JP7283573B2 - 伝送線路、伝送線路の製造方法及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、高周波信号を伝送する伝送線路、伝送線路の製造方法及び電子機器に関する。

従来の伝送線路として、例えば、特許文献１に開示された信号伝送線路がある。この信号伝送線路は、中空部を有する積層体、信号導体、複数のグランド導体、及び層間接続導体を備える。積層体は、複数の樹脂基材が積層されてなる。信号導体、グランド導体、及び層間接続導体は積層体に形成される。信号導体は中空部に露出するように配置される。複数のグランド導体は層間接続導体で導通される。

国際公開第２０１７／１３０７３１号

特許文献１に開示された信号伝送線路では、所定の導体を形成した樹脂基材を積層して加熱プレスすることで、樹脂基材間の接合及び導体間の接合を行う。また、樹脂基材を互いに接合することで中空部を形成する。この場合、上記積層及び加熱プレス工程において、信号線とグランド導体との間の距離を確保しながら、樹脂基材間の接合及び導体間の接合を行うことが困難である。このため、信号線とグランド導体との間の距離が変動し、信号伝送線路の伝送特性にばらつきが生じやすい。

本発明の目的は、中空構造を有する伝送線路であって、伝送特性のばらつきが低減された伝送線路の製造方法及び電子機器を提供することにある。

本発明の伝送線路は、
可撓性を有する第１樹脂基材、及び前記第１樹脂基材に形成された第１グランド導体を有する第１構造体と、
可撓性を有する第２樹脂基材、並びに前記第２樹脂基材に形成された第１信号線及び層間接続導体を有する第２構造体と、
前記第１構造体と前記第２構造体との間に配置された第１スペーサと、
前記第１スペーサを介して前記第１構造体と前記第２構造体とを接合する第１金属接合材と、を備え、
前記第１構造体と前記第２構造体とが前記第１スペーサを介して接合されることで前記第１構造体と前記第２構造体との間に第１中空部が形成されており、
前記第１信号線と前記第１グランド導体とは接合方向で前記第１中空部を介して対向しており、
前記第１樹脂基材と前記第２樹脂基材とは接触しておらず、
前記第１金属接合材は、前記層間接続導体よりも低い融点を有する材料で構成されている。

本発明の伝送線路の製造方法は、
可撓性を有する第１樹脂基材に第１グランド導体を形成することで第１構造体を形成する工程と、
可撓性を有する第２樹脂基材に、第１信号線、及び層間接続導体を形成することで第２構造体を形成する工程と、
前記第１信号線と前記第１グランド導体とが中空部を介して対向するように、前記第１構造体と前記第２構造体とをスペーサを介して金属接合材で接合する工程と、を備え、
前記第１構造体と前記第２構造体とを接合する工程において、前記第１樹脂基材と前記第２樹脂基材とは接触しておらず、
前記金属接合材は、前記層間接続導体よりも低い融点を有する材料で構成されている。

本発明によれば、中空構造を有する伝送線路の伝送特性のばらつきを低減できる。

図１は本発明の第１の実施形態に係る伝送線路１０の外観斜視図である。 図２は伝送線路１０の各層の平面図である。 図３は伝送線路１０のＡ－Ａ断面図である。 図４（Ａ）から図４（Ｆ）は伝送線路１０の製造方法を示す断面図である。 図５は伝送線路１０の実装構造の概念的な側面図である。 図６は本発明の第２の実施形態に係る伝送線路５０の断面図である。 図７は本発明の第３の実施形態に係る伝送線路６０の断面図である。 図８は本発明の第３の実施形態の変形例に係る伝送線路７０の断面図である。 図９は本発明の第４の実施形態に係る伝送線路８０の断面図である。 図１０は本発明の第５の実施形態に係る伝送線路９０の断面図である。 図１１は本発明の第６の実施形態に係る伝送線路１００の断面図である。 図１２は本発明の第７の実施形態に係る伝送線路１１０の各層の平面図である。 図１３は本発明の第８の実施形態に係る伝送線路１２０の断面図である。 図１４は本発明の第９の実施形態に係る伝送線路１３０の断面図である。 図１５は本発明の第１０の実施形態に係る伝送線路１４０の断面図である。 図１６は本発明の第１１の実施形態に係る伝送線路１５０の断面図である。 図１７は本発明の第１２の実施形態に係る伝送線路１６０の側面図である。 図１８は本発明の第１３の実施形態に係る伝送線路１８０の各層の平面図である。 図１９（Ａ）は、本発明の実施形態に係る伝送線路６０の部分的な平面図であり、図１９（Ｂ）、図１９（Ｃ）は、伝送線路６０の断面図である。 図２０（Ａ）は、本発明の構成を備える伝送線路６０にコネクタ２１を実装した状態を示す断面図であり、図２０（Ｂ）は、比較例の伝送線路６０Ｘにコネクタ２１を実装した状態を示す断面図である。

以降、本発明を実施するための複数の形態を示す。各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能である。各々の実施形態では、その実施形態以前に説明した点と異なる点について説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１は本発明の第１の実施形態に係る伝送線路１０の外観斜視図である。図２は伝送線路１０の各層の平面図である。図３は伝送線路１０のＡ－Ａ断面図である。

図１，２に示すように、伝送線路１０は構造体１１Ａ，１１Ｂ、接合電極１２Ａ、第１金属接合材１３Ａ及びコネクタ２１を備える。構造体１１Ａは本発明の「第１構造体」の一例である。構造体１１Ｂは本発明の「第２構造体」の一例である。構造体１１Ａ，１１Ｂは、平面形状を有し、一方向に延伸している。構造体１１Ａと構造体１１Ｂとは互いの長手方向が一致するように積層される。コネクタ２１は構造体１１Ａの長手方向の両端において構造体１１Ａの上面に設けられる。

なお、本願明細書において、「上面」及び「下面」という文言は、一方側の主面と他方側の主面とを区別するための便宜的なものである。同様に、「上側」及び「下側」という文言は、一方側と他方側とを区別するための便宜的なものである。

図２及び図３に示すように、構造体１１Ａと構造体１１Ｂとは、スペーサを構成する接合電極１２Ａを介して金属接合材１３Ａで接合される。接合電極１２Ａは本発明の「第１スペーサ」の一例である。金属接合材１３Ａは本発明の「第１金属接合材」の一例である。構造体１１Ａと構造体１１Ｂとが接合電極１２Ａを介して接合されることで構造体１１Ａと構造体１１Ｂとの間に中空部１４Ａが形成される。中空部１４Ａは本発明の「第１中空部」の一例である。

構造体１１Ａは樹脂基材１５Ａ及びグランド導体１７Ａを有する。樹脂基材１５Ａは本発明の「第１樹脂基材」の一例である。グランド導体１７Ａは本発明の「第１グランド導体」の一例である。構造体１１Ｂは、樹脂基材１５Ｂ、信号線１６、グランド導体１７Ｂ１，１７Ｂ２、及び層間接続導体１８Ｂ１，１８Ｂ２を有する。樹脂基材１５Ｂは本発明の「第２樹脂基材」の一例である。グランド導体１７Ｂ１，１７Ｂ２は本発明の「第２グランド導体」の一例である。信号線１６とグランド導体１７Ａとは、接合方向（構造体１１Ａと構造体１１Ｂとが接合される方向）で、中空部１４Ａを介して対向している。樹脂基材１５Ａと樹脂基材１５Ｂとは接触していない。

