JP7468634B2 - 信号伝送線路 - Google Patents

Description

本発明は、信号導体層及びグランド導体層を備える信号伝送線路に関する。

従来の信号伝送線路に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の信号伝送線路が知られている。特許文献１に記載の信号伝送線路は、積層体、信号導体、第１グランド導体及び第２グランド導体を備えている。積層体は、複数の樹脂シートが上下方向に積層された構造を有する。積層体は、可撓性を有している。信号導体、第１グランド導体及び第２グランド導体は、積層体に設けられている。第１グランド導体は、信号導体の上に配置されている。第２グランド導体は、信号導体の下に配置されている。これにより、信号導体、第１グランド導体及び第２グランド導体は、ストリップライン構造を有している。また、積層体において、第１グランド導体と信号導体との間に空隙が設けられている。同様に、積層体において、第２グランド導体と信号導体との間に空隙が設けられている。これにより、特許文献１に記載の信号伝送線路では、誘電損失の発生を抑制している。このような特許文献１に記載の信号伝送線路は、上下方向に曲げられた状態で使用される。

国際公開第２０１７／１３０７３１号

ところで、特許文献１に記載の信号伝送線路が上下方向に曲げられると、信号伝送線路の特性インピーダンスが変化する。以下では、第２グランド導体が第１グランド導体より内側に位置するように信号伝送線路が曲げられた場合を例に挙げて説明する。信号伝送線路が曲げられると、樹脂シートに引っ張り応力及び圧縮応力が発生する。特に、信号導体より内側に位置する樹脂シートには、圧縮応力が発生する。このような圧縮応力は、信号導体より内側に位置する樹脂シートの一部に集中しやすい。そのため、信号導体より内側に位置する樹脂シートの一部分は、屈曲するように変形する。その結果、信号導体と第２グランド導体との間隔が変化する。信号導体と第２グランド導体との間の容量値が変化する。その結果、信号伝送線路の特性インピーダンスが変化する。なお、詳細な説明を省略するが、信号導体より外側に位置する樹脂シートにも変形が発生し、信号導体と第１グランド導体との間の容量値が変化する。

そこで、本発明の目的は、基材が上下方向に曲げられた場合であっても、信号伝送線路の特性インピーダンスの変化を抑制できる信号伝送線路を提供することである。

本発明の一形態に係る信号伝送線路は、
信号伝送線路であって、
複数の絶縁基材層が上下方向に積層された構造を有する基材であって、上下方向に曲げられる第１区間を有する基材と、
前記基材に設けられている信号導体層と、
前記基材に設けられている第１グランド導体層であって、下方向に見て前記信号導体層と重なるように、前記信号導体層の上に配置されている第１グランド導体層と、
１以上の第１スペーサと、
を備えており、
前記信号伝送線路は、前記信号導体層及び前記複数の絶縁基材層の内の一部を含んでいる信号領域と、前記第１グランド導体層及び前記複数の絶縁基材層の内の一部を含み、かつ、前記信号領域の上に位置する第１グランド領域と、を含んでおり、
前記信号領域は、前記基材の前記第１区間において、前記第１グランド領域に固定されておらず、
前記１以上の第１スペーサは、前記信号領域に固定されており、かつ、前記第１グランド領域に固定されずに接触しており、又は、前記１以上の第１スペーサは、前記信号領域に固定されずに接触しており、かつ、前記第１グランド領域に固定されており、
前記１以上の第１スペーサは、前記第１区間に配置されている。

以下に、本明細書における用語の定義について説明する。本明細書において、前後方向に延びる軸や部材は、必ずしも前後方向と平行である軸や部材だけを示すものではない。前後方向に延びる軸や部材とは、前後方向に対して±４５°の範囲で傾斜している軸や部材のことである。同様に、上下方向に延びる軸や部材とは、上下方向に対して±４５°の範囲で傾斜している軸や部材のことである。左右方向に延びる軸や部材とは、左右方向に対して±４５°の範囲で傾斜している軸や部材のことである。

以下では、第１部材ないし第３部材とは、信号伝送線路の構成を意味する。本明細書において、特に断りのない場合には、第１部材の各部について以下のように定義する。第１部材の前部とは、第１部材の前半分を意味する。第１部材の後部とは、第１部材の後半分を意味する。第１部材の左部とは、第１部材の左半分を意味する。第１部材の右部とは、第１部材の右半分を意味する。第１部材の上部とは、第１部材の上半分を意味する。第１部材の下部とは、第１部材の下半分を意味する。第１部材の前端とは、第１部材の前方向の端を意味する。第１部材の後端とは、第１部材の後方向の端を意味する。第１部材の左端とは、第１部材の左方向の端を意味する。第１部材の右端とは、第１部材の右方向の端を意味する。第１部材の上端とは、第１部材の上方向の端を意味する。第１部材の下端とは、第１部材の下方向の端を意味する。第１部材の前端部とは、第１部材の前端及びその近傍を意味する。第１部材の後端部とは、第１部材の後端及びその近傍を意味する。第１部材の左端部とは、第１部材の左端及びその近傍を意味する。第１部材の右端部とは、第１部材の右端及びその近傍を意味する。第１部材の上端部とは、第１部材の上端及びその近傍を意味する。第１部材の下端部とは、第１部材の下端及びその近傍を意味する。

本明細書における任意の２つの部材を第１部材及び第２部材と定義した場合、任意の２つの部材の関係は以下のような意味になる。本明細書において、第１部材が第２部材に支持されているとは、第１部材が第２部材に対して移動不可能に第２部材に取り付けられている（すなわち、固定されている）場合、及び、第１部材が第２部材に対して移動可能に第２部材に取り付けられている場合を含む。また、第１部材が第２部材に支持されているとは、第１部材が第２部材に直接に取り付けられている場合、及び、第１部材が第３部材を介して第２部材に取り付けられている場合の両方を含む。

本明細書において、第１部材が第２部材に固定されているとは、第１部材が第２部材に対して移動不可能に第２部材に取り付けられている場合を含み、第１部材が第２部材に対して移動可能に第２部材に取り付けられている場合を含まない。また、第１部材が第２部材に固定されているとは、第１部材が第２部材に直接に取り付けられている場合、及び、第１部材が第３部材を介して第２部材に取り付けられている場合の両方を含む。

本明細書において、「第１部材と第２部材とが電気的に接続される」とは、第１部材と第２部材との間で電気が導通していることを意味する。従って、第１部材と第２部材とが接触していてもよいし、第１部材と第２部材とが接触していなくてもよい。第１部材と第２部材とが接触していない場合には、第１部材と第２部材との間に導電性を有する第３部材が配置されている。

本発明に係る信号伝送線路によれば、基材が上下方向に曲げられた場合であっても、信号伝送線路の特性インピーダンスの変化を抑制できる。

図１は、信号伝送線路１０，１０ａ，１０ｂの外観斜視図である。 図２は、信号伝送線路１０の分解斜視図である。 図３は、図１のＡ－Ａにおける断面図である。 図４は、信号伝送線路１０の製造時の工程断面図である。 図５は、信号伝送線路１０の製造時の工程断面図である。 図６は、信号伝送線路１０の製造時の工程断面図である。 図７は、図１のＡ－Ａにおける断面図である。 図８は、信号伝送線路１０ａの分解斜視図である。 図９は、信号伝送線路１０ａの製造時の工程断面図である。 図１０は、信号伝送線路１０ａの製造時の工程断面図である。 図１１は、信号伝送線路１０ａの製造時の工程断面図である。 図１２は、信号伝送線路１０ｂの分解斜視図である。 図１３は、図１のＡ－Ａにおける断面図である。

（実施形態）
［信号伝送線路の構造］
以下に、本発明の実施形態に係る信号伝送線路１０の構造について図面を参照しながら説明する。図１は、信号伝送線路１０，１０ａ，１０ｂの外観斜視図である。図２は、信号伝送線路１０の分解斜視図である。図３は、図１のＡ－Ａにおける断面図である。

