JPWO2021095642A5 - - Google Patents
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Description
本発明は、高周波信号を伝送する伝送線路、伝送線路の製造方法及び電子機器に関する。
従来の伝送線路として、例えば、特許文献1に開示された信号伝送線路がある。この信号伝送線路は、中空部を有する積層体、信号導体、複数のグランド導体、及び層間接続導体を備える。積層体は、複数の樹脂基材が積層されてなる。信号導体、グランド導体、及び層間接続導体は積層体に形成される。信号導体は中空部に露出するように配置される。複数のグランド導体は層間接続導体で導通される。
特許文献1に開示された信号伝送線路では、所定の導体を形成した樹脂基材を積層して加熱プレスすることで、樹脂基材間の接合及び導体間の接合を行う。また、樹脂基材を互いに接合することで中空部を形成する。この場合、上記積層及び加熱プレス工程において、信号線とグランド導体との間の距離を確保しながら、樹脂基材間の接合及び導体間の接合を行うことが困難である。このため、信号線とグランド導体との間の距離が変動し、信号伝送線路の伝送特性にばらつきが生じやすい。
本発明の目的は、中空構造を有する伝送線路であって、伝送特性のばらつきが低減された伝送線路の製造方法及び電子機器を提供することにある。
本発明の伝送線路は、
可撓性を有する第1樹脂基材、及び前記第1樹脂基材に形成された第1グランド導体を有する第1構造体と、
可撓性を有する第2樹脂基材、並びに前記第2樹脂基材に形成された第1信号線及び層間接続導体を有する第2構造体と、
前記第1構造体と前記第2構造体との間に配置された第1スペーサと、
前記第1スペーサを介して前記第1構造体と前記第2構造体とを接合する第1金属接合材と、を備え、
前記第1構造体と前記第2構造体とが前記第1スペーサを介して接合されることで前記第1構造体と前記第2構造体との間に第1中空部が形成されており、
前記第1信号線と前記第1グランド導体とは接合方向で前記第1中空部を介して対向しており、
前記第1樹脂基材と前記第2樹脂基材とは接触しておらず、
前記第1金属接合材は、前記層間接続導体よりも低い融点を有する材料で構成されている。
可撓性を有する第1樹脂基材、及び前記第1樹脂基材に形成された第1グランド導体を有する第1構造体と、
可撓性を有する第2樹脂基材、並びに前記第2樹脂基材に形成された第1信号線及び層間接続導体を有する第2構造体と、
前記第1構造体と前記第2構造体との間に配置された第1スペーサと、
前記第1スペーサを介して前記第1構造体と前記第2構造体とを接合する第1金属接合材と、を備え、
前記第1構造体と前記第2構造体とが前記第1スペーサを介して接合されることで前記第1構造体と前記第2構造体との間に第1中空部が形成されており、
前記第1信号線と前記第1グランド導体とは接合方向で前記第1中空部を介して対向しており、
前記第1樹脂基材と前記第2樹脂基材とは接触しておらず、
前記第1金属接合材は、前記層間接続導体よりも低い融点を有する材料で構成されている。
本発明の伝送線路の製造方法は、
可撓性を有する第1樹脂基材に第1グランド導体を形成することで第1構造体を形成する工程と、
可撓性を有する第2樹脂基材に、第1信号線、及び層間接続導体を形成することで第2構造体を形成する工程と、
前記第1信号線と前記第1グランド導体とが中空部を介して対向するように、前記第1構造体と前記第2構造体とをスペーサを介して金属接合材で接合する工程と、を備え、
前記第1構造体と前記第2構造体とを接合する工程において、前記第1樹脂基材と前記第2樹脂基材とは接触しておらず、
前記金属接合材は、前記層間接続導体よりも低い融点を有する材料で構成されている。
可撓性を有する第1樹脂基材に第1グランド導体を形成することで第1構造体を形成する工程と、
可撓性を有する第2樹脂基材に、第1信号線、及び層間接続導体を形成することで第2構造体を形成する工程と、
前記第1信号線と前記第1グランド導体とが中空部を介して対向するように、前記第1構造体と前記第2構造体とをスペーサを介して金属接合材で接合する工程と、を備え、
前記第1構造体と前記第2構造体とを接合する工程において、前記第1樹脂基材と前記第2樹脂基材とは接触しておらず、
前記金属接合材は、前記層間接続導体よりも低い融点を有する材料で構成されている。
本発明によれば、中空構造を有する伝送線路の伝送特性のばらつきを低減できる。
以降、本発明を実施するための複数の形態を示す。各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能である。各々の実施形態では、その実施形態以前に説明した点と異なる点について説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
《第1の実施形態》
図1は本発明の第1の実施形態に係る伝送線路10の外観斜視図である。図2は伝送線路10の各層の平面図である。図3は伝送線路10のA-A断面図である。
図1は本発明の第1の実施形態に係る伝送線路10の外観斜視図である。図2は伝送線路10の各層の平面図である。図3は伝送線路10のA-A断面図である。
図1,2に示すように、伝送線路10は構造体11A,11B、接合電極12A、第1金属接合材13A及びコネクタ21を備える。構造体11Aは本発明の「第1構造体」の一例である。構造体11Bは本発明の「第2構造体」の一例である。構造体11A,11Bは、平面形状を有し、一方向に延伸している。構造体11Aと構造体11Bとは互いの長手方向が一致するように積層される。コネクタ21は構造体11Aの長手方向の両端において構造体11Aの上面に設けられる。
なお、本願明細書において、「上面」及び「下面」という文言は、一方側の主面と他方側の主面とを区別するための便宜的なものである。同様に、「上側」及び「下側」という文言は、一方側と他方側とを区別するための便宜的なものである。
図2及び図3に示すように、構造体11Aと構造体11Bとは、スペーサを構成する接合電極12Aを介して金属接合材13Aで接合される。接合電極12Aは本発明の「第1スペーサ」の一例である。金属接合材13Aは本発明の「第1金属接合材」の一例である。構造体11Aと構造体11Bとが接合電極12Aを介して接合されることで構造体11Aと構造体11Bとの間に中空部14Aが形成される。中空部14Aは本発明の「第1中空部」の一例である。
構造体11Aは樹脂基材15A及びグランド導体17Aを有する。樹脂基材15Aは本発明の「第1樹脂基材」の一例である。グランド導体17Aは本発明の「第1グランド導体」の一例である。構造体11Bは、樹脂基材15B、信号線16、グランド導体17B1,17B2、及び層間接続導体18B1,18B2を有する。樹脂基材15Bは本発明の「第2樹脂基材」の一例である。グランド導体17B1,17B2は本発明の「第2グランド導体」の一例である。信号線16とグランド導体17Aとは、接合方向(構造体11Aと構造体11Bとが接合される方向)で、中空部14Aを介して対向している。樹脂基材15Aと樹脂基材15Bとは接触していない。