樹脂基材１５Ａ，１５Ｂは、可撓性を有し、例えば液晶ポリマー（LCP）を主成分とする。樹脂基材１５Ｂは一体化された樹脂層１５Ｂ１，１５Ｂ２，１５Ｂ３で構成される。樹脂層１５Ｂ１，１５Ｂ２，１５Ｂ３は上側から下側にこの順で配置される。

なお、構造体１１Ａの樹脂基材１５Ａは、構造体１１Ｂの樹脂基材１５Ｂと同様に、複数の樹脂層を有してもよい。

樹脂基材１５Ａ，１５Ｂは同一の種類の材料で構成される。これにより、樹脂基材１５Ａ，１５Ｂの物性差に起因する歪みが発生しにくい状態で、構造体１１Ａ，１１Ｂを一体化できる。

樹脂基材１５Ａと樹脂基材１５Ｂとは特性が異なる材料で構成されてもよい。例えば、伝送線路１０の外側に配置された樹脂基材１５Ａは、耐候性（耐環境性）又は機械的性質に優れた材料で構成されてもよい。耐候性は、温度、湿度等の変化に対して変形、変質、劣化等が起こりにくい性質である。機械的性質は、曲げ強度等の強度、硬さ、靭性等である。伝送線路１０の内側に配置された樹脂基材１５Ｂは、電気的特性が重視された材料で構成されてもよい。例えば、伝送線路１０の特性インピーダンスを所望の値に設定する際、比誘電率の低い材料で樹脂基材１５Ｂを構成すれば、信号線１６の線幅を広くできるので、信号線１６で生じる導体損を低減できる。或いは、樹脂基材１５Ａと樹脂基材１５Ｂとは、異なる色合いを有する材料で構成されてもよい。これにより、伝送線路１０の製造工程において、画像認識による基材の識別が容易になる。

接合電極１２Ａは樹脂層１５Ｂ１の上面に形成される。接合電極１２Ａは構造体１１Ａと構造体１１Ｂとの間に配置されている。接合電極１２Ａは、信号線１６を構成する導体と同一の材質からなる導体を含んで形成される。接合電極１２Ａは、所定の中空部１４Ａの厚さを実現するために、信号線１６を構成する導体よりも厚い導体を含んで形成されてもよい。接合電極１２Ａは構造体１１Ｂの幅方向の両端において構造体１１Ｂの長手方向に延伸している。グランド導体１７Ａは樹脂基材１５Ａの下面の略全面に形成される。信号線１６、グランド導体１７Ｂ１，１７Ｂ２、及び層間接続導体１８Ｂ１，１８Ｂ２は、樹脂基材１５Ｂに形成される。信号線１６及びグランド導体１７Ｂ１は樹脂層１５Ｂ２の上面に配置される。信号線１６は構造体１１Ｂの幅方向の中央において構造体１１Ｂの長手方向に延伸している。グランド導体１７Ｂ１は構造体１１Ｂの幅方向の両端において構造体１１Ｂの長手方向に延伸している。グランド導体１７Ｂ２は樹脂層１５Ｂ３の下面の略全面に配置される。接合電極１２Ａ、信号線１６、及びグランド導体１７Ｂ１，１７Ｂ２は、例えばCu箔から形成された導体パターンである。

なお、接合電極１２Ａ及びグランド導体１７Ｂ１は、構造体１１Ｂの長手方向に延伸する代わりに、構造体１１Ｂの長手方向に沿って間隔をあけて複数配置されてもよい。

また、信号線１６は複数形成されてもよい。この場合、複数の信号線１６間のアイソレーションを確保するために、複数の信号線１６間にグランド導体及び層間接続導体が形成されてもよい。

信号線１６とグランド導体１７Ａとは、中空部１４Ａに加えて樹脂基材１５Ｂを介して対向している。しかし、信号線１６とグランド導体１７Ａとは、信号線１６、グランド導体１７Ａ等の配置が適宜変更されることで、中空部１４Ａと樹脂基材１５Ａ，１５Ｂの少なくとも一方とを介して対向してもよい。

接合電極１２Ａは層間接続導体１８Ｂ１を介してグランド導体１７Ｂ１に接合及び導通される。グランド導体１７Ｂ１は層間接続導体１８Ｂ２を介してグランド導体１７Ｂ２に接合及び導通される。

金属接合材１３Ａは、伝送線路１０の幅方向の両端において、伝送線路１０の長手方向に沿って間隔をあけて複数配置されている。金属接合材１３Ａは接合電極１２Ａとグランド導体１７Ａとを接合及び導通する。これにより、金属接合材１３Ａは、スペーサを構成する接合電極１２Ａを介して構造体１１Ａと構造体１１Ｂとを接合する。金属接合材１３Ａは、層間接続導体１８Ｂ１，１８Ｂ２よりも低い融点を有する材料で構成されている。例えば、金属接合材１３Ａははんだであり、層間接続導体１８Ｂ１，１８Ｂ２はCu-Sn合金である。なお、層間接続導体１８Ｂ１，１８Ｂ２は、上下方向に見て、金属接合材１３Ａと重なっていなくてもよい。

中空部１４Ａは、上記のように構造体１１Ａ，１１Ｂ、接合電極１２Ａ及び第１金属接合材１３で定められ、伝送線路１０の長手方向に延伸している。中空部１４Ａは、グランド導体１７Ａの下面、樹脂基材１５Ｂの上面、及び接合電極１２Ａの内側の端面で囲まれている。上記のように、中空部１４Ａは信号線１６とグランド導体１７Ａとの間に形成される。これにより、誘電損の発生が抑制されるので、伝送線路１０の伝送損失が低減される。また、伝送線路１０の特性インピーダンスを所望の値に設定する際、信号線１６の線幅を広くできるので、信号線１６で生じる導体損を低減できる。

樹脂基材１５Ｂの下面には保護層１９Ａが形成される。保護層１９Ａは、グランド導体１７Ｂ２を覆うように樹脂基材１５Ｂの下面全体に配置されている。

なお、接合電極１２Ａ及びグランド導体１７Ａにおける中空部１４Ａ又は伝送線路１０の外部に露出する表面に、例えばめっき処理で、耐酸化性に優れたNi/Au等の導電性を有する保護膜が形成されてもよい。

樹脂基材１５Ａの長手方向の両端において、樹脂基材１５Ａの下面側に、実装電極２２が形成される。実装電極２２は、金属接合材２３、内部電極２４、及び層間接続導体２５を介して、信号線１６の端部に接続される。樹脂基材１５Ａの長手方向の両端には、グランド導体１７Ａの一部及び実装電極２２が露出するように、開口２６が形成される。コネクタ２１は、開口２６から露出したグランド導体１７Ａ及び実装電極２２に導通する。

第１の実施形態では、構造体１１Ａと構造体１１Ｂとが接合電極１２Ａを介して金属接合材１３Ａで接合されることによって、中空部１４Ａが形成される。このため、構造体１１Ａと構造体１１Ｂとの接合工程において中空部１４Ａを保持しやすい。その結果、グランド導体１７Ａと信号線１６との間の距離が変動しにくく、伝送線路１０の伝送特性のばらつきが低減される。

図４（Ａ）から図４（Ｆ）は伝送線路１０の製造方法を示す断面図である。

先ず、図４（Ａ）に示すように、樹脂基材４５Ａに貼り付けられた金属箔をフォトリソグラフィ等でパターニングすることで、グランド導体１７Ａ及び実装電極２２（図２参照）を形成する。また、レーザ等を用いて樹脂基材４５Ａに開口２６（図２参照）を形成する。これにより、複数の構造体１１Ａを含む構造体４１Ａを形成する。

