＴＯ電極或いはＩＺＯ電極等の透明酸化物電極(ＴＣＯ電極)である。半透明電極は、銀−マグネシウム合金薄膜電極、金薄膜電極、プラチナ薄膜電極、アルミニウム薄膜電極等の金属薄膜電極である。このほか、必要であれば、本考案に係る第二電極１５３には透明電極と半透明電極との複合電極を選択してもよく、例えば、ＴＣＯ電極及びプラチナ薄膜電極の複合電極等がある。ここでは、第一電極１５１、有機発光層１５２、及び第二電極１５３を備える有機ＥＬ部材を例として挙げているのみであり、本考案はこれらに制限されない。他の本技術分野で常用される有機ＥＬ部材は全て本考案に係る有機ＥＬフラットパネルディスプレイに応用可能であり、例えば電子輸送層、電子注入層、電子孔輸送層、電子孔注入層、及び他の電子及び電子孔を輸送させて結合させる層を備える有機ＥＬ部材も全て本考案に応用可能である。
図４及び図５は本考案の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイ装置の薄膜トランジスタ基板の一部を示す断面の概略図である。図４及び図５はそれぞれ図３の薄膜トランジスタ素子区ＴＦＴ１及び薄膜トランジスタ素子区ＴＦＴ２の部分拡大概略図である。図４及び図５に示すように、活性層１０３の形成後、第一絶縁層１０４、第二絶縁層１０５、第一金属層１１１、第三絶縁層１１２、及び第四絶縁層１１４がそれぞれ形成される工程において、本技術分野の既知の堆積法により層を形成させた後、フォトマスクのパターン化を利用して前記層にそれぞれエッチングを施し、形成される第一絶縁層１０４、第二絶縁層１０５、第一金属層１１１、第三絶縁層１１２、及び第四絶縁層１１４は凹凸の起伏をそれぞれを有する表面となる。
より詳しくは、図４及び図５に示すように、第一絶縁層１０４、第二絶縁層１０５、第三絶縁層１１２、及び第四絶縁層１１４は第一領域Ｒ１及び第二領域Ｒ２をそれぞれ備える。第一領域Ｒ１は活性層１０３に対応させ、第二領域Ｒ２は活性層１０３以外の領域に対応させ、且つ第一領域Ｒ１の粗面度は第二領域Ｒ２の粗面度より大きい。
なお、第一絶縁層１０４、第二絶縁層１０５、第三絶縁層１１２、及び第四絶縁層１１４は複数の第二凸部１０４１、第二凸部１０５１、第一凸部１１２１、及び第二凸部１１４１をそれぞれを有する（図４及び図５参照）。各第二凸部１０４１から第一絶縁層１０４の均一表面１０４ａの高さまでの距離はそれぞれ５００ｎｍ〜１５００ｎｍである。各第二凸部１０５１から第二絶縁層１０５の均一表面１０５ａの高さまでの距離はそれぞれ５００ｎｍ〜１５００ｎｍである。各第二凸部１１２１から第三絶縁層１１２の均一表面１１２ａの高さまでの距離はそれぞれ５００ｎｍ〜１５００ｎｍである。各第二凸部１１４１から第四絶縁層１１４の均一表面１１４ａの高さまでの距離はそれぞれ５００ｎｍ〜１５００ｎｍである。
さらに、第一絶縁層１０４は第二厚さＴ２を有し、第二凸部１０４１から第一絶縁層１０４の均一表面１０４ａの高さＨ２までの距離と第二厚さＴ２との比は３０％〜７０％である。第二絶縁層１０５は第二厚さＴ３を有し、第二凸部１０５１から第二絶縁層１０５の均一表面１０５ａの高さＨ３までの距離と第二厚さＴ３との比は２０％〜５０％である。第三絶縁層１１２は第二厚さＴ４を有し、第二凸部１１２１から第三絶縁層１１２の均一表面１１２ａの高さＨ４までの距離と第二厚さＴ４との比は１０％〜４０％である。第四絶縁層１１４は第二厚さＴ５を有し、第二凸部１１４１から第四絶縁層１１４の均一表面１１４ａの高さＨ５までの距離と第二厚さＴ５との比は５％〜３０％である（図４及び図５参照）。
上述したように、本実施形態による薄膜トランジスタ基板の、第一絶縁層、第二絶縁層、第三絶縁層、及び第四絶縁層の表面はそれぞれ第二凸部を有する凹凸の起伏形状に設計され、絶縁層と他の層との接触面積を増加させ、絶縁層と他の層との接着力を強化し、両者が剥離する状況の発生を減少させる。