樹脂基材15A,15Bは、可撓性を有し、例えば液晶ポリマー(LCP)を主成分とする。樹脂基材15Bは一体化された樹脂層15B1,15B2,15B3で構成される。樹脂層15B1,15B2,15B3は上側から下側にこの順で配置される。
なお、構造体11Aの樹脂基材15Aは、構造体11Bの樹脂基材15Bと同様に、複数の樹脂層を有してもよい。
樹脂基材15A,15Bは同一の種類の材料で構成される。これにより、樹脂基材15A,15Bの物性差に起因する歪みが発生しにくい状態で、構造体11A,11Bを一体化できる。
樹脂基材15Aと樹脂基材15Bとは特性が異なる材料で構成されてもよい。例えば、伝送線路10の外側に配置された樹脂基材15Aは、耐候性(耐環境性)又は機械的性質に優れた材料で構成されてもよい。耐候性は、温度、湿度等の変化に対して変形、変質、劣化等が起こりにくい性質である。機械的性質は、曲げ強度等の強度、硬さ、靭性等である。伝送線路10の内側に配置された樹脂基材15Bは、電気的特性が重視された材料で構成されてもよい。例えば、伝送線路10の特性インピーダンスを所望の値に設定する際、比誘電率の低い材料で樹脂基材15Bを構成すれば、信号線16の線幅を広くできるので、信号線16で生じる導体損を低減できる。或いは、樹脂基材15Aと樹脂基材15Bとは、異なる色合いを有する材料で構成されてもよい。これにより、伝送線路10の製造工程において、画像認識による基材の識別が容易になる。
接合電極12Aは樹脂層15B1の上面に形成される。接合電極12Aは構造体11Aと構造体11Bとの間に配置されている。接合電極12Aは、信号線16を構成する導体と同一の材質からなる導体を含んで形成される。接合電極12Aは、所定の中空部14Aの厚さを実現するために、信号線16を構成する導体よりも厚い導体を含んで形成されてもよい。接合電極12Aは構造体11Bの幅方向の両端において構造体11Bの長手方向に延伸している。グランド導体17Aは樹脂基材15Aの下面の略全面に形成される。信号線16、グランド導体17B1,17B2、及び層間接続導体18B1,18B2は、樹脂基材15Bに形成される。信号線16及びグランド導体17B1は樹脂層15B2の上面に配置される。信号線16は構造体11Bの幅方向の中央において構造体11Bの長手方向に延伸している。グランド導体17B1は構造体11Bの幅方向の両端において構造体11Bの長手方向に延伸している。グランド導体17B2は樹脂層15B3の下面の略全面に配置される。接合電極12A、信号線16、及びグランド導体17B1,17B2は、例えばCu箔から形成された導体パターンである。
なお、接合電極12A及びグランド導体17B1は、構造体11Bの長手方向に延伸する代わりに、構造体11Bの長手方向に沿って間隔をあけて複数配置されてもよい。
また、信号線16は複数形成されてもよい。この場合、複数の信号線16間のアイソレーションを確保するために、複数の信号線16間にグランド導体及び層間接続導体が形成されてもよい。
信号線16とグランド導体17Aとは、中空部14Aに加えて樹脂基材15Bを介して対向している。しかし、信号線16とグランド導体17Aとは、信号線16、グランド導体17A等の配置が適宜変更されることで、中空部14Aと樹脂基材15A,15Bの少なくとも一方とを介して対向してもよい。
接合電極12Aは層間接続導体18B1を介してグランド導体17B1に接合及び導通される。グランド導体17B1は層間接続導体18B2を介してグランド導体17B2に接合及び導通される。
金属接合材13Aは、伝送線路10の幅方向の両端において、伝送線路10の長手方向に沿って間隔をあけて複数配置されている。金属接合材13Aは接合電極12Aとグランド導体17Aとを接合及び導通する。これにより、金属接合材13Aは、スペーサを構成する接合電極12Aを介して構造体11Aと構造体11Bとを接合する。金属接合材13Aは、層間接続導体18B1,18B2よりも低い融点を有する材料で構成されている。例えば、金属接合材13Aははんだであり、層間接続導体18B1,18B2はCu-Sn合金である。なお、層間接続導体18B1,18B2は、上下方向に見て、金属接合材13Aと重なっていなくてもよい。
中空部14Aは、上記のように構造体11A,11B、接合電極12A及び第1金属接合材13で定められ、伝送線路10の長手方向に延伸している。中空部14Aは、グランド導体17Aの下面、樹脂基材15Bの上面、及び接合電極12Aの内側の端面で囲まれている。上記のように、中空部14Aは信号線16とグランド導体17Aとの間に形成される。これにより、誘電損の発生が抑制されるので、伝送線路10の伝送損失が低減される。また、伝送線路10の特性インピーダンスを所望の値に設定する際、信号線16の線幅を広くできるので、信号線16で生じる導体損を低減できる。
樹脂基材15Bの下面には保護層19Aが形成される。保護層19Aは、グランド導体17B2を覆うように樹脂基材15Bの下面全体に配置されている。
なお、接合電極12A及びグランド導体17Aにおける中空部14A又は伝送線路10の外部に露出する表面に、例えばめっき処理で、耐酸化性に優れたNi/Au等の導電性を有する保護膜が形成されてもよい。
樹脂基材15Aの長手方向の両端において、樹脂基材15Aの下面側に、実装電極22が形成される。実装電極22は、金属接合材23、内部電極24、及び層間接続導体25を介して、信号線16の端部に接続される。樹脂基材15Aの長手方向の両端には、グランド導体17Aの一部及び実装電極22が露出するように、開口26が形成される。コネクタ21は、開口26から露出したグランド導体17A及び実装電極22に導通する。
第1の実施形態では、構造体11Aと構造体11Bとが接合電極12Aを介して金属接合材13Aで接合されることによって、中空部14Aが形成される。このため、構造体11Aと構造体11Bとの接合工程において中空部14Aを保持しやすい。その結果、グランド導体17Aと信号線16との間の距離が変動しにくく、伝送線路10の伝送特性のばらつきが低減される。
図4(A)から図4(F)は伝送線路10の製造方法を示す断面図である。
先ず、図4(A)に示すように、樹脂基材45Aに貼り付けられた金属箔をフォトリソグラフィ等でパターニングすることで、グランド導体17A及び実装電極22(図2参照)を形成する。また、レーザ等を用いて樹脂基材45Aに開口26(図2参照)を形成する。これにより、複数の構造体11Aを含む構造体41Aを形成する。