また、図４（Ｂ）に示すように、樹脂基材４５Ｂ１，４５Ｂ２，４５Ｂ３に貼り付けられた金属箔をフォトリソグラフィ等でパターニングすることで、接合電極１２Ａ、信号線１６、グランド導体１７Ｂ１，１７Ｂ２、及び内部電極２４（図２参照）を形成する。また、レーザ等を用いて樹脂基材４５Ｂ１，４５Ｂ２，４５Ｂ３に貫通孔を形成し、その貫通孔に導電性ペースト４８を充填する。

次に、図４（Ｃ）に示すように、樹脂基材４５Ｂ１，４５Ｂ２，４５Ｂ３を積層して加熱プレスを行う。これにより、樹脂基材４５Ｂ１，４５Ｂ２，４５Ｂ３を一体化して樹脂基材４５Ｂを形成すると共に、導電性ペースト４８を硬化させて層間接続導体１８Ｂ１，１８Ｂ２及び層間接続導体２５（図２参照）を形成する。このようにして、複数の構造体１１Ｂを含む構造体４１Ｂを形成する。

次に、図４（Ｄ）に示すように、例えば接合電極１２Ａの表面にソルダーペーストを印刷した後、構造体４１Ａ，４１Ｂを張った状態で構造体４１Ａ，４１Ｂを積層して加熱する。これにより、信号線１６とグランド導体１７Ａとが中空部１４Ａを介して対向するように、構造体４１Ａと構造体４１Ｂとを接合電極１２Ａを介して金属接合材１３Ａで接合する。樹脂基材４５Ａと樹脂基材４５Ｂとは接触していない。接合時の加熱温度は、金属接合材１３Ａを構成する材料の融点より高く、層間接続導体１８Ｂ１，１８Ｂ２を構成する材料の融点より低い。

上記のように、構造体４１Ａ，４１Ｂを張った状態で構造体４１Ａと構造体４１Ｂとを接合することで、信号線１６とグランド導体１７Ａとの間に中空部１４Ａを確保でき、また中空部１４Ａの高さのばらつきを低減できる。

次に、図４（Ｅ）に示すように、構造体４１Ｂの下面に保護層４９Ａを印刷等で形成することで、複数の伝送線路１０を含む集合基板４０を形成する。

最後に、図４（Ｆ）に示すように、集合基板４０を個片に分離することで個別の伝送線路１０を得る。

図５は伝送線路１０を備える電子機器１の側面図である。電子機器１は、伝送線路１０、回路基板３１及びコネクタ３２を備えている。図５に示すように、段差を有する回路基板３１に伝送線路１０を実装することもできる。伝送線路１０のコネクタ２１は、それぞれ回路基板３１のコネクタ３２に接続される。伝送線路１０は回路基板３１の段差に沿って曲げられている。伝送線路１０の曲げ部ＢＰに配置された金属接合材１３Ａは塑性変形により曲げられている。伝送線路１０の曲げ加工では、金属接合材１３Ａを加熱により塑性変形させる。具体的には、金属接合材１３Ａを加熱により溶融又は軟化させ変形させた後、変形させた金属接合材１３Ａを冷却により硬化させる。これにより、曲げ形状が保持された伝送線路１０を得ることができる。

なお、伝送線路１０の樹脂基材１５Ａ，１５Ｂの材料として熱可塑性樹脂を用いれば、樹脂基材１５Ａ，１５Ｂの塑性変形によっても伝送線路１０の曲げ形状を保持できる。

なお、中空部１４Ａは、曲げ部ＢＰに設けられなくてもよい。この場合、曲げ部ＢＰにおいて中空部１４Ａが変形することがなくなり、伝送線路１０の伝送特性に変化が生じにくくなる。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、中空部が信号線の上側及び下側に形成される。

図６は本発明の第２の実施形態に係る伝送線路５０の断面図である。

伝送線路５０は構造体１１Ａ，５１Ｂ，１１Ｃを備える。構造体１１Ｃは本発明の「第３構造体」の一例である。構造体１１Ａ，５１Ｂ，１１Ｃは上側から下側にこの順で配置される。構造体１１Ａと構造体５１Ｂとは、スペーサを構成する接合電極１２Ａを介して金属接合材１３Ａで接合される。構造体５１Ｂと構造体１１Ｃとは、スペーサを構成する接合電極１２Ｂを介して金属接合材１３Ｂで接合される。接合電極１２Ｂは本発明の「第２スペーサ」の一例である。金属接合材１３Ｂは本発明の「第２金属接合材」の一例である。

構造体５１Ｂは、樹脂基材５５Ｂ、信号線１６、及び層間接続導体１８Ｂ１を有する。樹脂基材５５Ｂは可撓性を有する。信号線１６は樹脂基材５５Ｂの上面に配置される。信号線１６とグランド導体１７Ａとは接合方向で中空部１４Ａを介して対向している。

接合電極１２Ａは樹脂基材５５Ｂの上面に形成される。接合電極１２Ａは構造体１１Ａと構造体５１Ｂとの間に配置される。接合電極１２Ｂは樹脂基材５５Ｂの下面に形成される。接合電極１２Ｂは構造体５１Ｂと構造体１１Ｃとの間に配置される。接合電極１２Ａ，１２Ｂは、構造体５１Ｂの幅方向の両端において構造体５１Ｂの長手方向に延伸している。接合電極１２Ａは層間接続導体１８Ｂ１を介して接合電極１２Ｂに接合及び導通される。

構造体１１Ｃは樹脂基材１５Ｃ及びグランド導体１７Ｃを有する。樹脂基材１５Ｃは本発明の「第３樹脂基材」の一例である。グランド導体１７Ｃは本発明の「第３グランド導体」の一例である。樹脂基材１５Ｃは可撓性を有する。樹脂基材５５Ｂと樹脂基材１５Ｃとは、同一の種類の材料で構成されてもよいし、特性が異なる材料で構成されてもよい。グランド導体１７Ｃは樹脂基材１５Ｃの上面の略全面に配置される。換言すると、構造体１１Ｃは構造体１１Ａと同様に構成される。構造体１１Ｃは、グランド導体１７Ｃが配置された面を上側に向けて、構造体５１Ｂの下側に配置される。

グランド導体１７Ａは樹脂基材１５Ａより内側に配置され、グランド導体１７Ｃは樹脂基材１５Ｃより内側に配置される。これにより、グランド導体１７Ａ，１７Ｃを保護するための保護層が不要となる。

構造体５１Ｂと構造体１１Ｃとが接合電極１２Ｂを介して接合されることで中空部１４Ｂが形成される。中空部１４Ｂは本発明の「第２中空部」の一例である。信号線１６とグランド導体１７Ｃとは接合方向で中空部１４Ｂ及び樹脂基材５５Ｂを介して対向している。樹脂基材５５Ｂと樹脂基材１５Ｃとは接触していない。

金属接合材１３Ｂは接合電極１２Ｂとグランド導体１７Ｃとを接合及び導通する。金属接合材１３Ｂは、例えばはんだであり、層間接続導体１８Ｂ１よりも低い融点を有する材料で構成される。

第２の実施形態では、信号線１６とグランド導体１７Ｃとの間にも、中空部１４Ｂが形成される。これにより、伝送線路１０の伝送損失がより低減される。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、中空部が信号線の上側及び下側に形成されると共に、信号線が樹脂基材及び中空部を介してグランド導体に対向する。