このほかに、本実施形態に係る薄膜トランジスタ基板の、第一金属層１１１は凹凸の起伏を有する表面になる。また、第一金属層１１１は複数の第一凸部１１１１を更に有し、各第一凸部１１１１から第一金属層１１１の均一表面１１１ａの高さＨ１までの距離はそれぞれ５００ｎｍ〜１５００ｎｍである。第一金属層１１１は第一厚さＴ１を有し、第一凸部１１１１から第一金属層１１１の均一表面の高さＨ１までの距離と第一厚さＴ１との比は１０％〜３０％である（図４及び図５参照）。
前述のように、本実施形態に係る薄膜トランジスタ基板の、金属層は第一凸部を有する凹凸の起伏形状に設計され、金属層の面積を増加させ、金属層は高い容量値を有し、画素の蓄積容量を増加させる。
次は、設計上の需要によって、第一絶縁層１０４の第二凸部１０４１、第二絶縁層１０５の第二凸部１０５１、第三絶縁層１１２の第二凸部１１２１、第四絶縁層１１４の第二凸部１１４１、及び第一金属層１１１の第一凸部１１１１の間の位置を相互に対応させるか、或いは相互に対応させないように設計する（図４及び図５参照）。
続いて、活性層１０３は側辺１０３２を有し、第一絶縁層１０４の斜面１０４２、第二絶縁層１０５の斜面１０５２、第三絶縁層１１２の斜面１１２２、及び第四絶縁層１１４の斜面１１４２の内の少なくとも１つの活性層１０３の側辺１０３２に対応させる箇所の曲率は活性層１０３の側辺１０３２の曲率より小さい（図４及び図５参照）。
本考案における、所謂「均一表面」はサンプルに最適な表面であり、全てのサンプルの長さ方向の中心線から外型までの距離の偏差の平均或いは幾何平均の計算に用いられる表面を指す。
本考案の前述の実施形態で製造される薄膜トランジスタ基板は、有機ＥＬディスプレイ装置に応用される以外、液晶ディスプレイ装置にも更に応用される。また、本考案の前述実施形態で製造されるディスプレイ装置は、本技術分野で既知のあらゆる表示画面を有する電子装置に応用可能であり、ディスプレイ、携帯電話、ノートパソコン、ビデオカメラ、カメラ、音楽プレーヤー、ＧＰＳ装置、テレビ等に応用できる。
以上、本考案の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本考案の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
１１ 第一基板
１２ 第二基板
１０１ バッファー層
１０３ 活性層
１０３２ 側辺
１０４ 第一絶縁層
１０５ 第二絶縁層
１１１ 第一金属層
１１１１ 第一凸部
１１２ 第三絶縁層
１１４ 第四絶縁層
１１５ 保護層
１１５ａ 保護層開口部
１１６ 第二金属層
１１７ 平坦層
１１７ａ 平坦層開口部
１３ シール材
１４ 支持部材
１５ 有機発光ダイオードユニット
１５１ 第一電極
１５２ 有機発光層
１５３ 第二電極
１６ 画素限定層
１６１ 画素開口部
１０４１ 第二凸部
１０５１ 第二凸部
１１２１ 第一凸部
１１４１ 第二凸部
１０４ａ 均一表面
１０５ａ 均一表面
１１２ａ 均一表面
１１４ａ 均一表面
１１１ａ 均一表面
１０４２ 斜面
１０５２ 斜面
１１２２ 斜面
１１４２ 斜面
Ａ 表示領域
Ｂ 非表示領域
Ｃ 容量区
Ｒ１ 第一領域
Ｒ２ 第二領域
Ｔ１ 第一厚さ
Ｔ２ 第二厚さ
Ｔ３ 第二厚さ
Ｔ４ 第二厚さ
Ｔ５ 第二厚さ
Ｈ１ 高さ
Ｈ２ 高さ
Ｈ３ 高さ
Ｈ４ 高さ
Ｈ５ 高さ
ＴＦＴ１ 薄膜トランジスタ素子区
ＴＦＴ２ 薄膜トランジスタ素子

Claims (14)

  1. 基板と、
    前記基板に設置される複数の薄膜トランジスタユニットを備え、