また、図4(B)に示すように、樹脂基材45B1,45B2,45B3に貼り付けられた金属箔をフォトリソグラフィ等でパターニングすることで、接合電極12A、信号線16、グランド導体17B1,17B2、及び内部電極24(図2参照)を形成する。また、レーザ等を用いて樹脂基材45B1,45B2,45B3に貫通孔を形成し、その貫通孔に導電性ペースト48を充填する。
次に、図4(C)に示すように、樹脂基材45B1,45B2,45B3を積層して加熱プレスを行う。これにより、樹脂基材45B1,45B2,45B3を一体化して樹脂基材45Bを形成すると共に、導電性ペースト48を硬化させて層間接続導体18B1,18B2及び層間接続導体25(図2参照)を形成する。このようにして、複数の構造体11Bを含む構造体41Bを形成する。
次に、図4(D)に示すように、例えば接合電極12Aの表面にソルダーペーストを印刷した後、構造体41A,41Bを張った状態で構造体41A,41Bを積層して加熱する。これにより、信号線16とグランド導体17Aとが中空部14Aを介して対向するように、構造体41Aと構造体41Bとを接合電極12Aを介して金属接合材13Aで接合する。樹脂基材45Aと樹脂基材45Bとは接触していない。接合時の加熱温度は、金属接合材13Aを構成する材料の融点より高く、層間接続導体18B1,18B2を構成する材料の融点より低い。
上記のように、構造体41A,41Bを張った状態で構造体41Aと構造体41Bとを接合することで、信号線16とグランド導体17Aとの間に中空部14Aを確保でき、また中空部14Aの高さのばらつきを低減できる。
次に、図4(E)に示すように、構造体41Bの下面に保護層49Aを印刷等で形成することで、複数の伝送線路10を含む集合基板40を形成する。
最後に、図4(F)に示すように、集合基板40を個片に分離することで個別の伝送線路10を得る。
図5は伝送線路10を備える電子機器1の側面図である。電子機器1は、伝送線路10、回路基板31及びコネクタ32を備えている。図5に示すように、段差を有する回路基板31に伝送線路10を実装することもできる。伝送線路10のコネクタ21は、それぞれ回路基板31のコネクタ32に接続される。伝送線路10は回路基板31の段差に沿って曲げられている。伝送線路10の曲げ部BPに配置された金属接合材13Aは塑性変形により曲げられている。伝送線路10の曲げ加工では、金属接合材13Aを加熱により塑性変形させる。具体的には、金属接合材13Aを加熱により溶融又は軟化させ変形させた後、変形させた金属接合材13Aを冷却により硬化させる。これにより、曲げ形状が保持された伝送線路10を得ることができる。
なお、伝送線路10の樹脂基材15A,15Bの材料として熱可塑性樹脂を用いれば、樹脂基材15A,15Bの塑性変形によっても伝送線路10の曲げ形状を保持できる。
なお、中空部14Aは、曲げ部BPに設けられなくてもよい。この場合、曲げ部BPにおいて中空部14Aが変形することがなくなり、伝送線路10の伝送特性に変化が生じにくくなる。
《第2の実施形態》
第2の実施形態では、中空部が信号線の上側及び下側に形成される。
第2の実施形態では、中空部が信号線の上側及び下側に形成される。
図6は本発明の第2の実施形態に係る伝送線路50の断面図である。
伝送線路50は構造体11A,51B,11Cを備える。構造体11Cは本発明の「第3構造体」の一例である。構造体11A,51B,11Cは上側から下側にこの順で配置される。構造体11Aと構造体51Bとは、スペーサを構成する接合電極12Aを介して金属接合材13Aで接合される。構造体51Bと構造体11Cとは、スペーサを構成する接合電極12Bを介して金属接合材13Bで接合される。接合電極12Bは本発明の「第2スペーサ」の一例である。金属接合材13Bは本発明の「第2金属接合材」の一例である。
構造体51Bは、樹脂基材55B、信号線16、及び層間接続導体18B1を有する。樹脂基材55Bは可撓性を有する。信号線16は樹脂基材55Bの上面に配置される。信号線16とグランド導体17Aとは接合方向で中空部14Aを介して対向している。
接合電極12Aは樹脂基材55Bの上面に形成される。接合電極12Aは構造体11Aと構造体51Bとの間に配置される。接合電極12Bは樹脂基材55Bの下面に形成される。接合電極12Bは構造体51Bと構造体11Cとの間に配置される。接合電極12A,12Bは、構造体51Bの幅方向の両端において構造体51Bの長手方向に延伸している。接合電極12Aは層間接続導体18B1を介して接合電極12Bに接合及び導通される。
構造体11Cは樹脂基材15C及びグランド導体17Cを有する。樹脂基材15Cは本発明の「第3樹脂基材」の一例である。グランド導体17Cは本発明の「第3グランド導体」の一例である。樹脂基材15Cは可撓性を有する。樹脂基材55Bと樹脂基材15Cとは、同一の種類の材料で構成されてもよいし、特性が異なる材料で構成されてもよい。グランド導体17Cは樹脂基材15Cの上面の略全面に配置される。換言すると、構造体11Cは構造体11Aと同様に構成される。構造体11Cは、グランド導体17Cが配置された面を上側に向けて、構造体51Bの下側に配置される。
グランド導体17Aは樹脂基材15Aより内側に配置され、グランド導体17Cは樹脂基材15Cより内側に配置される。これにより、グランド導体17A,17Cを保護するための保護層が不要となる。
構造体51Bと構造体11Cとが接合電極12Bを介して接合されることで中空部14Bが形成される。中空部14Bは本発明の「第2中空部」の一例である。信号線16とグランド導体17Cとは接合方向で中空部14B及び樹脂基材55Bを介して対向している。樹脂基材55Bと樹脂基材15Cとは接触していない。
金属接合材13Bは接合電極12Bとグランド導体17Cとを接合及び導通する。金属接合材13Bは、例えばはんだであり、層間接続導体18B1よりも低い融点を有する材料で構成される。
第2の実施形態では、信号線16とグランド導体17Cとの間にも、中空部14Bが形成される。これにより、伝送線路10の伝送損失がより低減される。
《第3の実施形態》
第3の実施形態では、中空部が信号線の上側及び下側に形成されると共に、信号線が樹脂基材及び中空部を介してグランド導体に対向する。
第3の実施形態では、中空部が信号線の上側及び下側に形成されると共に、信号線が樹脂基材及び中空部を介してグランド導体に対向する。
図7は本発明の第3の実施形態に係る伝送線路60の断面図である。
伝送線路60は構造体61A,61B,61Cを備える。構造体61A,61B,61Cは上側から下側にこの順で配置される。構造体61Aと構造体61Bとは、スペーサを構成する接合電極12A,12Cを介して金属接合材13Aで接合される。構造体61Bと構造体61Cとは、スペーサを構成する接合電極12B,12Dを介して金属接合材13Bで接合される。