図７は本発明の第３の実施形態に係る伝送線路６０の断面図である。

伝送線路６０は構造体６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃを備える。構造体６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃは上側から下側にこの順で配置される。構造体６１Ａと構造体６１Ｂとは、スペーサを構成する接合電極１２Ａ，１２Ｃを介して金属接合材１３Ａで接合される。構造体６１Ｂと構造体６１Ｃとは、スペーサを構成する接合電極１２Ｂ，１２Ｄを介して金属接合材１３Ｂで接合される。

構造体６１Ａは、樹脂基材１５Ａ、グランド導体１７Ａ、及び層間接続導体１８Ａを有する。グランド導体１７Ａは樹脂基材１５Ａの上面の略全面に配置される。構造体６１Ｂは、樹脂基材１５Ｂ、信号線１６、グランド導体１７Ｂ１、及び層間接続導体１８Ｂ１，１８Ｂ２を有する。信号線１６及びグランド導体１７Ｂ１は、第１の実施形態の場合と同様に樹脂基材１５Ｂの内層に形成される。構造体６１Ｃは、樹脂基材１５Ｃ、グランド導体１７Ｃ、及び層間接続導体１８Ｃを有する。グランド導体１７Ｃは樹脂基材１５Ｃの下面の略全面に配置される。構造体６１Ｃは構造体６１Ａと同様に構成される。構造体６１Ｃは、グランド導体１７Ｃが配置された面を下側に向けて、構造体６１Ｂの下側に配置される。

接合電極１２Ａ，１２Ｂは、それぞれ、樹脂基材１５Ｂの上面及び下面に形成される。接合電極１２Ｃは樹脂基材１５Ａの下面に形成される。接合電極１２Ｄは樹脂基材１５Ｃの上面に形成される。

接合電極１２Ａ，１２Ｂは、それぞれ、層間接続導体１８Ｂ１，１８Ｂ２を介してグランド導体１７Ｂ１に接合及び導通される。接合電極１２Ｃは層間接続導体１８Ａを介してグランド導体１７Ａに接合及び導通される。接合電極１２Ｄは層間接続導体１８Ｃを介してグランド導体１７Ｃに接合及び導通される。接合電極１２Ａと接合電極１２Ｃとは金属接合材１３Ａを介して接合及び導通される。接合電極１２Ｂと接合電極１２Ｄとは金属接合材１３Ｂを介して接合及び導通される。

構造体６１Ａと構造体６１Ｂとが接合電極１２Ａ，１２Ｃを介して接合されることで中空部１４Ａが形成される。構造体６１Ｂと構造体６１Ｃとが接合電極１２Ｂ，１２Ｄを介して接合されることで中空部１４Ｂが形成される。信号線１６とグランド導体１７Ａとは接合方向で中空部１４Ａ及び樹脂基材１５Ａ，１５Ｂを介して対向している。信号線１６とグランド導体１７Ｃとは接合方向で中空部１４Ｂ及び樹脂基材１５Ｂ，１５Ｃを介して対向している。

樹脂基材１５Ａの上面及び樹脂基材１５Ｃの下面には保護層１９Ａ，１９Ｂが形成される。

図８は本発明の第３の実施形態の変形例に係る伝送線路７０の断面図である。伝送線路７０は伝送線路６０（図７参照）と次の点で異なる。伝送線路７０は、構造体６１Ａ，６１Ｃ、接合電極１２Ｃ，１２Ｄ及び保護層１９Ａ，１９Ｂに代えて、構造体１１Ａ，１１Ｃを備える。構造体１１Ａ，６１Ｂ，１１Ｃは上側から下側にこの順で配置されている。構造体１１Ａと構造体６１Ｂとは、スペーサを構成する接合電極１２Ａを介して金属接合材１３Ａで接合される。構造体６１Ｂと構造体１１Ｃとは、スペーサを構成する接合電極１２Ｂを介して金属接合材１３Ｂで接合される。

第３の実施形態では、信号線１６が中空部１４Ａ及び樹脂基材を介してグランド導体１７Ａに対向する。このため、中空部１４Ａが変形しても、信号線１６とグランド導体１７Ａと間に配置された樹脂基材によって、信号線１６とグランド導体１７Ａとの短絡が防止される。同様に、信号線１６は中空部１４Ｂ及び樹脂基材を介してグランド導体１７Ｃに対向する。このため、中空部１４Ｂが変形しても、信号線１６とグランド導体１７Ｃと間に配置された樹脂基材によって、信号線１６とグランド導体１７Ｃとの短絡が防止される。

なお、第３の実施形態では、構造体１１Ａおよび構造体１１Ｃは、構造体６１Ｂよりも硬いことが好ましい。例えば、構造体１１Ａの樹脂基材１５Ａおよび構造体１１Ｃの樹脂基材１５Cのヤング率は、構造体６１Ｂの樹脂基材１５Bのヤング率よりも高いことが好ましい。また、構造体１１Ａの樹脂基材１５Ａおよび構造体１１Ｃの樹脂基材１５Cの線膨張係数ＣＴＥは、構造体６１Ｂの樹脂基材１５BのＣＴＥよりも大きいことが好ましい。これにより、中空部１４Ａおよび中空部１４Ｂの不要な変形を抑制できる。

さらに、構造体１１Ａの樹脂基材１５Ａおよび構造体１１Ｃの樹脂基材１５Ｃは、同じ材料であることが好ましく、これにより、伝送線路７０の反りを抑制できる。

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、信号線がグランド導体と対向する位置で、接合方向において、信号線とグランド導体との間に位置する樹脂部の比率が下がるように、信号線が形成された樹脂基材の厚みが薄くなっている。

図９は本発明の第４の実施形態に係る伝送線路８０の断面図である。伝送線路８０は第３の実施形態に係る伝送線路６０（図７参照）と次の点で異なる。伝送線路８０は、樹脂基材１５Ｂを有する構造体６１Ｂに代えて、樹脂基材８５Ｂを有する構造体８１Ｂを備える。

樹脂基材８５Ｂは、信号線１６がグランド導体１７Ａ，１７Ｃに対向する位置に部分ＢＭを有する。樹脂基材８５Ｂの部分ＢＭは、樹脂基材８５Ｂにおける中空部１４Ａ，１４Ｂに面しない部分、換言すると樹脂基材８５Ｂの短手方向の端部より薄い。樹脂基材８５Ｂの部分ＢＭは、樹脂基材８５Ｂの上面及び下面に凹部が形成されることで、薄くなっている。即ち、伝送線路８０は、信号線１６がグランド導体１７Ａ，１７Ｃに対向する位置で、接合方向において、信号線１６とグランド導体１７Ａ，１７Ｃのそれぞれとの間に位置する樹脂部の比率が下がるように、樹脂基材８５Ｂの厚みが薄くなっている部分を有する。

樹脂基材８５Ｂの部分ＢＭは信号線１６に沿って延伸している。樹脂基材８５Ｂの部分ＢＭの幅は、信号線１６の幅より幾分広くてもよいし、信号線１６の幅と同一でもよいし、信号線１６の幅より幾分狭くてもよい。

樹脂基材８５Ｂの部分ＢＭは、プラズマ処理等で樹脂基材を掘り込む（座刳る）ことで形成されてもよい。或いは、樹脂基材８５Ｂの部分ＢＭは、一部に開口が形成された複数の樹脂基材を積層することで形成されてもよい。