また、本明細書において、方向を以下のように定義する。信号伝送線路１０の基材１２の積層方向を上下方向と定義する。基材１２の長手方向を左右方向と定義する。基材１２の短手方向を前後方向と定義する。上下方向、左右方向及び前後方向は、互いに直交している。なお、本明細書における方向の定義は、一例である。従って、信号伝送線路１０の実使用時における方向と本明細書における方向とが一致している必要はない。

信号伝送線路１０は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの回路基板を接続するために用いられる。信号伝送線路１０は、図１及び図２に示すように、基材１２、信号導体層２０、第１グランド導体層２２、第２グランド導体層２４、外部電極２６，２８、複数の第２スペーサｂ１～ｂ６、複数の第１スペーサｂ７，ｂ８、複数の第４スペーサｂ１１～ｂ１６、複数の第３スペーサｂ１７，ｂ１８、複数のビアホール導体ｖ１～ｖ１０及び複数の接続導体層３０，３２，３４，３６，３８，４０，４２，４４，４６，４８，５０，５２，５４，５６，５８，６０，６２，６４，６６，６８，７０，７２，７４，７６を備えている。

なお、図２では、複数の第２スペーサｂ１～ｂ６、複数の第１スペーサｂ７，ｂ８、複数の第４スペーサｂ１１～ｂ１６、複数の第３スペーサｂ１７，ｂ１８、複数のビアホール導体ｖ１～ｖ８及び複数の接続導体層３０，３２，３４，３６，３８，４０，４２，４４，４６，４８，５０，５２，５４，５６，５８，６０，６２，６４，６６，６８，７０，７２，７４，７６の内の、代表的なスペーサ、ビアホール導体及び接続導体層に参照符号を付した。

基材１２は、板形状を有している。基材１２は、図１に示すように、下方向に見て、左右方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。従って、基材１２の左右方向の長さは、基材１２の前後方向の長さより長い。基材１２の前後方向の長さは、基材１２の上下方向の長さより長い。基材１２は、可撓性を有する。従って、基材１２は、電子機器内において上下方向に曲げられた状態で用いられる。そこで、基材１２は、図２及び図３に示すように、第１区間Ａ１１及び第２区間Ａ１２，Ａ１３を有している。第１区間Ａ１１は、上下方向に曲げられる区間である。第２区間Ａ１２，Ａ１３は、上下方向に曲げられない区間である。すなわち、第２区間Ａ１２，Ａ１３は、第１区間Ａ１１の曲率半径より大きい曲率半径を有する。第２区間Ａ１２は、第１区間Ａ１１の左に位置している。第２区間Ａ１２は、第１区間Ａ１１と隣接している。第２区間Ａ１３は、第１区間Ａ１１の右に位置している。第２区間Ａ１３は、第１区間Ａ１１と隣接している。

基材１２は、複数の絶縁基材層１６ａ～１６ｅ，１８ａ，１８ｂが上下方向に積層された構造を有している。絶縁基材層１８ａ，１６ａ～１６ｅ，１８ｂは、上から下へとこの順に並ぶように積層されている。絶縁基材層１６ａ～１６ｅは、可撓性を有する誘電体シートである。絶縁基材層１６ａ～１６ｅの材料は、ポリイミドや液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂である。絶縁基材層１６ｂ～１６ｄは、下方向に見て、基材１２と同じ長方形状を有している。

絶縁基材層１６ａは、絶縁基材層左部１６ａ－１と絶縁基材層右部１６ａ－２とに分離されている。絶縁基材層左部１６ａ－１及び絶縁基材層右部１６ａ－２は、下方向に見て、左右方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。絶縁基材層左部１６ａ－１及び絶縁基材層右部１６ａ－２は、左から右へとこの順に並んでいる。絶縁基材層左部１６ａ－１は、第２区間Ａ１２に配置されている。絶縁基材層右部１６ａ－２は、第２区間Ａ１３に配置されている。絶縁基材層左部１６ａ－１と絶縁基材層右部１６ａ－２とは、左右方向に離れて配置されている。従って、絶縁基材層１６ａは、第１区間Ａ１１に配置されていない。

絶縁基材層１６ｅは、絶縁基材層左部１６ｅ－１と絶縁基材層右部１６ｅ－２とに分離されている。絶縁基材層左部１６ｅ－１及び絶縁基材層右部１６ｅ－２は、下方向に見て、左右方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。絶縁基材層左部１６ｅ－１及び絶縁基材層右部１６ｅ－２は、左から右へとこの順に並んでいる。絶縁基材層左部１６ｅ－１は、第２区間Ａ１２に配置されている。絶縁基材層右部１６ｅ－２は、第２区間Ａ１３に配置されている。絶縁基材層左部１６ｅ－１と絶縁基材層右部１６ｅ－２とは、左右方向に離れて配置されている。従って、絶縁基材層１６ｅは、第１区間Ａ１１に配置されていない。

信号導体層２０は、基材１２に設けられている。より詳細には、信号導体層２０は、絶縁基材層１６ｃの上面に設けられている。これにより、信号導体層２０は、基材１２内に設けられている。信号導体層２０は、図２に示すように、左右方向に延びる線形状を有している。信号導体層２０は、絶縁基材層１６ｃの上面の前後方向の中央に配置されている。信号導体層２０の左端は、絶縁基材層１６ｃの左端部に位置している。信号導体層２０の右端は、絶縁基材層１６ｃの右端部に位置している。信号導体層２０には、高周波信号が伝送される。

第１グランド導体層２２は、基材１２に設けられている。第１グランド導体層２２は、下方向に見て信号導体層２０と重なるように、信号導体層２０の上に配置されている。本明細書において、「第１グランド導体層２２が信号導体層２０の上に配置される。」とは、以下の状態を指す。第１グランド導体層２２の少なくとも一部は、信号導体層２０が上方向に平行移動するときに通過する領域内に配置されている。よって、第１グランド導体層２２は、信号導体層２０が上方向に平行移動するときに通過する領域内に収まっていてもよいし、信号導体層２０が上方向に平行移動するときに通過する領域から突出していてもよい。本実施形態では、第１グランド導体層２２は、信号導体層２０が上方向に平行移動するときに通過する領域から突出している。

第１グランド導体層２２は、絶縁基材層１６ａの上面に設けられている。ただし、第１グランド導体層２２は、絶縁基材層左部１６ａ－１と絶縁基材層右部１６ａ－２との間の区間（すなわち、第１区間Ａ１１）にも設けられている。第１グランド導体層２２は、第１区間Ａ１１では、後述する絶縁基材層１８ａの下面に沿って左右方向に延びている。これにより、第１グランド導体層２２は、基材１２内に設けられている。第１グランド導体層２２は、図２に示すように、下方向に見て、左右方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。第１グランド導体層２２は、下方向に見て、基材１２と略一致する形状を有している。ただし、第１グランド導体層２２は、下方向に見て、基材１２より僅かに小さい。第１グランド導体層２２には、グランド電位が接続される。

第２グランド導体層２４は、基材１２に設けられている。第２グランド導体層２４は、下方向に見て信号導体層２０と重なるように、信号導体層２０の下に配置されている。より詳細には、第２グランド導体層２４は、絶縁基材層１６ｅの下面に設けられている。ただし、第２グランド導体層２４は、絶縁基材層左部１６ｅ－１と絶縁基材層右部１６ｅ－２との間の区間（すなわち、第１区間Ａ１１）にも設けられている。第２グランド導体層２４は、第１区間Ａ１１では、後述する絶縁基材層１８ｂの上面に沿って左右方向に延びている。これにより、第２グランド導体層２４は、基材１２内に設けられている。第２グランド導体層２４は、図２に示すように、下方向に見て、左右方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。第２グランド導体層２４は、下方向に見て、基材１２と略一致する形状を有している。ただし、第２グランド導体層２４は、下方向に見て、基材１２より僅かに小さい。第２グランド導体層２４には、グランド電位が接続される。以上のような、信号導体層２０、第１グランド導体層２２及び第２グランド導体層２４は、ストリップライン構造を有している。

