JP2019041212A

JP2019041212A - 弾性波装置

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Publication number: JP2019041212A
Application number: JP2017161267A
Authority: JP
Inventors: 木村　哲也; Tetsuya Kimura; 哲也木村
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2017-08-24
Filing date: 2017-08-24
Publication date: 2019-03-14
Also published as: US20190068161A1; US11211915B2

Abstract

【課題】共振特性などの電気的特性に優れた弾性波装置を提供する。【解決手段】支持基板２と、前記支持基板２上に直接または間接に積層された多結晶ナノダイヤモンド層４と、前記多結晶ナノダイヤモンド層４上に積層された少なくとも１層の無機材料層５と、前記少なくとも１層の無機材料層５上に積層された圧電体６と、前記圧電体６上に設けられたＩＤＴ電極７とを備え、前記圧電体６を伝搬する弾性波の音速よりも、前記多結晶ナノダイヤモンド層４を伝搬するバルク波の音速が高速であり、前記圧電体６を伝搬する弾性波の音速よりも、前記少なくとも１層の無機材料層５を伝搬するバルク波の音速が低速であり、前記多結晶ナノダイヤモンド層４におけるｓｐ３結合比が５０％以上である、弾性波装置１。【選択図】図１

Description

本発明は、支持基板を含む積層体上に圧電体及びＩＤＴ電極が積層されている弾性波装置に関する。

従来、伝搬損失を低めるために、ダイヤモンド系材料を用いた弾性波装置が知られている。例えば、下記の特許文献１では、グラファイト状ダイヤモンドと、カーボンクラスターとの複合材料である硬質炭素膜が用いられている。硬質炭素膜上に、圧電体層が設けられている。

特開２０００−２０３８２２号公報

しかしながら、特許文献１に記載したような複合材料では、弾性波装置において良好な共振特性を得ることができないという問題があった。

本発明の目的は、ダイヤモンド系材料を用いており、共振特性やフィルタ特性などの電気的特性が良好な弾性波装置を提供することにある。

本発明に係る弾性波装置は、支持基板と、前記支持基板上に直接または間接に積層された多結晶ナノダイヤモンド層と、前記多結晶ナノダイヤモンド層上に積層された少なくとも１層の無機材料層と、前記少なくとも１層の無機材料層上に積層された圧電体と、前記圧電体上に設けられたＩＤＴ電極とを備え、前記圧電体を伝搬する弾性波の音速よりも、前記多結晶ナノダイヤモンド層を伝搬するバルク波の音速が高速であり、前記圧電体を伝搬する弾性波の音速よりも、前記少なくとも１層の無機材料層を伝搬するバルク波の音速が低速であり、前記多結晶ナノダイヤモンド層におけるｓｐ３結合比が５０％以上である。

本発明において、好ましくは、多結晶ナノダイヤモンド層の平均粒径は１００ｎｍ以下である。

本発明に係る弾性波装置では、好ましくは、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長をλとしたときに、前記多結晶ナノダイヤモンド層の厚みが０．１λ以上、０．５λ未満である。この場合には、多結晶ナノダイヤモンド層の厚みが０．５λ未満と薄いため、弾性波装置の薄型化を図ることができる。また、多結晶ナノダイヤモンド層の厚みが薄くなるため、材料を節約することができ、かつ成膜に際しての反りも生じ難い。

本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記多結晶ナノダイヤモンド層の前記支持基板側に積層された結晶性ダイヤモンド層がさらに備えられている。

本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記多結晶ナノダイヤモンド層が、Ｗ及びＴａの内少なくとも１種を含む。この場合には、膜応力が緩和され、多結晶ナノダイヤモンド層にクラックが生じ難い。

本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記圧電体を伝搬する板波Ｓ０モードを利用している。

本発明の別の広い局面によれば、支持基板と、前記支持基板上に直接または間接に積層された、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、前記高音響インピーダンス層上に積層されており、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、前記低音響インピーダンス層上に直接または間接に積層された圧電体と、前記圧電体上に設けられたＩＤＴ電極とを備え、前記高音響インピーダンス層が、ｓｐ３結合比が５０％以上である、多結晶ナノダイヤモンド層からなる、弾性波装置が提供される。この場合において、ある特定の局面では、圧電体を伝搬する板波Ｓ０モードが利用される。

