JPWO2021019334A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 酸化物半導体と、
   前記酸化物半導体上の、第１の導電体、および第２の導電体と、
   前記第１の導電体の上面に接する、第１の絶縁体と、
   前記第２の導電体の上面に接する、第２の絶縁体と、
   前記第１の絶縁体および前記第２の絶縁体を覆い、前記第１の導電体と前記第２の導電体の間の領域に重畳して開口が形成された、第３の絶縁体と、
   前記第３の絶縁体の上に配置され、前記第１の導電体と前記第２の導電体の間の領域に重畳して開口が形成された、第４の絶縁体と、
   前記酸化物半導体上、かつ、前記第１の導電体と前記第２の導電体の間の領域に配置された第５の絶縁体と、
   前記第５の絶縁体上の第３の導電体と、
   前記酸化物半導体の下の、第６の絶縁体と、
   前記第４の絶縁体、および前記第３の導電体の上面に接する第７の絶縁体と、
   前記第７の絶縁体を覆い、かつ、前記第５の絶縁体と重畳しない領域において、前記第６の絶縁体の上面に接する、第８の絶縁体と、を有し、
   前記第１の絶縁体、前記第２の絶縁体、および前記第３の絶縁体は、金属酸化物であり、
   前記第６の絶縁体、および前記第７の絶縁体は金属酸化物であり、
   前記第８の絶縁体は金属酸化物である、半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第６の絶縁体の下面に接する第９の絶縁体と、
   前記第８の絶縁体の上面に接する第１０の絶縁体と、を有し、
   前記第９の絶縁体、および前記第１０の絶縁体は、窒化シリコンである、半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   誘電体と、第４の導電体と、を有し、
   前記第２の絶縁体、前記第３の絶縁体、および前記第４の絶縁体に、前記第２の導電体に達する開口が形成され、
   前記誘電体は、当該開口の中に配置され、前記第２の導電体の上面、前記第２の絶縁体の側面、前記第３の絶縁体の側面、および前記第４の絶縁体の側面に接し、
   前記第４の導電体は、当該開口の中に配置され、前記誘電体の上面に接する、半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記第１の絶縁体と前記第３の絶縁体の間に配置された第１の窒化物絶縁体と、
   前記第２の絶縁体と前記第３の絶縁体の間に配置された第２の窒化物絶縁体と、を有し、
   前記第１の窒化物絶縁体、および前記第２の窒化物絶縁体は、窒化シリコンである、半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記第１の絶縁体の上面、および前記第２の絶縁体の上面は、前記第３の絶縁体に接する、半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記金属酸化物は、ＡｌＯｘ（ｘは０より大きい任意数）である、半導体装置。