外部電極２６は、絶縁基材層左部１６ｅ－１の下面に設けられている。外部電極２６は、下方向に見て、長方形状を有している。外部電極２６が第１グランド導体層２２と絶縁されるように、外部電極２６の周囲には第２グランド導体層２４が設けられていない。外部電極２６は、下方向に見て、信号導体層２０の左端部と重なっている。外部電極２６は、図示しない第１コネクタの中心導体に電気的に接続される。これにより、高周波信号は、外部電極２６を介して、信号導体層２０に入出力する。外部電極２８は、外部電極２６と左右対称な構造を有する。従って、外部電極２８の説明を省略する。

絶縁基材層１８ａ，１８ｂは、可撓性を有するレジスト層である。絶縁基材層１８ａ，１８ｂは、下方向に見て、基材１２と同じ長方形状を有している。絶縁基材層１８ａは、絶縁基材層１６ａの上面の全面を覆っている。これにより、絶縁基材層１８ａは、第１グランド導体層２２を保護している。

絶縁基材層１８ｂは、絶縁基材層１６ｅの下面の略全面を覆っている。これにより、絶縁基材層１８ｂは、第２グランド導体層２４を保護している。ただし、絶縁基材層１８ｂには、開口ｈ１～ｈ８が設けられている。開口ｈ１は、下方向に見て、外部電極２６と重なっている。これにより、外部電極２６は、開口ｈ１を介して信号伝送線路１０から外部に露出している。開口ｈ２は、開口ｈ１の前に設けられている。開口ｈ３は、開口ｈ１の左に設けられている。開口ｈ４は、開口ｈ１の後に設けられている。これにより、第２グランド導体層２４は、開口ｈ２～ｈ４を介して信号伝送線路１０から外部に露出している。なお、開口ｈ５～ｈ８はそれぞれ、開口ｈ１～ｈ４と左右対称な構造を有する。従って、開口ｈ５～ｈ８の説明を省略する。

複数の接続導体層３０，３２，３４，３６，３８，４０，４２，４４は、絶縁基材層１６ｂの上面に設けられている。複数の接続導体層３０，３２，３４，３６，３８，４０，４２，４４は、下方向に見て、長方形状を有している。複数の接続導体層３０は、第２区間Ａ１２において、下方向に見て、信号導体層２０の後に配置されている。複数の接続導体層３０は、左右方向に等間隔に一列に並んでいる。ここで、「下方向に見て、複数の接続導体層３０が信号導体層２０の後に配置される。」とは、以下の状態を指す。下方向に見て、複数の接続導体層３０が信号導体層２０の後に配置され、かつ、下方向以外の方向に見て、複数の接続導体層３０が信号導体層２０の後に配置されていても、複数の接続導体層３０が信号導体層２０の後に配置されていなくてもよい。

複数の接続導体層３４は、第２区間Ａ１２において、下方向に見て、信号導体層２０の前に配置されている。複数の接続導体層３４は、左右方向に等間隔に一列に並んでいる。接続導体層３８は、第２区間Ａ１２において、下方向に見て、信号導体層２０の左端の左に配置されている。複数の接続導体層４２は、第１区間Ａ１１において、下方向に見て、信号導体層２０の後に配置されている。複数の接続導体層４２は、左右方向に等間隔に一列に並んでいる。複数の接続導体層４４は、第１区間Ａ１１において、下方向に見て、信号導体層２０の前に配置されている。複数の接続導体層４４は、左右方向に等間隔に一列に並んでいる。なお、複数の接続導体層３２，３６，４０はそれぞれ、複数の接続導体層３０，３４，３８と左右対称な構造を有する。従って、複数の接続導体層３２，３６，４０の説明を省略する。

複数の接続導体層４６，４８，５０，５２，５４，５６，５８，６０は、絶縁基材層１６ｃの上面に設けられている。複数の接続導体層４６，４８，５０，５２，５４，５６，５８，６０は、下方向に見て、長方形状を有している。ただし、複数の接続導体層４６，４８，５０，５２，５４，５６，５８，６０のそれぞれの構造は、複数の接続導体層３０，３２，３４，３６，３８，４０，４２，４４の構造と同じであるので、説明を省略する。

複数の接続導体層６２，６４，６６，６８，７０，７２，７４，７６は、絶縁基材層１６ｄの下面に設けられている。複数の接続導体層６２，６４，６６，６８，７０，７２，７４，７６は、下方向に見て、長方形状を有している。ただし、複数の接続導体層６２，６４，６６，６８，７０，７２，７４，７６のそれぞれの構造は、複数の接続導体層３０，３２，３４，３６，３８，４０，４２，４４の構造と同じであるので、説明を省略する。

以上のような信号導体層２０、第１グランド導体層２２、第２グランド導体層２４、外部電極２６，２８及び複数の接続導体層３０、３２，３４，３６，３８，４０，４２，４４，４６，４８，５０，５２，５４，５６，５８，６０，６２，６４，６６，６８，７０，７２，７４，７６は、例えば、絶縁基材層１６ａ～１６ｅの上面又は下面に設けられた銅箔にエッチングが施されることにより形成されている。

複数のビアホール導体ｖ１～ｖ８は、絶縁基材層１６ｂ～１６ｅを上下方向に貫通している。複数のビアホール導体ｖ１～ｖ８のそれぞれは、絶縁基材層１６ｂを上下方向に貫通するビアホール導体、絶縁基材層１６ｃを上下方向に貫通するビアホール導体、及び、絶縁基材層１６ｄを上下方向に貫通するビアホール導体が上から下へとこの順に接続された構造を有する。

複数のビアホール導体ｖ１は、第２区間Ａ１２において、下方向に見て、信号導体層２０の後に配置されている。複数のビアホール導体ｖ１は、左右方向に等間隔に一列に並んでいる。複数のビアホール導体ｖ１は、接続導体層３０，４６，６２を電気的に接続している。複数のビアホール導体ｖ３は、第２区間Ａ１２において、下方向に見て、信号導体層２０の前に配置されている。複数のビアホール導体ｖ３は、左右方向に等間隔に一列に並んでいる。複数のビアホール導体ｖ３は、接続導体層３４，５０，６６を電気的に接続している。ビアホール導体ｖ５は、第２区間Ａ１２において、下方向に見て、信号導体層２０の左端の左に配置されている。ビアホール導体ｖ５は、接続導体層３８，５４，７０を電気的に接続している。複数のビアホール導体ｖ２，ｖ４，ｖ６は、複数のビアホール導体ｖ１，ｖ３，ｖ５と左右対称な構造を有する。従って、複数のビアホール導体ｖ２，ｖ４，ｖ６の説明を省略する。

複数のビアホール導体ｖ７は、第１区間Ａ１１において、下方向に見て、信号導体層２０の後に配置されている。複数のビアホール導体ｖ７は、左右方向に等間隔に一列に並んでいる。複数のビアホール導体ｖ７は、接続導体層４２，５８，７４を電気的に接続している。複数のビアホール導体ｖ８は、第１区間Ａ１１において、下方向に見て、信号導体層２０の前に配置されている。複数のビアホール導体ｖ８は、左右方向に等間隔に一列に並んでいる。複数のビアホール導体ｖ８は、接続導体層４４，６０，７６を電気的に接続している。

複数のビアホール導体ｖ９，ｖ１０は、絶縁基材層１６ｃ～１６ｅを上下方向に貫通している。複数のビアホール導体ｖ９，ｖ１０のそれぞれは、絶縁基材層１６ｃを上下方向に貫通するビアホール導体、絶縁基材層１６ｄを上下方向に貫通するビアホール導体、及び、絶縁基材層１６ｅを上下方向に貫通するビアホール導体が上から下へとこの順に接続された構造を有する。

