JPWO2020049396A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (6)

1. 第１の酸化物半導体膜を成膜し、
   前記第１の酸化物半導体膜上に第１の導電膜を成膜し、
   前記第１の酸化物半導体膜、および前記第１の導電膜の一部を除去し、第１の酸化物半導体、および第１の導電体の積層構造を形成し、
   前記第１の酸化物半導体、および前記第１の導電体上に第１の絶縁膜を成膜した後、前記第１の絶縁膜を平坦化することで、第１の絶縁体を形成し、
   前記第１の絶縁体、および前記第１の導電体の一部を除去することにより、第２の導電体、および第３の導電体を形成し、かつ、前記第１の酸化物半導体の一部が露出する開口を形成し、
   前記第１の酸化物半導体の露出した領域に接して、第２の酸化物半導体膜を成膜し、
   前記第２の酸化物半導体膜上に第２の絶縁膜を成膜し、
   前記第２の絶縁膜を成膜した後、マイクロ波励起プラズマ処理を行い、
   前記第２の絶縁膜上に第２の導電膜を成膜し、
   前記第２の導電膜、前記第２の絶縁膜、前記第２の酸化物半導体膜の一部を除去し、前記第１の絶縁体を露出することで、第２の導電体、第２の絶縁体、および第２の酸化物半導体を形成する半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記マイクロ波励起プラズマ処理は、酸素を含む雰囲気下で行う半導体装置の作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記マイクロ波励起プラズマ処理は、圧力が１３３Ｐａ以上で行う半導体装置の作製方法。
4. 請求項１または請求項２において、
   前記マイクロ波励起プラズマ処理は、圧力が４００Ｐａ以上で行う半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第２の絶縁体は、成膜装置で１００℃以上の加熱処理を行った後、前記成膜装置にて大気開放することなく、成膜する半導体装置の作製方法。
6. 請求項５において、
   前記第１の酸化物半導体、および前記第２の酸化物半導体は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物である半導体装置の作製方法。