JPWO2020090346A1 - 紫外線硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその用途 - Google Patents
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Abstract
Description
(A)一分子中に平均して2個以上の紫外線硬化性官能基を有する1種以上のオルガノシロキサン及び/又はオルガノポリシロキサンと、
(B)かご状分子構造を有するポリシルセスキオキサン
とを含有し、成分(A)の量が、組成物全体の質量の40%以上であり、かつ組成物中に含まれる有機溶剤の量が組成物全体の質量の10%未満であることを特徴とする。
RaR’bSiO(4−a―b)/2 (1)
(式中、Rは、紫外線硬化性官能基であり、
R’は、一価炭化水素基、水酸基、及びアルコキシ基から選ばれる、上記紫外線硬化性官能基以外の基であり、
a及びbは次の条件:1≦a+b≦3及び0.001≦a/(a+b)≦0.33を満たす数である。)
で表される直鎖状、分岐状、又は環状のオルガノポリシロキサン(ただし、以下の成分(B)に該当するものを除く)であることが好ましい。
また、成分(B)のかご状分子構造を有するポリシルセスキオキサンが、下記平均単位式(2):
(R9SiO3/2)p(R10SiO3/2)q(O1/2Rb)r (2)
(式中、R9はそれぞれ独立に、非置換又はフッ素で置換された一価炭化水素基であり;R10は紫外線硬化性官能基であり;Rbはそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、又は炭素数5〜20のシクロアルキル基であり;p、q、及びrはそれぞれの単位の数を表し、q及びrはいずれか又は両方が0であってもよい)
で表されることが好ましい。
で表されるオルガノシロキサン又はオルガノポリシロキサン、
平均単位式:
(R3SiO1/2)a(R2SiO2/2)b(RSiO3/2)c(SiO4/2)d (4)
(式中、Rは、それぞれ独立に、紫外線硬化性官能基及び非置換又はフッ素で置換された一価炭化水素基から選ばれる基であり、全てのRのうち、少なくとも2個は紫外線硬化性官能基であり、(c+d)は正数であり、aは0又は正数であり、bは0〜100の範囲内の数である。)
で表されるオルガノポリシロキサン、及びそれらから任意に選択される2種以上のオルガノシロキサン及び/又はオルガノポリシロキサンの混合物からなる群から選択される、紫外線硬化性官能基を有する1種類以上のオルガノシロキサン及び/又はオルガノポリシロキサンであることが好ましい。
本発明の紫外線硬化性オルガノポリシロキサン組成物は以下の成分(A)及び成分(B)を必須成分とし、所望により、一般には光重合開始剤としても知られている光反応開始剤等の添加剤を含むことができる。また、本発明の組成物には、組成物の粘度を低下させるために、所望により有機溶剤を添加してもよいが、有機溶剤の量は組成物全体の質量の10%未満であり、好ましくは、本発明の組成物は実質的に溶剤を含まない。本発明の紫外線硬化性オルガノポリシロキサン組成物の特徴の一つは、その組成物から得られる硬化物が低い比誘電率を有することである。本発明の組成物から得られる硬化物の比誘電率が低くなる理由は必ずしも明確ではないが、紫外線硬化性官能基を有するオルガノシロキサン及び/又はオルガノポリシロキサンが硬化して形成されるマトリクス中に分散したかご状分子構造を有するポリシルセスキオキサンがナノスケールの空孔を有することによって、硬化物中にナノスケールの空孔が導入され、これによって比誘電率が低くなるものと推定している。本発明の紫外線硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、その硬化物の低い比誘電率及び良好な作業性を生かして、絶縁性コーティング剤、特に、電子デバイス及び電気デバイス、例えば、タッチパネル、ディスプレイなどの表示装置及びその部材、あるいは半導体装置中の絶縁層を形成するためのコーティング剤として有用である。
成分(A)として用いる紫外線硬化性官能基を有するオルガノシロキサン又はオルガノポリシロキサンは、オルガノシロキサン又はオルガノポリシロキサン骨格に、一分子あたり平均して2個以上の紫外線硬化性官能基を有するものであり、この目的を達成できる限りその分子構造は任意のものであることができる。一般には、(A)成分のオルガノシロキサン又はオルガノポリシロキサンは、
下記平均組成式;
RaR’bSiO(4−a―b)/2 (1)
(式中、Rは、紫外線硬化性官能基であり、
R’は、上記の紫外線硬化性官能基を除く、一価炭化水素基、水酸基、及びアルコキシ基から選ばれる基であり、