ビアホール導体ｖ９は、第２区間Ａ１２において、下方向に見て、信号導体層２０の左端部と重なっている。ビアホール導体ｖ９は、信号導体層２０の左端部と外部電極２６とを電気的に接続している。ビアホール導体ｖ１０は、第２区間Ａ１３において、下方向に見て、信号導体層２０の右端部と重なっている。ビアホール導体ｖ１０は、信号導体層２０の右端部と外部電極２８とを電気的に接続している。以上のようなビアホール導体ｖ１～ｖ１０は、例えば、絶縁基材層１６ｂ～１６ｄに設けられた貫通孔に銀等の金属及び樹脂を含む導電性ペーストが充填され、導電性ペーストが加熱により固化されることにより形成される。

ここで、第１グランド領域Ａ１、信号領域Ａ２及び第２グランド領域Ａ３について図２を参照しながら説明する。信号伝送線路１０は、信号導体層２０及び絶縁基材層１６ａ～１６ｅ，１８ａ，１８ｂの内の一部を含んでいる信号領域Ａ２と、第１グランド導体層２２及び絶縁基材層１６ａ～１６ｅ，１８ａ，１８ｂの内の一部を含み、かつ、信号領域Ａ２の上に位置する第１グランド領域Ａ１と、第２グランド導体層２４及び絶縁基材層１６ａ～１６ｅ，１８ａ，１８ｂの内の一部を含み、かつ、信号領域Ａ２の下に位置する第２グランド領域Ａ３と、を含んでいる。信号領域Ａ２は、絶縁基材層１６ｂ～１６ｄ及び信号導体層２０を含んでいる。第１グランド領域Ａ１は、絶縁基材層１６ａ，１８ａ及び第１グランド導体層２２を含んでいる。第２グランド領域Ａ３は、絶縁基材層１６ｅ，１８ｂ及び第２グランド導体層２４を含んでいる。

信号領域Ａ２は、基材１２の第１区間Ａ１１において、第１グランド領域Ａ１に固定されていない。より詳細には、絶縁基材層１６ａは、第１区間Ａ１１に配置されていない。そのため、第１区間Ａ１１において、信号領域Ａ２に含まれる絶縁基材層１６ｂは、第１グランド領域Ａ１に含まれる絶縁基材層１６ａ、及び、第１グランド領域Ａ１に含まれる第１グランド導体層２２に接触していない。そして、図３に示すように、第１区間Ａ１１において、上下方向において信号導体層２０（図３に図示せず）と第１グランド導体層２２との間に第１空隙Ｓｐ１が配置されている。本実施形態では、第１空隙Ｓｐ１は、上下方向において絶縁基材層１６ａと第１グランド導体層２２との間に配置されている。このように、本実施形態では、基材１２に第１空隙Ｓｐ１が設けられることにより、信号領域Ａ２が、基材１２の第１区間Ａ１１において、第１グランド領域Ａ１に固定されていない。

複数の第１スペーサｂ７，ｂ８は、信号領域Ａ２に固定されており、かつ、第１グランド領域Ａ１に固定されずに接触している。複数の第１スペーサｂ７，ｂ８は、第１区間Ａ１１に配置されている。複数の第１スペーサｂ７，ｂ８は、第１空隙Ｓｐ１内に配置されている。複数の第１スペーサｂ７は、第１区間Ａ１１において、下方向に見て、信号導体層２０の後に配置されている。複数の第１スペーサｂ７は、左右方向に等間隔に一列に並んでいる。複数の第１スペーサｂ７は、複数の接続導体層４２から上方向に突出している。複数の第１スペーサｂ７は、複数の接続導体層４２に固定されている。複数の接続導体層４２は、絶縁基材層１６ｂに固定されている。従って、複数の第１スペーサｂ７は、信号領域Ａ２に固定されている。複数の第１スペーサｂ７，ｂ８は、例えば、はんだバンプである。

前記の通り、複数の第１スペーサｂ７は、複数の接続導体層４２から上方向に突出している。更に、複数の第１スペーサｂ７は、下方向に見て、第１グランド導体層２２と重なっている。これにより、複数の第１スペーサｂ７は、第１グランド導体層２２に固定されずに接触している。従って、複数の第１スペーサｂ７は、第１区間Ａ１１が変形すると、第１グランド導体層２２に対して前後方向及び左右方向に滑るように変位できる。これにより、複数の第１スペーサｂ７は、第１グランド領域Ａ１に固定されずに接触している。

複数の第１スペーサｂ８は、第１区間Ａ１１において、下方向に見て、信号導体層２０の前に配置されている。複数の第１スペーサｂ８は、左右方向に等間隔に一列に並んでいる。複数の第１スペーサｂ８は、複数の接続導体層４４の上に形成されている。複数の第１スペーサｂ８の構造は、複数の第１スペーサｂ７と同じであるので説明を省略する。

信号伝送線路１０は、基材１２が上下方向に曲げられた場合であっても、信号伝送線路１０の特性インピーダンスの変化を抑制できる。以下では、信号伝送線路１０が上方向に曲げられた場合を例に挙げて説明する。信号伝送線路１０では、第１区間Ａ１１が上方向に曲げられると、第１区間Ａ１１において第１グランド領域Ａ１に圧縮応力が発生する。第１グランド領域Ａ１が信号領域Ａ２に固定されていると、圧縮応力は、第１グランド領域Ａ１の全体に広がらずに第１グランド領域Ａ１の一部分に集中する。この場合、第１グランド領域Ａ１の一部分が屈曲するように変形する。その結果、信号伝送線路１０の特性インピーダンスが変化する。

そこで、信号伝送線路１０では、信号領域Ａ２が第１グランド領域Ａ１に固定されていない。更に、複数の第１スペーサｂ７，ｂ８は、信号領域Ａ２に固定されており、かつ、第１グランド領域Ａ１に固定されずに接触している。これにより、圧縮応力が第１グランド領域Ａ１の一部分に集中することが抑制され、第１グランド領域Ａ１の一部分が屈曲するように変形することが抑制される。より詳細には、信号領域Ａ２が第１グランド領域Ａ１に固定されていない。そのため、第１区間Ａ１１が上方向に曲げられると、第１グランド領域Ａ１が信号領域Ａ２に対して前後方向及び左右方向にずれることができる。更に、複数の第１スペーサｂ７，ｂ８は、信号領域Ａ２に固定されており、かつ、第１グランド領域Ａ１に固定されずに接触している。これにより、複数の第１スペーサｂ７，ｂ８は、第１区間Ａ１１が変形すると、第１グランド領域Ａ１に対して前後方向及び左右方向に滑るように変位できる。そのため、複数の第１スペーサｂ７，ｂ８は、第１グランド領域Ａ１が信号領域Ａ２に対して前後方向及び左右方向にずれることを妨げない。従って、圧縮応力が第１グランド領域Ａ１の一部分に集中することが抑制され、第１グランド領域Ａ１の一部分が屈曲するように変形することが抑制される。その結果、信号伝送線路１０は、基材１２が上方向に曲げられた場合であっても、信号伝送線路１０の特性インピーダンスの変化を抑制できる。

更に、複数の第１スペーサｂ７，ｂ８は、信号領域Ａ２に固定されており、かつ、第１グランド領域Ａ１に固定されずに接触している。これにより、信号導体層２０と第１グランド導体層２２との上下方向における間隔が変化することが抑制される。その結果、信号伝送線路１０は、基材１２が上方向に曲げられた場合であっても、信号伝送線路１０の特性インピーダンスの変化を抑制できる。

また、信号伝送線路１０では、第１区間Ａ１１が上下方向に容易に曲げられる。より詳細には、信号伝送線路１０では、第１区間Ａ１１が上方向に曲げられると、第１区間Ａ１１において第１グランド領域Ａ１に大きな圧縮応力が発生する。そのため、第１グランド領域Ａ１が信号領域Ａ２に固定されていると、圧縮応力が第１グランド領域Ａ１の一部分に集中する。この場合、第１グランド領域Ａ１の一部分が屈曲するように変形する。このような変形は、圧縮応力が第１グランド領域Ａ１に均等に加わることを妨げる。その結果、第１グランド領域Ａ１が屈曲せずに滑らかに変形することを妨げる。そこで、信号領域Ａ２は、基材１２の第１区間Ａ１１において、第１グランド領域Ａ１に固定されていない。これにより、信号伝送線路１０では、第１区間Ａ１１が上下方向に容易に曲げられる。