本発明によれば、共振特性などの電気的特性に優れた弾性波装置を提供することができる。

本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。第１の実施形態の弾性波装置の電極構造を示す略図的平面図である。多結晶ナノダイヤモンド、グラファイト及びアモルファスカーボンのＴＥＭ−ＥＥＬＳによる炭素の分析結果を示す図である。第１の実施形態の実験例で得られた多結晶ナノダイヤモンド層、結晶性ダイヤモンド層及び比較例としてのアモルファスグラファイトのＥＥＬＳスペクトルを示す図である。第１の実施形態の実験例で得られた多結晶ナノダイヤモンド層及び下地に結晶性ダイヤモンド層のＸＰＳ分析による炭素の元素マップ図を示す図である。第１の実施形態の実験例で得られた多結晶ナノダイヤモンド層及び下地に結晶性ダイヤモンド層のＸＰＳ分析によるタングステンの元素マップ図を示す図である。ｓｐ３結合比＝２２％である、弾性波装置の共振特性を示す図である。ｓｐ３結合比＝３５％である、弾性波装置の共振特性を示す図である。ｓｐ３結合比＝５０％である、弾性波装置の共振特性を示す図である。ｓｐ３結合比＝６５％である、弾性波装置の共振特性を示す図である。ｓｐ３結合比＝８５％である、弾性波装置の共振特性を示す図である。ｓｐ３結合比＝９５％である、弾性波装置の共振特性を示す図である。ｓｐ３結合比が５０％である弾性波装置における多結晶ナノダイヤモンド層の膜厚と、インピーダンス比との関係を示す図である。ｓｐ３結合比が９５％である弾性波装置における多結晶ナノダイヤモンド層の膜厚と、インピーダンス比との関係を示す図である。本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図であり、図２はその電極構造を示す略図的平面図である。

弾性波装置１は、１ポート型弾性表面波共振子である。弾性波装置１は、支持基板２を有する。支持基板２はＳｉからなる。もっとも、支持基板２の材料は特に限定されない。他の絶縁性材料や半導体材料を用いてもよい。

支持基板２上に、結晶性ダイヤモンド層３及びｓｐ３結合比が５０％以上である多結晶ナノダイヤモンド層４がこの順序で積層されている。

弾性波装置１の特徴は、ｓｐ３結合比が５０％以上である多結晶ナノダイヤモンド層４を用いたことにある。弾性波装置１では、多結晶ナノダイヤモンド層４を伝搬するバルク波の音速は、後述する圧電体６を伝搬する弾性波の音速よりも高速である。また、多結晶ナノダイヤモンド層４において、ｓｐ３結合比は５０％以上であり、より好ましくは６０％以上である。ｓｐ３結合比が５０％以上であるため共振特性が良好である。ｓｐ３結合比が６０％以上である場合には、共振特性がより一層良好となる。

多結晶ナノダイヤモンド層は、好ましくは、平均粒径が１００ｎｍ以下の多結晶構造を有している。

結晶性ダイヤモンド層３は、多結晶ナノダイヤモンド層４の下地層として設けられている。すなわち、支持基板２上に、多結晶ナノダイヤモンド層４を成膜する場合、下地層として、結晶性ダイヤモンド層３が設けられていることが好ましい。この結晶性ダイヤモンド層３では、結晶粒が、多結晶ナノダイヤモンド層４における結晶粒よりも大きい。そのため、電子の移動が生じ難いため、ＩＭＤ特性を改善することができる。もっとも、結晶性ダイヤモンド層３は、設けられずともよい。

上記多結晶ナノダイヤモンド層４上に、少なくとも１層の無機材料層として誘電体層５が設けられている。誘電体層５を伝搬するバルク波の音速は、後述する圧電体６を伝搬する弾性波の音速よりも低速である。本実施形態では、誘電体層５は、酸化ケイ素からなる。

