WO2023003006A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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翔 永友
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to elastic wave devices.
  • Patent Literature 1 discloses an example of an elastic wave device.
  • an IDT electrode Interdigital Transducer
  • High density metals such as molybdenum or tungsten have been cited as materials for IDT electrodes. It is described that when molybdenum is used for the IDT electrode, the film thickness of the IDT electrode is set to 0.0375 ⁇ or more in order to increase the electromechanical coupling coefficient.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device capable of improving temperature characteristics.
  • An acoustic wave device includes a piezoelectric layer, and an IDT electrode provided on the piezoelectric layer and having a plurality of electrode fingers arranged periodically. wherein at least one electrode layer contains at least one of Nb, Pd and Ni, and based on the density ratio of the electrode layer and Mo, the electrode layer is made of Mo The sum of the converted thicknesses of the electrode layers is 10% or more of the period of the plurality of electrode fingers.
  • FIG. 1 is a plan view of an elastic wave device according to a first embodiment of the invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II in FIG.
  • FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the elastic temperature coefficient TCm of the electrode finger and the sound velocity temperature coefficient TCVr at the resonance point when the normalized thickness of the electrode finger is 10%.
  • FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the Mo content in NbMo and dc44/dT.
  • FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the content of Mo in NbMo and density.
  • FIG. 6(a) is a diagram showing the relationship between the elastic temperature coefficient TCm of the electrode finger and the difference ⁇ TCV in the sound velocity temperature coefficient when the normalized thickness of the electrode finger is 8%
  • FIG. 6(b) 6 is a diagram showing the relationship between the elastic temperature coefficient TCm of the electrode finger and the difference ⁇ TCV in the sound velocity temperature coefficient when the normalized thickness of the electrode finger is 10%
  • FIG. 6D is a diagram showing the relationship between the temperature coefficient of elasticity TCm of the electrode fingers and the difference ⁇ TCV in the temperature coefficient of sound velocity when the normalized thickness is 12%.
  • FIG. 7 is a front cross-sectional view of an elastic wave device according to a second embodiment of the invention.
  • FIG. 8 is a front cross-sectional view of an elastic wave device according to a third embodiment of the invention.
  • FIG. 9 is a front cross-sectional view of an elastic wave device according to a fourth embodiment of the invention.
  • FIG. 1 is a plan view of an elastic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II in FIG.
  • the elastic wave device 1 has a piezoelectric substrate.
  • the piezoelectric substrate of this embodiment is a piezoelectric substrate made up of only the piezoelectric layer 3 .
  • the piezoelectric substrate may be a laminated substrate including the piezoelectric layer 3 .
  • An IDT electrode 4 is provided on the piezoelectric layer 3 .
  • elastic waves are excited.
  • the SH mode is excited as the main mode.
  • the elastic wave device 1 utilizes an SH mode in a Love wave state. The fact that the SH mode is in a Love wave state means that the SH mode is in a non-leak state in the thickness direction of the piezoelectric layer 3 .
  • the elastic wave device 1 of this embodiment is a surface acoustic wave resonator.
  • the elastic wave device of the present invention may be, for example, a filter device or a multiplexer having a plurality of elastic wave resonators.
  • Lithium tantalate is used for the piezoelectric layer 3 . More specifically, 42YX-LiTaO 3 is used for the piezoelectric layer 3 .
  • the cut angle and material of the piezoelectric layer 3 are not limited to the above.
  • Lithium niobate such as LiNbO 3 may be used for the piezoelectric layer 3 .
  • the IDT electrode 4 has a first busbar 6 and a second busbar 7, and a plurality of first electrode fingers 8 and a plurality of second electrode fingers 9.
  • the first busbar 6 and the second busbar 7 face each other.
  • One ends of the plurality of first electrode fingers 8 are each connected to the first bus bar 6 .
  • One end of each of the plurality of second electrode fingers 9 is connected to the second bus bar 7 .
  • the plurality of first electrode fingers 8 and the plurality of second electrode fingers 9 are arranged periodically.
  • the plurality of first electrode fingers 8 and the plurality of second electrode fingers 9 are interleaved with each other.
  • the first electrode finger 8 and the second electrode finger 9 may be simply referred to as electrode fingers.
  • the IDT electrode 4 consists of one electrode layer. Note that the IDT electrode 4 may have at least one electrode layer. Therefore, the IDT electrode 4 may have a plurality of electrode layers.
  • the electrode layer of the IDT electrode 4 contains NbMo.
  • NbMo is an alloy of Nb and Mo.
  • the material of the electrode layer is not limited to the above. NiTi, CoPd, NiFe, or the like, for example, can also be used as the material of the electrode layer.
  • At least one electrode layer should contain at least one of Nb, Pd and Ni. In particular, at least one electrode layer more preferably contains an alloy containing Nb.
  • a material similar to that of the IDT electrode 4 is used for the pair of reflectors 5A and 5B.
  • Mo conversion thickness is used as the thickness of the electrode layer.
  • the Mo equivalent thickness of the electrode layer is the thickness of the electrode layer converted based on the density ratio of the electrode layer and Mo assuming that the electrode layer is made of Mo.
  • the density of the electrode layer is ⁇ e
  • the density of Mo is ⁇ Mo
  • the thickness of the electrode layer is te
  • the Mo-converted thickness of the electrode finger is the sum of the Mo-converted thicknesses of the plurality of electrode layers.
  • the Mo-equivalent thickness of the electrode finger is ⁇ tnk (1 ⁇ k ⁇ m).
  • the sum of the Mo-equivalent thicknesses of the electrode layers is the Mo-equivalent thickness of one electrode layer.
  • the thickness of the electrode fingers may also be expressed as a normalized thickness normalized by the period of the plurality of electrode fingers of the IDT electrode 4 .
  • the standardized thickness of the electrode fingers here is the ratio of the thickness of the electrode fingers to the period. More specifically, the standardized thickness of the electrode fingers is the ratio of the Mo-equivalent thickness of the electrode fingers to the period.
  • the electrode finger pitch of the IDT electrode 4 is p
  • the period of the plurality of electrode fingers is 2p.
  • the electrode finger pitch is the center-to-center distance between the adjacent first electrode fingers 18 and second electrode fingers 19 .
  • the Mo equivalent thickness of the electrode finger is 2p
  • the normalized thickness of the electrode finger is 100%.