また、信号伝送線路１０では、以下の理由によっても、第１区間Ａ１１が上下方向に容易に曲げられる。より詳細には、信号伝送線路１０では、上下方向において信号導体層２０と第１グランド導体層２２との間に第１空隙Ｓｐ１が配置されている。これにより、第１空隙Ｓｐ１が変形することにより、第１区間Ａ１１が曲げられるようになる。

また、信号伝送線路１０では、誘電損失の発生が抑制される。より詳細には、信号伝送線路１０では、第１空隙Ｓｐ１が基材１２の第１区間Ａ１１に設けられている。これにより、第１区間Ａ１１において、信号導体層２０の周囲に第１空隙Ｓｐ１が存在するようになる。そのため、信号伝送線路１０の周囲の誘電率が低下する。その結果、信号伝送線路１０では、誘電損失の発生が抑制される。

また、信号伝送線路１０では、第１グランド導体層２２をグランド電位に、より確実に接続できる。複数の第１スペーサｂ７，ｂ８は、第１グランド導体層２２に接触している。これにより、第１グランド導体層２２は、複数の第１スペーサｂ７，ｂ８を介して、グランド電位に接続されることが可能となる。

また、複数の第１スペーサｂ７は、下方向に見て、第１グランド導体層２２と重なっている。これにより、信号導体層２０と第１グランド導体層２２との上下方向の間隔が変化することが抑制される。その結果、信号伝送線路１０は、基材１２が上下方向に曲げられた場合であっても、信号伝送線路１０の特性インピーダンスの変化を抑制できる。

信号領域Ａ２は、基材１２の第１区間Ａ１１において、第２グランド領域Ａ３に固定されていない。より詳細には、絶縁基材層１６ｅは、第１区間Ａ１１に配置されていない。そのため、第１区間Ａ１１において、信号領域Ａ２に含まれる絶縁基材層１６ｄは、第２グランド領域Ａ３に含まれる絶縁基材層１６ｅ、及び、第２グランド領域Ａ３に含まれる第２グランド導体層２４に接触していない。そして、図３に示すように、上下方向において信号導体層２０（図３に図示せず）と第２グランド導体層２４との間に空隙Ｓｐ３が配置されている。本実施形態では、空隙Ｓｐ３は、上下方向において絶縁基材層１６ｄと第２グランド導体層２４との間に配置されている。このように、本実施形態では、基材１２に空隙Ｓｐ３が設けられることにより、信号領域Ａ２が、基材１２の第１区間Ａ１１において、第２グランド領域Ａ３に固定されていない。

複数の第３スペーサｂ１７，ｂ１８は、信号領域Ａ２に固定されており、かつ、第２グランド領域Ａ３に固定されずに接触している。複数の第３スペーサｂ１７，ｂ１８は、第１区間Ａ１１に配置されている。複数の第３スペーサｂ１７，ｂ１８は、空隙Ｓｐ３内に配置されている。複数の第３スペーサｂ１７，ｂ１８は、例えば、はんだバンプである。ただし、第３スペーサｂ１７，ｂ１８は、第１スペーサｂ７，ｂ８と上下対称な構造を有する。従って、第３スペーサｂ１７，ｂ１８の説明を省略する。

複数の第２スペーサｂ１～ｂ６は、信号領域Ａ２及び第１グランド領域Ａ１に固定されている。複数の第２スペーサｂ１，ｂ３，ｂ５は、第２区間Ａ１２に配置されている。複数の第２スペーサｂ２，ｂ４，ｂ６は、第２区間Ａ１３に配置されている。複数の第２スペーサｂ１は、第２区間Ａ１２において、下方向に見て、信号導体層２０の後に配置されている。複数の第２スペーサｂ１は、左右方向に等間隔に一列に並んでいる。複数の第２スペーサｂ１は、複数の接続導体層３０から上方向に突出している。複数の第２スペーサｂ１は、複数の接続導体層３０に固定されている。複数の接続導体層３０は、絶縁基材層１６ｂに固定されている。従って、複数の第２スペーサｂ１は、信号領域Ａ２に固定されている。複数の第２スペーサｂ１～ｂ６は、例えば、はんだバンプである。

前記の通り、複数の第２スペーサｂ１は、複数の接続導体層３０から上方向に突出している。そして、複数の第２スペーサｂ１は、絶縁基材層１６ａに設けられた貫通孔を上下方向に貫通している。これにより、複数の第２スペーサｂ１は、絶縁基材層１６ａに固定されている。更に、複数の第２スペーサｂ１は、下方向に見て、第１グランド導体層２２と重なっている。そして、複数の第２スペーサｂ１の上端は、第１グランド導体層２２に固定されている。従って、複数の第２スペーサｂ１は、第１区間Ａ１１が変形しても、第１グランド導体層２２に対して前後方向及び左右方向に滑るように変位できない。これにより、複数の第２スペーサｂ１は、第１グランド領域Ａ１に固定されている。

信号伝送線路１０では、第２区間Ａ１２が上下方向に曲げられにくい。より詳細には、複数の第２スペーサｂ１は、第２区間Ａ１２において、信号領域Ａ２及び第１グランド領域Ａ１に固定されている。これにより、第２区間Ａ１２において第１グランド領域Ａ１が信号領域Ａ２に対して前後方向及び左右方向に変位することが第２スペーサｂ１により阻害される。その結果、信号伝送線路１０では、第２区間Ａ１２が上下方向に曲げられにくい。第２区間Ａ１２には、例えば、コネクタが設けられたり、回路が設けられたりする。そのため、第２区間Ａ１２が曲げられにくくなることにより、コネクタと第２区間Ａ１２との接続の信頼性が向上する。また、第２区間Ａ１２が曲げられにくくなることにより、回路が変形しにくくなり、回路の電気的特性が変化することが抑制される。

特に、複数の第２スペーサｂ１は、第１グランド導体層２２に固定されている。そして、第２スペーサｂ１は、はんだバンプである。そのため、複数の第２スペーサｂ１は、第１グランド導体層２２と強く固定されやすい。よって、信号伝送線路１０では、第２区間Ａ１２が上下方向により曲げられにくい。

また、第１スペーサｂ７，ｂ８と第２スペーサｂ１～ｂ６の両方がはんだバンプであってもよい。この場合、第１スペーサｂ７，ｂ８と第２スペーサｂ１～ｂ６とを同時に形成でき、工程数を減らすことができる。

複数の第２スペーサｂ３は、第２区間Ａ１２において、下方向に見て、信号導体層２０の前に配置されている。複数の第２スペーサｂ３は、左右方向に等間隔に一列に並んでいる。複数の第２スペーサｂ３は、複数の接続導体層３４の上に形成されている。複数の第２スペーサｂ３の構造は、複数の第２スペーサｂ１と同じであるので説明を省略する。

第２スペーサｂ５は、第１区間Ａ１１において、下方向に見て、信号導体層２０の左端の左に配置されている。第２スペーサｂ５は、接続導体層３８の上に形成されている。第２スペーサｂ５の構造は、複数の第２スペーサｂ１と同じであるので説明を省略する。

複数の第４スペーサｂ１１～ｂ１６は、信号領域Ａ２及び第２グランド領域Ａ３に固定されている。複数の第４スペーサｂ１１，ｂ１３，ｂ１５は、第２区間Ａ１２に配置されている。複数の第４スペーサｂ１２，ｂ１４，ｂ１６は、第２区間Ａ１３に配置されている。複数の第４スペーサｂ１１～ｂ１６は、複数の第２スペーサｂ１～ｂ６と上下対称な構造を有する。従って、複数の第４スペーサｂ１１～ｂ１６の説明を省略する。

