WO2022080067A1

WO2022080067A1 - 回路基板及び回路基板の製造方法

Info

Publication number: WO2022080067A1
Application number: PCT/JP2021/033730
Authority: WO
Inventors: 恒亮西尾
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2020-10-13
Filing date: 2021-09-14
Publication date: 2022-04-21
Also published as: US20230239996A1; JP7544137B2; JPWO2022080067A1; CN219979787U

Abstract

基板本体は、第１樹脂層と、前記第１樹脂層の下に積層されている第２樹脂層と、を含んでいる。第１信号導体層は、第２樹脂層の上主面に設けられている。第１樹脂層と第２樹脂層とは、互いに接している。第１樹脂層及び第２樹脂層は、熱可塑性樹脂を含んでいる。基板本体は、上下方向に見て、第１樹脂層及び第２樹脂層が存在している重複領域、及び、上下方向に見て、第１樹脂層が存在しておらず、かつ、第２樹脂層が存在している第１非重複領域を有している。第１信号導体層は、第１非重複領域における第１信号導体層が重複領域における第１信号導体層より上に位置するように、第１信号導体層が上下方向に湾曲する第１湾曲部を有している。第１信号導体層は、第１非重複領域において、基板本体の上に配置される第１部材と電気的に接続可能である。

Description

回路基板及び回路基板の製造方法

　本発明は、第１樹脂層及び第２樹脂層が積層された構造を有する回路基板及びその製造方法に関する。

　従来の回路基板に関する発明としては、特許文献１に記載の伝送線路が知られている。この伝送線路は、積層絶縁体、信号導体パターン、コネクタ接続電極及び複数の層間接続導体を備えている。積層絶縁体は、複数の絶縁体層が積層された構造を有している。信号導体パターンは、絶縁体層の上主面に設けられている。信号導体パターンは、積層絶縁体の内部に設けられている。コネクタ接続電極は、積層絶縁体の上主面に設けられている。複数の層間接続導体は、直列に接続されている。複数の層間接続導体は、信号導体パターンの端部とコネクタ接続電極とを接続している。

特許第６０４８６３３号公報

　ところで、特許文献１に記載の伝送線路では、複数の層間接続導体において特性インピーダンスが変動しやすい。より詳細には、複数の層間接続導体が直列接続されるために、複数の層間接続導体の間に接続用の導体パターンが設けられる。このような接続用の導体パターンは、層間接続導体の周囲の導体パターンと容量を形成しやすい。よって、複数の層間接続導体において特性インピーダンスの変動が発生する場合がある。このような特性インピーダンスの変動は、高周波信号の反射の原因となる。

　そこで、本発明の目的は、高周波信号の反射を低減できる回路基板及びその製造方法を提供することである。

　本発明の一形態に係る回路基板は、
　第１樹脂層と、前記第１樹脂層の下に積層されている第２樹脂層と、を含んでいる基板本体と、
　前記第２樹脂層の上主面に設けられている第１信号導体層と、
　を備えており、
　前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とは、互いに接しており、
　前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層は、熱可塑性樹脂を含み、
　前記基板本体は、上下方向に見て、前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層が存在している重複領域、及び、上下方向に見て、前記第１樹脂層が存在しておらず、かつ、前記第２樹脂層が存在している第１非重複領域を有しており、
　前記第１信号導体層は、前記第１非重複領域における前記第１信号導体層が前記重複領域における前記第１信号導体層より上に位置するように、前記第１信号導体層が上下方向に湾曲する第１湾曲部を有しており、
　前記第１信号導体層は、前記第１非重複領域において、前記基板本体の上に配置される第１部材と電気的に接続可能である。

　本発明の一形態に係る回路基板の製造方法は、
　熱可塑性樹脂を含む第１樹脂層を準備する第１準備工程と、
　熱可塑性樹脂を含む第２樹脂層であって、前記第２樹脂層の上主面に第１信号導体層が設けられた前記第２樹脂層を準備する第２準備工程と、
　前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層が上から下へとこの順に並び、かつ、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とが接触し、かつ、上下方向に見て、前記第１樹脂層が前記第２樹脂層の上に配置されている重複領域、及び、上下方向に見て、前記第１樹脂層が前記第２樹脂層の上に配置されていない第１非重複領域が形成されるように、前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層を配置する配置工程と、
　前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とを熱圧着することにより、前記第１非重複領域における前記第１信号導体層が前記重複領域における前記第１信号導体層より上に位置するように、前記第１信号導体層を上下方向に湾曲させる熱圧着工程と、
　を備えている。

　本発明に係る回路基板によれば、高周波信号の反射を低減できる。

図１は、回路基板１０の外観斜視図である。図２は、図１のＡ－Ａにおける回路基板１０の断面図である。図３は、回路基板１０の分解斜視図である。図４は、回路基板１０を備える電子機器１を示した図である。図５は、回路基板１０の製造時の断面図である。図６は、回路基板１０の製造時の断面図である。図７は、回路基板１０ａの断面図である。図８は、回路基板１０ａの製造時の断面図である。図９は、回路基板１０ａの製造時の断面図である。図１０は、回路基板１０ｂの断面図である。図１１は、回路基板１０ｃの断面図である。図１２は、回路基板１０ｄの断面図である。図１３は、回路基板１０ｅの断面図である。図１４は、回路基板１０ｆの断面図である。図１５は、回路基板１０ｇの断面図である。図１６は、回路基板１０ｈの断面図である。図１７は、回路基板１０ｉの断面図である。図１８は、回路基板１０ｊの断面図である。図１９は、回路基板１０ｊの製造時の断面図である。図２０は、回路基板１０ｋの断面図である。図２１は、回路基板１０ｋの製造時の断面図である。図２２は、第１信号導体層１８ａの上面図である。

（実施形態）
［回路基板１０の構造］
　以下に、本発明の実施形態に係る回路基板１０について図面を参照しながら説明する。図１は、回路基板１０の外観斜視図である。図２は、図１のＡ－Ａにおける回路基板１０の断面図である。図３は、回路基板１０の分解斜視図である。

　本明細書において、方向を以下のように定義する。基板本体１２の積層方向を上下方向と定義する。基板本体１２の長手方向を左右方向と定義する。基板本体１２の短手方向を前後方向と定義する。上下方向、前後方向及び左右方向は互いに直交している。なお、本明細書における方向の定義は、一例である。従って、基板本体１２の実使用時における方向と本明細書における方向とが一致している必要はない。

　以下に、本明細書における用語の定義について説明する。まず、本明細書における部材の位置関係について定義する。ＸないしＺは、回路基板１０を構成する部材又は部品である。本明細書において、前後方向に並ぶＸ及びＹとは、以下の状態を示す。前後方向に垂直な方向にＸ及びＹを見て、Ｘ及びＹの両方が前後方向を示す任意の直線上に配置されている状態である。本明細書において、上下方向に見て前後方向に並ぶＸ及びＹとは、以下の状態を示す。上下方向にＸ及びＹを見て、Ｘ及びＹの両方が前後方向を示す任意の直線上に配置されている。この場合、上下方向とは異なる左右方向からＸ及びＹを見ると、Ｘ及びＹのいずれか一方が前後方向を示す任意の直線上に配置されていなくてもよい。なお、ＸとＹとが接触していてもよい。ＸとＹとが離れていてもよい。ＸとＹとの間にＺが存在していてもよい。この定義は、上下方向及び左右方向にも適用される。

　本明細書において、ＸがＹの前に配置されるとは、以下の状態を指す。Ｘの少なくとも一部は、Ｙが前方向に平行移動するときに通過する領域内に配置されている。よって、Ｘは、Ｙが前方向に平行移動するときに通過する領域内に収まっていてもよいし、Ｙが前方向に平行移動するときに通過する領域から突出していてもよい。この場合、Ｘ及びＹは、前後方向に並んでいる。この定義は、上下方向及び左右方向にも適用される。

　本明細書において、左右方向に見て、ＸがＹの前に配置されるとは、以下の状態を指す。左右方向に見て、ＸとＹが前後方向に並んでおり、かつ、左右方向に見て、ＸのＹと対向する部分が、Ｙの前に配置される。この定義において、ＸとＹは、３次元では、前後方向に並んでいなくてもよい。この定義は、上下方向及び左右方向にも適用される。

　本明細書において、ＸがＹより前に配置されるとは、以下の状態を指す。Ｘは、Ｙの前端を通り前後方向に直交する平面の前に配置される。この場合、Ｘ及びＹは、前後方向に並んでいてもよく、並んでいなくてもよい。この定義は、上下方向及び左右方向にも適用される。

　本明細書において、特に断りのない場合には、Ｘの各部について以下のように定義する。Ｘの前部とは、Ｘの前半分を意味する。Ｘの後部とは、Ｘの後半分を意味する。Ｘの左部とは、Ｘの左半分を意味する。Ｘの右部とは、Ｘの右半分を意味する。Ｘの上部とは、Ｘの上半分を意味する。Ｘの下部とは、Ｘの下半分を意味する。Ｘの前端とは、Ｘの前方向の端を意味する。Ｘの後端とは、Ｘの後方向の端を意味する。Ｘの左端とは、Ｘの左方向の端を意味する。Ｘの右端とは、Ｘの右方向の端を意味する。Ｘの上端とは、Ｘの上方向の端を意味する。Ｘの下端とは、Ｘの下方向の端を意味する。Ｘの前端部とは、Ｘの前端及びその近傍を意味する。Ｘの後端部とは、Ｘの後端及びその近傍を意味する。Ｘの左端部とは、Ｘの左端及びその近傍を意味する。Ｘの右端部とは、Ｘの右端及びその近傍を意味する。Ｘの上端部とは、Ｘの上端及びその近傍を意味する。Ｘの下端部とは、Ｘの下端及びその近傍を意味する。

　本明細書における任意の２個の部材をＸ及びＹと定義した場合、任意の２個の部材の関係は以下のような意味になる。本明細書において、ＸがＹに支持されているとは、ＸがＹに対して移動不可能にＹに取り付けられている（すなわち、固定されている）場合、及び、ＸがＹに対して移動可能にＹに取り付けられている場合を含む。また、ＸがＹに支持されているとは、ＸがＹに直接に取り付けられている場合、及び、ＸがＺを介してＹに取り付けられている場合の両方を含む。

　本明細書において、「ＸとＹとが電気的に接続される」とは、ＸとＹとの間で電気が導通していることを意味する。従って、ＸとＹとが接触していてもよいし、ＸとＹとが接触していなくてもよい。ＸとＹとが接触していない場合には、ＸとＹとの間に導電性を有するＺが配置されている。