構造体61Aは、樹脂基材15A、グランド導体17A、及び層間接続導体18Aを有する。グランド導体17Aは樹脂基材15Aの上面の略全面に配置される。構造体61Bは、樹脂基材15B、信号線16、グランド導体17B1、及び層間接続導体18B1,18B2を有する。信号線16及びグランド導体17B1は、第1の実施形態の場合と同様に樹脂基材15Bの内層に形成される。構造体61Cは、樹脂基材15C、グランド導体17C、及び層間接続導体18Cを有する。グランド導体17Cは樹脂基材15Cの下面の略全面に配置される。構造体61Cは構造体61Aと同様に構成される。構造体61Cは、グランド導体17Cが配置された面を下側に向けて、構造体61Bの下側に配置される。
接合電極12A,12Bは、それぞれ、樹脂基材15Bの上面及び下面に形成される。接合電極12Cは樹脂基材15Aの下面に形成される。接合電極12Dは樹脂基材15Cの上面に形成される。
接合電極12A,12Bは、それぞれ、層間接続導体18B1,18B2を介してグランド導体17B1に接合及び導通される。接合電極12Cは層間接続導体18Aを介してグランド導体17Aに接合及び導通される。接合電極12Dは層間接続導体18Cを介してグランド導体17Cに接合及び導通される。接合電極12Aと接合電極12Cとは金属接合材13Aを介して接合及び導通される。接合電極12Bと接合電極12Dとは金属接合材13Bを介して接合及び導通される。
構造体61Aと構造体61Bとが接合電極12A,12Cを介して接合されることで中空部14Aが形成される。構造体61Bと構造体61Cとが接合電極12B,12Dを介して接合されることで中空部14Bが形成される。信号線16とグランド導体17Aとは接合方向で中空部14A及び樹脂基材15A,15Bを介して対向している。信号線16とグランド導体17Cとは接合方向で中空部14B及び樹脂基材15B,15Cを介して対向している。
樹脂基材15Aの上面及び樹脂基材15Cの下面には保護層19A,19Bが形成される。
図8は本発明の第3の実施形態の変形例に係る伝送線路70の断面図である。伝送線路70は伝送線路60(図7参照)と次の点で異なる。伝送線路70は、構造体61A,61C、接合電極12C,12D及び保護層19A,19Bに代えて、構造体11A,11Cを備える。構造体11A,61B,11Cは上側から下側にこの順で配置されている。構造体11Aと構造体61Bとは、スペーサを構成する接合電極12Aを介して金属接合材13Aで接合される。構造体61Bと構造体11Cとは、スペーサを構成する接合電極12Bを介して金属接合材13Bで接合される。
第3の実施形態では、信号線16が中空部14A及び樹脂基材を介してグランド導体17Aに対向する。このため、中空部14Aが変形しても、信号線16とグランド導体17Aと間に配置された樹脂基材によって、信号線16とグランド導体17Aとの短絡が防止される。同様に、信号線16は中空部14B及び樹脂基材を介してグランド導体17Cに対向する。このため、中空部14Bが変形しても、信号線16とグランド導体17Cと間に配置された樹脂基材によって、信号線16とグランド導体17Cとの短絡が防止される。
なお、第3の実施形態では、構造体11Aおよび構造体11Cは、構造体61Bよりも硬いことが好ましい。例えば、構造体11Aの樹脂基材15Aおよび構造体11Cの樹脂基材15Cのヤング率は、構造体61Bの樹脂基材15Bのヤング率よりも高いことが好ましい。また、構造体11Aの樹脂基材15Aおよび構造体11Cの樹脂基材15Cの線膨張係数CTEは、構造体61Bの樹脂基材15BのCTEよりも大きいことが好ましい。これにより、中空部14Aおよび中空部14Bの不要な変形を抑制できる。
さらに、構造体11Aの樹脂基材15Aおよび構造体11Cの樹脂基材15Cは、同じ材料であることが好ましく、これにより、伝送線路70の反りを抑制できる。
《第4の実施形態》
第4の実施形態では、信号線がグランド導体と対向する位置で、接合方向において、信号線とグランド導体との間に位置する樹脂部の比率が下がるように、信号線が形成された樹脂基材の厚みが薄くなっている。
第4の実施形態では、信号線がグランド導体と対向する位置で、接合方向において、信号線とグランド導体との間に位置する樹脂部の比率が下がるように、信号線が形成された樹脂基材の厚みが薄くなっている。
図9は本発明の第4の実施形態に係る伝送線路80の断面図である。伝送線路80は第3の実施形態に係る伝送線路60(図7参照)と次の点で異なる。伝送線路80は、樹脂基材15Bを有する構造体61Bに代えて、樹脂基材85Bを有する構造体81Bを備える。
樹脂基材85Bは、信号線16がグランド導体17A,17Cに対向する位置に部分BMを有する。樹脂基材85Bの部分BMは、樹脂基材85Bにおける中空部14A,14Bに面しない部分、換言すると樹脂基材85Bの短手方向の端部より薄い。樹脂基材85Bの部分BMは、樹脂基材85Bの上面及び下面に凹部が形成されることで、薄くなっている。即ち、伝送線路80は、信号線16がグランド導体17A,17Cに対向する位置で、接合方向において、信号線16とグランド導体17A,17Cのそれぞれとの間に位置する樹脂部の比率が下がるように、樹脂基材85Bの厚みが薄くなっている部分を有する。
樹脂基材85Bの部分BMは信号線16に沿って延伸している。樹脂基材85Bの部分BMの幅は、信号線16の幅より幾分広くてもよいし、信号線16の幅と同一でもよいし、信号線16の幅より幾分狭くてもよい。
樹脂基材85Bの部分BMは、プラズマ処理等で樹脂基材を掘り込む(座刳る)ことで形成されてもよい。或いは、樹脂基材85Bの部分BMは、一部に開口が形成された複数の樹脂基材を積層することで形成されてもよい。
第4の実施形態では、信号線16がグランド導体17A,17Cに対向する位置で、接合方向において、信号線16とグランド導体17A,17Cのそれぞれとの間に位置する樹脂部の比率が下がるように、樹脂基材85Bの厚みが薄くなっている。その結果、信号線16が配置された層とグランド導体17A,17Cがそれぞれ配置された層との間の比誘電率が低くなる。このため、伝送線路60の特性インピーダンスを所望の値に設定する際、信号線16の線幅を広くできるので、信号線16で生じる導体損を低減できる。
《第5の実施形態》
第5の実施形態では、接合電極及び金属ブロックがスペーサを構成する。
第5の実施形態では、接合電極及び金属ブロックがスペーサを構成する。
図10は本発明の第5の実施形態に係る伝送線路90の断面図である。
伝送線路90は構造体61A及び構造体11Bを備える。構造体61Aと構造体11Bとは接合電極12A,12C及び金属ブロック33を介して金属接合材13Aで接合される。構造体61Aの上面及び構造体11Bの下面には保護層19A,19Bが形成される。