弾性波装置１では、バルク波の音速が高速である多結晶ナノダイヤモンド層４上にバルク波の音速が弾性波の音速よりも低速である誘電体層５が積層されているため、圧電体６内に弾性波のエネルギーを十分に閉じ込めることができる。

上記音速関係を満たす限り、誘電体層５を構成する材料は特に限定されない。すなわち、酸化ケイ素の他、酸窒化ケイ素、アルミナ、窒化ケイ素などを用いてもよい。さらに、複数の誘電体層が積層されていてもよい。さらに、弾性波装置１では、１層の多結晶ナノダイヤモンド層４上に、誘電体層５が積層されていたが、この積層構造が複数繰り返されていてもよい。

また、誘電体層５上に圧電薄膜からなる圧電体６が積層されている。圧電体６は、本実施形態では、オイラー角（９０°，９０°，４０°）のＬｉＮｂＯ_３が形成されている。オイラー角（９０°，９０°，４０°）のＬｉＮｂＯ_３では、縦波成分が優性な弾性表面波が励振される。

もっとも、本発明において、圧電体の材料及び結晶方位は特に限定されない。例えば、上記結晶方位以外のＬｉＮｂＯ_３を用いてもよい。また、ＬｉＴａＯ_３を用いてもよい。例えば、（０°，１４０°，０°）のＬｉＴａＯ_３のように、ＳＨ波成分が優性な弾性表面波が励振される圧電体を用いてもよい。

圧電体６上に、ＩＤＴ電極７及び反射器８，９が設けられている。ＩＤＴ電極７及び反射器８，９は、Ａｌからなる。もっとも、Ａｌに限定されず、Ｃｕ、Ｗ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ａｇなどの他の金属やこれらの金属を主体とする合金を用いてもよい。

また、ＩＤＴ電極７及び反射器８，９は、複数の金属膜の積層体からなるものであってもよい。その場合、Ｔｉ、ＮｉまたはＮｉＣｒなどの金属からなる金属層を密着層として設けてもよい。あるいは拡散防止層として、Ｔｉ層やＮｉ層などを設けてもよい。

また、ＩＤＴ電極７及び反射器８，９の一部または全体を覆うように、周波数調整膜や保護膜が設けられていてもよい。

弾性波装置１では、上記結晶方位のＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体６を用いており、該圧電体６を伝搬する板波Ｓ０モードを用いている。この板波Ｓ０モードを用いた１ポート型弾性波共振子が構成されている。

弾性波装置１の特徴は、上述したように、ｓｐ３結合比が５０％以上である多結晶ナノダイヤモンド層４を有することにある。従来、様々なダイヤモンド系材料を、圧電体の下方に配置した弾性波装置が種々提案されていた。しかしながら、良好な共振特性やフィルタ特性を得ることは困難であった。

これに対して、弾性波装置１では、ｓｐ３結合比が５０％以上である、特定の多結晶ナノダイヤモンド層４を用いているため、良好な共振特性を得ることができる。これを図３〜図１４を参照してより詳細に説明する。

支持基板２としてのＳｉ基板上に、熱フィラメント法により、結晶性ダイヤモンド層３及び多結晶ナノダイヤモンド層４を形成した。この場合、メタンガス濃度を１体積％、メタンガス流路を５０ｓｃｃｍ、圧力を１０Ｔｏｒｒ、フィラメント温度を２０００℃、支持基板２の加熱温度を６５０℃とした。それによって、４００ｎｍのダイヤモンド膜を形成した。このダイヤモンド膜は、厚み約３００ｎｍの多結晶ナノダイヤモンド層４と、下地となる厚み約１００の結晶性ダイヤモンド層３とを有していた。上記のようにして形成した多結晶ナノダイヤモンド層４のＴＥＭ−ＥＥＬＳ分析により、多結晶ナノダイヤモンド層４中の炭素を分析した。結果を図３に示す。図３の一点鎖線が上記多結晶ナノダイヤモンド層４の分析結果を示し、破線は比較例としてのグラファイト、実線は比較例としてのアモルファスカーボンの分析結果を示す。