　本明細書において、「湾曲」とは、樹脂層が曲がっていることを意味し、「屈曲」も含む意味である。

　回路基板１０は、２つの電気回路を電気的に接続する高周波信号伝送線路である。回路基板１０は、図１に示すように、薄板形状を有している。回路基板１０は、可撓性を有している。従って、回路基板１０を上方向又は下方向に折り曲げることが可能である。回路基板１０は、図２及び図３に示すように、基板本体１２、第１信号導体層１８ａ、第１グランド導体層２０、第２グランド導体層２２及び層間接続導体ｖ１，ｖ２を備えている。

　基板本体１２は、図１に示すように、薄板形状を有している。基板本体１２は、上下方向に見て、左右方向に延びる帯形状を有している。基板本体１２は、上主面及び下主面を有している。基板本体１２の上主面は、基板本体１２の２つの主面の内の上に位置する主面である。基板本体１２の下主面は、基板本体１２の２つの主面の内の下に位置する主面である。

　基板本体１２は、図２及び図３に示すように、保護層１７ａ、樹脂層１６ａ（第１樹脂層）、樹脂層１６ｂ（第２樹脂層）及び保護層１７ｂを含んでいる。基板本体１２は、保護層１７ａ、樹脂層１６ａ，１６ｂ及び保護層１７ｂが上下方向における上から下へとこの順に積層された構造を有している。すなわち、基板本体１２は、樹脂層１６ａ（第１樹脂層）と、樹脂層１６ａ（第１樹脂層）の下に積層されている樹脂層１６ｂ（第２樹脂層）と、を含んでいる。

　樹脂層１６ａは、上主面及び下主面を有している。樹脂層１６ａの上主面は、樹脂層１６ａの２つの主面の内の上に位置する主面である。樹脂層１６ａの下主面は、樹脂層１６ａの２つの主面の内の下に位置する主面である。樹脂層１６ｂは、上主面及び下主面を有している。樹脂層１６ｂの上主面は、樹脂層１６ｂの２つの主面の内の上に位置する主面である。樹脂層１６ｂの下主面は、樹脂層１６ｂの２つの主面の内の下に位置する主面である。これにより、樹脂層１６ａと樹脂層１６ｂとは、互いに接している。すなわち、樹脂層１６ａの下主面と樹脂層１６ｂの上主面とは、互いに接している。

　樹脂層１６ｂの左右方向の長さは、樹脂層１６ａの左右方向の長さより長い。これにより、基板本体１２は、図２に示すように、重複領域Ａ１、第１非重複領域Ａ２及び第２非重複領域Ａ３を有している。重複領域Ａ１は、上下方向に見て、樹脂層１６ａ及び樹脂層１６ｂが存在している領域である。従って、重複領域Ａ１では、上下方向に見て、樹脂層１６ａ及び樹脂層１６ｂが重なっている。第１非重複領域Ａ２及び第２非重複領域Ａ３は、上下方向に見て、樹脂層１６ａが存在しておらず、かつ、樹脂層１６ｂが存在している領域である。従って、第１非重複領域Ａ２及び第２非重複領域Ａ３では、樹脂層１６ａが樹脂層１６ｂに重なっていない。第１非重複領域Ａ２は、重複領域Ａ１の左に位置している。第２非重複領域Ａ３は、重複領域Ａ１の右に位置している。

　また、図２に示すように、第１非重複領域Ａ２における樹脂層１６ｂは、重複領域Ａ１における樹脂層１６ｂより上に位置している。そのため、樹脂層１６ｂは、重複領域Ａ１と第１非重複領域Ａ２との境界近傍において上下方向に湾曲している。同様に、第２非重複領域Ａ３における樹脂層１６ｂは、重複領域Ａ１における樹脂層１６ｂより上に位置している。そのため、樹脂層１６ｂは、重複領域Ａ１と第２非重複領域Ａ３との境界近傍において上下方向に湾曲している。これにより、第１非重複領域Ａ２及び第２非重複領域Ａ３における樹脂層１６ｂの上主面の上下方向における位置は、重複領域Ａ１における樹脂層１６ａの上主面の上下方向における位置と略一致している。すなわち、重複領域Ａ１における樹脂層１６ａ（第１樹脂層）の上主面と第１非重複領域Ａ２及び第２非重複領域Ａ３における樹脂層１６ｂ（第２樹脂層）の上主面は、同一平面上に位置している。

　また、樹脂層１６ａの厚みは、重複領域Ａ１から第１非重複領域Ａ２に近づくにしたがって、小さくなっている。すなわち、樹脂層１６ａの左端部の厚みは、左方向に行くにしたがって小さくなっている。同様に、樹脂層１６ａの厚みは、重複領域Ａ１から第２非重複領域Ａ３に近づくにしたがって、小さくなっている。すなわち、樹脂層１６ａの右端部の厚みは、右方向に行くにしたがって小さくなっている。

　樹脂層１６ａ，１６ｂは、熱可塑性樹脂を含んでいる。樹脂層１６ａの材料と樹脂層１６ｂの材料とは同じである。熱可塑性樹脂は、例えば、液晶ポリマー（ＬＣＰ）やポリイミド等である。保護層１７ａ，１７ｂについては後述する。以上のような基板本体１２は、可撓性を有している。

　第１信号導体層１８ａは、基板本体１２に設けられている。第１信号導体層１８ａは、樹脂層１６ｂの上主面に設けられている。第１信号導体層１８ａは、重複領域Ａ１、第１非重複領域Ａ２及び第２非重複領域Ａ３に設けられている。第１信号導体層１８ａは、第１端部ｔａ及び第２端部ｔｂを有する線形状を有している。第１信号導体層１８ａは、左右方向に延びている。従って、第１端部ｔａは、左端部である。第２端部ｔｂは、右端部である。第１端部ｔａは、第１非重複領域Ａ２に位置している。第１非重複領域Ａ２では、樹脂層１６ｂの上に樹脂層１６ａが存在しない。そのため、第１端部ｔａは、基板本体１２の上主面に位置している。これにより、第１端部ｔａは、第１信号電極として機能する。第２端部ｔｂは、第２非重複領域Ａ３に位置している。第２非重複領域Ａ３では、樹脂層１６ｂの上に樹脂層１６ａが存在しない。そのため、第２端部ｔｂは、基板本体１２の上主面に位置している。これにより、第２端部ｔｂは、第２信号電極として機能する。

　第１信号導体層１８ａは、第１非重複領域Ａ２における第１信号導体層１８ａが重複領域Ａ１における第１信号導体層１８ａより上に位置するように、第１信号導体層１８ａが上下方向に湾曲する第１湾曲部Ｃａを有している。より詳細には、第１信号導体層１８ａは、樹脂層１６ｂの上主面に設けられている。樹脂層１６ｂは、前記の通り、重複領域Ａ１と第１非重複領域Ａ２との境界近傍において上下方向に湾曲している。そのため、第１信号導体層１８ａも、重複領域Ａ１と第１非重複領域Ａ２との境界近傍において上下方向に湾曲している。

　第１信号導体層１８ａは、第２非重複領域Ａ３における第１信号導体層１８ａが重複領域Ａ１における第１信号導体層１８ａより上に位置するように、第１信号導体層１８ａが上下方向に湾曲する第２湾曲部Ｃｂを有している。より詳細には、第１信号導体層１８ａは、樹脂層１６ｂの上主面に設けられている。樹脂層１６ｂは、前記の通り、重複領域Ａ１と第２非重複領域Ａ３との境界近傍において上下方向に湾曲している。そのため、第１信号導体層１８ａも、重複領域Ａ１と第２非重複領域Ａ３との境界近傍において上下方向に湾曲している。

　第１グランド導体層２０は、基板本体１２に設けられている。本実施形態では、第１グランド導体層２０は、樹脂層１６ａの上主面に設けられている。これにより、第１グランド導体層２０は、第１信号導体層１８ａの上に配置されている。第１グランド導体層２０は、図３に示すように、左右方向に延びる帯形状を有している。

　第２グランド導体層２２は、基板本体１２に設けられている。本実施形態では、第２グランド導体層２２は、樹脂層１６ｂの下主面に設けられている。これにより、第２グランド導体層２２は、第１信号導体層１８ａの下に配置されている。第２グランド導体層２２は、図３に示すように、左右方向に延びる帯形状を有している。以上のように第１グランド導体層２０及び第２グランド導体層２２は、上下方向に見て、第１信号導体層１８ａと重なっている。よって、第１信号導体層１８ａ、第１グランド導体層２０及び第２グランド導体層２２は、ストリップライン構造を形成している。

　第２グランド導体層２２は、端部ｔｃ，ｔｄを有している。端部ｔｃは、左端部である。端部ｔｄは、右端部である。端部ｔｃは、第１非重複領域Ａ２に位置している。端部ｔｃは、基板本体１２から外部に露出している。これにより、端部ｔｃは、第１グランド電極として機能する。端部ｔｄは、第２非重複領域Ａ３に位置している。端部ｔｄは、基板本体１２から外部に露出している。これにより、端部ｔｄは、第２グランド電極として機能する。

　また、第２グランド導体層２２は、第１非重複領域Ａ２における第２グランド導体層２２が重複領域Ａ１における第２グランド導体層２２より上に位置するように、第２グランド導体層２２が上下方向に湾曲している第３湾曲部Ｃｃを有している。より詳細には、第２グランド導体層２２は、樹脂層１６ｂの下主面に設けられている。樹脂層１６ｂは、前記の通り、重複領域Ａ１と第１非重複領域Ａ２との境界近傍において上下方向に湾曲している。そのため、第２グランド導体層２２も、重複領域Ａ１と第１非重複領域Ａ２との境界近傍において上下方向に湾曲している。

　また、第２グランド導体層２２は、第２非重複領域Ａ３における第２グランド導体層２２が重複領域Ａ１における第２グランド導体層２２より上に位置するように、第２グランド導体層２２が上下方向に湾曲している湾曲部Ｃｄを有している。より詳細には、第２グランド導体層２２は、樹脂層１６ｂの下主面に設けられている。樹脂層１６ｂは、前記の通り、重複領域Ａ１と第２非重複領域Ａ３との境界近傍において上下方向に湾曲している。そのため、第２グランド導体層２２も、重複領域Ａ１と第２非重複領域Ａ３との境界近傍において上下方向に湾曲している。以上のような第１信号導体層１８ａ、第１グランド導体層２０及び第２グランド導体層２２は、例えば、樹脂層上の銅等の金属箔にパターニングが施されることにより形成されている。

