JPWO2021038361A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. トランジスタ、容量素子、およびプラグを有する半導体装置であって、
   前記トランジスタは、
   酸化物半導体と、
   前記酸化物半導体上の第１の導電体、および第２の導電体と、
   前記第１の導電体上の第１の絶縁体と、
   前記第２の導電体上の第２の絶縁体と、
   前記第１の絶縁体、および前記第２の絶縁体を覆い、前記第１の導電体と、前記第２の導電体の間の領域に重畳して第１の開口が形成された、第３の絶縁体と、
   前記第３の絶縁体上に配置され、前記第１の導電体と、前記第２の導電体の間の領域に重畳して第２の開口が形成された、第４の絶縁体と、
   前記酸化物半導体上、かつ、前記第１の導電体と前記第２の導電体の間の領域に配置された第５の絶縁体と、
   前記第５の絶縁体上の第３の導電体と、を有し、
   前記容量素子は、
   前記第２の導電体と、
   前記第２の導電体に達する第３の開口が形成された、前記第２の絶縁体、前記第３の絶縁体、および前記第４の絶縁体と、
   前記第３の開口の内部に配置された第６の絶縁体と、
   前記第６の絶縁体上の第４の導電体と、を有し、
   前記プラグは、前記第１の絶縁体、前記第３の絶縁体、前記第４の絶縁体、前記第１の導電体および前記酸化物半導体を貫通して配置され、
   前記プラグは、前記第１の導電体と電気的に接続され、
   前記第１の絶縁体、前記第２の絶縁体、および前記第３の絶縁体は、アモルファス構造を有する金属酸化物である、半導体装置。
2. 請求項１において、
   さらに、第７の絶縁体と、第８の絶縁体と、を有し、
   前記第７の絶縁体は、前記酸化物半導体の下に配置され、
   前記第８の絶縁体は、前記第４の絶縁体の上面、前記第３の導電体の上面、および前記第４の導電体の上面にそれぞれ接し、
   前記第７の絶縁体、および前記第８の絶縁体は、アモルファス構造を有する金属酸化物である、半導体装置。
3. 請求項２において、
   さらに、第９の絶縁体を有し、
   前記第９の絶縁体は、前記第８の絶縁体を覆い、かつ、前記第５の絶縁体と重畳しない領域において、前記第７の絶縁体の上面に接し、
   前記第９の絶縁体は、アモルファス構造を有する金属酸化物である、半導体装置。
4. 請求項３において、
   さらに、第１０の絶縁体と、第１１の絶縁体をと、を有し、
   前記第１０の絶縁体は、前記第７の絶縁体の下面に接し、
   前記第１１の絶縁体は、前記第９の絶縁体の上面に接し、
   前記第１０の絶縁体、および前記第１１の絶縁体は、窒化シリコンである、半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   さらに、第１の窒化物絶縁体と、第２の窒化物絶縁体と、を有し、
   前記第１の窒化物絶縁体は、前記第１の絶縁体と前記第３の絶縁体の間に配置され、
   前記第２の窒化物絶縁体は、前記第２の絶縁体と前記第３の絶縁体の間に配置され、
   前記第１の窒化物絶縁体、および前記第２の窒化物絶縁体は、窒化シリコンである、半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記第１の絶縁体の上面、および前記第２の絶縁体の上面は、前記第３の絶縁体に接する、半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記金属酸化物は、ＡｌＯｘ（ｘは０より大きい任意数）である、半導体装置。