  • a feature of this embodiment is that the electrode layers of the electrode fingers contain Nb, and the sum of the Mo-equivalent thicknesses of the electrode layers is 10% or more of the period of the plurality of electrode fingers. That is, the standardized thickness of the electrode finger is 10% or more.
  • the SH mode is in a Love wave state. In this state, the temperature characteristics can be improved by including Nb in the electrode layer. More specifically, the absolute value of the temperature coefficient of sound velocity TCV [ppm/K] can be reduced.
  • the electrode layer may contain at least one of Nb, Pd and Ni. In the following, after showing the characteristics when the SH mode is a Love wave state, it will be shown that the temperature characteristics can be improved by configuring the electrode layer as in this embodiment.
  • the contribution of the electrode fingers to various characteristics of elastic waves is not large.
  • the elastic wave when the elastic wave is in a non-leak state, for example, when the SH mode is in a Love wave state, the displacement distribution of the elastic wave concentrates on the surface of the piezoelectric layer and the electrode fingers. Therefore, the contribution of the electrode fingers to various characteristics of elastic waves is increased. More specifically, the contribution of the temperature coefficient of elasticity TCm [ppm/K] of the electrode fingers to the temperature coefficient of sound velocity TCV increases. Furthermore, the greater the mass addition by the electrode fingers, the greater the contribution.
  • the SH mode When the SH mode is in a Love wave state and the mass addition by the electrode fingers is large, if the elastic temperature coefficient TCm changes, for example, the sound speed temperature coefficient TCVr [ppm/K] at the resonance point or the sound speed temperature coefficient at the antiresonance point TCVa [ppm/K] changes greatly. Furthermore, the difference ⁇ TCV [ppm/K] between the temperature coefficients of sound velocity at the resonance point and the anti-resonance point also changes greatly. In the following, the case where the SH mode is in the Love wave state and the case where the SH mode is in the leaky state are compared.
  • the SH mode becomes a Love wave state.
  • the relationship between the elastic temperature coefficient TCm of the electrode finger and the sound velocity temperature coefficient TCVr at the resonance point was derived when the normalized thickness of the electrode finger was 10%.
  • the IDT electrode is made of virtual Mo
  • the piezoelectric layer is made of 42YX-LiTaO 3 .
  • the elastic temperature coefficient TCm was changed by changing the elastic coefficients c11 and c44 of virtual Mo.
  • the elastic moduli c11 and c44 were set to the same value.
  • the physical property values of virtual Mo other than the elastic modulus are the same as those of Mo.
  • the elastic coefficient c44 contributes to the temperature coefficient of sound velocity TCV. Therefore, in this specification, the elastic temperature coefficient TCm indicates the temperature dependence of the elastic modulus c44. That is, dc44/dT [ppm/K] as the slope of the change in the elastic modulus c44 with respect to temperature change is the elastic temperature coefficient TCm [ppm/K].
  • FIG. 3 shows the results of the above simulation. For comparison, the temperature coefficient of sound velocity TCVr when the SH mode is in the leak state is also shown.
  • FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the elastic temperature coefficient TCm of the electrode finger and the sound velocity temperature coefficient TCVr at the resonance point when the normalized thickness of the electrode finger is 10%.
  • the dashed line in FIG. 3 indicates the temperature coefficient of sound velocity TCVr at the resonance point when the SH mode is in the leaky state.
  • the result when the SH mode is in the leaky state is the result when the normalized thickness of the electrode finger is thinner than 10%.
  • the temperature coefficient of sound velocity TCVr at the resonance point is -35 ppm/K.
  • the temperature coefficient of sound velocity TCVr approaches 0 as the temperature coefficient of elasticity TCm increases. If the elastic temperature coefficient TCm is -40 ppm/K or more, the temperature coefficient of sound velocity TCVr when the SH mode is in the Love wave state becomes equal to or more than the temperature coefficient of sound velocity TCVr in the leak state.
  • the elastic temperature coefficient TCm of the electrode material is smaller than -40 ppm/K.
  • Table 1 shows the elastic temperature coefficient TCm of typical materials used for IDT electrodes. As shown in Table 1, the elastic temperature coefficient TCm of both materials is less than -40 ppm/K. Therefore, conventionally, when the SH mode is a Love wave, the temperature characteristics are degraded compared to when the SH mode is a leaky state.
  • Table 2 shows an example in which Mo is used for the IDT electrode. As shown in Table 2, in the Love wave state, the absolute value of TCVr is larger than in the leaky state.
  • alloys containing at least one of Nb, Pd, NiFe and Nb and Pd have a relatively large elastic temperature coefficient TCm.
  • an alloy containing Nb is used for the electrode layers of the electrode fingers. Therefore, the elastic temperature coefficient TCm of the electrode finger can be increased, the absolute value of the sound velocity temperature coefficient TCVr at the resonance point can be decreased, and the temperature characteristics can be improved.
  • the IDT electrode uses NbMo as an alloy containing Nb.
  • NbMo an alloy containing Nb.
  • dc44/dT in NbMo is shown.
  • dc44/dT which indicates the temperature dependence of the elastic modulus c44, is the elastic temperature coefficient TCm.
  • FIG. 4 is based on the description in the non-patent document (Hubbell, et al., Physics Letters A 39.4 (1972): 261-262.).
  • FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the content of Mo in NbMo and dc44/dT. Note that the relationship shown in FIG. 4 is the relationship at 25°C. Note that Nb is indicated when the Mo content is 0%.
  • dc44/dT of Nb is -35 ppm/K. Further, it can be seen that dc44/dT increases as the Mo content increases in the range where the Mo content in NbMo is 33.6 atm % or less. Furthermore, when the content of Mo is 33.6 atm %, dc44/dT becomes the maximum value.
  • the Mo content is preferably 50 atm % or less. In this case, dc44/dT of NbMo can be made larger than dc44/dT of Nb. More preferably, the Mo content is 2.5 atomic % or more and 49 atomic % or less. In this case, dc44/dT can be 0 ppm/K or more.
  • the Mo content is 10 atm % or more and 46 atm % or less.
  • dc44/dT can be 100 ppm/K or more.
  • the Mo content is 22.5 atm% or more and 42.5 atm% or less.
  • dc44/dT can be 300 ppm/K or more.