　複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２は、第１グランド導体層２０と第２グランド導体層２２とを電気的に接続している。より詳細には、複数の層間接続導体ｖ１は、第１信号導体層１８ａの前に設けられている。複数の層間接続導体ｖ１は、左右方向に等間隔に一列に並んでいる。複数の層間接続導体ｖ２は、第１信号導体層１８ａの後に設けられている。複数の層間接続導体ｖ２は、左右方向に等間隔に一列に並んでいる。複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２は、樹脂層１６ａ，１６ｂを上下方向に貫通している。複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２の上端は、第１グランド導体層２０に接続されている。複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２の下端は、第２グランド導体層２２に接続されている。以上のような複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２は、例えば、ビアホール導体である。層間接続導体ｖ１，ｖ２は、樹脂層１６ａ，１６ｂに形成された貫通孔に導電性ペーストが充填され、導電性ペーストが焼結されることにより、形成されている。

　保護層１７ａは、樹脂層１６ａの上主面及び樹脂層１６ｂの上主面を覆っているレジスト層である。より正確には、保護層１７ａは、重複領域Ａ１と第１非重複領域Ａ２とを跨いでいると共に、重複領域Ａ１と第２非重複領域Ａ３とを跨いでいる。保護層１７ａは、第１非重複領域Ａ２及び第２非重複領域Ａ３において樹脂層１６ａの上主面の一部を覆っている。ただし、保護層１７ａは、第１信号導体層１８ａの第１端部ｔａ及び第２端部ｔｂを覆っていない。従って、第１信号導体層１８ａの第１端部ｔａ及び第２端部ｔｂの全体は、保護層１７ａから露出している。また、保護層１７ａは、重複領域Ａ１において樹脂層１６ｂの上主面を覆っている。これにより、保護層１７ａは、第１グランド導体層２０を覆っている。保護層１７ａは、第１グランド導体層２０を保護している。

　保護層１７ｂは、樹脂層１６ｂの下主面を覆っているレジスト層である。これにより、保護層１７ｂは、第２グランド導体層２２を覆っている。ただし、第２グランド導体層２２の一部は、保護層１７ｂから露出している。保護層１７ｂは、第２グランド導体層２２を保護している。以上のような保護層１７ａ，１７ｂは、絶縁性材料が印刷されることにより作製されている。なお、保護層１７ａ，１７ｂは、カバーレイフィルム層であってもよい。

　以上のような回路基板１０では、第１非重複領域Ａ２及び第２非重複領域Ａ３における基板本体１２の厚み（上下方向の大きさ）は、重複領域Ａ１における基板本体１２の厚み（上下方向の大きさ）より薄い（小さい）。

［電子機器１の構造］
　次に、回路基板１０を備える電子機器１の構造について説明する。図４は、回路基板１０を備える電子機器１を示した図である。また、図４では、回路基板１０の左端部及びコネクタ２００ａの断面図も併せて示した。

　電子機器１は、例えば、スマートフォン等の携帯型通信端末である。電子機器１は、図４に示すように、回路基板１０、コネクタ２００ａ，２００ｂ，２１０ａ，２１０ｂ及び回路基板２２０ａ，２２０ｂを備えている。回路基板１０の左端部は、コネクタ２００ａに挿入されている。回路基板１０の右端部は、コネクタ２００ｂに挿入されている。

　コネクタ２１０ａ，２１０ｂのそれぞれは、回路基板２２０ａ，２２０ｂの上主面に実装されている。コネクタ２１０ａ，２１０ｂのそれぞれは、コネクタ２００ａ，２００ｂに接続されている。これにより、回路基板２２０ａ，２２０ｂは、回路基板１０を介して電気的に接続されている。

　ここで、回路基板１０の左端部とコネクタ２００ａとの接続について説明する。コネクタ２００ａは、信号端子２０２ａ及びグランド端子２０２ｂを含んでいる。回路基板１０の左端部がコネクタ２００ａに挿入されると、信号端子２０２ａ（第１部材）は、基板本体１２の上に配置される。グランド端子２０２ｂ（第２部材）は、基板本体１２の下に配置される。より正確には、信号端子２０２ａは、第１信号導体層１８ａの第１端部ｔａの上に配置される。グランド端子２０２ｂは、第２グランド導体層２２の端部ｔｃの下に配置される。そして、第１信号導体層１８ａは、第１非重複領域Ａ２において、信号端子２０２ａと電気的に接続される。第１グランド導体層２０は、第１非重複領域Ａ２において、グランド端子２０２ｂと電気的に接続される。本実施形態では、第１信号導体層１８ａの第１端部ｔａは、第１非重複領域Ａ２において、信号端子２０２ａと電気的に接続可能である。同様に、第１グランド導体層２０の端部ｔｃは、第１非重複領域Ａ２において、グランド端子２０２ｂと電気的に接続可能である。

　なお、回路基板１０の右端部とコネクタ２００ｂとの接続は、回路基板１０の左端部とコネクタ２００ａとの接続と同じであるので説明を省略する。

　なお、コネクタ２００ａは、基板本体１２の上主面に実装されることにより第１信号導体層１８ａと電気的に接続されてもよい。この場合、コネクタ２００ａは、回路基板２２０ａに実装されているコネクタ２１０ａと接続される。このとき、コネクタ２１０ａは、コネクタ２００ａの上に位置する。また、第１信号導体層１８ａの第１端部ｔａは、コネクタ２００ａ，２１０ａを介することなく、半田により回路基板２２０ａに実装されてもよい。

［回路基板１０の製造方法］
　次に、回路基板１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図５及び図６は、回路基板１０の製造時の断面図である。なお、本実施形態では、一つの回路基板１０を製造する方法について説明する。ただし、実際には、大判のマザー樹脂層を積層及び熱圧着してマザー回路基板を作成し、マザー回路基板を複数の回路基板１０にカットする。

　まず、熱可塑性樹脂を材料とする樹脂層１６ａを準備する（第１準備工程）。具体的には、銅等の金属箔が上主面に張り付けられた樹脂層１６ａを準備する。そして、金属箔にマスクを利用したエッチングを施して、第１グランド導体層２０を樹脂層１６ａの上主面に形成する。

　次に、熱可塑性樹脂を含む樹脂層１６ｂであって、樹脂層１６ｂの上主面に信号導体層が設けられた樹脂層１６ｂを準備する（第２準備工程）。具体的には、銅等の金属箔が上主面及び下主面に張り付けられた樹脂層１６ｂを準備する。そして、２つの金属箔にマスクを利用したエッチングを施して、第１グランド導体層２０及び第２グランド導体層２２を樹脂層１６ａの上主面及び下主面に形成する。

　次に、図５に示すように、樹脂層１６ａ及び樹脂層１６ｂが上から下へとこの順に並び、かつ、樹脂層１６ａと樹脂層１６ｂとが接触し、かつ、重複領域Ａ１、第１非重複領域Ａ２及び第２非重複領域Ａ３が形成されるように、樹脂層１６ａ及び樹脂層１６ｂを配置する（配置工程）。具体的には、樹脂層１６ｂの左端部及び右端部と樹脂層１６ａとが重ならないように、樹脂層１６ａを樹脂層１６ｂの上に載置する。更に、第１非重複領域Ａ２において樹脂層１６ｂの下に台１００ａを配置する。第２非重複領域Ａ３において樹脂層１６ｂの下に台１００ｂを配置する。

　次に、図６に示すように、樹脂層１６ａと樹脂層１６ｂとを熱圧着することにより、第１非重複領域Ａ２における第１信号導体層１８ａが重複領域Ａ１における第１信号導体層１８ａより上に位置するように、第１信号導体層１８ａを上下方向に湾曲させる（熱圧着工程）。具体的には、樹脂層１６ａ，１６ｂ及び台１００ａ，１００ｂの上にツールＴ１を配置すると共に、樹脂層１６ａ，１６ｂ及び台１００ａ，１００ｂの下にツールＴ２を配置する。そして、樹脂層１６ａ，１６ｂを加熱しながら、ツールＴ１，Ｔ２により上下方向から加圧する。これにより、樹脂層１６ａ，１６ｂは、加熱により軟化し、互いに接合される。更に、台１００ａは、第１非重複領域Ａ２における樹脂層１６ｂを上に押し上げる。台１００ｂは、第２非重複領域Ａ３における樹脂層１６ｂを上に押し上げる。

　最後に、基板本体１２の上主面及び下主面のそれぞれに保護層１７ａ，１７ｂを印刷する。以上の工程を経て、回路基板１０が完成する。

［効果］
　回路基板１０によれば、高周波信号の反射を低減できる。より詳細には、特許文献１に記載の伝送線路では、複数の層間接続導体が直列接続されるために、複数の層間接続導体の間に接続用の導体パターンが設けられる。このような接続用の導体パターンは、層間接続導体の周囲の導体パターンと容量を形成しやすい。よって、複数の層間接続導体において特性インピーダンスの変動が発生する場合がある。このような特性インピーダンスの変動は、高周波信号の反射の原因となる。

　そこで、回路基板１０では、基板本体１２は、上下方向に見て、樹脂層１６ａ及び樹脂層１６ｂが存在している重複領域Ａ１、及び、上下方向に見て、樹脂層１６ａが存在しておらず、かつ、樹脂層１６ｂが存在している第１非重複領域Ａ２を有している。そして、第１信号導体層１８ａは、第１非重複領域Ａ２における第１信号導体層１８ａが重複領域Ａ１における第１信号導体層１８ａより上に位置するように、第１信号導体層１８ａが上下方向に湾曲する第１湾曲部Ｃａを有している。これにより、回路基板１０では、特性インピーダンスの変動の原因となる層間接続導体及び接続用の導体パターンが用いられることなく、第１信号導体層１８ａが第１非重複領域Ａ２において基板本体１２の上主面に近づくようになる。よって、第１湾曲部Ｃａにおいて特性インピーダンスの変動が発生しにくい。以上より、回路基板１０によれば、高周波信号の反射を低減できる。

　回路基板１０によれば、第１端部ｔａは、基板本体１２の上主面に位置し、かつ、第１信号電極として機能する。そのため、第１信号電極と第１信号導体層１８ａとの接続に層間接続導体及び接続用の導体パターンが用いられない。その結果、回路基板１０によれば、高周波信号の反射をより低減できる。

　回路基板１０によれば、回路基板１０の挿入損失を低減できる。前記の通り、回路基板１０では、層間接続導体及び接続用の導体パターンが用いられることなく、第１信号導体層１８ａが第１非重複領域Ａ２において基板本体１２の上主面に近づいている。第１信号導体層１８ａの単位長さ当たりの抵抗値は、一般的に、層間接続導体の単位長さ当たりの抵抗値より小さい。その結果、回路基板１０によれば、回路基板１０の挿入損失を低減できる。