接合電極12A,12C及び金属ブロック33はスペーサを構成する。金属ブロック33は、信号線16、グランド導体17A,17B1,17B2、及び接合電極12A,12Cより厚い。即ち、スペーサは、信号線16を構成する導体よりも厚い導体を含んで形成される。
金属ブロック33は接合電極12Aと接合電極12Cとの間に配置される。金属ブロック33は、伝送線路10の幅方向の両端において、伝送線路90の長手方向に沿って間隔をあけて複数配置される。金属ブロック33は、金属接合材13Aによって、接合電極12A,12Cに接合及び導通される。
第5の実施形態では、接合電極12A,12C及び金属ブロック33がスペーサを構成する。このため、構造体61Aと構造体11Bとの間に形成される中空部14Aを適宜厚くできる。
《第6の実施形態》
第6の実施形態では、接合電極及び樹脂基材がスペーサを構成する。
第6の実施形態では、接合電極及び樹脂基材がスペーサを構成する。
図11は本発明の第6の実施形態に係る伝送線路100の断面図である。伝送線路100は第5の実施形態に係る伝送線路90(図10参照)と次の点で異なる。伝送線路100は、金属ブロック33及び金属接合材13Aに代えて、可撓性を有する樹脂基材15D及び金属接合材103Aを備える。
接合電極12A,12C及び樹脂基材15Dはスペーサを構成する。樹脂基材15Dは接合電極12Aと接合電極12Cとの間に配置される。樹脂基材15Dは伝送線路100の幅方向の両端において伝送線路100の長手方向に延伸している。樹脂基材15Dは、樹脂基材15Dの長手方向に沿って間隔をあけて形成された複数の貫通孔を有する。樹脂基材15Dの貫通孔には、例えばはんだである金属接合材103Aが充填される。金属接合材103Aは接合電極12Aと接合電極12Cとを接合及び導通する。これにより、金属接合材103Aは、接合電極12A,12C及び樹脂基材15Dを介して構造体61Aと構造体11Bとを接合する。
第6の実施形態では、樹脂基材15Dの貫通孔に金属接合材103Aが充填されることで、金属接合材103Aの位置が固定される。
なお、第6の実施形態とは異なり、Cu-Sn合金等の融点が比較的高い導電材料で層間接続導体を樹脂基材15Dに形成した後、はんだ等の融点が比較的低い金属接合材で当該層間接続導体と接合電極12A,12Cのそれぞれとを接合してもよい。なお、伝送線路100において、接合電極12A,12Cが設けられていなくてもよい。この場合、金属接合材103Aは、層間接続導体18A,18B1に接合される。また、伝送線路100において、樹脂基材15Dの上に接合電極が更に設けられていてもよい。この場合、樹脂基材15Dの上の接合電極は、金属接合材を介して接合電極12Cに接合されている。同様に、伝送線路100において、樹脂基材15Dの下に接合電極が更に設けられていてもよい。この場合、樹脂基材15Dの下の接合電極は、金属接合材を介して接合電極12Aに接合されている。
《第7の実施形態》
第7の実施形態では、伝送線路10において、グランド導体17AにスリットSLが設けられ、接合電極12Aが複数に分割されている。
第7の実施形態では、伝送線路10において、グランド導体17AにスリットSLが設けられ、接合電極12Aが複数に分割されている。
図12は本発明の第7の実施形態に係る伝送線路110の各層の平面図である。図12に示すように、接合電極12Aは、複数の長方形状の小接合電極112A(複数の小スペーサ)に分割されている。グランド導体17Aには、複数のスリットSLが設けられている。複数のスリットSLが設けられることにより、複数の長方形状の接続領域A1が設けられている。複数の接続領域A1のそれぞれは、上下方向に見て、複数の小接合電極112Aと重なる。これにより、金属接合材13Aが接合電極12A及びグランド導体17Aにおいて濡れ広がることが抑制される。これにより、金属接合材13Aの厚みを均一に保つことが容易となり、中空部14Aの厚みがばらつくことが抑制される。
《第8の実施形態》
第8の実施形態では、伝送線路10において、金属球113Aが金属接合材13A内に存在している。
第8の実施形態では、伝送線路10において、金属球113Aが金属接合材13A内に存在している。
図13は本発明の第8の実施形態に係る伝送線路120の断面図である。伝送線路120は、複数の金属球113Aを備えている。複数の金属球113Aは、球体である。また、複数の金属球113Aのサイズは、均一である。複数の金属球113Aは、金属接合材13A内に設けられている。金属球113Aは、金属接合材13A(すなわち、はんだ)より高い融点を有するNiにより作製されている。これにより、金属接合材13Aの厚みを、接合電極12Aの厚みより大きくすることができる。その結果、中空部14Aを大きくすることができる。
《第9の実施形態》
第9の実施形態では、伝送線路50において、保護膜300が設けられている。
第9の実施形態では、伝送線路50において、保護膜300が設けられている。
図14は本発明の第9の実施形態に係る伝送線路130の断面図である。伝送線路130は、保護膜300を更に備えている。保護膜300は、樹脂基材15Aと樹脂基材55Bとが互いに対向する面を覆っている。具体的には、保護膜300は、樹脂基材15Aの下面、樹脂基材55Bの上面、樹脂基材55Bの下面及び樹脂基材15Cの上面に設けられている。ただし、保護膜300の誘電率が樹脂基材15A,55B,15Cの誘電率より高い場合、伝送線路80の高周波特性の特性に影響が生じる。そこで、保護膜300の厚みは、薄くなっている。保護膜300の厚みは、例えば、樹脂基材55Bの厚みより薄い。保護膜300が接合電極12A,12Bを覆っているので、金属接合材13A,13Bが濡れ広がることが抑制される。
《第10の実施形態》
第10の実施形態では、伝送線路10において、多芯構造を有している。
第10の実施形態では、伝送線路10において、多芯構造を有している。
図15は本発明の第10の実施形態に係る伝送線路140の断面図である。伝送線路140は、信号線116を更に備えている。信号線116は、信号線16と平行に伸びるように樹脂基材15Bに設けられている。また、信号線16と信号線116の間には、接合電極12A、グランド導体17B1及び層間接続導体18B1.18B2が設けられている。これにより、信号線16と信号線116とのアイソレーションが確保される。
《第11の実施形態》
第11の実施形態では、伝送線路10において、多芯構造を有している。
第11の実施形態では、伝送線路10において、多芯構造を有している。
図16は本発明の第11の実施形態に係る伝送線路150の断面図である。伝送線路150は、信号線116を更に備えている。信号線116は、信号線16と平行に伸びるように樹脂基材15Bに設けられている。ただし、信号線16と信号線116の間には、接合電極12A、グランド導体17B1及び層間接続導体18B1.18B2が設けられていない。このような伝送線路140では、信号線16と信号線116は、差動伝送線路を構成する。
