JP2020027825A5 - - Google Patents

Claims (2)

1. 基板上に第１の絶縁体を形成し、
   前記第１の絶縁体の上に、第１の酸化膜、第２の酸化膜および第１の導電膜を順に成膜し、
   前記第１の酸化膜、前記第２の酸化膜および前記第１の導電膜を加工して、第１の酸化物、酸化物層および導電体層を形成し、
   前記第１の酸化物、前記酸化物層および前記導電体層を覆って第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を順に成膜し、
   前記酸化物層、前記導電体層、前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜に前記第１の酸化物が露出する開口を形成することで、
   第２の酸化物、第３の酸化物、第１の導電体、第２の導電体、第２絶縁体および第３の絶縁体を形成し、
   第３の酸化膜、第３の絶縁膜および第２の導電膜を順に成膜し、
   平坦化処理を行うことによって、前記第３の酸化膜、前記第３の絶縁膜および前記第２の導電膜を前記第３の絶縁体の一部が露出するまで除去し、第４の酸化物、第４の絶縁体および第３の導電体を形成し、
   第１の加熱処理を行い、
   第２の加熱処理を行い、
   前記第３の導電体上に第４の絶縁膜を成膜する、半導体装置の作製方法。
2. 第１の絶縁体と、
   前記第１の絶縁体上の第１の酸化物と、
   前記第１の酸化物上の第２の酸化物および第３の酸化物と、
   前記第２の酸化物上の第１の導電体と、
   前記第３の酸化物上の第２の導電体と、
   前記第１の酸化物上の第４の酸化物と、
   前記第４の酸化物上の第２の絶縁体と、
   前記第２の絶縁体上の第３の導電体と、
   前記第３の導電体上の第３の絶縁体と、
   前記第３の絶縁体上の第４の絶縁体と、を有し、
   前記第４の酸化物は、前記第１の酸化物の上面、前記第１の導電体の側面、前記第２の導電体の側面、前記第２の酸化物の側面および前記第３の酸化物の側面と、それぞれ接し、
   前記第１の酸化物は、Ｉｎと、元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を有し、
   前記第４の酸化物は、前記第１の酸化物が有する構成元素の少なくとも一を有し、
   前記第２の酸化物、および前記第３の酸化物は、それぞれ、元素Ｍを有し、
   前記第２の酸化物、および前記第３の酸化物は、前記第１の酸化物よりも前記元素Ｍの濃度が高い領域を有する、半導体装置。