JPWO2021090861A5 - - Google Patents
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- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
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Description
炭化ケイ素基板２；材料…３Ｃ－ＳｉＣ型の立方晶構造のＳｉＣ、面方位…（１００）
低音速膜３；材料…ＳｉＯ２、厚み…０．１λ
タンタル酸リチウム層４；材料…３５°Ｙ－ＬｉＴａＯ３、厚み…０．１５λ
ＩＤＴ電極；材料…Ａｌ、厚み…０．０１λ以上、０．１５λ以下の間において変化させた。
低音速膜３；材料…ＳｉＯ２、厚み…０．１λ
タンタル酸リチウム層４；材料…３５°Ｙ－ＬｉＴａＯ３、厚み…０．１５λ
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