　回路基板１０によれば、第１湾曲部Ｃａにおいて第１信号導体層１８ａの特性インピーダンスが変動することを抑制できる。より詳細には、第２グランド導体層２２は、第１非重複領域Ａ２における第２グランド導体層２２が重複領域Ａ１における第２グランド導体層２２より上に位置するように、第２グランド導体層２２が上下方向に湾曲している第３湾曲部Ｃｃを有している。これにより、第１湾曲部Ｃａにおいて、第１信号導体層１８ａと第２グランド導体層２２との距離が変動することが抑制される。その結果、回路基板１０によれば、第１湾曲部Ｃａにおいて第１信号導体層１８ａの特性インピーダンスが変動することを抑制できる。

　回路基板１０の製造方法によれば、第１湾曲部Ｃａを有する第１信号導体層１８ａを備えた回路基板１０を容易に製造することができる。より詳細には、回路基板１０の製造方法では、樹脂層１６ａ及び樹脂層１６ｂが上から下へとこの順に並び、かつ、樹脂層１６ａと樹脂層１６ｂとが接触し、かつ、重複領域Ａ１、第１非重複領域Ａ２が形成されるように、樹脂層１６ａ及び樹脂層１６ｂを配置する。そして、樹脂層１６ａと樹脂層１６ｂとを熱圧着することにより、第１非重複領域Ａ２における第１信号導体層１８ａが重複領域Ａ１における第１信号導体層１８ａより上に位置するように、第１信号導体層１８ａを上下方向に湾曲させる。これにより、第１信号導体層１８ａに第１湾曲部Ｃａが形成される。このように、回路基板１０の製造方法では、第１信号導体層１８ａに第１湾曲部Ｃａを形成するために、樹脂層１６ａ，１６ｂの配置に工夫を施すだけでよい。すなわち、回路基板１０の製造方法では、第１信号導体層１８ａに第１湾曲部Ｃａを形成するために、特別な工程を追加する必要がない。その結果、回路基板１０の製造方法によれば、第１湾曲部Ｃａを有する第１信号導体層１８ａを備えた回路基板１０を容易に製造することができる。

　回路基板１０では、保護層１７ａは、重複領域Ａ１と第１非重複領域Ａ２とを跨いでいると共に、重複領域Ａ１と第２非重複領域Ａ３とを跨いでいる。これにより、樹脂層１６ａと樹脂層１６ｂとの境界が保護層１７ａにより覆われる。その結果、樹脂層１６ａが樹脂層１６ｂから剥離することが抑制される。

（第１変形例）
［回路基板１０ａの構造］
　以下に、第１変形例に係る回路基板１０ａについて図面を参照しながら説明する。図７は、回路基板１０ａの断面図である。

　回路基板１０ａは、樹脂層１１６ａ，１１６ｂ、層間接続導体ｖ１１，ｖ１２及びグランド電極５０ａ，５０ｂを更に備えている点において、回路基板１０と相違する。以下では、この相違点を中心に回路基板１０ａについて説明する。

　基板本体１２は、樹脂層１１６ａ，１１６ｂを更に備えている。樹脂層１１６ａは、第１非重複領域Ａ２において、樹脂層１６ｂの下に配置されている。樹脂層１１６ｂは、第２非重複領域Ａ３において、樹脂層１６ｂの下に配置されている。

　グランド電極５０ａ，５０ｂのそれぞれは、樹脂層１１６ａ，１１６ｂの下主面に設けられている。層間接続導体ｖ１１，ｖ１２のそれぞれは、樹脂層１１６ａ，１１６ｂを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ１１は、第１グランド導体層２０の端部ｔｃとグランド電極５０ａとを電気的に接続している。層間接続導体ｖ１２は、第１グランド導体層２０の端部ｔｄとグランド電極５０ｂとを電気的に接続している。なお、回路基板１０ａのその他の構造は、回路基板１０と同じであるので説明を省略する。

［回路基板１０ａの製造方法］
　次に、回路基板１０ａの製造方法について図面を参照しながら説明する。図８及び図９は、回路基板１０ａの製造時の断面図である。

　回路基板１０ａの製造方法は、配置工程において回路基板１０と相違する。より詳細には、回路基板１０の製造方法では、配置工程において、第１非重複領域Ａ２において樹脂層１６ｂの下に台１００ａを配置する。更に、第２非重複領域Ａ３において樹脂層１６ｂの下に台１００ｂを配置する。一方、回路基板１０ａの製造方法では、図８に示すように、配置工程において、第１非重複領域Ａ２において樹脂層１６ｂの下に樹脂層１１６ａを配置する。更に、第２非重複領域Ａ３において樹脂層１６ｂの下に樹脂層１１６ｂを配置する。この後、図９に示す熱圧着工程において、樹脂層１１６ａ，１１６ｂは、加熱により軟化して、樹脂層１６ｂに接合される。なお、回路基板１０ａの製造方法のその他の工程は、回路基板１０の製造方法と同じであるので説明を省略する。

［効果］
　回路基板１０ａによれば、回路基板１０と同じ理由により、高周波信号の反射を低減できる。回路基板１０ａによれば、回路基板１０と同じ理由により、回路基板１０ａの挿入損失を低減できる。回路基板１０ａによれば、回路基板１０と同じ理由により、第１湾曲部Ｃａにおいて第１信号導体層１８ａの特性インピーダンスが変動することを抑制できる。回路基板１０ａの製造方法によれば、回路基板１０の製造方法と同じ理由により、第１湾曲部Ｃａを有する第１信号導体層１８ａを備えた回路基板１０ａを容易に製造することができる。

（第２変形例）
　以下に、第２変形例に係る回路基板１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図１０は、回路基板１０ｂの断面図である。

　回路基板１０ｂは、補強部材１２０ａ，１２０ｂ、第１グランド電極１２２ａ、第２グランド電極１２２ｂ及び層間接続導体ｖ１３，ｖ１４を更に備えている点において、回路基板１０と相違する。以下に、この相違点を中心に回路基板１０ｂについて説明する。

　補強部材１２０ａ（第１補強部材）は、第１非重複領域Ａ２において、樹脂層１６ｂの下に配置されている。補強部材１２０ａは、第１非重複領域Ａ２において樹脂層１６ｂの下主面に接着層２１２ａにより固定されている。第１非重複領域Ａ２における補強部材１２０ａ（第１補強部材）の下端は、重複領域Ａ１における基板本体１２の下主面より上に位置している。補強部材１２０ｂ（第２補強部材）は、第２非重複領域Ａ３において、樹脂層１６ｂの下に配置されている。補強部材１２０ｂは、第２非重複領域Ａ３において樹脂層１６ｂの下主面に接着層２１２ｂにより固定されている。第２非重複領域Ａ３における補強部材１２０ｂ（第２補強部材）の下端は、重複領域Ａ１における基板本体１２の下主面より上に位置している。補強部材１２０ａ，１２０ｂの材料は、例えば、ＳＵＳ（ステンレス鋼材）である。接着層２１２ａ，２１２ｂの厚みは、保護層１７ａ，１７ｂの厚みより大きい。接着層２１２ａ，２１２ｂの厚みは、補強部材１２０ａ，１２０ｂの厚みより小さい。

　第１グランド電極１２２ａは、第１非重複領域Ａ２において、基板本体１２の上主面に設けられている。すなわち、第１グランド電極１２２ａは、第１非重複領域Ａ２において、樹脂層１６ｂの上主面に設けられている。第２グランド電極１２２ｂは、第２非重複領域Ａ３において、基板本体１２の上主面に設けられている。すなわち、第２グランド電極１２２ｂは、第２非重複領域Ａ３において、樹脂層１６ｂの上主面に設けられている。

　層間接続導体ｖ１３，ｖ１４のそれぞれは、第１非重複領域Ａ２及び第２非重複領域Ａ３において樹脂層１６ｂを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ１３（第２層間接続導体）は、第１グランド電極１２２ａと第２グランド導体層２２（第２グランド導体層２２の端部ｔｃ）とを電気的に接続している。層間接続導体ｖ１４は、第２グランド電極１２２ｂと第２グランド導体層２２（第２グランド導体層２２の端部ｔｄ）とを電気的に接続している。回路基板１０ｂのその他の構造は、回路基板１０と同じであるので説明を省略する。

　回路基板１０ｂの製造方法は、配置工程において回路基板１０と相違する。より詳細には、回路基板１０の製造方法では、配置工程において、第１非重複領域Ａ２において樹脂層１６ｂの下に台１００ａを配置する。更に、第２非重複領域Ａ３において樹脂層１６ｂの下に台１００ｂを配置する。一方、回路基板１０ｂの製造方法では、配置工程において、第１非重複領域Ａ２において樹脂層１６ｂの下に補強部材１２０ａを配置する。更に、第２非重複領域Ａ３において樹脂層１６ｂの下に補強部材１２０ｂを配置する。この後、熱圧着工程において、補強部材１２０ａ，１２０ｂは、樹脂層１６ｂに接合される。なお、回路基板１０ｂの製造方法のその他の工程は、回路基板１０の製造方法と同じであるので説明を省略する。

　回路基板１０ｂによれば、回路基板１０と同じ理由により、高周波信号の反射を低減できる。回路基板１０ｂによれば、回路基板１０と同じ理由により、回路基板１０ｂの挿入損失を低減できる。回路基板１０ｂによれば、回路基板１０と同じ理由により、第１湾曲部Ｃａにおいて第１信号導体層１８ａの特性インピーダンスが変動することを抑制できる。回路基板１０ｂの製造方法によれば、回路基板１０の製造方法と同じ理由により、第１湾曲部Ｃａを有する第１信号導体層１８ａを備えた回路基板１０ｂを容易に製造することができる。

　回路基板１０ｂは、第１非重複領域Ａ２において、樹脂層１６ｂ（第２樹脂層）の下に配置されている補強部材１２０ａを備えている。これにより、回路基板１０ｂの第１非重複領域Ａ２の強度が向上する。その結果、回路基板１０ｂの破損が抑制される。また、回路基板１０ｂの第１非重複領域Ａ２にコネクタが実装される場合には、回路基板１０ｂの変形によってコネクタが回路基板１０ｂから外れることが抑制される。また、回路基板１０ｂの第１非重複領域Ａ２の意図しない変形が抑制される。

　なお、回路基板１０ｂにおいて、補強部材１２０ａ，１２０ｂの下面は、保護層１７ｂの下主面より下に位置していてもよい。この場合、圧着工程が容易になる。一方、回路基板１０ｂにおいて、補強部材１２０ａ，１２０ｂの下面は、保護層１７ｂの下主面と上下方向において同じ位置に位置してもよい。これにより、回路基板１０ｂの下面の平坦性が高くなる。その結果、回路基板１０ｂの小型化が図られる。

（第３変形例）
　以下に、第３変形例に係る回路基板１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図１１は、回路基板１０ｃの断面図である。