以上のような複数の第２スペーサｂ１～ｂ６の材料のヤング率、複数の第１スペーサｂ７，ｂ８の材料のヤング率、複数の第４スペーサｂ１１～ｂ１６の材料のヤング率及び複数の第３スペーサｂ１７，ｂ１８の材料のヤング率は、基材１２の材料のヤング率より高い。複数の第２スペーサｂ１～ｂ６、複数の第１スペーサｂ７，ｂ８、複数の第４スペーサｂ１１～ｂ１６及び複数の第３スペーサｂ１７，ｂ１８は、基材１２よりも高い剛性を有する。従って、複数の第２スペーサｂ１～ｂ６及び複数の第１スペーサｂ７，ｂ８は、信号導体層２０と第１グランド導体層２２との上下方向の間隔を維持するようになる。複数の第４スペーサｂ１１～ｂ１６及び複数の第３スペーサｂ１７，ｂ１８は、信号導体層２０と第２グランド導体層２４との上下方向の間隔を維持するようになる。複数の第２スペーサｂ１～ｂ６、複数の第１スペーサｂ７，ｂ８、複数の第４スペーサｂ１１～ｂ１６及び複数の第３スペーサｂ１７，ｂ１８の材料は、例えば、はんだ（鉛及びすずの合金）である。

以上のような信号伝送線路１０は、電子機器内において曲げられた状態で用いられる。例えば、第１区間Ａ１１は、図３に示すように、基材１２の上面が山折りされることにより曲げられていると共に、基材１２の上面が谷折りされることにより曲げられている。信号伝送線路１０では、第１区間Ａ１１が上記のように曲げられた場合に、信号伝送線路１０の特性インピーダンスの変化がより効果的に抑制される。より詳細には、基材１２の上面が谷折りされると、絶縁基材層１６ａ，１８ａに圧縮応力が発生する。基材１２の上面が山折りされると、絶縁基材層１６ａ，１８ａに引っ張り応力が発生する。ただし、信号領域Ａ２は、基材１２の第１区間Ａ１１において、第１グランド領域Ａ１に固定されていない。そのため、基材１２の第１区間Ａ１１において、絶縁基材層１６ａ，１８ａに発生する圧縮応力と絶縁基材層１６ａ，１８ａに発生する引っ張り応力とが相殺される。その結果、基材１２の第１区間Ａ１１において、絶縁基材層１６ａ，１８ａの一部分が屈曲するような変形が発生しにくい。同じ理由により、基材１２の第１区間Ａ１１において、絶縁基材層１６ｄ，１８ｂの一部分が屈曲するような変形が発生しにくい。その結果、信号導体層２０と第１グランド導体層２２との上下方向の間隔、及び、信号導体層２０と第２グランド導体層２４との上下方向の間隔が変化することが抑制される。信号導体層２０と第１グランド導体層２２との間の容量値、及び、信号導体層２０と第２グランド導体層２４との間の容量値が変化することが抑制される。以上より、信号伝送線路１０では、信号伝送線路１０の特性インピーダンスの変化がより効果的に抑制される。

［信号伝送線路の製造方法］
以下に、図面を参照しながら信号伝送線路１０の製造方法について説明する。図４ないし図６は、信号伝送線路１０の製造時の工程断面図である。

まず、図２に示すように、信号導体層２０、第１グランド導体層２２、第２グランド導体層２４、外部電極２６，２８、複数のビアホール導体ｖ１～ｖ１０及び複数の接続導体層３０，３２，３４，３６，３８，４０，４２，４４，４６，４８，５０，５２，５４，５６，５８，６０，６２，６４，６６，６８，７０，７２，７４，７６を絶縁基材層１６ａ～１６ｅに形成する。本工程は、一般的な工程であるので説明を省略する。

次に、図４（ａ）に示すように、絶縁基材層１６ｂ～１６ｄを上から下へとこの順に積み重ねる。そして、図４（ｂ）に示すように、絶縁基材層１６ｂ～１６ｄに対して熱圧着を施す。これにより、絶縁基材層１６ｂ～１６ｄが一体化される。その結果、信号領域Ａ２が形成される。

次に、図４（ｃ）に示すように、複数の接続導体層３０，３２，３４，３６，３８，４０，４２，４４，６２，６４，６６，６８，７０，７２，７４，７６上に複数の第２スペーサｂ１～ｂ６、複数の第１スペーサｂ７，ｂ８、複数の第４スペーサｂ１１～ｂ１６及び複数の第３スペーサｂ１７，ｂ１８を形成する。

次に、図５（ａ）及び図６（ａ）に示すように、信号領域Ａ２の上に第１グランド領域Ａ１を配置すると共に、信号領域Ａ２の下に第２グランド領域Ａ３を配置する。そして、図５（ｂ）及び図６（ｂ）に示すように、第１グランド領域Ａ１、信号領域Ａ２及び第２グランド領域Ａ３に対して熱圧着を施す。この際、図５（ｂ）に示すように、第２スペーサｂ１～ｂ６は、絶縁基材層１６ａに設けられた貫通孔に挿入される。第４スペーサｂ１１～ｂ１６は、絶縁基材層１６ｅに設けられた貫通孔に挿入される。そして、熱圧着により、第２スペーサｂ１～ｂ６は、絶縁基材層１６ａ及び第１グランド導体層２２に固定される。熱圧着により、第４スペーサｂ１１～ｂ１６は、絶縁基材層１６ｅ及び第２グランド導体層２４に固定される。ただし、第１スペーサｂ７，ｂ８は、第１グランド導体層２２に固定されない。第３スペーサｂ１７，ｂ１８は、第２グランド導体層２４に固定されない。以上の工程により、信号伝送線路１０が完成する。

貫通孔が用いられることにより、第１スペーサｂ７，ｂ８及び第２スペーサｂ１～ｂ６の位置決めが容易となる。

（第１の変形例）
［信号伝送線路の構造］
以下に、第１の変形例に係る信号伝送線路１０ａの構造について図面を参照しながら説明する。図７は、図１のＡ－Ａにおける断面図である。図８は、信号伝送線路１０ａの分解斜視図である。信号伝送線路１０ａの外観斜視図については、図１を援用する。

信号伝送線路１０ａは、図７及び図８に示すように、第２区間Ａ１２において、上下方向において信号導体層２０と第１グランド導体層２２との間に第２空隙Ｓｐ２が配置されている点において、信号伝送線路１０と相違する。本実施形態では、上下方向において絶縁基材層１８ｃと絶縁基材層１６ｂとの間に第２空隙Ｓｐ２が配置されている。基材１２に第２空隙Ｓｐ２が設けられることにより、信号領域Ａ２が、基材１２の第２区間Ａ１２において、第１グランド領域Ａ１に接触していない。また、第２区間Ａ１２において、上下方向において信号導体層２０と第２グランド導体層２４との間に空隙Ｓｐ４が配置されている。本実施形態では、上下方向において絶縁基材層１８ｄと絶縁基材層１６ｄとの間に空隙Ｓｐ４が配置されている。基材１２に空隙Ｓｐ４が設けられることにより、信号領域Ａ２が、基材１２の第２区間Ａ１２において、第２グランド領域Ａ３に接触していない。以下に、かかる相違点を中心に、信号伝送線路１０ａについて説明する。

基材１２は、図８に示すように、複数の絶縁基材層１６ｂ～１６ｄ，１８ａ～１８ｄが上下方向に積層された構造を有している。絶縁基材層１８ａ，１８ｃ，１６ｂ～１６ｄ，１８ｄ，１８ｂは、上から下へとこの順に並ぶように積層されている。絶縁基材層１８ｃ，１８ｄは、レジスト層である。絶縁基材層１８ｃ，１８ｄは、下方向に見て、基材１２と同じ形状を有している。

