JPWO2020229639A5 - - Google Patents
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Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102019112985.0A DE102019112985B4 (de) | 2019-05-16 | 2019-05-16 | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen |
| DE102019112985.0 | 2019-05-16 | ||
| PCT/EP2020/063556 WO2020229639A1 (de) | 2019-05-16 | 2020-05-14 | Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen und halbleiterbauelement |
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022532048A JP2022532048A (ja) | 2022-07-13 |
| JP2022532048A5 JP2022532048A5 (https=) | 2023-04-04 |
| JPWO2020229639A5 true JPWO2020229639A5 (https=) | 2023-04-04 |
| JP7405453B2 JP7405453B2 (ja) | 2023-12-26 |
Family
ID=70857144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021564508A Active JP7405453B2 (ja) | 2019-05-16 | 2020-05-14 | 半導体部品を製造するための方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US12368047B2 (https=) |
| EP (1) | EP3970195B1 (https=) |
| JP (1) | JP7405453B2 (https=) |
| DE (1) | DE102019112985B4 (https=) |
| WO (1) | WO2020229639A1 (https=) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20240047168A1 (en) * | 2020-12-17 | 2024-02-08 | mi2-factory GmbH | Energy Filter Assembly for Ion Implantation System with at least one coupling element |
| WO2022128818A1 (de) | 2020-12-18 | 2022-06-23 | mi2-factory GmbH | Elektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines vorbehandelten verbundsubstrats für ein elektronisches halbleiterbauelement |
| DE102021109690A1 (de) | 2021-04-16 | 2022-10-20 | mi2-factory GmbH | Elektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines vorbehandelten Verbundsubstrats für ein elektronisches Halbleiterbauelement |
| DE102020134222A1 (de) | 2020-12-18 | 2022-06-23 | mi2-factory GmbH | Verfahren zur Herstellung eines vorbehandelten Verbundsubstrats und vorbehandeltes Verbundsubstrat |
| DE102021118315A1 (de) | 2021-07-15 | 2023-01-19 | mi2-factory GmbH | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Halbleiterbauelements |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3311210B2 (ja) * | 1995-07-28 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
| DE10239312B4 (de) | 2002-08-27 | 2006-08-17 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Driftzone und einer Feldstoppzone und Halbleiterbauelement mit einer Driftzone und einer Feldstoppzone |
| US7728409B2 (en) * | 2005-11-10 | 2010-06-01 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| EP2782121B1 (en) * | 2011-11-15 | 2021-01-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| DE102013016669A1 (de) * | 2013-10-08 | 2015-04-09 | Siltectra Gmbh | Kombiniertes Herstellungsverfahren zum Abtrennen mehrerer dünner Festkörperschichten von einem dicken Festkörper |
| JP2015192121A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| DE102015202121B4 (de) | 2015-02-06 | 2017-09-14 | Infineon Technologies Ag | SiC-basierte Supersperrschicht-Halbleitervorrichtungen und Verfahren zur Herstellung dieser |
| CN108604600B (zh) * | 2016-02-08 | 2021-07-16 | 三菱电机株式会社 | 碳化硅半导体装置及其制造方法 |
| DE102016110429A1 (de) * | 2016-06-06 | 2017-12-07 | Infineon Technologies Ag | Energiefilter zum Verarbeiten einer Leistungshalbleitervorrichtung |
| DE102016114264B4 (de) * | 2016-08-02 | 2024-10-24 | Infineon Technologies Ag | Herstellungsverfahren einschliesslich einer aktivierung von dotierstoffen |
| DE102016122791B3 (de) * | 2016-11-25 | 2018-05-30 | mi2-factory GmbH | Ionenimplantationsanlage, Filterkammer und Implantationsverfahren unter Einsatz eines Energiefilterelements |
| JP6833038B2 (ja) * | 2017-07-19 | 2021-02-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| DE102017117999B4 (de) * | 2017-08-08 | 2025-12-11 | Infineon Technologies Ag | Ionenimplantationsvorrichtung und verfahren zum herstellen vonhalbleitervorrichtungen |
| DE102017122634B4 (de) * | 2017-09-28 | 2024-09-12 | Infineon Technologies Ag | Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung mit Graben-Gatestruktur und vertikalem Pn-Übergang zwischen einem Bodygebiet und einer Driftstruktur |
| JP7117551B2 (ja) * | 2019-03-22 | 2022-08-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体エピタキシャルウェハ、半導体素子、および半導体エピタキシャルウェハの製造方法 |
| DE102019114312A1 (de) * | 2019-05-28 | 2020-12-03 | Infineon Technologies Ag | Siliziumcarbid-vorrichtung mit kompensationsgebiet und herstellungsverfahren |
-
2019
- 2019-05-16 DE DE102019112985.0A patent/DE102019112985B4/de active Active
-
2020
- 2020-05-14 JP JP2021564508A patent/JP7405453B2/ja active Active
- 2020-05-14 US US17/611,474 patent/US12368047B2/en active Active
- 2020-05-14 EP EP20728420.9A patent/EP3970195B1/de active Active
- 2020-05-14 WO PCT/EP2020/063556 patent/WO2020229639A1/de not_active Ceased
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