  • the elastic temperature coefficient TCm of the electrode fingers can be increased. Therefore, the absolute value of the temperature coefficient of sound velocity TCVr at the resonance point can be reduced, and the temperature characteristics can be improved.
  • the relationship between the elastic temperature coefficient TCm of the electrode finger and the difference ⁇ TCV in the temperature coefficient of sound velocity was derived in each case where the thickness of the electrode finger was changed. Note that when the absolute value of the difference ⁇ TCV between the temperature coefficients of sound velocity at the resonance point and the anti-resonance point is large, the range of change in the resonance point and the anti-resonance point due to the temperature change is different. Therefore, the stability of the electrical characteristics of the elastic wave device may be impaired. Therefore, the smaller the absolute value of the difference ⁇ TCV between the temperature coefficients of sound velocity, the better the temperature characteristics.
  • FIG. 6(a) is a diagram showing the relationship between the elastic temperature coefficient TCm of the electrode finger and the difference ⁇ TCV in the temperature coefficient of sound velocity when the normalized thickness of the electrode finger is 8%.
  • FIG. 6B is a diagram showing the relationship between the elastic temperature coefficient TCm of the electrode finger and the difference ⁇ TCV in the temperature coefficient of sound velocity when the normalized thickness of the electrode finger is 10%.
  • FIG. 6(c) is a diagram showing the relationship between the elastic temperature coefficient TCm of the electrode finger and the difference ⁇ TCV in the temperature coefficient of sound velocity when the normalized thickness of the electrode finger is 12%.
  • FIG. 6D is a diagram showing the relationship between the elastic temperature coefficient TCm of the electrode finger and the difference ⁇ TCV in the temperature coefficient of sound velocity when the normalized thickness of the electrode finger is 14%.
  • the SH mode When the normalized thickness of the electrode fingers is 8%, as shown in FIG. 6(a), the SH mode is in a leaky state. Even in this state, the difference ⁇ TCV between the temperature coefficient of sound velocity at the resonance point and the anti-resonance point depends on the elastic temperature coefficient TCm of the electrode finger. However, when the SH mode is in the leaky state, the absolute value of the difference ⁇ TCV between the temperature coefficients of sound velocity increases as the elastic temperature coefficient TCm increases.
  • FIGS. 6(a) and 6(b) A comparison of FIGS. 6(a) and 6(b) reveals that the relationship between the elastic temperature coefficient TCm of the electrode fingers and the difference ⁇ TCV between the sound velocity temperature coefficients is different from each other.
  • the normalized thickness of the electrode fingers is 10% as shown in FIG. 6B
  • the absolute value of the difference ⁇ TCV in the temperature coefficient of sound velocity approaches 0 as the elastic temperature coefficient TCm increases.
  • the SH mode becomes a Love wave state when the normalized thickness of the electrode finger is 10% or more.
  • FIGS. 6(c) and 6(d) when the normalized thickness is 12% and 14%, the absolute value of the difference ⁇ TCV between the temperature coefficients of sound velocity is even smaller.
  • the standardized thickness of the electrode fingers is preferably 12% or more, more preferably 14% or more. Thereby, the temperature characteristics can be further improved.
  • the upper limit of the standardized thickness of the electrode fingers is not particularly limited, the standardized thickness of the electrode fingers is preferably 100% or less. In this case, the electrode fingers can be suitably formed, and productivity can be improved.
  • the piezoelectric body used for the piezoelectric layer 3 shown in FIG. 2 is a rotated Y-cut crystal, and preferably has a rotation angle of ⁇ 30° or more and 70° or less. Thereby, the SH mode can be suitably excited.
  • the piezoelectric substrate is a piezoelectric substrate consisting of the piezoelectric layer 3 only.
  • the piezoelectric substrate may be a laminated substrate including the piezoelectric layer 3 .
  • second to fourth embodiments will be described as examples in which the piezoelectric substrate is a laminated substrate.
  • the elastic wave devices of the second to fourth embodiments have the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment. The temperature characteristics can be improved also in the second to fourth embodiments.
  • FIG. 7 is a front sectional view of an elastic wave device according to the second embodiment.
  • the piezoelectric substrate 12 of this embodiment has a support substrate 16 , a high acoustic velocity film 15 as a high acoustic velocity material layer, a low acoustic velocity film 14 , and a piezoelectric layer 3 .
  • a high acoustic velocity film 15 is provided on a support substrate 16 .
  • a low acoustic velocity film 14 is provided on the high acoustic velocity film 15 .
  • a piezoelectric layer 3 is provided on the low-frequency film 14 .
  • the low sound velocity film 14 is a relatively low sound velocity film. More specifically, the acoustic velocity of the bulk wave propagating through the low velocity film 14 is lower than the acoustic velocity of the bulk wave propagating through the piezoelectric layer 3 .
  • the material of the low-voltage film 14 for example, glass, silicon oxide, silicon oxynitride, lithium oxide, tantalum pentoxide, or a material containing silicon oxide to which fluorine, carbon, or boron is added as a main component may be used. can be done.
  • the high sound velocity material layer is a relatively high sound velocity layer.
  • the high acoustic velocity material layer is the high acoustic velocity film 15 .
  • the acoustic velocity of the bulk wave propagating through the high acoustic velocity material layer is higher than the acoustic velocity of the elastic wave propagating through the piezoelectric layer 3 .
  • Materials for the high-sonic material layer include, for example, silicon, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon oxynitride, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, crystal, alumina, zirconia, cordierite, mullite, steatite, Forsterite, a DLC (diamond-like carbon) film, diamond, or the like can be used as a medium mainly composed of the above materials.
  • Materials for the support substrate 16 include, for example, aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, sapphire, magnesia, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, and steer.
  • Various ceramics such as tight and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, semiconductors such as silicon and gallium nitride, and resins can be used.
  • the high acoustic velocity film 15 as the high acoustic velocity material layer, the low acoustic velocity film 14 and the piezoelectric layer 3 are laminated in this order. Thereby, the elastic wave energy can be effectively confined to the piezoelectric layer 3 side.
  • the piezoelectric substrate may be a laminate of a support substrate, a high acoustic velocity film, and a piezoelectric layer.
  • the high acoustic velocity material layer may be a high acoustic velocity support substrate.