　回路基板１０ｃは、樹脂層２１４（第２樹脂層）を更に備える点において回路基板１０ａと相違する。より詳細には、樹脂層２１４は、樹脂層１６ａの下、かつ、樹脂層１６ｂの上に設けられている。従って、樹脂層１６ａ（第１樹脂層）、樹脂層２１４（第２樹脂層）及び樹脂層１６ｂ（第４樹脂層）は、上下方向において上から下へとこの順に積層されている。すなわち、基板本体１２は、樹脂層１６ａ（第１樹脂層）と、樹脂層１６ａ（第１樹脂層）の下に積層されている樹脂層２１４（第２樹脂層）と、を含んでいる。樹脂層２１４は、樹脂層１６ａと樹脂層１６ｂとを接着する接着層として機能する。樹脂層２１４の誘電率は、樹脂層１６ａ，１６ｂの誘電率より低い、及び／又は、樹脂層２１４の誘電正接は、樹脂層１６ａ，１６ｂの誘電正接より低い。樹脂層２１４は、樹脂層１６ａ，１６ｂと熱圧着により接合される。例えば、樹脂層１６ａ，１６ｂの材料の主成分は、液晶ポリマーである。樹脂層２１４の材料の主成分は、フッ素樹脂（ＰＴＦＥ，ＰＦＡなど）である。主成分とは、材料に含まれる成分の内の最も割合が多い成分である。このような場合、樹脂層１６ａ，１６ｂの材料のヤング率が樹脂層２１４の材料のヤング率より大きくなる。これにより、回路基板１０ｃの変形が抑制される。なお、回路基板１０ｃのその他の構造は、回路基板１０ａと同じであるので説明を省略する。

　回路基板１０ｃによれば、回路基板１０と同じ理由により、高周波信号の反射を低減できる。回路基板１０ｃによれば、回路基板１０と同じ理由により、回路基板１０ｃの挿入損失を低減できる。回路基板１０ｃによれば、回路基板１０と同じ理由により、第１湾曲部Ｃａにおいて第１信号導体層１８ａの特性インピーダンスが変動することを抑制できる。回路基板１０ｃの製造方法によれば、回路基板１０の製造方法と同じ理由により、第１湾曲部Ｃａを有する第１信号導体層１８ａを備えた回路基板１０ｃを容易に製造することができる。

　回路基板１０ｃによれば、回路基板１０ｃの挿入損失を低減できる。より詳細には、第１信号導体層１８ａが樹脂層２１４に接している部分の長さは、第１信号導体層１８ａが樹脂層１６ａに接している部分の長さより長い。そのため、樹脂層２１４において発生する誘電損失を小さくすれば、回路基板１０ｃの挿入損失を効果的に低減できる。そこで、樹脂層２１４の誘電率は、樹脂層１６ａ，１６ｂの誘電率より低い。これにより、回路基板１０ｃによれば、回路基板１０ｃの挿入損失を低減できる。

（第４変形例）
　以下に、第４変形例に係る回路基板１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図１２は、回路基板１０ｄの断面図である。

　回路基板１０ｄは、樹脂層１６ａの材料のヤング率において回路基板１０ａと相違する。より詳細には、樹脂層１６ａの材料のヤング率は、樹脂層１６ｂの材料のヤング率より大きい。ただし、樹脂層１６ａと樹脂層１６ｂとは、熱圧着により接合される。樹脂層１６ａの材料の主成分と樹脂層１６ｂの材料の主成分とは同じである。ただし、回路基板１０ｄにおいて、樹脂層１６ａの材料の主成分と樹脂層１６ｂの材料の主成分とが異なっていてもよい。この場合、例えば、樹脂層１６ａの材料の主成分は、フッ素樹脂であり、樹脂層１６ｂの材料の主成分は、液晶ポリマーである。主成分とは、材料に含まれる成分の内の最も割合が多い成分である。なお、回路基板１０ｄのその他の構造は、回路基板１０ａと同じであるので説明を省略する。

　回路基板１０ｄによれば、回路基板１０と同じ理由により、高周波信号の反射を低減できる。回路基板１０ｄによれば、回路基板１０と同じ理由により、回路基板１０ｄの挿入損失を低減できる。回路基板１０ｄによれば、回路基板１０と同じ理由により、第１湾曲部Ｃａにおいて第１信号導体層１８ａの特性インピーダンスが変動することを抑制できる。回路基板１０ｄの製造方法によれば、回路基板１０の製造方法と同じ理由により、第１湾曲部Ｃａを有する第１信号導体層１８ａを備えた回路基板１０ｄを容易に製造することができる。

　回路基板１０ｄによれば、熱圧着工程において、樹脂層１６ｂが変形しやすくなる。より詳細には、樹脂層１６ａの材料のヤング率は、樹脂層１６ｂの材料のヤング率より大きい。これにより、熱圧着工程において、樹脂層１６ｂは、重複領域Ａ１において、硬い樹脂層１６ａにより下方向に押し出される。その結果、回路基板１０ｄによれば、熱圧着工程において、樹脂層１６ｂが変形しやすい。本明細書において、硬いとは、ヤング率が大きいことを意味する。

（第５変形例）
　以下に、第５変形例に係る回路基板１０ｅについて図面を参照しながら説明する。図１３は、回路基板１０ｅの断面図である。図１３には、第１信号導体層１８ａの第１端部ｔａの上面図も示した。

　回路基板１０ｅは、第１信号導体層１８ａの第１端部ｔａの構造において回路基板１０ａと相違する。より詳細には、第１湾曲部Ｃａの線幅、第２湾曲部Ｃｂの線幅、第１端部ｔａの線幅及び第２端部ｔｂの線幅は、重複領域Ａ１における第１信号導体層１８ａの線幅より大きい。なお、回路基板１０ｅのその他の構造は、回路基板１０ａと同じであるので説明を省略する。

　回路基板１０ｅによれば、回路基板１０と同じ理由により、高周波信号の反射を低減できる。回路基板１０ｅによれば、回路基板１０と同じ理由により、回路基板１０ｅの挿入損失を低減できる。回路基板１０ｅによれば、回路基板１０と同じ理由により、第１湾曲部Ｃａにおいて第１信号導体層１８ａの特性インピーダンスが変動することを抑制できる。回路基板１０ｅの製造方法によれば、回路基板１０の製造方法と同じ理由により、第１湾曲部Ｃａを有する第１信号導体層１８ａを備えた回路基板１０ｅを容易に製造することができる。

　回路基板１０ｅによれば、第１湾曲部Ｃａ及び第１端部ｔａにおいて特性インピーダンスが変動することが抑制される。より詳細には、第１湾曲部Ｃａ及び第１端部ｔａでは、第１信号導体層１８ａと第１グランド導体層２０とが対向していない。そのため、第１湾曲部Ｃａ及び第１端部ｔａにおいて第１信号導体層１８ａに発生する容量値は、重複領域Ａ１において第１信号導体層１８ａに発生する容量値よりも小さくなりやすい。そこで、第１湾曲部Ｃａの線幅、第２湾曲部Ｃｂの線幅、第１端部ｔａの線幅及び第２端部ｔｂの線幅は、重複領域Ａ１における第１信号導体層１８ａの線幅より大きい。これにより、第１湾曲部Ｃａ及び第１端部ｔａにおいて第１信号導体層１８ａに発生する容量値は、重複領域Ａ１において第１信号導体層１８ａに発生する容量値に近づくようになる。その結果、回路基板１０ｅによれば、第１湾曲部Ｃａ及び第１端部ｔａにおいて特性インピーダンスが変動することが抑制される。

　なお、第１信号導体層１８ａでは、第１信号導体層１８ａの線幅は不連続的に変化している。しかしながら、第１信号導体層１８ａの線幅は、連続的に変化してもよい。すなわち、第１信号導体層１８ａは、第１端部ｔａの右端部においてテーパ形状を有していてもよい。

（第６変形例）
　以下に、第６変形例に係る回路基板１０ｆについて図面を参照しながら説明する。図１４は、回路基板１０ｆの断面図である。図１４には、第１信号導体層１８ａの第１端部ｔａの上面図も示した。

　回路基板１０ｆは、第１信号導体層１８ａの第１湾曲部Ｃａの構造において回路基板１０ａと相違する。より詳細には、第１湾曲部Ｃａには、線幅方向に延びる複数の切り欠き１３０が設けられている。なお、回路基板１０ｆのその他の構造は、回路基板１０ａと同じであるので説明を省略する。

　回路基板１０ｆよれば、回路基板１０と同じ理由により、高周波信号の反射を低減できる。回路基板１０ｆによれば、回路基板１０と同じ理由により、回路基板１０ｆの挿入損失を低減できる。回路基板１０ｆによれば、回路基板１０と同じ理由により、第１湾曲部Ｃａにおいて第１信号導体層１８ａの特性インピーダンスが変動することを抑制できる。回路基板１０ｆの製造方法によれば、回路基板１０の製造方法と同じ理由により、第１湾曲部Ｃａを有する第１信号導体層１８ａを備えた回路基板１０ｆを容易に製造することができる。

　回路基板１０ｆでは、第１湾曲部Ｃａには、線幅方向に延びる複数の切り欠き１３０が設けられている。これにより、第１信号導体層１８ａは、第１湾曲部Ｃａにおいて軟らかくなるので、第１湾曲部Ｃａにおいて上下方向に曲がりやすくなる。

（第７変形例）
　以下に、第７変形例に係る回路基板１０ｇについて図面を参照しながら説明する。図１５は、回路基板１０ｇの断面図である。図１５には、第１信号導体層１８ａの第１端部ｔａの上面図も示した。

　回路基板１０ｇは、第１信号導体層１８ａの第１湾曲部Ｃａの構造において回路基板１０ａと相違する。より詳細には、第１湾曲部Ｃａは、上下方向に見て、ミアンダ形状を有している。なお、回路基板１０ｆのその他の構造は、回路基板１０ａと同じであるので説明を省略する。

　回路基板１０ｇよれば、回路基板１０と同じ理由により、高周波信号の反射を低減できる。回路基板１０ｇによれば、回路基板１０と同じ理由により、回路基板１０ｇの挿入損失を低減できる。回路基板１０ｇによれば、回路基板１０と同じ理由により、第１湾曲部Ｃａにおいて第１信号導体層１８ａの特性インピーダンスが変動することを抑制できる。回路基板１０ｇの製造方法によれば、回路基板１０の製造方法と同じ理由により、第１湾曲部Ｃａを有する第１信号導体層１８ａを備えた回路基板１０ｇを容易に製造することができる。

　回路基板１０ｇでは、第１湾曲部Ｃａは、上下方向に見て、ミアンダ形状を有している。これにより、第１信号導体層１８ａは、第１湾曲部Ｃａにおいて軟らかくなるので、第１湾曲部Ｃａにおいて上下方向に曲がりやすくなる。