第４の実施形態では、信号線１６がグランド導体１７Ａ，１７Ｃに対向する位置で、接合方向において、信号線１６とグランド導体１７Ａ，１７Ｃのそれぞれとの間に位置する樹脂部の比率が下がるように、樹脂基材８５Ｂの厚みが薄くなっている。その結果、信号線１６が配置された層とグランド導体１７Ａ，１７Ｃがそれぞれ配置された層との間の比誘電率が低くなる。このため、伝送線路６０の特性インピーダンスを所望の値に設定する際、信号線１６の線幅を広くできるので、信号線１６で生じる導体損を低減できる。

《第５の実施形態》
第５の実施形態では、接合電極及び金属ブロックがスペーサを構成する。

図１０は本発明の第５の実施形態に係る伝送線路９０の断面図である。

伝送線路９０は構造体６１Ａ及び構造体１１Ｂを備える。構造体６１Ａと構造体１１Ｂとは接合電極１２Ａ，１２Ｃ及び金属ブロック３３を介して金属接合材１３Ａで接合される。構造体６１Ａの上面及び構造体１１Ｂの下面には保護層１９Ａ，１９Ｂが形成される。

接合電極１２Ａ，１２Ｃ及び金属ブロック３３はスペーサを構成する。金属ブロック３３は、信号線１６、グランド導体１７Ａ，１７Ｂ１，１７Ｂ２、及び接合電極１２Ａ，１２Ｃより厚い。即ち、スペーサは、信号線１６を構成する導体よりも厚い導体を含んで形成される。

金属ブロック３３は接合電極１２Ａと接合電極１２Ｃとの間に配置される。金属ブロック３３は、伝送線路１０の幅方向の両端において、伝送線路９０の長手方向に沿って間隔をあけて複数配置される。金属ブロック３３は、金属接合材１３Ａによって、接合電極１２Ａ，１２Ｃに接合及び導通される。

第５の実施形態では、接合電極１２Ａ，１２Ｃ及び金属ブロック３３がスペーサを構成する。このため、構造体６１Ａと構造体１１Ｂとの間に形成される中空部１４Ａを適宜厚くできる。

《第６の実施形態》
第６の実施形態では、接合電極及び樹脂基材がスペーサを構成する。

図１１は本発明の第６の実施形態に係る伝送線路１００の断面図である。伝送線路１００は第５の実施形態に係る伝送線路９０（図１０参照）と次の点で異なる。伝送線路１００は、金属ブロック３３及び金属接合材１３Ａに代えて、可撓性を有する樹脂基材１５Ｄ及び金属接合材１０３Ａを備える。

接合電極１２Ａ，１２Ｃ及び樹脂基材１５Ｄはスペーサを構成する。樹脂基材１５Ｄは接合電極１２Ａと接合電極１２Ｃとの間に配置される。樹脂基材１５Ｄは伝送線路１００の幅方向の両端において伝送線路１００の長手方向に延伸している。樹脂基材１５Ｄは、樹脂基材１５Ｄの長手方向に沿って間隔をあけて形成された複数の貫通孔を有する。樹脂基材１５Ｄの貫通孔には、例えばはんだである金属接合材１０３Ａが充填される。金属接合材１０３Ａは接合電極１２Ａと接合電極１２Ｃとを接合及び導通する。これにより、金属接合材１０３Ａは、接合電極１２Ａ，１２Ｃ及び樹脂基材１５Ｄを介して構造体６１Ａと構造体１１Ｂとを接合する。

第６の実施形態では、樹脂基材１５Ｄの貫通孔に金属接合材１０３Ａが充填されることで、金属接合材１０３Ａの位置が固定される。

なお、第６の実施形態とは異なり、Cu-Sn合金等の融点が比較的高い導電材料で層間接続導体を樹脂基材１５Ｄに形成した後、はんだ等の融点が比較的低い金属接合材で当該層間接続導体と接合電極１２Ａ，１２Ｃのそれぞれとを接合してもよい。なお、伝送線路１００において、接合電極１２Ａ，１２Ｃが設けられていなくてもよい。この場合、金属接合材１０３Ａは、層間接続導体１８Ａ，１８Ｂ１に接合される。また、伝送線路１００において、樹脂基材１５Ｄの上に接合電極が更に設けられていてもよい。この場合、樹脂基材１５Ｄの上の接合電極は、金属接合材を介して接合電極１２Ｃに接合されている。同様に、伝送線路１００において、樹脂基材１５Ｄの下に接合電極が更に設けられていてもよい。この場合、樹脂基材１５Ｄの下の接合電極は、金属接合材を介して接合電極１２Ａに接合されている。

《第７の実施形態》
第７の実施形態では、伝送線路１０において、グランド導体１７ＡにスリットＳＬが設けられ、接合電極１２Ａが複数に分割されている。

図１２は本発明の第７の実施形態に係る伝送線路１１０の各層の平面図である。図１２に示すように、接合電極１２Ａは、複数の長方形状の小接合電極１１２Ａ（複数の小スペーサ）に分割されている。グランド導体１７Ａには、複数のスリットＳＬが設けられている。複数のスリットＳＬが設けられることにより、複数の長方形状の接続領域Ａ１が設けられている。複数の接続領域Ａ１のそれぞれは、上下方向に見て、複数の小接合電極１１２Ａと重なる。これにより、金属接合材１３Ａが接合電極１２Ａ及びグランド導体１７Ａにおいて濡れ広がることが抑制される。これにより、金属接合材１３Ａの厚みを均一に保つことが容易となり、中空部１４Ａの厚みがばらつくことが抑制される。

《第８の実施形態》
第８の実施形態では、伝送線路１０において、金属球１１３Ａが金属接合材１３Ａ内に存在している。

図１３は本発明の第８の実施形態に係る伝送線路１２０の断面図である。伝送線路１２０は、複数の金属球１１３Ａを備えている。複数の金属球１１３Ａは、球体である。また、複数の金属球１１３Ａのサイズは、均一である。複数の金属球１１３Ａは、金属接合材１３Ａ内に設けられている。金属球１１３Ａは、金属接合材１３Ａ（すなわち、はんだ）より高い融点を有するＮｉにより作製されている。これにより、金属接合材１３Ａの厚みを、接合電極１２Ａの厚みより大きくすることができる。その結果、中空部１４Ａを大きくすることができる。

《第９の実施形態》
第９の実施形態では、伝送線路５０において、保護膜３００が設けられている。

図１４は本発明の第９の実施形態に係る伝送線路１３０の断面図である。伝送線路１３０は、保護膜３００を更に備えている。保護膜３００は、樹脂基材１５Ａと樹脂基材５５Ｂとが互いに対向する面を覆っている。具体的には、保護膜３００は、樹脂基材１５Ａの下面、樹脂基材５５Ｂの上面、樹脂基材５５Ｂの下面及び樹脂基材１５Ｃの上面に設けられている。ただし、保護膜３００の誘電率が樹脂基材１５Ａ，５５Ｂ，１５Ｃの誘電率より高い場合、伝送線路８０の高周波特性の特性に影響が生じる。そこで、保護膜３００の厚みは、薄くなっている。保護膜３００の厚みは、例えば、樹脂基材５５Ｂの厚みより薄い。保護膜３００が接合電極１２Ａ，１２Ｂを覆っているので、金属接合材１３Ａ，１３Ｂが濡れ広がることが抑制される。