  • the piezoelectric substrate may be a laminate of a high acoustic velocity support substrate, a low acoustic velocity film and a piezoelectric layer, or may be a laminate of a high acoustic velocity support substrate and a piezoelectric layer.
  • the temperature characteristics can be improved as in the second embodiment.
  • the energy of elastic waves can be confined on the piezoelectric layer side.
  • FIG. 8 is a front cross-sectional view of an elastic wave device according to a third embodiment.
  • the piezoelectric substrate 22 of this embodiment has a support substrate 16 , an acoustic reflection film 24 and a piezoelectric layer 3 .
  • An acoustic reflection film 24 is provided on the support substrate 16 .
  • a piezoelectric layer 3 is provided on the acoustic reflection film 24 .
  • the acoustic reflection film 24 is a laminate of multiple acoustic impedance layers. More specifically, the acoustic reflection film 24 has multiple low acoustic impedance layers and multiple high acoustic impedance layers.
  • a low acoustic impedance layer is a layer having relatively low acoustic impedance.
  • the multiple low acoustic impedance layers of the acoustic reflection film 24 are a low acoustic impedance layer 28a and a low acoustic impedance layer 28b.
  • the high acoustic impedance layer is a layer with relatively high acoustic impedance.
  • the multiple high acoustic impedance layers of the acoustic reflection film 24 are a high acoustic impedance layer 29a and a high acoustic impedance layer 29b. Low acoustic impedance layers and high acoustic impedance layers are alternately laminated.
  • the low acoustic impedance layer 28a is the layer closest to the piezoelectric layer 3 in the acoustic reflection film 24. As shown in FIG.
  • the acoustic reflection film 24 has two low acoustic impedance layers and two high acoustic impedance layers. However, the acoustic reflection film 24 may have at least one low acoustic impedance layer and at least one high acoustic impedance layer. Silicon oxide, aluminum, or the like, for example, can be used as the material of the low acoustic impedance layer. Examples of materials for the high acoustic impedance layer include metals such as platinum or tungsten, and dielectrics such as aluminum nitride or silicon nitride.
  • FIG. 9 is a front cross-sectional view of an elastic wave device according to a fourth embodiment.
  • the piezoelectric substrate 32 of this embodiment has a support member 36 and a piezoelectric layer 3 .
  • the support member 36 includes a support substrate 36a and a dielectric layer 36b.
  • the support substrate 36a is configured in the same manner as the support substrate 16 of the second embodiment and the third embodiment.
  • a dielectric layer 36b is provided on the support substrate 36a.
  • a piezoelectric layer 3 is provided on the dielectric layer 36b.
  • the support member 36 has a hollow portion 36c. More specifically, the cavity 36c is a recess provided in the dielectric layer 36b.
  • a hollow portion is formed by sealing the concave portion with the piezoelectric layer 3 .
  • the hollow portion 36c overlaps at least a portion of the IDT electrode 4 in plan view.