（第８変形例）
　以下に、第８変形例に係る回路基板１０ｈについて図面を参照しながら説明する。図１６は、回路基板１０ｈの断面図である。

　回路基板１０ｈは、樹脂層１６ｃ、信号電極１２４ａ，１２４ｂ及び層間接続導体ｖ２１，ｖ２２を更に備えている点において、回路基板１０ａと相違する。以下に、この相違点を中心に回路基板１０ｈについて説明する。

　基板本体１２は、樹脂層１６ｃを更に含んでいる。基板本体１２は、保護層１７ａ、樹脂層１６ａ、樹脂層１６ｂ、樹脂層１６ｃ及び保護層１７ｂが上から下へとこの順に積層された構造を有している。すなわち、基板本体１２は、樹脂層１６ｂ（第２樹脂層）の下に積層されている樹脂層１６ｃ（第３樹脂層）を更に含んでいる。樹脂層１６ｃは、樹脂層１６ｂと同じ構造を有している。従って、第１非重複領域Ａ２における樹脂層１６ｃは、重複領域Ａ１における樹脂層１６ｂより下に位置している。樹脂層１６ｃは、重複領域Ａ１と第１非重複領域Ａ２との境界近傍において上下方向に湾曲している。同様に、第２非重複領域Ａ３における樹脂層１６ｃは、重複領域Ａ１における樹脂層１６ｂより下に位置している。樹脂層１６ｃは、重複領域Ａ１と第２非重複領域Ａ３との境界近傍において上下方向に湾曲している。

　信号電極１２４ａ（第１信号電極）及び信号電極１２４ｂのそれぞれは、第１非重複領域Ａ２及び第２非重複領域Ａ３において基板本体１２の上主面に設けられている。本実施形態では、信号電極１２４ａ，１２４ｂのそれぞれは、第１非重複領域Ａ２及び第２非重複領域Ａ３において樹脂層１６ｃの上主面に設けられている。層間接続導体ｖ２１，ｖ２２のそれぞれは、樹脂層１６ｃを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ２１（第１層間接続導体）は、信号電極１２４ａと第１信号導体層１８ａ（第１信号導体層１８ａの第１端部ｔａ）とを電気的に接続している。層間接続導体ｖ２２は、信号電極１２４ｂと第１信号導体層１８ａ（第１信号導体層１８ａの第２端部ｔｂ）とを電気的に接続している。なお、回路基板１０ｈのその他の構造は、回路基板１０ａと同じであるので説明を省略する。

　回路基板１０ｈのように、第１信号導体層１８ａの第１端部ｔａと信号電極１２４ａとが層間接続導体ｖ２１により電気的に接続されていてもよい。この場合であっても、第１信号導体層１８ａが第１湾曲部Ｃａを有しているので、層間接続導体の数及び接続用の導体パターンの数を減らすことができる。従って、回路基板１０ｈにおいて特性インピーダンスの変動が抑制される。その結果、回路基板１０ｈにおいても、高周波信号の反射を低減できる。

　回路基板１０ｈによれば、回路基板１０と同じ理由により、回路基板１０ｈの挿入損失を低減できる。回路基板１０ｈによれば、回路基板１０と同じ理由により、第１湾曲部Ｃａにおいて第１信号導体層１８ａの特性インピーダンスが変動することを抑制できる。回路基板１０ｈの製造方法によれば、回路基板１０の製造方法と同じ理由により、第１湾曲部Ｃａを有する第１信号導体層１８ａを備えた回路基板１０ｈを容易に製造することができる。

（第９変形例）
　以下に、第９変形例に係る回路基板１０ｉについて図面を参照しながら説明する。図１７は、回路基板１０ｉの断面図である。

　回路基板１０ｉは、樹脂層１６ｄ，１６ｅ、第２信号導体層１８ｂ、層間接続導体ｖ５１，ｖ５２，ｖ６１，ｖ６２及び信号電極１３０ａ，１３０ｂを更に備えている点において回路基板１０ｂと相違する。以下に、この相違点を中心に回路基板１０ｉについて説明する。

　基板本体１２は、樹脂層１６ｄ，１６ｅを更に含んでいる。基板本体１２は、保護層１７ａ、樹脂層１６ａ、樹脂層１６ｂ、樹脂層１６ｄ及び樹脂層１６ｅが上から下へとこの順に積層された構造を有している。

　第２信号導体層１８ｂは、基板本体１２において第１信号導体層１８ａの下に設けられている。本実施形態では、第２信号導体層１８ｂは、樹脂層１６ｅの上主面に設けられている。従って、第２信号導体層１８ｂは、第２グランド導体層２２の下に設けられている。第２信号導体層１８ｂは、上下方向に見て、第２グランド導体層２２と重なっている。これにより、第２信号導体層１８ｂ及び第２グランド導体層２２は、マイクロストリップライン構造を形成している。

　第２信号導体層１８ｂは、第１非重複領域Ａ２における第２信号導体層１８ｂが重複領域Ａ１における第２信号導体層１８ｂより上に位置するように、第２信号導体層１８ｂが上下方向に湾曲する湾曲部Ｃｅ（第５湾曲部）を有している。また、第２信号導体層１８ｂは、第２非重複領域Ａ３における第２信号導体層１８ｂが重複領域Ａ１における第２信号導体層１８ｂより上に位置するように、第２信号導体層１８ｂが上下方向に湾曲する湾曲部Ｃｆを有している。

　また、第２信号導体層１８ｂは、第１非重複領域Ａ２において、基板本体１２の上に配置される部材（第４部材）と電気的に接続される。この部材は、例えば、図６のコネクタ２００ａの信号端子である。そのため、回路基板１０ｉは、以下に説明する構造を有する。

　信号電極１３０ａ，１３０ｂのそれぞれは、第１非重複領域Ａ２及び第２非重複領域Ａ３において基板本体１２の上主面に設けられている。本実施形態では、信号電極１３０ａ，１３０ｂは、第１非重複領域Ａ２及び第２非重複領域Ａ３において樹脂層１６ｂの上主面に設けられている。層間接続導体ｖ５１，ｖ５２のそれぞれは、樹脂層１６ｂ，１６ｄを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ５１，ｖ５２は、互いに直列に電気的に接続されることにより、信号電極１３０ａと第２信号導体層１８ｂ（第２信号導体層１８ｂの端部ｔｅ）とを電気的に接続している。層間接続導体ｖ６１，ｖ６２のそれぞれは、樹脂層１６ｂ，１６ｄを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ６１，ｖ６２は、互いに直列に電気的に接続されることにより、信号電極１３０ｂと第２信号導体層１８ｂ（第２信号導体層１８ｂの端部ｔｆ）とを電気的に接続している。

　以上のような回路基板１０ｉでは、第２信号導体層１８ｂを伝送される高周波信号の周波数は、第１信号導体層１８ａを伝送される高周波信号の周波数より低い。例えば、第１信号導体層１８ａには、相対的に高い高周波信号が伝送される。一方、第２信号導体層１８ｂには、相対的に低い高周波信号やデジタル信号等が伝送される。

　回路基板１０ｉでは、第２信号導体層１８ｂは、基板本体１２において第１信号導体層１８ａの下に設けられている。そのため、第２信号導体層１８ｂから基板本体１２の上主面までの距離は、第１信号導体層１８ａから基板本体１２の上主面までの距離より長い。そこで、層間接続導体ｖ５１，ｖ５２が、信号電極１３０ａと第２信号導体層１８ｂ（第２信号導体層１８ｂの端部ｔｅ）とを電気的に接続している。従って、層間接続導体ｖ５１，ｖ５２において特性インピーダンスの変動が発生する可能性がある。

　そこで、第２信号導体層１８ｂを伝送される高周波信号の周波数は、第１信号導体層１８ａを伝送される高周波信号の周波数より低い。低い周波数の高周波信号は、特性インピーダンスの変動の影響を受けにくい。従って、回路基板１０ｉによれば、第１信号導体層１８ａ及び第２信号導体層１８ｂにおいて高周波信号の反射を低減できる。

　回路基板１０ｉよれば、回路基板１０と同じ理由により、高周波信号の反射を低減できる。回路基板１０ｉによれば、回路基板１０と同じ理由により、回路基板１０ｉの挿入損失を低減できる。回路基板１０ｉによれば、回路基板１０と同じ理由により、第１湾曲部Ｃａにおいて第１信号導体層１８ａの特性インピーダンスが変動することを抑制できる。回路基板１０ｉの製造方法によれば、回路基板１０の製造方法と同じ理由により、第１湾曲部Ｃａを有する第１信号導体層１８ａを備えた回路基板１０ｉを容易に製造することができる。

（第１０変形例）
　以下に、第１０変形例に係る回路基板１０ｊについて図面を参照しながら説明する。図１８は、回路基板１０ｊの断面図である。図１９は、回路基板１０ｊの製造時の断面図である。

　回路基板１０ｊは、第１信号導体層１８ａの第２端部ｔｂが電気的に接続される信号電極８０ｃが基板本体１２の下主面に設けられている点において、回路基板１０ａと相違する。以下に、この相違点を中心に回路基板１０ｊについて説明する。

　基板本体１２は、図１８に示すように、保護層１７ａ、樹脂層１６ａ～１６ｃ，１１６ａ，１１６ｂ及び保護層１７ｂを含んでいる。基板本体１２は、樹脂層１１６ｂ、保護層１７ａ、樹脂層１６ａ～１６ｃ，１１６ａ及び保護層１７ｂが上から下へとこの順に積層された構造を有している。従って、基板本体１２は、樹脂層１６ｂ（第２樹脂層）の下に積層されている樹脂層１６ｃ（第３樹脂層）を更に含んでいる。これにより、樹脂層１６ａと樹脂層１６ｂとは、互いに接している。樹脂層１６ｂ（第２樹脂層）と樹脂層１６ｃ（第３樹脂層）とは、互いに接している。