《第12の実施形態》
第12の実施形態では、伝送線路160が有する2つの面のうち、中空部14Aから離れている面にコネクタ21が実装される。
第12の実施形態では、伝送線路160が有する2つの面のうち、中空部14Aから離れている面にコネクタ21が実装される。
図17は本発明の第12の実施形態に係る伝送線路160の側面図である。伝送線路160では、コネクタ21は、伝送線路160が有する2つの面のうち、中空部14Aから離れている面に実装される。伝送線路160において中空部14Aから離れている面は、伝送線路160において中空部14Aに近い面より変形しにくい。従って、コネクタ21が伝送線路160に安定して実装されるようになる。
《第13の実施形態》
第13の実施形態では、伝送線路10において、金属接合材13Aが長方形状を有している。
第13の実施形態では、伝送線路10において、金属接合材13Aが長方形状を有している。
図18は本発明の第13の実施形態に係る伝送線路180の各層の平面図である。金属接合材13Aは、信号線16の延伸方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。これにより、金属接合材13Aがシールドとして効果的に機能するようになる。更に、伝送線路180の変形をより効果的に抑制できる。
《端子部の具体例》
図19(A)は、本発明の実施形態に係る伝送線路60の部分的な平面図であり、図19(B)、図19(C)は、伝送線路60の断面図である。図19(B)は、図19(A)に示すB-B断面図であり、図19(C)は、図19(A)に示すC-C断面図である。
図19(A)は、本発明の実施形態に係る伝送線路60の部分的な平面図であり、図19(B)、図19(C)は、伝送線路60の断面図である。図19(B)は、図19(A)に示すB-B断面図であり、図19(C)は、図19(A)に示すC-C断面図である。
伝送線路60の端子部は、図19(A)、図19(B)、図19(C)に示すように、接合電極12A、接合電極12B、接合電極12C、接合電極12D、金属接合材13A、金属接合材13B、グランド導体17B1、層間接続導体18A、層間接続導体18B1、層間接続導体18B2、および、層間接続導体18Cの組を4つ備える。
それぞれの組において、伝送線路60の厚み方向に、グランド導体17Aからグランド導体17Cに向けて、層間接続導体18A、接合電極12C、金属接合材13A、接合電極12A、層間接続導体18B1、グランド導体17B1、層間接続導体18B2、接合電極12B、金属接合材13B、接合電極12D、層間接続導体18Cの順に並んでおり、これらは、平面視して重なっている。すなわち、これらの構成要素によって、所定の強度を有する柱状体が形成される。
言い換えれば、伝送線路60の端子部では、これら4個の柱状体によって、構造体61A、構造体61B、および、構造体61Cとの位置関係は、保持されている。より具体的には、伝送線路60の端子部では、これら4個の柱状体によって、構造体61Aと構造体61Bとの間に中空部14Aを有し、構造体61Bと構造体61Cとの間に中空部14Bを有する構造が保持されている。そして、これら4個の柱状体は、平面視して、矩形を領域Re22に形成するように、配置されている。
樹脂基材15Aには、実装電極22、および、実装用補助電極22A、層間接続導体25Aが形成されている。また、樹脂基材15Aに形成されたグランド導体17Aには、開口171が形成されている。
開口171は、樹脂基材15Aの上面におけるグランド導体17Aにおける導体の形成されていない領域である。開口171は、上述の領域Re22内に配置されている。
実装用補助電極22Aは、樹脂基材15Aの上面側に配置され、開口171内に配置されている。したがって、実装用補助電極22Aは、領域Re22内に配置されている。さらに、実装用補助電極22Aは、平面視において、実装電極22に重なる位置に配置されている。実装用補助電極22Aは、層間接続導体25Aを介して実装電極22に接続する。実装電極22は、金属接合材23を介して内部電極24に接続し、内部電極24は、層間接続導体25を介して、信号線16に接続する。
この構成では、平面視において、実装用補助電極22Aから信号線16に接続する部分が、上記4個の柱状体によって囲まれる。
このような構成において、伝送線路60にコネクタ21を実装する場合、保護層19Bにおける実装用補助電極22Aの一部、グランド導体17Aの一部に開口を設けて、はんだバンプ170を形成する。グランド導体17Aにおけるはんだバンプ170の形成位置は、4個の柱状体に重なる位置である。そして、はんだバンプ170を用いることで、実装用補助電極22A、グランド導体17Aの4箇所とコネクタ21の各端子とを接合する。
この際、上述の端子部の構造を用いることで、次に示すような作用効果を奏することができる。
図20(A)は、本発明の構成を備える伝送線路60にコネクタ21を実装した状態を示す断面図である。図20(B)は、比較例の伝送線路60Xにコネクタ21を実装した状態を示す断面図である。比較例の伝送線路60Xは、伝送線路60Xの長手方向における実装電極22よりも中央側において、グランド導体17Aとグランド導体17Cとの間を接続する上述の柱状体を備えていない。
図20(A)に示すように、伝送線路60では、コネクタ21は、4個の柱状体に支持される部分に実装される。これにより、コネクタ21の実装時に、所定の押圧を加えながらコネクタ21を伝送線路60に実装しても、コネクタ21は、4個の柱状体に支持される。したがって、伝送線路60が中空部14Aを有していても、伝送線路60の変形、より詳しくは、構造体61Aが凹む変形(図20(B)参照)を抑制できる。
一方、図20(B)に示すように、比較例の伝送線路60Xでは、実装用補助電極22Aよりも中央側のグランド導体17Aとの接続部において、コネクタ21が構造体61Aを押し込んでしまい、構造体61Aが凹んで変形してしまう可能性が高くなる。そして、構造体61Aが凹むことで、コネクタ21が傾き、接合不良が生じてしまう可能性が高くなる。
このように、上述の端子部の構造を用いることによって、伝送線路60が中空部14Aを有する構造であっても、コネクタ21を確実に実装できる。
また、この構成では、柱状体を、グランド導体17Aとグランド導体17Cとを接続する構造によって実現している。したがって、コネクタ21を支持するためだけの柱状体を別途形成するよりも、伝送線路60の端子部の形状を小さくできる。また、他の導体と比較して面積の大きなグランド導体17Aとグランド導体17Cを柱状体の一部として利用することによって、柱状体の強度を高めることができ、よりよい。