《第１０の実施形態》
第１０の実施形態では、伝送線路１０において、多芯構造を有している。

図１５は本発明の第１０の実施形態に係る伝送線路１４０の断面図である。伝送線路１４０は、信号線１１６を更に備えている。信号線１１６は、信号線１６と平行に伸びるように樹脂基材１５Ｂに設けられている。また、信号線１６と信号線１１６の間には、接合電極１２Ａ、グランド導体１７Ｂ１及び層間接続導体１８Ｂ１．１８Ｂ２が設けられている。これにより、信号線１６と信号線１１６とのアイソレーションが確保される。

《第１１の実施形態》
第１１の実施形態では、伝送線路１０において、多芯構造を有している。

図１６は本発明の第１１の実施形態に係る伝送線路１５０の断面図である。伝送線路１５０は、信号線１１６を更に備えている。信号線１１６は、信号線１６と平行に伸びるように樹脂基材１５Ｂに設けられている。ただし、信号線１６と信号線１１６の間には、接合電極１２Ａ、グランド導体１７Ｂ１及び層間接続導体１８Ｂ１．１８Ｂ２が設けられていない。このような伝送線路１４０では、信号線１６と信号線１１６は、差動伝送線路を構成する。

《第１２の実施形態》
第１２の実施形態では、伝送線路１６０が有する２つの面のうち、中空部１４Ａから離れている面にコネクタ２１が実装される。

図１７は本発明の第１２の実施形態に係る伝送線路１６０の側面図である。伝送線路１６０では、コネクタ２１は、伝送線路１６０が有する２つの面のうち、中空部１４Ａから離れている面に実装される。伝送線路１６０において中空部１４Ａから離れている面は、伝送線路１６０において中空部１４Ａに近い面より変形しにくい。従って、コネクタ２１が伝送線路１６０に安定して実装されるようになる。

《第１３の実施形態》
第１３の実施形態では、伝送線路１０において、金属接合材１３Ａが長方形状を有している。

図１８は本発明の第１３の実施形態に係る伝送線路１８０の各層の平面図である。金属接合材１３Ａは、信号線１６の延伸方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。これにより、金属接合材１３Ａがシールドとして効果的に機能するようになる。更に、伝送線路１８０の変形をより効果的に抑制できる。

《端子部の具体例》
図１９（Ａ）は、本発明の実施形態に係る伝送線路６０の部分的な平面図であり、図１９（Ｂ）、図１９（Ｃ）は、伝送線路６０の断面図である。図１９（Ｂ）は、図１９（Ａ）に示すＢ－Ｂ断面図であり、図１９（Ｃ）は、図１９（Ａ）に示すＣ－Ｃ断面図である。

伝送線路６０の端子部は、図１９（Ａ）、図１９（Ｂ）、図１９（Ｃ）に示すように、接合電極１２Ａ、接合電極１２Ｂ、接合電極１２Ｃ、接合電極１２Ｄ、金属接合材１３Ａ、金属接合材１３Ｂ、グランド導体１７Ｂ１、層間接続導体１８Ａ、層間接続導体１８Ｂ１、層間接続導体１８Ｂ２、および、層間接続導体１８Ｃの組を４つ備える。

それぞれの組において、伝送線路６０の厚み方向に、グランド導体１７Ａからグランド導体１７Ｃに向けて、層間接続導体１８Ａ、接合電極１２Ｃ、金属接合材１３Ａ、接合電極１２Ａ、層間接続導体１８Ｂ１、グランド導体１７Ｂ１、層間接続導体１８Ｂ２、接合電極１２Ｂ、金属接合材１３Ｂ、接合電極１２Ｄ、層間接続導体１８Ｃの順に並んでおり、これらは、平面視して重なっている。すなわち、これらの構成要素によって、所定の強度を有する柱状体が形成される。

言い換えれば、伝送線路６０の端子部では、これら４個の柱状体によって、構造体６１Ａ、構造体６１Ｂ、および、構造体６１Ｃとの位置関係は、保持されている。より具体的には、伝送線路６０の端子部では、これら４個の柱状体によって、構造体６１Ａと構造体６１Ｂとの間に中空部１４Ａを有し、構造体６１Ｂと構造体６１Ｃとの間に中空部１４Ｂを有する構造が保持されている。そして、これら４個の柱状体は、平面視して、矩形を領域Ｒｅ２２に形成するように、配置されている。

樹脂基材１５Ａには、実装電極２２、および、実装用補助電極２２Ａ、層間接続導体２５Ａが形成されている。また、樹脂基材１５Ａに形成されたグランド導体１７Ａには、開口１７１が形成されている。

開口１７１は、樹脂基材１５Ａの上面におけるグランド導体１７Ａにおける導体の形成されていない領域である。開口１７１は、上述の領域Ｒｅ２２内に配置されている。

実装用補助電極２２Ａは、樹脂基材１５Ａの上面側に配置され、開口１７１内に配置されている。したがって、実装用補助電極２２Ａは、領域Ｒｅ２２内に配置されている。さらに、実装用補助電極２２Ａは、平面視において、実装電極２２に重なる位置に配置されている。実装用補助電極２２Ａは、層間接続導体２５Ａを介して実装電極２２に接続する。実装電極２２は、金属接合材２３を介して内部電極２４に接続し、内部電極２４は、層間接続導体２５を介して、信号線１６に接続する。

この構成では、平面視において、実装用補助電極２２Ａから信号線１６に接続する部分が、上記４個の柱状体によって囲まれる。

このような構成において、伝送線路６０にコネクタ２１を実装する場合、保護層１９Ｂにおける実装用補助電極２２Ａの一部、グランド導体１７Ａの一部に開口を設けて、はんだバンプ１７０を形成する。グランド導体１７Ａにおけるはんだバンプ１７０の形成位置は、４個の柱状体に重なる位置である。そして、はんだバンプ１７０を用いることで、実装用補助電極２２Ａ、グランド導体１７Ａの４箇所とコネクタ２１の各端子とを接合する。

この際、上述の端子部の構造を用いることで、次に示すような作用効果を奏することができる。

図２０（Ａ）は、本発明の構成を備える伝送線路６０にコネクタ２１を実装した状態を示す断面図である。図２０（Ｂ）は、比較例の伝送線路６０Ｘにコネクタ２１を実装した状態を示す断面図である。比較例の伝送線路６０Ｘは、伝送線路６０Ｘの長手方向における実装電極２２よりも中央側において、グランド導体１７Ａとグランド導体１７Ｃとの間を接続する上述の柱状体を備えていない。

図２０（Ａ）に示すように、伝送線路６０では、コネクタ２１は、４個の柱状体に支持される部分に実装される。これにより、コネクタ２１の実装時に、所定の押圧を加えながらコネクタ２１を伝送線路６０に実装しても、コネクタ２１は、４個の柱状体に支持される。したがって、伝送線路６０が中空部１４Ａを有していても、伝送線路６０の変形、より詳しくは、構造体６１Ａが凹む変形（図２０（Ｂ）参照）を抑制できる。

一方、図２０（Ｂ）に示すように、比較例の伝送線路６０Ｘでは、実装用補助電極２２Ａよりも中央側のグランド導体１７Ａとの接続部において、コネクタ２１が構造体６１Ａを押し込んでしまい、構造体６１Ａが凹んで変形してしまう可能性が高くなる。そして、構造体６１Ａが凹むことで、コネクタ２１が傾き、接合不良が生じてしまう可能性が高くなる。