  • planar view refers to a direction viewed from above in FIG. 2, FIG. 9, or the like.
  • the hollow portion 36c may be provided only in the support substrate 36a, or may be provided over the support substrate 36a and the dielectric layer 36b. Alternatively, the hollow portion 36c may be a through hole provided in at least one of the support substrate 36a and the dielectric layer 36b.
  • the support member 36 may consist of only the support substrate 36a. In this case, it is sufficient that the support substrate 36a is provided with the hollow portion 36c.

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Abstract

温度特性を改善することができる、弾性波装置を提供する。　弾性波装置１は、圧電体層３と、圧電体層３上に設けられており、周期的に配置された複数の電極指(複数の第１，第２の電極指８，９)を有するＩＤＴ電極４とを備える。電極指が少なくとも１層の電極層を含み、少なくとも１層の電極層がＮｂ、Ｐｄ及びＮｉのうち少なくともいずれか１種を含む。電極層及びＭｏの密度比に基づいて、電極層がＭｏからなるものとして換算された電極層の厚みの総和が、複数の電極指の周期に対して１０％以上である。

Description

弾性波装置
　本発明は、弾性波装置に関する。
　従来、弾性波装置は携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、弾性波装置の一例が開示されている。この弾性波装置においては、圧電基板上にＩＤＴ電極（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）が設けられている。ＩＤＴ電極の材料として、モリブデンまたはタングステンといった、高い密度の金属が挙げられている。ＩＤＴ電極にモリブデンを用いた場合において、電気機械結合係数を高めるために、ＩＤＴ電極の膜厚を０．０３７５λ以上とすることが記載されている。
特許第５７１６０５０号公報
　高い密度の金属をＩＤＴ電極に用いることによって、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）の音速を低くすることが可能である。これにより、バルク波放射を抑制することによって、モードを漏洩波の状態からラブ波の状態とすることができる。本発明者は、特許文献１に記載のような構成とすると、漏洩波の状態と比較して、ラブ波の状態では温度特性が劣化することを見出した。
　本発明の目的は、温度特性を改善することができる、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、圧電体層と、前記圧電体層上に設けられており、周期的に配置された複数の電極指を有するＩＤＴ電極とを備え、前記電極指が少なくとも１層の電極層を含み、少なくとも１層の前記電極層がＮｂ、Ｐｄ及びＮｉのうち少なくともいずれか１種を含み、前記電極層及びＭｏの密度比に基づいて、前記電極層がＭｏからなるものとして換算された前記電極層の厚みの総和が、前記複数の電極指の周期に対して１０％以上である。
　本発明に係る弾性波装置によれば、温度特性を改善することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。 図２は、図１中のＩ－Ｉ線に沿う断面図である。 図３は、電極指の規格化厚みが１０％である場合における、電極指の弾性温度係数ＴＣｍと、共振点における音速温度係数ＴＣＶｒとの関係を示す図である。 図４は、ＮｂＭｏにおけるＭｏの含有率及びｄｃ４４／ｄＴの関係を示す図である。 図５は、ＮｂＭｏにおけるＭｏの含有率と、密度との関係を示す図である。 図６（ａ）は、電極指の規格化厚みが８％である場合における、電極指の弾性温度係数ＴＣｍと、音速温度係数の差ΔＴＣＶとの関係を示す図であり、図６（ｂ）は、電極指の規格化厚みが１０％である場合における、電極指の弾性温度係数ＴＣｍと、音速温度係数の差ΔＴＣＶとの関係を示す図であり、図６（ｃ）は、電極指の規格化厚みが１２％である場合における、電極指の弾性温度係数ＴＣｍと、音速温度係数の差ΔＴＣＶとの関係を示す図であり、図６（ｄ）は、電極指の規格化厚みが１４％である場合における、電極指の弾性温度係数ＴＣｍと、音速温度係数の差ΔＴＣＶとの関係を示す図である。 図７は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図８は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図９は、本発明の第４の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。図２は、図１中のＩ－Ｉ線に沿う断面図である。
　図１及び図２に示すように、弾性波装置１は圧電性基板を有する。本実施形態の圧電性基板は、圧電体層３のみからなる圧電基板である。もっとも、圧電性基板は、圧電体層３を含む積層基板であってもよい。
　圧電体層３上にはＩＤＴ電極４が設けられている。ＩＤＴ電極４に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。本実施形態ではメインモードとしてＳＨモードが励振される。より詳細には、弾性波装置１は、ラブ波の状態としたＳＨモードを利用する。なお、ＳＨモードがラブ波の状態であるとは、ＳＨモードが圧電体層３の厚み方向において非漏洩状態であることをいう。
　圧電体層３上における、ＩＤＴ電極４の弾性波伝搬方向両側には、１対の反射器５Ａ及び反射器５Ｂが設けられている。本実施形態の弾性波装置１は弾性表面波共振子である。もっとも、本発明の弾性波装置は、例えば、複数の弾性波共振子を有するフィルタ装置やマルチプレクサなどであってもよい。
　圧電体層３にはタンタル酸リチウムが用いられている。より具体的には、圧電体層３には４２ＹＸ－ＬｉＴａＯ３が用いられている。もっとも、圧電体層３のカット角及び材料は上記に限定されない。圧電体層３には、ＬｉＮｂＯ３などのニオブ酸リチウムが用いられていてもよい。
　図１に示すように、ＩＤＴ電極４は、第１のバスバー６及び第２のバスバー７と、複数の第１の電極指８及び複数の第２の電極指９とを有する。第１のバスバー６及び第２のバスバー７は互いに対向している。複数の第１の電極指８の一端はそれぞれ、第１のバスバー６に接続されている。複数の第２の電極指９の一端はそれぞれ、第２のバスバー７に接続されている。複数の第１の電極指８及び複数の第２の電極指９は周期的に配置されている。複数の第１の電極指８及び複数の第２の電極指９は互いに間挿し合っている。以下においては、第１の電極指８及び第２の電極指９を単に電極指と記載することもある。