なお、上述の説明では、実装電極22、実装用補助電極22A、および、内部電極24は、4個の柱状体に囲まれる領域Re22の中央に配置されている。しかしながら、実装電極22、実装用補助電極22A、および、内部電極24は、領域Re22内に含まれていることが好ましく、実装電極22、実装用補助電極22A、および、内部電極24の少なくとも一部が領域Re22内に含まれていればよい。
また、上述の説明では、領域Re22は、矩形であるが。矩形に限るものではなく、三角形以上の多角形で構成されていればよい。
また、上述の構成において、はんだバンプ170を形成するはんだの融点は、金属接合材の融点、および、層間接続導体の融点に対して、次の関係であることが好ましい。
(はんだの融点)<(金属接合材の融点)<(層間接続導体の融点)
この関係により、金属接合材による接合の際に、層間接続導体の再溶融を抑制でき、はんだによる接合の際に、金属接合材および層間接続導体の再溶融を抑制できる。
この関係により、金属接合材による接合の際に、層間接続導体の再溶融を抑制でき、はんだによる接合の際に、金属接合材および層間接続導体の再溶融を抑制できる。
また、上記の各実施形態において、金属接合材の位置を固定しやすくするために、接合電極上に保護膜をパターニングしてもよい。
最後に、上記の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形及び変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上記の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
10,50,60,70,80,90,100…伝送線路
11A,11B,11C,41A,41B,51B,61A,61B,61C,81B…構造体
12A,12B,12C,12D…接合電極
13A,13B,23,103A…金属接合材
14A,14B…中空部
15A,15B,15C,15D,45A,45B,45B1,45B2,45B3,55B,85B…樹脂基材
15B1,15B2,15B3…樹脂層
16…信号線
17A,17B1,17B2,17C…グランド導体
18A,18B1,18B2,18C,25…層間接続導体
19A,19B,49A…保護層
21,32…コネクタ
22…実装電極
24…内部電極
26…開口
31…回路基板
33…金属ブロック
40…集合基板
48…導電性ペースト
11A,11B,11C,41A,41B,51B,61A,61B,61C,81B…構造体
12A,12B,12C,12D…接合電極
13A,13B,23,103A…金属接合材
14A,14B…中空部
15A,15B,15C,15D,45A,45B,45B1,45B2,45B3,55B,85B…樹脂基材
15B1,15B2,15B3…樹脂層
16…信号線
17A,17B1,17B2,17C…グランド導体
18A,18B1,18B2,18C,25…層間接続導体
19A,19B,49A…保護層
21,32…コネクタ
22…実装電極
24…内部電極
26…開口
31…回路基板
33…金属ブロック
40…集合基板
48…導電性ペースト
Claims (25)
- 可撓性を有する第1樹脂基材、及び前記第1樹脂基材に形成された第1グランド導体を有する第1構造体と、
可撓性を有する第2樹脂基材、並びに前記第2樹脂基材に形成された第1信号線及び層間接続導体を有する第2構造体と、
前記第1構造体と前記第2構造体との間に配置された第1スペーサと、
前記第1スペーサを介して前記第1構造体と前記第2構造体とを接合する第1金属接合材と、を備え、
前記第1構造体と前記第2構造体とが前記第1スペーサを介して接合されることで前記第1構造体と前記第2構造体との間に第1中空部が形成されており、
前記第1信号線と前記第1グランド導体とは接合方向で前記第1中空部を介して対向しており、
前記第1樹脂基材と前記第2樹脂基材とは接触しておらず、
前記第1金属接合材は、前記層間接続導体よりも低い融点を有する材料で構成されており、
伝送線路は、曲げ部を有しており、
前記第1金属接合材は、前記曲げ部に設けられている、伝送線路。 - 前記第2構造体は、前記第2樹脂基材に形成された第2グランド導体を有する、請求項1に記載の伝送線路。
- 前記第1樹脂基材と前記第2樹脂基材とは同一の種類の材料で構成されている、請求項1又は2に記載の伝送線路。
- 前記第1樹脂基材と前記第2樹脂基材とは特性が異なる材料で構成されている、請求項1又は2に記載の伝送線路。
- 可撓性を有する第3樹脂基材、及び前記第3樹脂基材に形成された第3グランド導体を有する第3構造体と、
前記第2構造体と前記第3構造体との間に配置された第2スペーサと、
前記接合方向で前記第2スペーサを介して前記第2構造体と前記第3構造体を接合する第2金属接合材と、を備え、
前記第2構造体と前記第3構造体とが前記第2スペーサを介して接合されることで第2中空部が形成され、
前記第1信号線と前記第3グランド導体とは前記接合方向で前記第2中空部を介して対向しており、
前記第2樹脂基材と前記第3樹脂基材とは接触しておらず、
前記第2金属接合材は、前記層間接続導体よりも低い融点を有する材料で構成されている、請求項1から4の何れかに記載の伝送線路。 - 前記第2樹脂基材と前記第3樹脂基材とは同一の種類の材料で構成されている、請求項5に記載の伝送線路。
- 前記第1樹脂基材のヤング率と前記第3樹脂基材のヤング率は、前記第2樹脂基材のヤング率よりも高い、請求項5又は6に記載の伝送線路。
- 前記第1樹脂基材の線膨張係数と前記第3樹脂基材の線膨張係数は、前記第2樹脂基材の線膨張係数よりも大きい、請求項5から7の何れかに記載の伝送線路。
- 前記第2樹脂基材と前記第3樹脂基材とは特性が異なる材料で構成されている、請求項5に記載の伝送線路。
- 前記第1スペーサは、前記第1信号線を構成する導体と同一の材質からなる導体を含んで形成される、請求項1から9の何れかに記載の伝送線路。
- 前記第1スペーサは、前記第1信号線を構成する導体よりも厚い導体を含んで形成される、請求項1から10の何れかに記載の伝送線路。
- 前記第1信号線と前記第1グランド導体とは前記第1中空部及び樹脂基材を介して対向している、請求項1から11の何れかに記載の伝送線路。
- 可撓性を有する第1樹脂基材、及び前記第1樹脂基材に形成された第1グランド導体を有する第1構造体と、
可撓性を有する第2樹脂基材、並びに前記第2樹脂基材に形成された第1信号線及び層間接続導体を有する第2構造体と、
前記第1構造体と前記第2構造体との間に配置された第1スペーサと、
前記第1スペーサを介して前記第1構造体と前記第2構造体とを接合する第1金属接合材と、を備え、
前記第1構造体と前記第2構造体とが前記第1スペーサを介して接合されることで前記第1構造体と前記第2構造体との間に第1中空部が形成されており、
前記第1信号線と前記第1グランド導体とは接合方向で前記第1中空部を介して対向しており、