このように、上述の端子部の構造を用いることによって、伝送線路６０が中空部１４Ａを有する構造であっても、コネクタ２１を確実に実装できる。

また、この構成では、柱状体を、グランド導体１７Ａとグランド導体１７Ｃとを接続する構造によって実現している。したがって、コネクタ２１を支持するためだけの柱状体を別途形成するよりも、伝送線路６０の端子部の形状を小さくできる。また、他の導体と比較して面積の大きなグランド導体１７Ａとグランド導体１７Ｃを柱状体の一部として利用することによって、柱状体の強度を高めることができ、よりよい。

なお、上述の説明では、実装電極２２、実装用補助電極２２Ａ、および、内部電極２４は、４個の柱状体に囲まれる領域Ｒｅ２２の中央に配置されている。しかしながら、実装電極２２、実装用補助電極２２Ａ、および、内部電極２４は、領域Ｒｅ２２内に含まれていることが好ましく、実装電極２２、実装用補助電極２２Ａ、および、内部電極２４の少なくとも一部が領域Ｒｅ２２内に含まれていればよい。

また、上述の説明では、領域Ｒｅ２２は、矩形であるが。矩形に限るものではなく、三角形以上の多角形で構成されていればよい。

また、上述の構成において、はんだバンプ１７０を形成するはんだの融点は、金属接合材の融点、および、層間接続導体の融点に対して、次の関係であることが好ましい。

（はんだの融点）＜（金属接合材の融点）＜（層間接続導体の融点）
この関係により、金属接合材による接合の際に、層間接続導体の再溶融を抑制でき、はんだによる接合の際に、金属接合材および層間接続導体の再溶融を抑制できる。

また、上記の各実施形態において、金属接合材の位置を固定しやすくするために、接合電極上に保護膜をパターニングしてもよい。

最後に、上記の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形及び変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上記の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

１０，５０，６０，７０，８０，９０，１００…伝送線路
１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，４１Ａ，４１Ｂ，５１Ｂ，６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ，８１Ｂ…構造体
１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ…接合電極
１３Ａ，１３Ｂ，２３，１０３Ａ…金属接合材
１４Ａ，１４Ｂ…中空部
１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｂ１，４５Ｂ２，４５Ｂ３，５５Ｂ，８５Ｂ…樹脂基材
１５Ｂ１，１５Ｂ２，１５Ｂ３…樹脂層
１６…信号線
１７Ａ，１７Ｂ１，１７Ｂ２，１７Ｃ…グランド導体
１８Ａ，１８Ｂ１，１８Ｂ２，１８Ｃ，２５…層間接続導体
１９Ａ，１９Ｂ，４９Ａ…保護層
２１，３２…コネクタ
２２…実装電極
２４…内部電極
２６…開口
３１…回路基板
３３…金属ブロック
４０…集合基板
４８…導電性ペースト

Claims (24)

