JPWO2020021383A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 第１および第２の酸化物と、第１乃至第３の絶縁体と、第１乃至第３の導電体と、第１および第２の酸化物絶縁体と、を有し、
   前記第１の導電体は、前記第１の酸化物の上に配置され、
   前記第２の導電体および前記第３の導電体は、前記第１の導電体を挟んで、前記第１の酸化物の上に配置され、
   前記第１の酸化物絶縁体は、前記第２の導電体の上に配置され、
   前記第２の酸化物絶縁体は、前記第３の導電体の上に配置され、
   前記第２の酸化物は、前記第１の酸化物絶縁体の側面、前記第２の酸化物絶縁体の側面、および前記第１の酸化物の上面に接して配置され、
   前記第１の絶縁体は、前記第１の導電体と前記第２の酸化物の間に配置され、
   前記第２の絶縁体は、前記第２の導電体と前記第１の酸化物絶縁体の間に配置され、
   前記第３の絶縁体は、前記第３の導電体と前記第２の酸化物絶縁体の間に配置され、
   前記第１の酸化物絶縁体および前記第２の酸化物絶縁体は、前記第１乃至前記第３の導電体、前記第１の絶縁体、および前記第１の酸化物と、接しない、半導体装置。
2. 第１および第２の酸化物と、第１乃至第４の絶縁体と、第１乃至第３の導電体と、第１および第２の酸化物絶縁体と、を有し、
   前記第１の導電体は、前記第１の酸化物の上に配置され、
   前記第２の導電体および前記第３の導電体は、前記第１の導電体を挟んで、前記第１の酸化物の上に配置され、
   前記第１の酸化物絶縁体は、前記第２の導電体の上に配置され、
   前記第２の酸化物絶縁体は、前記第３の導電体の上に配置され、
   前記第２の酸化物は、前記第１の酸化物絶縁体の側面、前記第２の酸化物絶縁体の側面、および前記第１の酸化物の上面に接して配置され、
   前記第１の絶縁体は、前記第１の導電体と前記第２の酸化物の間に配置され、
   前記第１の導電体は、前記第１の酸化物絶縁体と重なる領域と、前記第２の酸化物絶縁体と重なる領域と、を有し、
   前記第１の絶縁体は、前記第１の酸化物絶縁体と重なる領域と、前記第２の酸化物絶縁体と重なる領域と、を有し、
   前記第２の酸化物は、前記第１の酸化物絶縁体と重なる領域と、前記第２の酸化物絶縁体と重なる領域と、を有し、
   前記第２の絶縁体は、前記第２の導電体と前記第１の酸化物絶縁体の間に配置され、
   前記第３の絶縁体は、前記第３の導電体と前記第２の酸化物絶縁体の間に配置され、
   前記第４の絶縁体は、前記第１の酸化物絶縁体、前記第２の酸化物絶縁体、および前記第１の導電体を覆って配置され、
   前記第１の酸化物絶縁体は、前記第２の絶縁体、前記第２の酸化物、および前記第４の絶縁体によって、前記第１の導電体、前記第２の導電体、前記第１の絶縁体、および前記第１の酸化物と、離隔され、
   前記第２の酸化物絶縁体は、前記第３の絶縁体、前記第２の酸化物、および前記第４の絶縁体によって、前記第１の導電体、前記第３の導電体、前記第１の絶縁体、および前記第１の酸化物と、離隔される、半導体装置。
3. 第１および第２の酸化物と、第１乃至第４の絶縁体と、第１乃至第３の導電体と、第１および第２の酸化物絶縁体と、を有し、
   前記第１の導電体は、前記第１の酸化物の上に配置され、
   前記第２の導電体および前記第３の導電体は、前記第１の導電体を挟んで、前記第１の酸化物の上に配置され、
   前記第１の酸化物絶縁体は、前記第２の導電体の上に配置され、
   前記第２の酸化物絶縁体は、前記第３の導電体の上に配置され、
   前記第２の酸化物は、前記第１の酸化物絶縁体の側面、前記第２の酸化物絶縁体の側面、および前記第１の酸化物の上面に接して配置され、
   前記第１の絶縁体は、前記第１の導電体と前記第２の酸化物の間に配置され、
   前記第１の導電体は、前記第１の酸化物絶縁体と重なる領域と、前記第２の酸化物絶縁体と重なる領域と、を有し、
   前記第１の絶縁体は、前記第１の酸化物絶縁体と重なる領域と、前記第２の酸化物絶縁体と重なる領域と、を有し、
   前記第２の酸化物は、前記第１の酸化物絶縁体と重なる領域と、前記第２の酸化物絶縁体と重なる領域と、を有し、
   前記第４の絶縁体は、前記第２の導電体の側面と、前記第１の酸化物の側面に接して配置され、
   前記第４の絶縁体は、前記第３の導電体の側面と、前記第１の酸化物の側面に接して配置され、
   前記第４の絶縁体は、前記第１の酸化物絶縁体、前記第２の酸化物絶縁体、および前記第１の導電体の上に配置され、
   前記第１の酸化物絶縁体は、前記第２の絶縁体、前記第２の酸化物、および前記第４の絶縁体によって、前記第１の導電体、前記第２の導電体、前記第１の絶縁体、および前記第１の酸化物と、離隔され、
   前記第２の酸化物絶縁体は、前記第３の絶縁体、前記第２の酸化物、および前記第４の絶縁体によって、前記第１の導電体、前記第３の導電体、前記第１の絶縁体、および前記第１の酸化物と、離隔される、半導体装置。
4. 請求項２または請求項３において、
   前記第４の絶縁体は、前記第１の酸化物絶縁体の上面および前記第２の酸化物絶縁体の上面に接する、半導体装置。
5. 請求項２または請求項３において、
   前記第４の絶縁体は、アルミニウムを含む酸化物である、半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記第１の酸化物、および前記第２の酸化物は、Ｉｎと、元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を有する、半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   さらに、前記第１の酸化物の下に第３の酸化物が設けられ、
   前記第３の酸化物は、Ｉｎと、元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を有し、
   前記第３の酸化物における元素Ｍに対するＩｎの原子数比は、前記第１の酸化物における元素Ｍに対するＩｎの原子数比より小さい、半導体装置。
8. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   さらに、前記第２の酸化物と前記第１の絶縁体の間に第４の酸化物が設けられ、
   前記第４の酸化物は、Ｉｎと、元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を有し、
   前記第４の酸化物における元素Ｍに対するＩｎの原子数比は、前記第２の酸化物における元素Ｍに対するＩｎの原子数比より小さい、半導体装置。