ＴＥＭ−ＥＥＬＳ分析は、透過電子顕微鏡（ＴｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎＥｌｅｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙ，ＴＥＭ）に電子エネルギー損失分光法（ＥｌｅｃｔｒｏｎＥｎｅｒｇｙ−ＬｏｓｓＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ，ＥＥＬＳ）を組み合わせた装置によって，高い空間分解能で組成、構造、電子状態などに関する知見を得ることができる。

図３に示すように、グラファイトやアモルファスカーボンでは、１ｓ→π＊のピークと、１ｓ→σ＊の２つのピークが現れている。１ｓ→π＊は、ｓｐ２結合によるピークである。

これに対して、多結晶ナノダイヤモンドでは、１ｓ→σ＊のピークのみ、すなわちｓｐ３結合によるピークがほとんどである。

図４は、上記実験例で得られた多結晶ナノダイヤモンド層４及び結晶性ダイヤモンド層３、並びに比較例としてのグラファイトのＴＥＭ−ＥＥＬＳによる炭素の分析結果を示す図である。

実線が多結晶ナノダイヤモンド層４の結果を示し、破線が結晶性ダイヤモンド層３の結果を示し、一点鎖線がグラファイトの結果を示す。

図４から明らかなように、多結晶ナノダイヤモンド層４及び結晶性ダイヤモンド層３のいずれもが、ｓｐ３結合が支配的であることがわかる。なお、ここでは、多結晶ナノダイヤモンド層４における２８５ｅＶ付近のわずかなピークにより、ｓｐ２結合がわずかに存在することがわかる。もっとも、上記図４から、多結晶ナノダイヤモンド層４では、ｓｐ３結合比は、９５％程度であることがわかる。

本実験例では、ＩＤＴ電極７の電極指ピッチをｐとし、ｐ＝０．５μｍとした。したがって、ＩＤＴ電極７の電極指ピッチｐで定まる波長λは、１．０μｍとした。上記多結晶ナノダイヤモンド層４上に、誘電体層５として、厚み０．２４ｐのＳｉＯ_２膜を形成した。さらに、オイラー角（９０°，９０°，４０°）のＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体６を、厚み０．４ｐとなるように形成した。ＩＤＴ電極７及び反射器８，９は、Ａｌを用いて形成し、その膜厚は、０．１２ｐとした。すなわち、ＩＤＴ電極の膜厚は、０．０６λとした。

上記弾性波装置１において、多結晶ナノダイヤモンド層４の成膜条件を変更し、ｓｐ３結合比が異なる多結晶ナノダイヤモンド層４を形成し、種々の弾性波装置１を作製した。すなわち、ｓｐ３結合比が２２％、３５％、５０％、６５％、８５％、または９５％の多結晶ナノダイヤモンド層４を有する弾性波装置１を作製した。このｓｐ３結合比は、後述した実験例と同様に、ＴＥＭ−ＥＥＬＳによる炭素の分析により評価した。

上記多結晶ナノダイヤモンド層４の成膜条件を変化させ、上述したとおり、ｓｐ３結合比２２％、３５％、５０％、６５％、８５％、または９５％の多結晶ナノダイヤモンド層４を設け、弾性波装置１を作製した。これらの弾性波装置１におけるｓｐ結合比を、前述したＴＥＭ−ＥＥＬＳによる炭素の分析に従って、評価した。

図７〜図１２は、上記ｓｐ３結合比の多結晶ナノダイヤモンド層４を有する弾性波装置１の共振特性を示す図である。

図７及び図８に示すように、ｓｐ３結合比が５０％未満である場合には、良好な共振特性が得られていない。特に、共振点と反共振点との間の帯域及び反共振点付近に、非常に大きなスプリアスが多数現れている。