1. 可撓性を有する第１樹脂基材、及び前記第１樹脂基材に形成された第１グランド導体を有する第１構造体と、
   可撓性を有する第２樹脂基材、並びに前記第２樹脂基材に形成された第１信号線及び層間接続導体を有する第２構造体と、
   前記第１構造体と前記第２構造体との間に配置された第１スペーサと、
   前記第１スペーサを介して前記第１構造体と前記第２構造体とを接合する第１金属接合材と、を備え、
   前記第１構造体と前記第２構造体とが前記第１スペーサを介して接合されることで前記第１構造体と前記第２構造体との間に第１中空部が形成されており、
   前記第１信号線と前記第１グランド導体とは接合方向で前記第１中空部を介して対向しており、
   前記第１樹脂基材と前記第２樹脂基材とは接触しておらず、
   前記第１金属接合材は、前記層間接続導体よりも低い融点を有する材料で構成されており、
   伝送線路は、曲げ部を有しており、
   前記第１金属接合材は、前記曲げ部に設けられており、
   前記第２構造体は、前記第２樹脂基材に形成された第２グランド導体を有しており、
   前記第１スペーサは、前記層間接続導体を介して前記第２グランド導体に接合される、
   伝送線路。
2. 前記第１樹脂基材と前記第２樹脂基材とは同一の種類の材料で構成されている、請求項１に記載の伝送線路。
3. 前記第１樹脂基材と前記第２樹脂基材とは特性が異なる材料で構成されている、請求項１に記載の伝送線路。
4. 可撓性を有する第３樹脂基材、及び前記第３樹脂基材に形成された第３グランド導体を有する第３構造体と、
   前記第２構造体と前記第３構造体との間に配置された第２スペーサと、
   前記接合方向で前記第２スペーサを介して前記第２構造体と前記第３構造体を接合する第２金属接合材と、を備え、
   前記第２構造体と前記第３構造体とが前記第２スペーサを介して接合されることで第２中空部が形成され、
   前記第１信号線と前記第３グランド導体とは前記接合方向で前記第２中空部を介して対向しており、
   前記第２樹脂基材と前記第３樹脂基材とは接触しておらず、
   前記第２金属接合材は、前記層間接続導体よりも低い融点を有する材料で構成されている、請求項１から３の何れかに記載の伝送線路。
5. 前記第２樹脂基材と前記第３樹脂基材とは同一の種類の材料で構成されている、請求項４に記載の伝送線路。
6. 前記第１樹脂基材のヤング率と前記第３樹脂基材のヤング率は、前記第２樹脂基材のヤング率よりも高い、請求項４又は５に記載の伝送線路。
7. 前記第１樹脂基材の線膨張係数と前記第３樹脂基材の線膨張係数は、前記第２樹脂基材の線膨張係数よりも大きい、請求項４から６の何れかに記載の伝送線路。
8. 前記第２樹脂基材と前記第３樹脂基材とは特性が異なる材料で構成されている、請求項４に記載の伝送線路。
9. 前記第１スペーサは、前記第１信号線を構成する導体と同一の材質からなる導体を含んで形成される、請求項１から８の何れかに記載の伝送線路。
10. 前記第１スペーサは、前記第１信号線を構成する導体よりも厚い導体を含んで形成される、請求項１から９の何れかに記載の伝送線路。
11. 前記第１信号線と前記第１グランド導体とは前記第１中空部及び樹脂基材を介して対向している、請求項１から１０の何れかに記載の伝送線路。
12. 可撓性を有する第１樹脂基材、及び前記第１樹脂基材に形成された第１グランド導体を有する第１構造体と、
    可撓性を有する第２樹脂基材、並びに前記第２樹脂基材に形成された第１信号線及び層間接続導体を有する第２構造体と、
    前記第１構造体と前記第２構造体との間に配置された第１スペーサと、
    前記第１スペーサを介して前記第１構造体と前記第２構造体とを接合する第１金属接合材と、を備え、
    前記第１構造体と前記第２構造体とが前記第１スペーサを介して接合されることで前記第１構造体と前記第２構造体との間に第１中空部が形成されており、
    前記第１信号線と前記第１グランド導体とは接合方向で前記第１中空部を介して対向しており、
    前記第１樹脂基材と前記第２樹脂基材とは接触しておらず、
    前記第１金属接合材は、前記層間接続導体よりも低い融点を有する材料で構成されており、
    前記第１信号線が前記第１グランド導体に対向する位置で、前記接合方向において、前記第１信号線と前記第１グランド導体との間に位置する樹脂部の比率が下がるように、前記第２樹脂基材の厚みが薄くなっている部分を有しており、
    前記第２構造体は、前記第２樹脂基材に形成された第２グランド導体を有しており、
    前記第１スペーサは、前記層間接続導体を介して前記第２グランド導体に接合される、
    伝送線路。
13. 可撓性を有する第１樹脂基材、及び前記第１樹脂基材に形成された第１グランド導体を有する第１構造体と、
    可撓性を有する第２樹脂基材、並びに前記第２樹脂基材に形成された第１信号線及び層間接続導体を有する第２構造体と、
    前記第１構造体と前記第２構造体との間に配置された第１スペーサと、
    前記第１スペーサを介して前記第１構造体と前記第２構造体とを接合する第１金属接合材と、を備え、
    前記第１構造体と前記第２構造体とが前記第１スペーサを介して接合されることで前記第１構造体と前記第２構造体との間に第１中空部が形成されており、
    前記第１信号線と前記第１グランド導体とは接合方向で前記第１中空部を介して対向しており、
    前記第１樹脂基材と前記第２樹脂基材とは接触しておらず、
    前記第１金属接合材は、前記層間接続導体よりも低い融点を有する材料で構成されており、
    前記第１構造体は、
    前記第１信号線に接続する実装電極と、
    前記第１グランド導体に接続、または、前記第１グランド導体を用いた、複数のグランド用実装電極と、を備え、
    前記第１構造体と前記第２構造体に形成された導体からなり、伝送線路の厚み方向に延びる形状の複数の柱状体を備え、
    平面視において、前記複数の柱状体のそれぞれは、前記複数のグランド用実装電極に重なり、
    前記平面視において、前記実装電極は、前記複数のグランド用実装電極によって囲まれる領域内に配置されており、
    前記第２構造体は、前記第２樹脂基材に形成された第２グランド導体を有しており、
    前記第１スペーサは、前記層間接続導体を介して前記第２グランド導体に接合される、
    伝送線路。
14. 前記実装電極および前記複数のグランド用実装電極に形成される導電性接合材の融点は、前記第１金属接合材の融点、および、前記層間接続導体の融点よりも低い、請求項１３に記載の伝送線路。
15. 可撓性を有する第１樹脂基材、及び前記第１樹脂基材に形成された第１グランド導体を有する第１構造体と、
    可撓性を有する第２樹脂基材、並びに前記第２樹脂基材に形成された第１信号線及び層間接続導体を有する第２構造体と、
    前記第１構造体と前記第２構造体との間に配置された第１スペーサと、
    前記第１スペーサを介して前記第１構造体と前記第２構造体とを接合する第１金属接合材と、を備え、
    前記第１構造体と前記第２構造体とが前記第１スペーサを介して接合されることで前記第１構造体と前記第２構造体との間に第１中空部が形成されており、
    前記第１信号線と前記第１グランド導体とは接合方向で前記第１中空部を介して対向しており、
    前記第１樹脂基材と前記第２樹脂基材とは接触しておらず、
    前記第１金属接合材は、前記層間接続導体よりも低い融点を有する材料で構成されており、
    前記第１グランド導体には、複数のスリットが設けられており、
    前記複数のスリットが設けられることにより、複数の接続領域が設けられており、
    前記第２構造体は、前記第２樹脂基材に形成された第２グランド導体を有しており、
    前記第１スペーサは、前記層間接続導体を介して前記第２グランド導体に接合される、
    伝送線路。
16. 前記第１スペーサは、複数の小スペーサに分割されており、
    前記複数の接続領域は、上下方向に見て、前記複数の小スペーサと重なっている、
    請求項１５に記載の伝送線路。
17. 可撓性を有する第１樹脂基材、及び前記第１樹脂基材に形成された第１グランド導体を有する第１構造体と、
    可撓性を有する第２樹脂基材、並びに前記第２樹脂基材に形成された第１信号線及び層間接続導体を有する第２構造体と、
    前記第１構造体と前記第２構造体との間に配置された第１スペーサと、
    前記第１スペーサを介して前記第１構造体と前記第２構造体とを接合する第１金属接合材と、を備え、
    前記第１構造体と前記第２構造体とが前記第１スペーサを介して接合されることで前記第１構造体と前記第２構造体との間に第１中空部が形成されており、
    前記第１信号線と前記第１グランド導体とは接合方向で前記第１中空部を介して対向しており、
    前記第１樹脂基材と前記第２樹脂基材とは接触しておらず、
    前記第１金属接合材は、前記層間接続導体よりも低い融点を有する材料で構成されており、
    前記層間接続導体より高い融点を有し、かつ、前記第１金属接合材内に設けられている均一なサイズを有する複数の金属球を、
    更に備えており、
    前記第２構造体は、前記第２樹脂基材に形成された第２グランド導体を有しており、
    前記第１スペーサは、前記層間接続導体を介して前記第２グランド導体に接合される、
    伝送線路。
18. 可撓性を有する第１樹脂基材、及び前記第１樹脂基材に形成された第１グランド導体を有する第１構造体と、
    可撓性を有する第２樹脂基材、並びに前記第２樹脂基材に形成された第１信号線及び層間接続導体を有する第２構造体と、
    前記第１構造体と前記第２構造体との間に配置された第１スペーサと、
    前記第１スペーサを介して前記第１構造体と前記第２構造体とを接合する第１金属接合材と、を備え、
    前記第１構造体と前記第２構造体とが前記第１スペーサを介して接合されることで前記第１構造体と前記第２構造体との間に第１中空部が形成されており、
    前記第１信号線と前記第１グランド導体とは接合方向で前記第１中空部を介して対向しており、
    前記第１樹脂基材と前記第２樹脂基材とは接触しておらず、
    前記第１金属接合材は、前記層間接続導体よりも低い融点を有する材料で構成されており、
    前記第１樹脂基材と前記第２樹脂基材とが互いに対向する面を覆う保護膜を、
    更に備えており、
    前記第２構造体は、前記第２樹脂基材に形成された第２グランド導体を有しており、
    前記第１スペーサは、前記層間接続導体を介して前記第２グランド導体に接合される、
    伝送線路。
19. 前記第２構造体は、前記第２樹脂基材に形成された第２信号線を更に有する、
    請求項１ないし請求項１８のいずれかに記載の伝送線路。
20. 伝送線路が有する２つの面のうち、前記第１中空部から離れている面に実装されるコネクタを、
    更に備えている、
    請求項１ないし請求項１９のいずれかに記載の伝送線路。
21. 前記第１金属接合材は、前記第１信号線の延伸方向に延びる長辺を有する長方形状を有している、
    請求項１ないし請求項２０のいずれかに記載の伝送線路。
22. 請求項１ないし請求項２１のいずれかに記載の伝送線路を、備える、電子機器。
23. 可撓性を有する第１樹脂基材に第１グランド導体を形成することで第１構造体を形成する工程と、
    可撓性を有する第２樹脂基材に、第１信号線、及び層間接続導体を形成することで第２構造体を形成する工程と、
    前記第１信号線と前記第１グランド導体とが中空部を介して対向するように、前記第１構造体と前記第２構造体とをスペーサを介して金属接合材で接合する工程と、
    伝送線路の前記金属接合材が存在する部分を曲げて曲げ部を形成する工程と、
    を備え、
    前記第１構造体と前記第２構造体とを接合する工程において、前記第１樹脂基材と前記第２樹脂基材とは接触しておらず、
    前記金属接合材は、前記層間接続導体よりも低い融点を有する材料で構成されており、
    前記第２構造体は、前記第２樹脂基材に形成された第２グランド導体を有しており、
    前記スペーサは、前記層間接続導体を介して前記第２グランド導体に接合される、
    伝送線路の製造方法。
24. 前記第１構造体及び前記第２構造体を張った状態で、前記第１構造体と前記第２構造体とを接合する工程を行う、請求項２３に記載の伝送線路の製造方法。

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