JPWO2021005432A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 基板上に配置された酸化物と、
   前記酸化物上に配置された複数の第１の導電体と、
   前記複数の第１の導電体上に配置され、前記複数の第１の導電体の間の領域に重畳して複数の開口がそれぞれ形成された第１の絶縁体と、
   前記複数の開口の中にそれぞれ配置された、複数の第２の絶縁体と、
   前記複数の第２の絶縁体の上にそれぞれ配置された、複数の電荷保持層と、
   前記複数の電荷保持層の上にそれぞれ配置された、複数の第３の絶縁体と、
   前記複数の第３の絶縁体の上にそれぞれ配置された、複数の第２の導電体と、を有し、
   前記第２の絶縁体は、前記酸化物の上面、および前記第１の絶縁体の側面に接する、
   半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記複数の第１の導電体は、前記酸化物の上面に平行に、直線状に配列されている、半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記複数の第２の絶縁体、および前記複数の第３の絶縁体は、シリコンを含む酸化物であり、
   前記複数の電荷保持層は、シリコンを含む窒化物である、半導体装置。
4. 請求項１または請求項２において、
   前記複数の電荷保持層は導電体である、半導体装置。
   請求項５繰り上げ
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記複数の第２の導電体に重畳して、前記酸化物の下方に、複数の第３の導電体がそれぞれ配置される、半導体装置。
6. 基板上に酸化膜を成膜し、
   前記酸化膜の上に第１の導電膜を成膜し、
   前記酸化膜、および前記第１の導電膜を島状に加工して、酸化物、および第１の導電体を形成し、
   前記酸化物、および前記第１の導電体を覆って第１の絶縁体を形成し、
   前記第１の絶縁体の一部を除去して、前記第１の導電体に重畳して複数の開口を形成し、
   前記複数の開口に重畳する前記第１の導電体の一部を除去し、直線状に配列された複数の第２の導電体を形成し、前記複数の第２の導電体の間の領域に前記酸化物を露出させ、
   前記酸化物の上面に接して、第１の絶縁膜を成膜し、
   酸素を含む雰囲気でマイクロ波処理を行い、
   前記第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を成膜し、
   前記第２の絶縁膜の上に第３の絶縁膜を成膜し、
   前記第３の絶縁膜の上に第２の導電膜を成膜し、
   前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜、前記第３の絶縁膜、および前記第２の導電膜に、前記第１の絶縁体の上面が露出するまで、ＣＭＰ処理を行って、前記複数の第２の導電体の間の領域にそれぞれ配置された、複数の第２の絶縁体、複数の第３の絶縁体、複数の第４の絶縁体、および複数の第３の導電体を形成する、
   半導体装置の作製方法。
7. 請求項６において、
   前記第１の絶縁膜、および前記第３の絶縁膜は、シリコンを含む酸化膜であり、
   前記第２の絶縁膜は、シリコンを含む窒化膜である、半導体装置の作製方法。