　ＩＤＴ電極４は１層の電極層からなる。なお、ＩＤＴ電極４は少なくとも１層の電極層を有していればよい。よって、ＩＤＴ電極４は複数の電極層を有していてもよい。
　ＩＤＴ電極４の電極層はＮｂＭｏを含む。ＮｂＭｏはＮｂ及びＭｏの合金である。もっとも、電極層の材料は上記に限定されない。電極層の材料としては、例えば、ＮｉＴｉ、ＣｏＰｄまたはＮｉＦｅなどを用いることもできる。なお、少なくとも１層の電極層が、Ｎｂ、Ｐｄ及びＮｉのうち少なくともいずれか１種を含んでいればよい。特に、少なくとも１層の電極層が、Ｎｂが含まれる合金を含むことがより好ましい。１対の反射器５Ａ及び反射器５Ｂには、ＩＤＴ電極４と同様の材料が用いられている。
　本明細書では、電極層の厚みとしてＭｏ換算厚みを用いる。電極層のＭｏ換算厚みとは、電極層及びＭｏの密度比に基づいて、電極層がＭｏからなるものとして換算された電極層の厚みである。電極層の密度をρｅ、Ｍｏの密度をρＭｏ、密度比をｒ＝ρｅ／ρＭｏとし、電極層の厚みをｔｅ、電極層のＭｏ換算厚みをｔｎとしたときに、ｔｎ＝ｒ×ｔｅである。電極指が複数の電極層を有する場合には、電極指のＭｏ換算厚みは、複数の電極層のＭｏ換算厚みの総和である。例えば、電極指がｍ層の電極層の積層体であり、ｋ番目の電極層のＭｏ換算厚みをｔｎｋとしたときに、電極指のＭｏ換算厚みはΣｔｎｋ（１≦ｋ≦ｍ）である。もっとも、電極指が１層のみの電極層を有する場合、電極層のＭｏ換算厚みの総和は１層の電極層のＭｏ換算厚みである。
　他方、本明細書では、電極指の厚みを、ＩＤＴ電極４の複数の電極指の周期により規格化された規格化厚みとして表すこともある。ここでの電極指の規格化厚みは、電極指の厚みの上記周期に対する比率である。より詳細には、電極指の規格化厚みは、電極指のＭｏ換算厚みの上記周期に対する比率である。なお、ＩＤＴ電極４の電極指ピッチをｐとしたときに、複数の電極指の周期は２ｐである。電極指ピッチとは、隣り合う第１の電極指１８及び第２の電極指１９の中心間距離である。例えば、電極指のＭｏ換算厚みが２ｐである場合には、電極指の規格化厚みは１００％である。
　本実施形態の特徴は、電極指の電極層がＮｂを含み、かつ電極層のＭｏ換算厚みの総和が、複数の電極指の周期に対して１０％以上であることにある。すなわち、電極指の規格化厚みは１０％以上である。これにより、ＳＨモードをラブ波の状態としている。この状態において、電極層がＮｂを含むことにより、温度特性を改善することができる。より具体的には、音速温度係数ＴＣＶ［ｐｐｍ／Ｋ］の絶対値を小さくすることができる。もっとも、電極層は、Ｎｂ、Ｐｄ及びＮｉのうち少なくともいずれか１種を含んでいればよい。以下において、ＳＨモードがラブ波の状態である場合の特徴を示した後、本実施形態のように電極層を構成することにより、温度特性を改善できることを示す。
　弾性波が漏洩状態である場合には、弾性波の各種の特性に対して、圧電体層の影響が支配的である。そのため、弾性波の各種の特性に対して、電極指の寄与は大きくはない。一方で、弾性波が非漏洩状態である場合、例えばＳＨモードがラブ波の状態である場合には、弾性波の変位分布は圧電体層の表面及び電極指に集中する。そのため、弾性波の各種の特性に対する、電極指の寄与が大きくなる。より具体的には、音速温度係数ＴＣＶに対する、電極指の弾性温度係数ＴＣｍ［ｐｐｍ／Ｋ］などの寄与が大きくなる。さらに、電極指による質量付加が大きくなるほど、上記寄与が大きくなる。
　ＳＨモードがラブ波の状態であり、かつ電極指による質量付加が大きい場合、弾性温度係数ＴＣｍが変化すると、例えば、共振点における音速温度係数ＴＣＶｒ［ｐｐｍ／Ｋ］または反共振点における音速温度係数ＴＣＶａ［ｐｐｍ／Ｋ］が大きく変化する。さらに、共振点及び反共振点における音速温度係数の差ΔＴＣＶ［ｐｐｍ／Ｋ］も大きく変化する。以下において、ＳＨモードがラブ波の状態である場合、及びＳＨモードが漏洩状態である場合を比較する。
　本実施形態のように、電極指の規格化厚みが１０％以上である場合に、ＳＨモードはラブ波の状態となる。シミュレーションにより、電極指の規格化厚みが１０％である場合における、電極指の弾性温度係数ＴＣｍと、共振点における音速温度係数ＴＣＶｒとの関係を導出した。なお、このシミュレーションでは、ＩＤＴ電極が仮想Ｍｏからなり、圧電体層が４２ＹＸ－ＬｉＴａＯ３からなるものとしている。仮想Ｍｏの弾性係数ｃ１１及びｃ４４を変化させることにより、弾性温度係数ＴＣｍを変化させた。弾性係数ｃ１１及びｃ４４は同じ値とした。仮想Ｍｏの弾性係数以外の物性値は、Ｍｏの物性値と同じである。なお、音速温度係数ＴＣＶには弾性係数ｃ４４が寄与する。そのため、本明細書において弾性温度係数ＴＣｍは、弾性係数ｃ４４の温度に対する依存性を示す。すなわち、温度変化に対する弾性係数ｃ４４の変化の傾きとしてのｄｃ４４／ｄＴ［ｐｐｍ／Ｋ］が、弾性温度係数ＴＣｍ［ｐｐｍ／Ｋ］である。図３において、上記シミュレーションの結果を示す。比較として、ＳＨモードが漏洩状態である場合の音速温度係数ＴＣＶｒも併せて示す。
　図３は、電極指の規格化厚みが１０％である場合における、電極指の弾性温度係数ＴＣｍと、共振点における音速温度係数ＴＣＶｒとの関係を示す図である。図３中の破線は、ＳＨモードが漏洩状態である場合の、共振点における音速温度係数ＴＣＶｒを示す。なお、ＳＨモードが漏洩状態である場合の結果は、電極指の規格化厚みが１０％よりも薄い場合の結果である。
　図３に示すように、ＳＨモードが漏洩状態である場合、共振点における音速温度係数ＴＣＶｒは－３５ｐｐｍ／Ｋである。一方で、ＳＨモードがラブ波の状態である場合においては、弾性温度係数ＴＣｍが大きくなるほど、音速温度係数ＴＣＶｒが０に近づくことがわかる。弾性温度係数ＴＣｍが－４０ｐｐｍ／Ｋ以上であれば、ＳＨモードがラブ波の状態である場合の音速温度係数ＴＣＶｒが、漏洩状態である場合の音速温度係数ＴＣＶｒ以上となることがわかる。
　しかしながら、一般に、電極材料の弾性温度係数ＴＣｍは－４０ｐｐｍ／Ｋよりも小さい。表１に、ＩＤＴ電極に用いられる代表的な材料の弾性温度係数ＴＣｍを示す。表１に示すように、いずれの材料の弾性温度係数ＴＣｍも－４０ｐｐｍ／Ｋより小さい。そのため、従来においては、ＳＨモードがラブ波の状態では、ＳＨモードが漏洩状態である場合に比べ、温度特性は劣化していた。ＩＤＴ電極にＭｏが用いられている場合の例を表２に示す。表２に示すように、ラブ波の状態では、漏洩状態である場合に比べ、ＴＣＶｒの絶対値が大きくなっている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　他方、Ｎｂ、Ｐｄ、ＮｉＦｅ並びにＮｂ及びＰｄのうち少なくとも一方が含まれる合金の弾性温度係数ＴＣｍは比較的大きい。そして、本実施形態においては、電極指の電極層には、Ｎｂを含む合金が用いられている。よって、電極指の弾性温度係数ＴＣｍを大きくすることができ、共振点における音速温度係数ＴＣＶｒなどの絶対値を小さくすることができ、温度特性を改善することができる。