これに対して、図９〜図１２の示すように、ｓｐ３の結合比が５０％以上であれば、良好な共振特性が得られていることがわかる。加えて、ｓｐ３結合比が６０％以上であれば、共振点より広域にほとんどスプリアスが生じていない、より一層良好な共振特性が得られており、山谷比も十分大きい。加えて、ｓｐ３結合比が８５％以上であれば、共振周波数と反共振周波数との間の帯域内及び反共振周波数付近にほとんどスプリアスがほとんど現れていない。よって、より好ましくは、ｓｐ３結合比は、６０％以上、さらに好ましくは、８５％以上である。

次に、ｓｐ３結合比が５０％の多結晶ナノダイヤモンド層を用いた弾性波装置１において、多結晶ナノダイヤモンド層の膜厚を種々変化させ、インピーダンス比を求めた。結果を図１３に示す。

図１３から明らかなように、多結晶ナノダイヤモンド層４の膜厚が、０．４λ以上であれば、インピーダンス比が十分大きくなることがわかる。また、ｓｐ３結合比が９５％である多結晶ナノダイヤモンド層４を用い、同様に、多結晶ナノダイヤモンド層４の膜厚が異なる複数種の弾性波装置を作製した。この多結晶ナノダイヤモンド層の膜厚と、インピーダンス比との関係を図１４に示す。

図１４から明らかなように、ｓｐ３結合比が９５％の場合、多結晶ナノダイヤモンド層４の膜厚が０．３λ以上であれば、インピーダンス比が９０以上と十分に大きい。従って、多結晶ナノダイヤモンド層４の膜厚は、ｓｐ３結合比の値の如何にかかわらず、ｓｐ３結合比が５０％以上であれば、０．４λ以上であることが好ましい。

図１３及び図１４から明らかなように、インピーダンス比は、それぞれ０．４λ以上、０．３λ以上の膜厚にあると、ほぼ飽和している。

もっとも、多結晶ナノダイヤモンド層４の厚みが厚くなると、成膜に際して反りが生じ易くなり、コストも高くつく。また、弾性波装置１の薄型化が困難となる。従って、弾性波装置１の薄型化及び製造工程の簡略化を果たすには、多結晶ナノダイヤモンド層４の厚みは薄いことが望ましい。

従って、薄いことが好ましいため、多結晶ナノダイヤモンド層４の厚みは、０．５λ未満であることが望ましい。

また、多結晶ナノダイヤモンド層４の厚みの下限は、特に限定されないが、図１３及び図１４に示すように、０．１λ以上であれば、十分に弾性波を閉じ込める効果により、共振特性を得ることができる。

従って、多結晶ナノダイヤモンド層４の厚みは好ましくは、０．１λ以上、０．５λ未満である。

図５は、ＸＰＳ分析による上記多結晶ナノダイヤモンド層４及び結晶性ダイヤモンド層３における炭素の元素マップを示す図であり、図６はタングステンＷの元素マップを示す図である。

図５から明らからなように、多結晶ナノダイヤモンド層４よりも、下地である結晶性ダイヤモンド層３において、カーボン量が多いことがわかる。また、図６より、多結晶ナノダイヤモンド層４には、わずかであるが、タングステンＷが含有されていることがわかる。タングステンＷがわずかに含有されていることにより、被膜応力が緩和され、成膜時の多結晶ナノダイヤモンド層４のクラックが生じ難い。

もっとも、タングステンＷにかえて、タンタルＴａが含有されていてもよい。

図１５は本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置２１の正面断面図である。

弾性波装置２１では、図１に示した誘電体層５にかえて、低音響インピーダンス層２５，２６が設けられている。また、結晶性ダイヤモンド層３及び多結晶ナノダイヤモンド層４からなる積層構造が、低音響インピーダンス層２５と低音響インピーダンス層２６との間に配置されている。その他の構造は、弾性波装置２１は、弾性波装置１と同様である。

低音響インピーダンス層２５，２６は、本実施形態では、酸化ケイ素からなる。低音響インピーダンス層２５，２６は、その音響インピーダンスが、多結晶ナノダイヤモンド層４よりも低い限りその材料は特に限定されない。

