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Claims (22)
- 基板上に配置された第1の絶縁体と、
前記第1の絶縁体の上に配置された第1の酸化物と、
前記第1の酸化物の上面の少なくとも一部に接して配置された第2の酸化物と、
前記第2の酸化物の上に配置された第2の絶縁体と、
前記第2の絶縁体の上に配置された第1の導電体と、
前記第1の導電体の上に配置された第2の導電体と、
前記第2の絶縁体、前記第1の導電体、および前記第2の導電体の側面に接して配置されたサイドウォール絶縁体と、
前記第2の酸化物の上面に接し、かつ前記サイドウォール絶縁体の側面に接して配置された第3の絶縁体と、を有し、
前記サイドウォール絶縁体の上面および前記第3の絶縁体の最上面は、前記第2の導電体の最上面と略一致する、ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記第1の酸化物および前記第2の酸化物は、それぞれ、Inと、元素M(MはAl、Ga、Y、またはSn)と、Znと、を含む、ことを特徴とする半導体装置。 - 基板上に配置された第1の絶縁体と、
前記第1の絶縁体の上に配置された第1の酸化物と、
前記第1の酸化物の上面の少なくとも一部に接して配置された第2の酸化物と、
前記第2の酸化物の上に配置された第3の酸化物と、
前記第3の酸化物の上に配置された第2の絶縁体と、
前記第2の絶縁体の上に配置された第1の導電体と、
前記第1の導電体の上に配置された第2の導電体と、
前記第2の絶縁体、前記第1の導電体、および前記第2の導電体の側面に接して配置されたサイドウォール絶縁体と、
前記第2の酸化物の上に位置し、かつ前記サイドウォール絶縁体の側面に接して配置された第3の絶縁体と、を有し、
前記サイドウォール絶縁体の上面および前記第3の絶縁体の最上面は、前記第2の導電体の最上面と略一致する、ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項3において、
前記第3の酸化物の側面が前記サイドウォール絶縁体に接し、
前記第3の絶縁体が前記第2の酸化物の上面に接する、ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項3において、
前記第3の酸化物の側面が前記第2の酸化物の側面と略一致し、
前記第3の絶縁体が前記第3の酸化物の上面に接する、ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項3乃至請求項5のいずれか一項において、
前記第1の酸化物乃至前記第3の酸化物は、それぞれ、Inと、元素M(MはAl、Ga、Y、またはSn)と、Znと、を含む、ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記第2の酸化物の前記第3の絶縁体と重なる領域は、前記第2の酸化物の前記第2の絶縁体と重なる領域の中央近傍より、水素および窒素の少なくとも一方の濃度が大きい、ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記第2の酸化物の前記第3の絶縁体および前記サイドウォール絶縁体と重なる領域は、前記第2の酸化物の前記第2の絶縁体と重なる領域の中央近傍より、水素および窒素の少なくとも一方の濃度が大きい、ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記第2の酸化物の前記第3の絶縁体、前記サイドウォール絶縁体、および前記第2の絶縁体の両端部近傍と重なる領域は、前記第2の酸化物の前記第2の絶縁体と重なる領域の中央近傍より、水素および窒素の少なくとも一方の濃度が大きい、ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、
前記サイドウォール絶縁体は、ALD法を用いて成膜されたものである、ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項10のいずれか一項において、
前記サイドウォール絶縁体は、酸化アルミニウムまたは酸化ハフニウムのいずれかを有する、ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項11のいずれか一項において、
前記第1の導電体は、導電性酸化物を有する、ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、
前記第3の絶縁体は、水素および窒素のいずれか一方または両方を有する、ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項13のいずれか一項において、
前記第1の絶縁体の下に、前記第2の酸化物、前記第1の導電体、および前記第2の導電体と重なる領域を有するように配置された第3の導電体を有する、ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項14のいずれか一項において、
さらに、前記第2の導電体の少なくとも一部の上に配置されたバッファ層を有し、
前記バッファ層は、前記第2の酸化物と重なる領域の少なくとも一部において、前記第2の導電体と重ならず、
前記バッファ層の側面は、前記サイドウォール絶縁体に接し、
前記バッファ層の上面は、前記第2の導電体の最上面と略一致する、ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項15において、
前記バッファ層は、絶縁体を有する、ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項15において、
前記バッファ層は、導電体を有する、ことを特徴とする半導体装置。 - 基板上に第1の絶縁体を成膜し、
前記第1の絶縁体の上に、第1の酸化膜、および第2の酸化膜を順に成膜し、
前記第1の酸化膜および前記第2の酸化膜を島状に加工して、第1の酸化物および第2の酸化物を形成し、
前記第2の酸化物の上に、第1の絶縁膜、第1の導電膜、第2の導電膜、および第1のバッファ層を順に成膜し、
前記第1の絶縁膜、前記第1の導電膜、前記第2の導電膜、および前記第1のバッファ層をエッチングして、第2の絶縁体、第1の導電体、第2の導電体、および第2のバッファ層を形成し、
前記第1の絶縁体、前記第1の酸化物、前記第2の酸化物、前記第2の絶縁体、前記第1の導電体、前記第2の導電体、および前記第2のバッファ層を覆って、ALD法を用いて第3の絶縁膜を成膜し、
前記第3の絶縁膜にドライエッチング処理を行って、前記第2の絶縁体、前記第1の導電体、前記第2の導電体、前記第2のバッファ層の側面に接して、第1のサイドウォール絶縁体を形成し、
前記第1の絶縁体、前記第1の酸化物、前記第2の酸化物、前記第1のサイドウォール絶縁体、および前記第2のバッファ層を覆って、PECVD法を用いて第4の絶縁膜を成膜し、
前記第4の絶縁膜の上に第5の絶縁膜を成膜し、
前記第2のバッファ層、前記第1のサイドウォール絶縁体、前記第4の絶縁膜、および前記第5の絶縁膜の一部を、前記第2の導電体の一部が露出するまで除去して、第3のバッファ層、第2のサイドウォール絶縁体、第3の絶縁体、および第4の絶縁体を形成する、ことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項18において、
前記第1のバッファ層の膜厚が10nm以上100nm以下である、ことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項18または請求項19において、
前記第4の絶縁膜の成膜を、窒素を含む雰囲気で行う、ことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項18乃至請求項20のいずれか一項において、
前記第3のバッファ層、前記第2のサイドウォール絶縁体、前記第3の絶縁体、および前記第4の絶縁体の形成をCMP処理によって行う、ことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項18乃至請求項21のいずれか一項において、
前記第1の導電膜の成膜を、酸素を含む雰囲気で、スパッタリング処理を用いて行う、ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
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