前記第1樹脂基材と前記第2樹脂基材とは接触しておらず、
前記第1金属接合材は、前記層間接続導体よりも低い融点を有する材料で構成されており、
前記第1信号線が前記第1グランド導体に対向する位置で、前記接合方向において、前記第1信号線と前記第1グランド導体との間に位置する樹脂部の比率が下がるように、前記第2樹脂基材の厚みが薄くなっている部分を有する、伝送線路。 - 可撓性を有する第1樹脂基材、及び前記第1樹脂基材に形成された第1グランド導体を有する第1構造体と、
可撓性を有する第2樹脂基材、並びに前記第2樹脂基材に形成された第1信号線及び層間接続導体を有する第2構造体と、
前記第1構造体と前記第2構造体との間に配置された第1スペーサと、
前記第1スペーサを介して前記第1構造体と前記第2構造体とを接合する第1金属接合材と、を備え、
前記第1構造体と前記第2構造体とが前記第1スペーサを介して接合されることで前記第1構造体と前記第2構造体との間に第1中空部が形成されており、
前記第1信号線と前記第1グランド導体とは接合方向で前記第1中空部を介して対向しており、
前記第1樹脂基材と前記第2樹脂基材とは接触しておらず、
前記第1金属接合材は、前記層間接続導体よりも低い融点を有する材料で構成されており、
前記第1構造体は、
前記第1信号線に接続する実装電極と、
前記第1グランド導体に接続、または、前記第1グランド導体を用いた、複数のグランド用実装電極と、を備え、
前記第1構造体と前記第2構造体に形成された導体からなり、伝送線路の厚み方向に延びる形状の複数の柱状体を備え、
平面視において、前記複数の柱状体のそれぞれは、前記複数のグランド用実装電極に重なり、
前記平面視において、前記実装電極は、前記複数のグランド用実装電極によって囲まれる領域内に配置される、伝送線路。 - 前記実装電極および前記複数のグランド用実装電極に形成される導電性接合材の融点は、前記第1金属接合材の融点、および、前記層間接続導体の融点よりも低い、請求項14に記載の伝送線路。
- 可撓性を有する第1樹脂基材、及び前記第1樹脂基材に形成された第1グランド導体を有する第1構造体と、
可撓性を有する第2樹脂基材、並びに前記第2樹脂基材に形成された第1信号線及び層間接続導体を有する第2構造体と、
前記第1構造体と前記第2構造体との間に配置された第1スペーサと、
前記第1スペーサを介して前記第1構造体と前記第2構造体とを接合する第1金属接合材と、を備え、
前記第1構造体と前記第2構造体とが前記第1スペーサを介して接合されることで前記第1構造体と前記第2構造体との間に第1中空部が形成されており、
前記第1信号線と前記第1グランド導体とは接合方向で前記第1中空部を介して対向しており、
前記第1樹脂基材と前記第2樹脂基材とは接触しておらず、
前記第1金属接合材は、前記層間接続導体よりも低い融点を有する材料で構成されており、
前記第1グランド導体には、複数のスリットが設けられており、
前記複数のスリットが設けられることにより、複数の接続領域が設けられている、伝送線路。 - 前記第1スペーサは、複数の小スペーサに分割されており、
前記複数の接続領域は、上下方向に見て、前記複数の小スペーサと重なっている、
請求項16に記載の伝送線路。 - 可撓性を有する第1樹脂基材、及び前記第1樹脂基材に形成された第1グランド導体を有する第1構造体と、
可撓性を有する第2樹脂基材、並びに前記第2樹脂基材に形成された第1信号線及び層間接続導体を有する第2構造体と、
前記第1構造体と前記第2構造体との間に配置された第1スペーサと、
前記第1スペーサを介して前記第1構造体と前記第2構造体とを接合する第1金属接合材と、を備え、
前記第1構造体と前記第2構造体とが前記第1スペーサを介して接合されることで前記第1構造体と前記第2構造体との間に第1中空部が形成されており、
前記第1信号線と前記第1グランド導体とは接合方向で前記第1中空部を介して対向しており、
前記第1樹脂基材と前記第2樹脂基材とは接触しておらず、
前記第1金属接合材は、前記層間接続導体よりも低い融点を有する材料で構成されており、
前記層間接続導体より高い融点を有し、かつ、前記第1金属接合材内に設けられている均一なサイズを有する複数の金属球を、
更に備えている、伝送線路。 - 可撓性を有する第1樹脂基材、及び前記第1樹脂基材に形成された第1グランド導体を有する第1構造体と、
可撓性を有する第2樹脂基材、並びに前記第2樹脂基材に形成された第1信号線及び層間接続導体を有する第2構造体と、
前記第1構造体と前記第2構造体との間に配置された第1スペーサと、
前記第1スペーサを介して前記第1構造体と前記第2構造体とを接合する第1金属接合材と、を備え、
前記第1構造体と前記第2構造体とが前記第1スペーサを介して接合されることで前記第1構造体と前記第2構造体との間に第1中空部が形成されており、
前記第1信号線と前記第1グランド導体とは接合方向で前記第1中空部を介して対向しており、
前記第1樹脂基材と前記第2樹脂基材とは接触しておらず、
前記第1金属接合材は、前記層間接続導体よりも低い融点を有する材料で構成されており、
前記第1樹脂基材と前記第2樹脂基材とが互いに対向する面を覆う保護膜を、
更に備えている、伝送線路。 - 前記第2構造体は、前記第2樹脂基材に形成された第2信号線を更に有する、
請求項1ないし請求項19のいずれかに記載の伝送線路。 - 伝送線路が有する2つの面のうち、前記第1中空部から離れている面に実装されるコネクタを、
更に備えている、
請求項1ないし請求項20のいずれかに記載の伝送線路。 - 前記第1金属接合材は、前記第1信号線の延伸方向に延びる長辺を有する長方形状を有している、
請求項1ないし請求項21のいずれかに記載の伝送線路。 - 請求項1ないし請求項22のいずれかに記載の伝送線路を、備える、電子機器。
- 可撓性を有する第1樹脂基材に第1グランド導体を形成することで第1構造体を形成する工程と、
可撓性を有する第2樹脂基材に、第1信号線、及び層間接続導体を形成することで第2構造体を形成する工程と、
前記第1信号線と前記第1グランド導体とが中空部を介して対向するように、前記第1構造体と前記第2構造体とをスペーサを介して金属接合材で接合する工程と、
伝送線路の前記金属接合材が存在する部分を曲げて曲げ部を形成する工程と、
を備え、
前記第1構造体と前記第2構造体とを接合する工程において、前記第1樹脂基材と前記第2樹脂基材とは接触しておらず、
前記金属接合材は、前記層間接続導体よりも低い融点を有する材料で構成されている伝送線路の製造方法。 - 前記第1構造体及び前記第2構造体を張った状態で、前記第1構造体と前記第2構造体とを接合する工程を行う、請求項24に記載の伝送線路の製造方法。
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