第１空隙Ｓｐ１は、第１区間Ａ１１において絶縁基材層１８ｃと絶縁基材層１６ｂとの間に配置されている。第１スペーサｂ７，ｂ８は、第１空隙Ｓｐ１を上下方向に通過している。第１スペーサｂ７，ｂ８は、絶縁基材層１８ｃの下面に固定されずに接触している。これにより、複数の第１スペーサｂ７，ｂ８は、信号領域Ａ２に固定されており、かつ、第１グランド領域Ａ１に固定されずに接触している。なお、第３スペーサｂ１７，ｂ１８は、第１スペーサｂ７，ｂ８と上下対称な構造を有する。従って、第３スペーサｂ１７，ｂ１８の説明を省略する。

第２空隙Ｓｐ２は、第２区間Ａ１２において絶縁基材層１８ｃと絶縁基材層１６ｂとの間に配置されている。複数の第２スペーサｂ１，ｂ３，ｂ５は、第２空隙Ｓｐ２を上下方向に通過している。複数の第２スペーサｂ１，ｂ３，ｂ５は、絶縁基材層１８ｃに設けられた貫通孔を上下方向に貫通している。これにより、複数の第２スペーサｂ１，ｂ３，ｂ５は、絶縁基材層１８ｃに固定されている。更に、複数の第２スペーサｂ１，ｂ３，ｂ５の上端は、第１グランド導体層２２に固定されている。これにより、複数の第２スペーサｂ１，ｂ３，ｂ５は、第１グランド領域Ａ１及び信号領域Ａ２に固定されている。なお、第２スペーサｂ２，ｂ４，ｂ６は、第２スペーサｂ１，ｂ３，ｂ５と左右対称な構造を有する。従って、第２スペーサｂ１，ｂ３，ｂ５の説明を省略する。また、第４スペーサｂ１１～ｂ１６は、第２スペーサｂ１～ｂ６と上下対称な構造を有する。従って、第４スペーサｂ１１～ｂ１６の説明を省略する。

信号伝送線路１０ａでは、誘電損失の発生が抑制される。より詳細には、信号伝送線路１０ａでは、第２空隙Ｓｐ２が基材１２の第２区間Ａ１２に設けられている。これにより、第２区間Ａ１２において、信号導体層２０の周囲に第２空隙Ｓｐ２が存在するようになる。そのため、信号伝送線路１０ａの周囲の誘電率が低下する。その結果、信号伝送線路１０ａでは、誘電損失の発生が抑制される。

［信号伝送線路の製造方法］
以下に、図面を参照しながら信号伝送線路１０ａの製造方法について説明する。図９ないし図１１は、信号伝送線路１０ａの製造時の工程断面図である。

まず、図８に示すように、信号導体層２０、第１グランド導体層２２、第２グランド導体層２４、外部電極２６，２８、複数のビアホール導体ｖ１～ｖ１０及び複数の接続導体層３０，３２，３４，３６，３８，４０，４２，４４，４６，４８，５０，５２，５４，５６，５８，６０，６２，６４，６６，６８，７０，７２，７４，７６を絶縁基材層１６ｂ～１６ｄ，１８ａ～１８ｄに形成する。本工程は、一般的な工程であるので説明を省略する。

次に、図９（ａ）に示すように、絶縁基材層１６ｂ～１６ｄを上から下へとこの順に積み重ねる。そして、図９（ｂ）に示すように、絶縁基材層１６ｂ～１６ｄに対して熱圧着を施す。これにより、絶縁基材層１６ｂ～１６ｄが一体化される。これにより、信号領域Ａ２が形成される。

次に、図９（ｃ）に示すように、複数の接続導体層３０，３２，３４，３６，３８，４０，４２，４４，６２，６４，６６，６８，７０，７２，７４，７６上に複数の第２スペーサｂ１～ｂ６、複数の第１スペーサｂ７，ｂ８、複数の第４スペーサｂ１１～ｂ１６及び複数の第３スペーサｂ１７，ｂ１８を形成する。信号伝送線路１０ａの第２スペーサｂ１～ｂ６、複数の第１スペーサｂ７，ｂ８、複数の第４スペーサｂ１１～ｂ１６及び複数の第３スペーサｂ１７，ｂ１８は、信号伝送線路１０の第２スペーサｂ１～ｂ６、複数の第１スペーサｂ７，ｂ８、複数の第４スペーサｂ１１～ｂ１６及び複数の第３スペーサｂ１７，ｂ１８より長い。

次に、図１０（ａ）及び図１１（ａ）に示すように、信号領域Ａ２の上に第１グランド領域Ａ１を配置すると共に、信号領域Ａ２の下に第２グランド領域Ａ３を配置する。そして、図１０（ｂ）及び図１１（ｂ）に示すように、第１グランド領域Ａ１、信号領域Ａ２及び第２グランド領域Ａ３に対して熱圧着を施す。この際、図１０（ｂ）に示すように、第２スペーサｂ１～ｂ６は、絶縁基材層１８ｃに設けられた貫通孔に挿入される。第４スペーサｂ１１～ｂ１６は、絶縁基材層１８ｄに設けられた貫通孔に挿入される。そして、熱圧着により、第２スペーサｂ１～ｂ６は、絶縁基材層１８ｃ及び第１グランド導体層２２に固定される。熱圧着により、第４スペーサｂ１１～ｂ１６は、絶縁基材層１８ｄ及び第２グランド導体層２４に固定される。ただし、第１スペーサｂ７，ｂ８は、第１グランド導体層２２に固定されない。第３スペーサｂ１７，ｂ１８は、第２グランド導体層２４に固定されない。また、第１グランド領域Ａ１と信号領域Ａ２との間に第１空隙Ｓｐ１、第２空隙Ｓｐ２及び空隙Ｓｐ５が形成される。第２グランド領域Ａ３と信号領域Ａ２との間に空隙Ｓｐ３，Ｓｐ４，Ｓｐ６が形成される。以上の工程により、信号伝送線路１０ａが完成する。

（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る信号伝送線路１０ｂの構造について図面を参照しながら説明する。図１２は、信号伝送線路１０ｂの分解斜視図である。図１３は、図１のＡ－Ａにおける断面図である。信号伝送線路１０ｂの外観斜視図については、図１を援用する。

信号伝送線路１０ｂは、第１スペーサｂ７，ｂ８、第３スペーサｂ１７，ｂ１８及び接続導体層４２，４４，７４，７６の構造において信号伝送線路１０と相違する。以下にかかる相違点を中心に信号伝送線路１０ｂについて説明する。

信号伝送線路１０ｂの第１スペーサｂ７，ｂ８のそれぞれは、信号伝送線路１０の複数の第１スペーサｂ７，ｂ８が１つに繋がった構造を有している。これにより、第１スペーサｂ７，ｂ８は、下方向に見て、左右方向に延びる線形状を有している。信号伝送線路１０ｂの第３スペーサｂ１７，ｂ１８のそれぞれは、信号伝送線路１０の複数の第３スペーサｂ１７，ｂ１８が１つに繋がった構造を有している。これにより、第３スペーサｂ１７，ｂ１８は、左右方向に延びる線形状を有している。

また、信号伝送線路１０ｂの接続導体層４２，４４，７４，７６のそれぞれは、信号伝送線路１０の複数の接続導体層４２，４４，７４，７６が１つに繋がった構造を有している。これにより、信号伝送線路１０ｂの接続導体層４２，４４，７４，７６のそれぞれは、下方向に見て、左右方向に延びる線形状を有している。

信号伝送線路１０ｂによれば、第１区間Ａ１１が曲がった状態を維持することが容易になる。より詳細には、第１スペーサｂ７，ｂ８は、第１区間Ａ１１において左右方向に延びている。これにより、第１区間Ａ１１が曲げられると、第１スペーサｂ７，ｂ８が塑性変形するようになる。その結果、第１区間Ａ１１が曲げられた状態は、第１スペーサｂ７，ｂ８により維持されるようになる。

（その他の実施形態）
本発明に係る信号伝送線路は、信号伝送線路１０，１０ａ，１０ｂに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。また、信号伝送線路１０，１０ａ，１０ｂの構成を組み合わせることが可能である。