    前記複数の薄膜トランジスタユニットは、
    前記基板に設置され、ポリシリコンで製造される活性層と、
    前記活性層に設置される絶縁層と、
    前記絶縁層に設置されるソース極及びドレイン極をそれぞれ含み、
    ここでは、前記絶縁層は第一領域及び第二領域からなり、且つ前記第一領域は前記活性層に対応させ、前記第二領域は前記活性層以外の領域に対応させ、且つ前記第一領域の粗面度は前記第二領域の粗面度より大きいことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
  2. これら前記薄膜トランジスタユニットは更に前記絶縁層に設置される金属層をそれぞれ備え、且つ前記金属層は複数の第一凸部を有することを特徴とする、請求項１記載の薄膜トランジスタ基板。
  3. 前記金属層は第一厚さを有し、これら前記第一凸部から前記金属層の均一表面の高さまでの距離と前記第一厚さとの比は１０％〜３０％であることを特徴とする、請求項２記載の薄膜トランジスタ基板。
  4. 前記絶縁層は複数の第二凸部を有することを特徴とする、請求項１記載の薄膜トランジスタ基板。
  5. 前記絶縁層は第二厚さを有し、これら前記第二凸部から前記絶縁層の均一表面の高さまでの距離と前記第二厚さとの比は３０％〜７０％であることを特徴とする、請求項４記載の薄膜トランジスタ基板。
  6. 前記絶縁層は複数の第二凸部を有し、且つこれら前記第一凸部の少なくとも一部分はこれら前記第二凸部に対応させることを特徴とする、請求項２記載の薄膜トランジスタ基板。
  7. 前記活性層は側辺を有し、前記絶縁層の前記側辺に対応させる箇所の曲率は前記側辺の曲率より小さいことを特徴とする、請求項１記載の薄膜トランジスタ基板。
  8. 基板と、
    前記基板に設置される複数の薄膜トランジスタユニットを備え、且つ前記複数の薄膜トランジスタユニットは、
    前記基板に設置され、ポリシリコンで製造される活性層と、
    前記活性層に設置される絶縁層と、
    前記絶縁層に設置されるソース極及びドレイン極をそれぞれ含み、
    ここでは、前記絶縁層は複数の第二凸部を有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
  9. 前記絶縁層は第二厚さを有し、これら前記第二凸部から前記絶縁層の均一表面の高さまでの距離と前記第二厚さとの比は３０％〜７０％であることを特徴とする、請求項８記載の薄膜トランジスタ基板。
  10. これら前記薄膜トランジスタユニットは更に前記絶縁層に設置される金属層をそれぞれ備え、且つ前記金属層は複数の第一凸部を有することを特徴とする、請求項８記載の薄膜トランジスタ基板。
  11. 前記金属層は第一厚さを有し、これら前記第一凸部から前記金属層の均一表面の高さまでの距離と前記第一厚さとの比は１０％〜３０％であることを特徴とする、請求項１０記載の薄膜トランジスタ基板。
  12. 前記金属層のこれら前記第一凸部の少なくとも一部分は前記絶縁層のこれら前記第二凸部に対応させることを特徴とする、請求項１０記載の薄膜トランジスタ基板。
  13. 前記絶縁層は第一領域及び第二領域を備え、且つ前記第一領域は前記活性層に対応させ、前記第二領域は前記活性層以外の領域に対応させ、前記第一領域の粗面度は前記第二領域の粗面度より大きいことを特徴とする、請求項８記載の薄膜トランジスタ基板。
  14. 前記活性層は側辺を有し、前記絶縁層の前記側辺に対応させる箇所の曲率は前記側辺の曲率より小さいことを特徴とする、請求項８記載の薄膜トランジスタ基板。
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