　樹脂層１６ｂの左右方向の長さは、樹脂層１６ａの左右方向の長さより長い。また、樹脂層１６ｂの左右方向の長さは、樹脂層１６ｃの左右方向の長さより長い。これにより、基板本体１２は、図２に示すように、重複領域Ａ１、第１非重複領域Ａ２及び第３非重複領域Ａ４を有している。重複領域Ａ１は、上下方向に見て、樹脂層１６ａ及び樹脂層１６ｂが存在している領域である。従って、重複領域Ａ１では、上下方向に見て、樹脂層１６ａ及び樹脂層１６ｂが重なっている。また、重複領域Ａ１は、上下方向に見て、樹脂層１６ｂ及び樹脂層１６ｃが存在している領域である。従って、重複領域Ａ１では、上下方向に見て、樹脂層１６ｂ及び樹脂層１６ｃが重なっている。第１非重複領域Ａ２は、上下方向に見て、樹脂層１６ａが存在しておらず、かつ、樹脂層１６ｂが存在している領域である。従って、第１非重複領域Ａ２では、樹脂層１６ａが樹脂層１６ｂに重なっていない。第３非重複領域Ａ４は、上下方向に見て、樹脂層１６ｃが存在しておらず、かつ、樹脂層１６ｂが存在している領域である。従って、第３非重複領域Ａ４では、樹脂層１６ｃが樹脂層１６ｂに重なっていない。第１非重複領域Ａ２は、重複領域Ａ１の左に位置している。第３非重複領域Ａ４は、重複領域Ａ１の右に位置している。

　樹脂層１１６ａは、第１非重複領域Ａ２において、樹脂層１６ｃの下に配置されている。樹脂層１１６ｂは、第３非重複領域Ａ４において、樹脂層１６ｂの上に配置されている。

　第１非重複領域Ａ２における樹脂層１６ｂは、重複領域Ａ１における樹脂層１６ｂより上に位置している。そのため、樹脂層１６ｂは、重複領域Ａ１と第１非重複領域Ａ２との境界近傍において上下方向に湾曲している。同様に、第３非重複領域Ａ４における樹脂層１６ｂは、重複領域Ａ１における樹脂層１６ｂより下に位置している。そのため、樹脂層１６ｂは、重複領域Ａ１と第３非重複領域Ａ４との境界近傍において上下方向に湾曲している。これにより、第１非重複領域Ａ２における樹脂層１６ｂの上主面の上下方向における位置は、重複領域Ａ１における樹脂層１６ａの上主面の上下方向における位置と略一致している。第３非重複領域Ａ４における樹脂層１６ｂの下主面の上下方向における位置は、重複領域Ａ１における樹脂層１６ｃの下主面の上下方向における位置と略一致している。なお、樹脂層１６ｃは、樹脂層１６ａ，１６ｂと同じように、熱可塑性樹脂を含んでいる。

　第１信号導体層１８ａは、基板本体１２に設けられている。第１信号導体層１８ａは、樹脂層１６ｂの上主面に設けられている。第１信号導体層１８ａは、第１端部ｔａ及び第２端部ｔｂを有する線形状を有している。第１端部ｔａは、第１非重複領域Ａ２に位置している。第２端部ｔｂは、第３非重複領域Ａ４に位置している。

　第１信号導体層１８ａは、第１非重複領域Ａ２における第１信号導体層１８ａが重複領域Ａ１における第１信号導体層１８ａより上に位置するように、第１信号導体層１８ａが上下方向に湾曲する第１湾曲部Ｃａを有している。また、第１信号導体層１８ａは、第３非重複領域Ａ４における第１信号導体層１８ａが重複領域Ａ１における第１信号導体層１８ａより下に位置するように、第１信号導体層１８ａが上下方向に湾曲する第４湾曲部Ｃｇを有している。

　回路基板１０ｊは、グランド電極８０ａ，８０ｂ、信号電極８０ｃ及び層間接続導体ｖ６１～ｖ６３を更に備えている。グランド電極８０ａは、樹脂層１１６ａの下主面に設けられている。グランド電極８０ｂは、樹脂層１１６ｂの上主面に設けられている。信号電極８０ｃは、第３非重複領域Ａ４において樹脂層１６ｂの下主面に設けられている。

　層間接続導体ｖ６１は、樹脂層１１６ａを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ６１は、第２グランド導体層２２とグランド電極８０ａとを接続している。層間接続導体ｖ６２は、樹脂層１１６ｂを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ６２は、第１グランド導体層２０とグランド電極８０ｂとを接続している。層間接続導体ｖ６３は、樹脂層１６ｂを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ６３は、第１信号導体層１８ａと信号電極８０ｃとを接続している。

　グランド電極８０ａは、基板本体１２の下に配置される部材（例えば、端子）と電気的に接続される。グランド電極８０ｂは、基板本体１２の上に配置される部材（例えば、端子）と電気的に接続される。信号電極８０ｃは、基板本体１２の下に配置される部材（例えば、端子）と電気的に接続される。これにより、第１信号導体層１８ａの第２端部ｔｂは、基板本体１２の下に配置される部材（第３部材　例えば、端子）と電気的に接続される。なお、回路基板１０ｊのその他の構造は、回路基板１０ａと同じであるので説明を省略する。

　以上のような回路基板１０ｊの配置工程は、以下の様に行われる。より詳細には、図１９に示すように、樹脂層１６ａ、樹脂層１６ｂ及び樹脂層１６ｃが上から下へとこの順に並び、かつ、樹脂層１６ａと樹脂層１６ｂとが接触し、かつ、樹脂層１６ｂと樹脂層１６ｃとが接触し、かつ、重複領域Ａ１、第１非重複領域Ａ２及び第３非重複領域Ａ４が形成されるように、樹脂層１６ａ、樹脂層１６ｂ及び樹脂層１６ｃを配置する。具体的には、樹脂層１６ｂの左端部と樹脂層１６ａとが重ならないように、樹脂層１６ａを樹脂層１６ｂの上に載置する。樹脂層１６ｂの右端部と樹脂層１６ｃとが重ならないように、樹脂層１６ｃを樹脂層１６ｂの下に載置する。更に、第１非重複領域Ａ２において樹脂層１６ｃの下に樹脂層１１６ａを配置する。第３非重複領域Ａ４において樹脂層１６ａの上に樹脂層１１６ｂを配置する。この後、樹脂層１６ａ～１６ｃ，１１６ａ，１１６ｂに対して熱圧着工程を行う。その後、層間接続導体ｖ６３及び信号電極８０ｃを樹脂層１６ｂに形成する。

　回路基板１０ｊよれば、回路基板１０と同じ理由により、高周波信号の反射を低減できる。回路基板１０ｊによれば、回路基板１０と同じ理由により、回路基板１０ｊの挿入損失を低減できる。回路基板１０ｊによれば、回路基板１０と同じ理由により、第１湾曲部Ｃａにおいて第１信号導体層１８ａの特性インピーダンスが変動することを抑制できる。回路基板１０ｊの製造方法によれば、回路基板１０の製造方法と同じ理由により、第１湾曲部Ｃａを有する第１信号導体層１８ａを備えた回路基板１０ｊを容易に製造することができる。

（第１１変形例）
　以下に、第１１変形例に係る回路基板１０ｋについて図面を参照しながら説明する。図２０は、回路基板１０ｋの断面図である。図２１は、回路基板１０ｋの製造時の断面図である。

　回路基板１０ｋは、樹脂層１１６ａ，１１６ｂが設けられている位置において、回路基板１０ｊと相違する。以下に、この相違点を中心に回路基板１０ｋについて説明する。

　樹脂層１１６ａは、図２０に示すように、第１非重複領域Ａ２において、樹脂層１６ｂの下、かつ、樹脂層１６ｃの上に配置されている。樹脂層１１６ｂは、第３非重複領域Ａ４において、樹脂層１６ａの下、かつ、樹脂層１６ｂの上に配置されている。なお、回路基板１０ｋのその他の構造は、回路基板１０ｊと同じであるので説明を省略する。

　以上のような回路基板１０ｋの配置工程は、以下の様に行われる。より詳細には、図２１に示すように、樹脂層１６ａ、樹脂層１６ｂ及び樹脂層１６ｃが上から下へとこの順に並び、かつ、樹脂層１６ａと樹脂層１６ｂとが接触し、かつ、樹脂層１６ｂと樹脂層１６ｃとが接触し、かつ、重複領域Ａ１、第１非重複領域Ａ２及び第３非重複領域Ａ４が形成されるように、樹脂層１６ａ、樹脂層１６ｂ及び樹脂層１６ｃを配置する。この際、第１非重複領域Ａ２において、樹脂層１６ｂの下、かつ、樹脂層１６ｃの上に樹脂層１１６ａを配置する。第３非重複領域Ａ４において、樹脂層１６ａの下、かつ、樹脂層１６ｂの上に樹脂層１１６ｂを配置する。この後、樹脂層１６ａ～１６ｃ，１１６ａ，１１６ｂに対して熱圧着工程を行う。その後、層間接続導体ｖ６３及び信号電極８０ｃを樹脂層１６ｂに形成する。

　回路基板１０ｋよれば、回路基板１０と同じ理由により、高周波信号の反射を低減できる。回路基板１０ｋによれば、回路基板１０と同じ理由により、回路基板１０ｋの挿入損失を低減できる。回路基板１０ｋによれば、回路基板１０と同じ理由により、第１湾曲部Ｃａにおいて第１信号導体層１８ａの特性インピーダンスが変動することを抑制できる。回路基板１０ｋの製造方法によれば、回路基板１０の製造方法と同じ理由により、第１湾曲部Ｃａを有する第１信号導体層１８ａを備えた回路基板１０ｋを容易に製造することができる。

（その他の実施形態）
　本発明に係る回路基板及びその製造方法は、回路基板１０，１０ａ～１０ｋ及びその製造方法に限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。従って、回路基板１０，１０ａ～１０ｋ及びその製造方法の構成や工程を任意に組み合わせてもよい。

　図２２は、第１信号導体層１８ａの上面図である。図２２に示すように、回路基板１０，１０ａ～１０ｋにおいて、第１信号導体層１８ａの第１端部ｔａの一部及び第２端部ｔｂの一部は、保護層１７ａと重なっていてもよい。

　なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｋにおいて、第１信号導体層１８ａ及び第２信号導体層１８ｂは、直線形状を有している。しかしながら、第１信号導体層１８ａ及び第２信号導体層１８ｂは、上下方向に見て、曲がった線形状を有していてもよい。

　なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｋにおいて、第１グランド導体層２０及び第２グランド導体層２２は、必須の構成要件ではない。従って、回路基板１０，１０ａ～１０ｋにおいて、第１グランド導体層２０又は第２グランド導体層２２の一方が設けられていてもよいし、第１グランド導体層２０及び第２グランド導体層２２の両方が設けられていなくてもよい。

　なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｉにおいて、第１非重複領域Ａ２又は第２非重複領域Ａ３のいずれか一方のみが設けられていてもよい。

　なお、回路基板１０ｂにおいて、第１非重複領域Ａ２における補強部材１２０ａ（第１補強部材）の下端は、重複領域Ａ１における基板本体１２の下主面より下に位置してもよい。従って、補強部材１２０ａは、重複領域Ａ１における基板本体１２の下主面より下方向に突出してもよい。ただし、第１非重複領域Ａ２における補強部材１２０ａ（第１補強部材）の下端が、重複領域Ａ１における基板本体１２の下主面より上に位置していれば、回路基板１０ｂの上下方向の大きさが小型化される。