なお、信号伝送線路１０，１０ａ，１０ｂにおいて、１以上の第１スペーサｂ７，ｂ８は、信号領域Ａ２に固定されずに接触しており、かつ、第１グランド領域Ａ１に固定されていてもよい。また、１以上の第３スペーサｂ１７，ｂ１８は、信号領域Ａ２に固定されずに接触しており、かつ、第２グランド領域Ａ３に固定されていてもよい。

なお、信号伝送線路１０，１０ａ，１０ｂにおいて、第２グランド導体層２４は、必須の構成ではない。

なお、信号伝送線路１０，１０ａ，１０ｂにおいて、第１空隙Ｓｐ１は、必須の構成ではない。信号領域Ａ２は、基材１２の第１区間Ａ１１において、第１グランド領域Ａ１に接触した状態で固定されていなくてもよい。空隙Ｓｐ３は、必須の構成ではない。信号領域Ａ２は、基材１２の第１区間Ａ１１において、第２グランド領域Ａ３に接触した状態で固定されていなくてもよい。

なお、信号伝送線路１０，１０ａ，１０ｂにおいて、複数の第２スペーサｂ１～ｂ６、複数の第１スペーサｂ７，ｂ８、複数の第４スペーサｂ１１～ｂ１６及び複数の第３スペーサｂ１７，ｂ１８の数は、例示した数に限らない。信号伝送線路１０，１０ａ，１０ｂは、１以上の第２スペーサｂ１～ｂ６、１以上の第１スペーサｂ７，ｂ８、１以上の第４スペーサｂ１１～ｂ１６及び１以上の第３スペーサｂ１７，ｂ１８を備えていればよい。

なお、信号伝送線路１０，１０ａ，１０ｂにおいて、第２スペーサｂ１～ｂ６、第１スペーサｂ７，ｂ８、第４スペーサｂ１１～ｂ１６及び第３スペーサｂ１７，ｂ１８は、はんだバンプ以外の構成により実現されてもよい。

なお、信号伝送線路１０，１０ａ，１０ｂにおいて、第１スペーサｂ７，ｂ８は、下方向に見て、第１グランド導体層２２と重なっていなくてもよい。第３スペーサｂ１７，ｂ１８は、下方向に見て、第２グランド導体層２４と重なっていなくてもよい。

なお、信号伝送線路１０，１０ａ、１０ｂが延びる方向は、左右方向でなく、前後方向であってもよいし、斜め方向であってもよい。信号伝送線路１０，１０ａ，１０ｂが延びる方向が前後方向である場合には、信号伝送線路１０，１０ａ、１０ｂを上下方向に曲げやすくなる。

なお、図１２では、第２スペーサｂ１～ｂ６は、２列に左右方向に並んでいる。しかしながら、第２スペーサｂ１～ｂ６は、３列以上に左右方向に並んでいてもよい。また、第２スペーサｂ１～ｂ６は、千鳥状に配列されていてもよい。

なお、第２区間Ａ１２，Ａ１３は、第１区間Ａ１１の曲率半径より大きい曲率半径を有していればよい。従って、第２区間Ａ１２，Ａ１３は、上下方向に曲がっていてもよい。

１０，１０ａ，１０ｂ：信号伝送線路
１２：基材
１６ａ～１６ｅ，１８ａ～１８ｄ：絶縁基材層
１６ａ－１，１６ｅ－１：絶縁基材層左部
１６ａ－２，１６ｅ－２：絶縁基材層右部
２０：信号導体層
２２：第１グランド導体層
２４：第２グランド導体層
２６，２８：外部電極
３０，３２，３４，３６，３８，４０，４２，４４，４６，４８，５０，５２，５４，５
６，５８，６０，６２，６４，６６，６８，７０，７２，７４，７６：接続導体層
Ａ１：第１グランド領域
Ａ１１：第１区間
Ａ１２，Ａ１３：第２区間
Ａ２：信号領域
Ａ３：第２グランド領域
Ｓｐ１：第１空隙
Ｓｐ２：第２空隙
Ｓｐ３～Ｓｐ６：空隙
ｂ１～ｂ６：第２スペーサ
ｂ１１～ｂ１６：第４スペーサ
ｂ１７，ｂ１８：第３スペーサ
ｂ７，ｂ８：第１スペーサ
ｈ１～ｈ８：開口
ｖ１～ｖ１０：ビアホール導体

Claims (14)

1. 複数の絶縁基材層が上下方向に積層されて、上下方向に曲げられる第１区間を有する基材と、
   前記基材に設けられている信号導体層と、
   前記基材に設けられていて、下方向に見て前記信号導体層に重なるように、前記信号導体層の上に配置されている第１グランド導体層と、
   前記第１区間に形成された１以上の第１スペーサと、
   を備えており、
   前記信号導体層及び前記複数の絶縁基材層のうちの一部を含んでいる信号領域と、前記第１グランド導体層及び前記複数の絶縁基材層のうちの一部を含み、かつ、前記信号領域の上に位置する第１グランド領域と、を含んでおり、
   前記信号領域は、前記基材の前記第１区間において、前記第１グランド領域に固定されておらず、
   前記１以上の第１スペーサは、前記信号領域に設けられており、かつ、前記第１グランド領域に固定されずに接触しており、又は、前記１以上の第１スペーサは、前記第１グランド領域に設けられており、かつ、前記信号領域に固定されずに接触しており、
   前記１以上の第１スペーサは、前記第１区間に配置されていて、
   前記第１区間に、前記１以上の第１スペーサにより前記信号導体層と前記第１グランド導体層との間に形成された空隙が、前記下方向に見て前記信号導体層に交差する方向に前記基材の全幅を横断する、
   信号伝送線路。
2. 前記１以上の第１スペーサの材料のヤング率は、前記基材の材料のヤング率より高い、
   請求項１に記載の信号伝送線路。
3. 前記基材は、前記第１区間の曲率半径より大きな曲率半径を有する第２区間を有しており、
   前記信号伝送線路は、１以上の第２スペーサを更に備えており、
   前記１以上の第２スペーサは、前記信号領域及び前記第１グランド領域に固定されており、
   前記１以上の第２スペーサは、前記第２区間に配置されている、
   請求項１又は請求項２のいずれかに記載の信号伝送線路。
4. 前記１以上の第２スペーサは、前記第１グランド導体層に固定されている、
   請求項３に記載の信号伝送線路。
5. 前記第２区間において、上下方向において前記信号導体層と前記第１グランド導体層との間に第２空隙が配置されており、
   前記基材に前記第２空隙が設けられることにより、前記信号領域が、前記第２区間において、前記第１グランド領域に固定されていない、
   請求項３又は請求項４のいずれかに記載の信号伝送線路。
6. 前記１以上の第１スペーサは、はんだバンプである、
   請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の信号伝送線路。
7. 前記信号伝送線路は、複数の前記第１スペーサを備えている、
   請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の信号伝送線路。
8. 前記第２スペーサは、はんだバンプである、
   請求項３ないし請求項５のいずれかに記載の信号伝送線路。
9. 前記第１区間において、上下方向において前記信号導体層と前記第１グランド導体層との間に第１空隙が配置されており、
   前記信号領域が、前記第１区間において、前記第１グランド領域に固定されておらず、
   前記１以上の第１スペーサは、前記第１空隙内に配置されている、
   請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の信号伝送線路。
10. 前記１以上の第１スペーサは、前記信号領域に固定されており、かつ、前記第１グランド領域に固定されずに接触している、
    請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の信号伝送線路。
11. 前記１以上の第１スペーサは、前記第１グランド導体層に接触している、
    請求項１０に記載の信号伝送線路。
12. 前記基材は、可撓性を有する、
    請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の信号伝送線路。
13. 前記第１区間は、前記基材の上面が山折りされることにより曲げられていると共に、前記基材の上面が谷折りされることにより曲げられている、
    請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の信号伝送線路。
14. 前記１以上の第１スペーサは、前記下方向に見て、前記第１グランド導体層と重なっている、
    請求項１ないし請求項１３のいずれかに記載の信号伝送線路。

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