JPWO2020229914A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (2)

1. 第１の絶縁体を成膜し、
   前記第１の絶縁体上に、第１の酸化膜、第２の酸化膜、第３の酸化膜を順に成膜し、
   第１の熱処理を行い、
   前記第３の酸化膜上に、第１の導電膜、第１の絶縁膜、第２の導電膜、を順に成膜し、
   前記第１の酸化膜、前記第２の酸化膜、前記第３の酸化膜、前記第１の導電膜、前記第１の絶縁膜、および前記第２の導電膜、を島状に加工して、第１の酸化物、第２の酸化物、第１の酸化物層、
   第１の導電層、第１の絶縁層、第２の導電層を形成し、
   前記第２の導電層を除去し、
   前記第１の絶縁体、前記第１の酸化物、前記第２の酸化物、前記第１の酸化物層、前記第１の導電層、および前記第１の絶縁層の上に第５の絶縁体を成膜し、
   前記第５の絶縁体上に第６の絶縁体を成膜し、
   前記第１の酸化物層、前記第１の導電層、前記第１の絶縁層、前記第５の絶縁体、および前記第６の絶縁体に、前記第２の酸化物に達する開口を形成し、
   当該開口の形成によって、前記第１の酸化物層から、第３の酸化物、および第４の酸化物が形成され、前記第１の導電層から第１の導電体、および第２の導電体が形成され、前記第１の絶縁層から第７の絶縁体、および第８の絶縁体が形成され、
   第２の熱処理を行い、
   前記第６の絶縁体上、および前記開口の中に、第４の酸化膜を成膜し、
   前記第４の酸化膜上に第５の酸化膜を成膜し、
   ドライエッチング法を用いて、前記開口内の、前記第５の絶縁体乃至前記第８の絶縁体の側面に成膜された前記第４の酸化膜および前記第５の酸化膜を除去し、
   前記第６の絶縁体上の前記第４の酸化膜および前記第５の酸化膜を除去し、
   前記開口の底部の前記第４の酸化膜および前記第５の酸化膜を残存させることで、第５の酸化物、
   および第６の酸化物を形成し、
   前記第６の酸化物上、および前記第６の絶縁体上に第２の絶縁膜を成膜し、
   前記第２の絶縁膜上に第３の導電膜を成膜し、
   ＣＭＰ法を用いて、前記第３の導電膜および前記第２の絶縁膜を前記第６の絶縁体に達するまで研磨することで、前記開口の中に、第９の絶縁体、および第３の導電体を形成する、半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記ドライエッチング法は、６６．５Ｐａ以上の圧力で行われる、半導体装置の作製方法。