　また、回路基板１０ｂにおいて、第２非重複領域Ａ３における補強部材１２０ｂ（第１補強部材）の下端は、重複領域Ａ１における基板本体１２の下主面より下に位置してもよい。従って、補強部材１２０ｂは、重複領域Ａ１における基板本体１２の下主面より下方向に突出してもよい。ただし、第２非重複領域Ａ３における補強部材１２０ｂ（第２補強部材）の下端が、重複領域Ａ１における基板本体１２の下主面より上に位置していれば、回路基板１０ｂの上下方向の大きさが小型化される。

　また、回路基板１０ｃにおいて、樹脂層１６ａの材料の主成分と樹脂層１６ｂの材料の主成分とが異なっていてもよい。

１：電子機器
１０，１０ａ～１０ｋ：回路基板
１２：基板本体
１６ａ～１６ｄ，１１６ａ，１１６ｂ：樹脂層
１７ａ，１７ｂ：保護層
１８ａ：第１信号導体層
１８ｂ：第２信号導体層
２０：第１グランド導体層
２２：第２グランド導体層
５０ａ，５０ｂ，８０ａ，８０ｂ：グランド電極
８０ｃ，１２４ａ，１２４ｂ，１３０ａ，１３０ｂ：信号電極
１００ａ，１００ｂ：台
１２０ａ，１２０ｂ：補強部材
１２２ａ：第１グランド電極
１２２ｂ：第２グランド電極
１３０：切り欠き
２００ａ，２００ｂ，２１０ａ，２１０ｂ：コネクタ
２０２ａ：信号端子
２０２ｂ：グランド端子
２２０ａ，２２０ｂ：回路基板
Ａ１：重複領域
Ａ２：第１非重複領域
Ａ３：第２非重複領域
Ａ４：第３非重複領域
Ｃａ：第１湾曲部
Ｃｂ：第２湾曲部
Ｃｃ：第３湾曲部
Ｃｄ～Ｃｆ：湾曲部
Ｃｇ：第４湾曲部
Ｔ１，Ｔ２：ツール
ｔａ：第１端部
ｔｂ：第２端部
ｔｃ～ｔｆ：端部
ｖ１，ｖ２，ｖ１１～ｖ１４，ｖ２１，ｖ２２，ｖ５１，ｖ５２，ｖ６１～ｖ６３：層間接続導体

Claims

　第１樹脂層と、前記第１樹脂層の下に積層されている第２樹脂層と、を含んでいる基板本体と、
　前記第２樹脂層の上主面に設けられている第１信号導体層と、
　を備えており、
　前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とは、互いに接しており、
　前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層は、熱可塑性樹脂を含み、
　前記基板本体は、上下方向に見て、前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層が存在している重複領域、及び、上下方向に見て、前記第１樹脂層が存在しておらず、かつ、前記第２樹脂層が存在している第１非重複領域を有しており、
　前記第１信号導体層は、前記第１非重複領域における前記第１信号導体層が前記重複領域における前記第１信号導体層より上に位置するように、前記第１信号導体層が上下方向に湾曲する第１湾曲部を有しており、
　前記第１信号導体層は、前記第１非重複領域において、前記基板本体の上に配置される第１部材と電気的に接続可能である、
　回路基板。
　前記第１信号導体層は、第１端部及び第２端部を有する線形状を有しており、
　前記第１端部は、前記第１非重複領域に位置し、かつ、前記基板本体の上に設けられる第１部材と電気的に接続される、
　請求項１に記載の回路基板。
　前記基板本体は、前記上下方向に見て、前記第１樹脂層が存在しておらず、かつ、前記第２樹脂層が存在している第２非重複領域を更に有しており、
　前記第１信号導体層は、前記第２非重複領域における前記第１信号導体層が前記重複領域における前記第１信号導体層より上に位置するように、前記第１信号導体層が上下方向に湾曲する第２湾曲部を有しており、
　前記第２端部は、前記第２非重複領域に位置し、かつ、前記基板本体の上に配置される第２部材と電気的に接続される、
　請求項２に記載の回路基板。
　前記回路基板は、
　前記第２非重複領域において、前記第２樹脂層の下に配置されている第２補強部材を、
　更に備えている、
　請求項３に記載の回路基板。
　前記第１端部は、前記基板本体の上主面に位置し、かつ、第１信号電極として機能する、
　請求項２ないし請求項４のいずれかに記載の回路基板。
　前記回路基板は、
　前記第１非重複領域において、前記基板本体の上主面に設けられている第１信号電極と、
　前記第１信号電極と前記第１信号導体層とを電気的に接続する第１層間接続導体と、
　更に備えている、
　請求項２ないし請求項４のいずれかに記載の回路基板。
　前記回路基板は、
　前記第１非重複領域において、前記第２樹脂層の下に配置されている第１補強部材を、
　更に備えている、
　請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の回路基板。
　前記基板本体に設けられており、前記第１信号導体層の上に配置されている第１グランド導体層と、
　前記基板本体に設けられており、前記第１信号導体層の下に配置されている第２グランド導体層と、
　を更に備えており、
　前記第１グランド導体層及び前記第２グランド導体層は、上下方向に見て、前記第１信号導体層と重なっている、
　請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の回路基板。
　前記第２グランド導体層は、前記第１非重複領域における前記第２グランド導体層が前記重複領域における前記第２グランド導体層より上に位置するように、前記第２グランド導体層が上下方向に湾曲している第３湾曲部を有している、
　請求項８に記載の回路基板。
　前記回路基板は、
　前記第１非重複領域において、前記基板本体の上主面に設けられている第１グランド電極と、
　前記第１非重複領域において前記第２樹脂層を上下方向に貫通し、かつ、前記第１グランド電極と前記第２グランド導体層とを電気的に接続する第２層間接続導体と、
　更に備えている、
　請求項９に記載の回路基板。
　前記第１湾曲部の線幅及び前記第１端部の線幅は、前記重複領域における前記第１信号導体層の線幅より大きい、
　請求項２に記載の回路基板。
　前記第２樹脂層の誘電率は、前記第１樹脂層の誘電率より低い、
　請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の回路基板。
　前記第１樹脂層の材料のヤング率は、前記第２樹脂層の材料のヤング率より大きい、
　請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の回路基板。
　前記第１湾曲部は、上下方向に見て、ミアンダ形状を有している、
　請求項１ないし請求項１３のいずれかに記載の回路基板。
　前記第１湾曲部には、線幅方向に延びる複数の切り欠きが設けられている、
　請求項１ないし請求項１３のいずれかに記載の回路基板。
　前記第１信号導体層は、第１端部及び第２端部を有する線形状を有しており、
　前記第１端部は、前記第１非重複領域に位置し、かつ、前記基板本体の上に配置される第１部材と電気的に接続され、
　前記基板本体は、前記第２樹脂層の下に積層されている第３樹脂層を更に含んでおり、
　前記第２樹脂層と前記第３樹脂層とは、互いに接しており、
　前記第３樹脂層は、熱可塑性樹脂を含んでおり、
　前記基板本体は、上下方向に見て、前記第３樹脂層が存在しておらず、かつ、前記第２樹脂層が存在している第３非重複領域を、更に有しており、
　前記第１信号導体層は、前記第３非重複領域における前記第１信号導体層が前記重複領域における前記第１信号導体層より下に位置するように、前記第１信号導体層が上下方向に湾曲する第４湾曲部を有しており、
　前記第２端部は、前記第３非重複領域に位置し、かつ、前記基板本体の下に配置される第３部材と電気的に接続可能である、
　請求項１に記載の回路基板。
　前記回路基板は、
　前記基板本体において前記第１信号導体層の下に設けられている第２信号導体層を、
　更に備えており、
　前記第２信号導体層は、前記第１非重複領域における前記第２信号導体層が前記重複領域における前記第２信号導体層より上に位置するように、前記第２信号導体層が上下方向に湾曲する第５湾曲部を有しており、
　前記第２信号導体層は、前記第１非重複領域において、前記基板本体の上に配置される第４部材と電気的に接続され、
　前記第２信号導体層を伝送される高周波信号の周波数は、前記第１信号導体層を伝送される高周波信号の周波数より低い、
　請求項１ないし請求項１６のいずれかに記載の回路基板。
　前記第１樹脂層の厚みは、前記重複領域から前記第１非重複領域に近づくにしたがって、小さくなっている、
　請求項１ないし請求項１７のいずれかに記載の回路基板。
　前記基板本体は、
　前記第１樹脂層の上主面及び前記第２樹脂層の上主面を覆う保護層を、
　更に備えている、
　請求項１ないし請求項１８のいずれかに記載の回路基板。
　前記重複領域における前記第１樹脂層の上主面と前記第１非重複領域における前記第２樹脂層の上主面は、同一平面上に位置している、
　請求項１ないし請求項１９のいずれかに記載の回路基板。
　前記第１非重複領域における前記基板本体の上下方向の大きさは、前記重複領域における前記基板本体の上下方向の大きさより小さい、
　請求項１ないし請求項２０のいずれかに記載の回路基板。
　前記回路基板は、
　前記第１非重複領域において、前記第２樹脂層の下に配置されている第１補強部材を、
　更に備えており、
　前記第１非重複領域における前記第１補強部材の下端は、前記重複領域における前記基板本体の下主面より上に位置している、
　請求項２１に記載の回路基板。
　熱可塑性樹脂を含む第１樹脂層を準備する第１準備工程と、
　熱可塑性樹脂を含む第２樹脂層であって、前記第２樹脂層の上主面に第１信号導体層が設けられた前記第２樹脂層を準備する第２準備工程と、
　前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層が上から下へとこの順に並び、かつ、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とが接触し、かつ、上下方向に見て、前記第１樹脂層が前記第２樹脂層の上に配置されている重複領域、及び、上下方向に見て、前記第１樹脂層が前記第２樹脂層の上に配置されていない第１非重複領域が形成されるように、前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層を配置する配置工程と、
　前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とを熱圧着することにより、前記第１非重複領域における前記第１信号導体層が前記重複領域における前記第１信号導体層より上に位置するように、前記第１信号導体層を上下方向に湾曲させる熱圧着工程と、
　を備えている、
　回路基板の製造方法。
　前記配置工程では、前記第１非重複領域において、前記第２樹脂層の下に第１補強部材を配置する、
　請求項２３に記載の回路基板の製造方法。
　前記第１信号導体層は、前記第１非重複領域において、前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層を含む基板本体の上に配置される第１部材と電気的に接続可能である、
　請求項２３又は請求項２４のいずれかに記載の回路基板の製造方法。