弾性波装置２１では、上記低音響インピーダンス層２５，２６と、高音響インピーダンス層である多結晶ナノダイヤモンド層４とが交互に積層されているため、弾性波を圧電体６に効果的に閉じ込めることができる。このように、本発明の弾性波装置では、音響インピーダンスが異なる複数の層を含む音響多層膜を有するものであってもよい。すなわち、音響多層膜中の高音響インピーダンス層として、多結晶ナノダイヤモンド層４を用いてもよい。

なお、音響多層膜においては、少なくとも１層の多結晶ナノダイヤモンド層からなる高音響インピーダンス層と、少なくとも１層の低音響インピーダンス層とを有する限り、音響多層膜の積層構造は特に限定されるものではない。

なお、上記第１及び第２の実施形態では、１ポート型弾性波共振子につき説明したが、本発明は、１ポート型弾性波共振子に限らず、縦結合共振子型弾性波フィルタなどの他の電極構造を有するものであってもよい。このような縦結合共振子型フィルタの場合には、良好なフィルタ特性を実現することができる。

また、支持基板２と多結晶ナノダイヤモンド層４との間、多結晶ナノダイヤモンド層４と誘電体層５との間、誘電体層５と圧電体６との間にそれぞれ、密着層やバッファ層などの中間層を設けてもよい。弾性波装置２１においても同様に、低音響インピーダンス層２５，２６と多結晶ナノダイヤモンド層４との間、低音響インピーダンス層２６と圧電体６との間に、他の中間層が設けられていてもよい。

また、上記多結晶ナノダイヤモンド層４の製造方法は、上記方法に限定されず、マイクロ波ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法などのさまざまな製造方法を用いることができる。

なお、上記製造方法では、原料の炭素水素混合ガスとしてメタンガスを用いたが、ブタンガスやアセチレンガス等を用いてもよく、炭素水素混合ガスの材料は特に限定されない。

１，２１…弾性波装置
２…支持基板
３…結晶性ダイヤモンド層
４…多結晶ナノダイヤモンド層
５…誘電体層
６…圧電体
７…ＩＤＴ電極
８，９…反射器
２５，２６…低音響インピーダンス層

Claims

支持基板と、
前記支持基板上に直接または間接に積層された多結晶ナノダイヤモンド層と、
前記多結晶ナノダイヤモンド層上に積層された少なくとも１層の無機材料層と、
前記少なくとも１層の無機材料層上に積層された圧電体と、
前記圧電体上に設けられたＩＤＴ電極とを備え、
前記圧電体を伝搬する弾性波の音速よりも、前記多結晶ナノダイヤモンド層を伝搬するバルク波の音速が高速であり、前記圧電体を伝搬する弾性波の音速よりも、前記少なくとも１層の無機材料層を伝搬するバルク波の音速が低速であり、前記多結晶ナノダイヤモンド層におけるｓｐ３結合比が５０％以上である、弾性波装置。
前記多結晶ナノダイヤモンド層の平均粒径が１００ｎｍ以下である、請求項１に記載の弾性波装置。
前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長をλとしたときに、前記多結晶ナノダイヤモンド層の厚みが０．１λ以上、０．５λ未満である、請求項１または２に記載の弾性波装置。
前記多結晶ナノダイヤモンド層の前記支持基板側に積層された結晶性ダイヤモンド層をさらに備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
前記多結晶ナノダイヤモンド層が、Ｗ及びＴａの内少なくとも１種を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
前記圧電体を伝搬する板波Ｓ０モードを利用している、請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
支持基板と、
前記支持基板上に直接または間接に積層された、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、
前記高音響インピーダンス層上に積層されており、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、
前記低音響インピーダンス層上に直接または間接に積層された圧電体と、
前記圧電体上に設けられたＩＤＴ電極とを備え、
前記高音響インピーダンス層が、ｓｐ３結合比が５０％以上である、多結晶ナノダイヤモンド層からなる、弾性波装置。
前記圧電体を伝搬する板波Ｓ０モードを利用している、請求項７に記載の弾性波装置。