　なお、より具体的には、本実施形態においては、ＩＤＴ電極には、Ｎｂを含む合金としてＮｂＭｏが用いられている。図４において、ＮｂＭｏにおけるｄｃ４４／ｄＴを示す。なお、上記のように、弾性係数ｃ４４の温度に対する依存性を示すｄｃ４４／ｄＴは、弾性温度係数ＴＣｍである。図４は、非特許文献（Ｈｕｂｂｅｌｌ，　ｅｔ　ａｌ．，　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　Ａ　３９．４　（１９７２）：　２６１－２６２．）の記載に基づく。
　図４は、ＮｂＭｏにおけるＭｏの含有率及びｄｃ４４／ｄＴの関係を示す図である。なお、図４に示す関係は、２５℃における関係である。なお、Ｍｏの含有率が０％である場合、Ｎｂを示す。
　図４に示すように、Ｎｂのｄｃ４４／ｄＴは－３５ｐｐｍ／Ｋである。そして、ＮｂＭｏにおけるＭｏの含有率が３３．６ａｔｍ％以下の範囲においては、Ｍｏの含有率が高くなるほど、ｄｃ４４／ｄＴが大きくなっていることがわかる。さらに、Ｍｏの含有率が３３．６ａｔｍ％である場合に、ｄｃ４４／ｄＴが最大値となっている。Ｍｏの含有率は５０ａｔｍ％以下であることが好ましい。この場合には、ＮｂＭｏのｄｃ４４／ｄＴをＮｂのｄｃ４４／ｄＴよりも大きくすることができる。Ｍｏの含有率は２．５ａｔｍ％以上、４９ａｔｍ％以下であることがより好ましい。この場合には、ｄｃ４４／ｄＴを０ｐｐｍ／Ｋ以上とすることができる。Ｍｏの含有率は１０ａｔｍ％以上、４６ａｔｍ％以下であることがさらに好ましい。この場合には、ｄｃ４４／ｄＴを１００ｐｐｍ／Ｋ以上とすることができる。Ｍｏの含有率は２２．５ａｔｍ％以上、４２．５ａｔｍ％以下であることがさらにより好ましい。この場合には、ｄｃ４４／ｄＴを３００ｐｐｍ／Ｋ以上とすることができる。
　よって、上記のようなＮｂＭｏをＩＤＴ電極に用いることにより、電極指の弾性温度係数ＴＣｍを大きくすることができる。従って、共振点における音速温度係数ＴＣＶｒの絶対値を小さくすることができ、温度特性を改善することができる。
　さらに、電極指がＭｏからなる場合と、ＮｂＭｏにおけるＭｏの含有率が３６％の場合とにおいてシミュレーションを行った。これにより、両者の共振点におけるＴＣＶｒ及び反共振点におけるＴＣＶａを比較した。なお、このシミュレーションにおいては、電極指にＭｏを用いた場合と、電極指にＮｂＭｏを用いた場合とにおいて、電極指による質量付加を同じとした。より具体的には、電極指にＭｏを用いた場合には、電極指の規格化厚みを１０％とした。電極指にＮｂＭｏを用いた場合には、電極指の規格化厚みを１１％とした。これは、図５に示す、ＮｂＭｏにおけるＭｏの含有率と、密度との関係に基づく。表３に上記シミュレーションの結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表３から、本実施形態のように電極指にＮｂＭｏを用いた場合において、電極指にＭｏを用いた場合よりも、共振点における音速温度係数ＴＣＶｒ及び反共振点における音速温度係数ＴＣＶａの双方の絶対値を小さくできていることがわかる。本実施形態では、ＳＨモードをラブ波の状態として利用しているため、電極指の弾性温度係数ＴＣｍが大きいほど、音速温度係数ＴＣＶの絶対値を小さくできる。さらに、図４に示すように、ＮｂＭｏにおけるＭｏの含有率が３６％の場合、ｄｃ４４／ｄＴ、すなわち弾性温度係数ＴＣｍが６００ｐｐｍ／Ｋと高い。従って、温度特性をより一層改善することができる。
　さらに、シミュレーションにより、電極指の厚みを変化させたそれぞれの場合において、電極指の弾性温度係数ＴＣｍと、音速温度係数の差ΔＴＣＶとの関係を導出した。なお、共振点及び反共振点における音速温度係数の差ΔＴＣＶの絶対値が大きい場合には、温度変化による、共振点及び反共振点の変化の幅が異なる。そのため、弾性波装置の電気的特性の安定性が損なわれるおそれがある。よって、音速温度係数の差ΔＴＣＶの絶対値が小さいほど、温度特性が良好である。
　図６（ａ）は、電極指の規格化厚みが８％である場合における、電極指の弾性温度係数ＴＣｍと、音速温度係数の差ΔＴＣＶとの関係を示す図である。図６（ｂ）は、電極指の規格化厚みが１０％である場合における、電極指の弾性温度係数ＴＣｍと、音速温度係数の差ΔＴＣＶとの関係を示す図である。図６（ｃ）は、電極指の規格化厚みが１２％である場合における、電極指の弾性温度係数ＴＣｍと、音速温度係数の差ΔＴＣＶとの関係を示す図である。図６（ｄ）は、電極指の規格化厚みが１４％である場合における、電極指の弾性温度係数ＴＣｍと、音速温度係数の差ΔＴＣＶとの関係を示す図である。
　図６（ａ）に示す、電極指の規格化厚みが８％である場合では、ＳＨモードは漏洩状態である。この状態においても、共振点及び反共振点における音速温度係数の差ΔＴＣＶには、電極指の弾性温度係数ＴＣｍに対する依存性はある。しかしながら、ＳＨモードが漏洩状態である場合には、弾性温度係数ＴＣｍが大きくなると、音速温度係数の差ΔＴＣＶの絶対値は大きくなる。
　図６（ａ）及び図６（ｂ）を比較すると、電極指の弾性温度係数ＴＣｍ及び音速温度係数の差ΔＴＣＶの関係が、互いに異なっていることがわかる。図６（ｂ）に示す、電極指の規格化厚みが１０％である場合には、弾性温度係数ＴＣｍが大きくなるほど、音速温度係数の差ΔＴＣＶの絶対値が０に近づいている。このように、電極指の規格化厚みが１０％以上である場合に、ＳＨモードがラブ波の状態となることを確認できる。図６（ｃ）及び図６（ｄ）に示すように、規格化厚みが１２％及び１４％の場合には、音速温度係数の差ΔＴＣＶの絶対値はより一層小さくなっている。電極指の規格化厚みは、１２％以上であることが好ましく、１４％以上であることがより好ましい。それによって、温度特性をより一層改善することができる。なお、電極指の規格化厚みの上限は特に限定されないが、電極指の規格化厚みは１００％以下であることが好ましい。この場合には、電極指を好適に形成することができ、生産性を高めることができる。
　ところで、図２に示す圧電体層３に用いられている圧電体は、回転Ｙカット結晶であり、回転角が－３０°以上、７０°以下であることが好ましい。それによって、ＳＨモードを好適に励振させることができる。
　本実施形態においては、圧電性基板は圧電体層３のみからなる圧電基板である。もっとも、圧電性基板は圧電体層３を含む積層基板であってもよい。以下において、圧電性基板が積層基板である場合の例として、第２～第４の実施形態を示す。なお、圧電性基板以外においては、第２～第４の実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。第２～第４の実施形態においても、温度特性を改善することができる。
　図７は、第２の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
　本実施形態の圧電性基板１２は、支持基板１６と、高音速材料層としての高音速膜１５と、低音速膜１４と、圧電体層３とを有する。支持基板１６上に高音速膜１５が設けられている。高音速膜１５上に低音速膜１４が設けられている。低音速膜１４上に圧電体層３が設けられている。
　低音速膜１４は相対的に低音速な膜である。より具体的には、低音速膜１４を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層３を伝搬するバルク波の音速よりも低い。低音速膜１４の材料としては、例えば、ガラス、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化リチウム、五酸化タンタル、または、酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物を主成分とする材料を用いることができる。
　高音速材料層は相対的に高音速な層である。本実施形態では、高音速材料層は高音速膜１５である。高音速材料層を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層３を伝搬する弾性波の音速よりも高い。高音速材料層の材料としては、例えば、シリコン、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜またはダイヤモンドなど、上記材料を主成分とする媒質を用いることができる。
　支持基板１６の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、シリコン、窒化ガリウムなどの半導体または樹脂などを用いることができる。
　本実施形態では、高音速材料層としての高音速膜１５、低音速膜１４及び圧電体層３がこの順序において積層されている。それによって、弾性波のエネルギーを圧電体層３側に効果的に閉じ込めることができる。
　なお、圧電性基板は、支持基板、高音速膜及び圧電体層の積層体であってもよい。あるいは、高音速材料層は高音速支持基板であってもよい。この場合、例えば、圧電性基板は、高音速支持基板、低音速膜及び圧電体層の積層体であってもよく、高音速支持基板及び圧電体層の積層体であってもよい。これらの場合においても、第２の実施形態と同様に、温度特性を改善することができる。さらに、弾性波のエネルギーを圧電体層側に閉じ込めことができる。
　図８は、第３の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
　本実施形態の圧電性基板２２は、支持基板１６と、音響反射膜２４と、圧電体層３とを有する。支持基板１６上に音響反射膜２４が設けられている。音響反射膜２４上に圧電体層３が設けられている。
　音響反射膜２４は複数の音響インピーダンス層の積層体である。より具体的には、音響反射膜２４は、複数の低音響インピーダンス層と、複数の高音響インピーダンス層とを有する。低音響インピーダンス層は、相対的に音響インピーダンスが低い層である。音響反射膜２４の複数の低音響インピーダンス層は、低音響インピーダンス層２８ａ及び低音響インピーダンス層２８ｂである。一方で、高音響インピーダンス層は、相対的に音響インピーダンスが高い層である。音響反射膜２４の複数の高音響インピーダンス層は、高音響インピーダンス層２９ａ及び高音響インピーダンス層２９ｂである。低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層は交互に積層されている。なお、低音響インピーダンス層２８ａが、音響反射膜２４において最も圧電体層３側に位置する層である。
　音響反射膜２４は、低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層をそれぞれ２層ずつ有する。もっとも、音響反射膜２４は、低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層をそれぞれ少なくとも１層ずつ有していればよい。低音響インピーダンス層の材料としては、例えば、酸化ケイ素またはアルミニウムなどを用いることができる。高音響インピーダンス層の材料としては、例えば、白金またはタングステンなどの金属や、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素などの誘電体を用いることができる。
　図９は、第４の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
　本実施形態の圧電性基板３２は、支持部材３６と、圧電体層３とを有する。支持部材３６は、支持基板３６ａと、誘電体層３６ｂとを含む。なお、支持基板３６ａは、第２の実施形態や、第３の実施形態の支持基板１６と同様に構成されている。支持基板３６ａ上に誘電体層３６ｂが設けられている。誘電体層３６ｂ上に圧電体層３が設けられている。支持部材３６は空洞部３６ｃを有する。より具体的には、空洞部３６ｃは、誘電体層３６ｂに設けられた凹部である。この凹部が圧電体層３により封止されることによって、中空部が形成されている。空洞部３６ｃは、平面視において、ＩＤＴ電極４の少なくとも一部と重なっている。本明細書において平面視とは、図２または図９などにおける上方から見る方向をいう。
　なお、空洞部３６ｃは、支持基板３６ａのみに設けられていてもよく、支持基板３６ａ及び誘電体層３６ｂにわたり設けられていてもよい。あるいは、空洞部３６ｃは、支持基板３６ａ及び誘電体層３６ｂのうち少なくとも一方に設けられた貫通孔であってもよい。支持部材３６は支持基板３６ａのみからなっていてもよい。この場合には、支持基板３６ａに空洞部３６ｃが設けられていればよい。
１…弾性波装置
３…圧電体層
４…ＩＤＴ電極
５Ａ，５Ｂ…反射器
６，７…第１，第２のバスバー
８，９…第１，第２の電極指
１２…圧電性基板
１４…低音速膜
１５…高音速膜
１６…支持基板
２２…圧電性基板
２４…音響反射膜
２８ａ，２８ｂ…低音響インピーダンス層
２９ａ，２９ｂ…高音響インピーダンス層
３２…圧電性基板
３６…支持部材
３６ａ…支持基板
３６ｂ…誘電体層
３６ｃ…空洞部

Claims (8)

  1. 　圧電体層と、
    　前記圧電体層上に設けられており、周期的に配置された複数の電極指を有するＩＤＴ電極と、
    を備え、
    　前記電極指が少なくとも１層の電極層を含み、少なくとも１層の前記電極層がＮｂ、Ｐｄ及びＮｉのうち少なくともいずれか１種を含み、
    　前記電極層及びＭｏの密度比に基づいて、前記電極層がＭｏからなるものとして換算された前記電極層の厚みの総和が、前記複数の電極指の周期に対して１０％以上である、弾性波装置。
  2. 　前記圧電体層にタンタル酸リチウムが用いられている、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記圧電体層にニオブ酸リチウムが用いられている、請求項１に記載の弾性波装置。
  4. 　前記圧電体層に用いられている圧電体が回転Ｙカット結晶であり、回転角が－３０°以上、７０°以下である、請求項２または３に記載の弾性波装置。
  5. 　前記電極層がＮｂＭｏを含み、前記電極層に含まれるＮｂＭｏにおけるＭｏの含有率が５０ａｔｍ％以下である、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記電極層に含まれるＮｂＭｏにおけるＭｏの含有率が２．５ａｔｍ％以上、４９ａｔｍ％以下である、請求項５に記載の弾性波装置。
  7. 　前記電極層に含まれるＮｂＭｏにおけるＭｏの含有率が１０ａｔｍ％以上、４６ａｔｍ％以下である、請求項６に記載の弾性波装置。
  8. 　前記電極層に含まれるＮｂＭｏにおけるＭｏの含有率が２２．５ａｔｍ％以上、４２．５ａｔｍ％以下である、請求項７に記載の弾性波装置。
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