a及びbは次の条件:1≦a+b≦3及び0.001≦a/(a+b)≦0.33を満たす数である。)
で表される直鎖状、分岐状、又は環状のオルガノポリシロキサンである。
紫外線硬化性官能基としては、エポキシ基含有基及びマレイミド基含有基から選択される1種以上の基であることが特に好ましい。特に好ましい基として、エポキシシクロヘキシルエチル基、特に3,4-エポキシシクロヘキシルエチル基、3-(N-マレイミド)プロピル基を挙げることができる。上記平均組成式で表される直鎖状、分岐状、又は環状のオルガノポリシロキサンは、一分子当たり平均して少なくとも2つの紫外線硬化性官能基(R)を有することが好ましい。紫外線硬化性基の数は、一分子当たり平均して、好ましくは2〜6、さらに好ましくは2〜5、特に好ましくは2〜4個である。
紫外線硬化性官能基としては、エポキシ基含有基及びマレイミド基含有基から選択される1種以上の基であることが特に好ましい。特に好ましい基として、エポキシシクロヘキシルエチル基、特に3,4-エポキシシクロヘキシルエチル基、3-(N-マレイミド)プロピル基を挙げることができる。
平均単位式:
(R3SiO1/2)a(R2SiO2/2)b(RSiO3/2)c(SiO4/2)d (4)
式(4)中、Rは、それぞれ独立に、紫外線硬化性官能基及び非置換又はフッ素で置換された一価炭化水素基から選ばれる基であり、全てのRのうち、少なくとも2個は紫外線硬化性官能基であり、(c+d)は正数であり、aは0又は正数であり、bは0〜100の範囲内の数である。
紫外線硬化性官能基及び一価炭化水素基は、上で式(1)について定義したとおりである。また、式(4)で表されるオルガノポリシロキサンの好ましい粘度も上において式(1)で表されるオルガノポリシロキサンについて規定したとおりである。
(B)成分として用いるかご状分子構造を有するポリシルセスキオキサンは、下記平均単位式(2):
(R9SiO3/2)p(R10SiO3/2)q (O1/2Rb)r (2)
で表されるT単位のみからなるポリシルセスキオキサンのうち、特にかご状分子構造を有するものである。かご状分子構造を有するポリシルセスキオキサンは、いわゆる多面体クラスター構造又はそれに近い構造を有し、多面体オリゴマーシルセスキオキサン(polyhedral oligomeric silsesquioxane)ともよばれる。成分(B)は対称分子構造あるいはそれに近い分子構造を有し、本発明の硬化物の誘電率を低下させる成分である。
紫外線硬化性官能基としては、エポキシ基含有基及びマレイミド基含有基から選択される1種以上の基であることが特に好ましい。特に好ましい基として、エポキシシクロヘキシルエチル基、特に3,4-エポキシシクロヘキシルエチル基、3-(N-マレイミド)プロピル基を挙げることができる。
(R9SiO3/2)p(O1/2Rb)r (2a)
で表される。式(2a)中、R9は、上記式(2)に対して定義したとおりであり、pは一般に6〜20であり、好ましくは8〜20であり、さらに好ましくは8〜14、特に好ましくは、8、10、又は12であり、あるいは式(2a)の化合物はそれらを任意に組み合わせた混合物であることができる。式(2a)中のRbは、式(2)に対して定義した通りである。式(2a)において、rは0であるか又は好ましくはp+rの20%以下、さら好ましくはp+rの10%以下、特に好ましくはp+rの5%以下の値である。rの値がpに対して十分小さい場合には、式(2a)のポリシルセスキオキサンのかご状構造部分が明確な空孔部分を有することができ、そのことが、本発明の硬化性組成物から得られる硬化物の比誘電率を低くするために有効であると考えられる。
本発明の紫外線硬化性オルガノポリシロキサン組成物には、上記成分(A)及び成分(B)に加えて、所望により光重合開始剤を添加することができる。その場合、成分(A)又は成分(A)及び(B)が有する紫外線硬化性官能基がエポキシ又はビニルエーテルなどを含むカチオン重合性官能基である場合には、紫外線重合開始剤として、光カチオン重合開始剤を用いることが好ましい。光カチオン重合開始剤は、紫外線又は電子線の照射によってブレンステッド酸又はルイス酸を生成することができる化合物、いわゆる光酸発生剤であり、紫外線などの照射によって酸が発生し、その酸がカチオン重合性官能基どうしの反応を引き起こすことが知られている。また、紫外線硬化性官能基がラジカル重合性官能基である場合は、紫外線重合開始剤として光ラジカル重合開始剤を用いることができる。光ラジカル重合開始剤は、紫外線又は電子線の照射によってフリーラジカルが発生し、それがラジカル重合反応を引き起こして本発明の組成物を硬化させることができる。電子線照射によって本発明の組成物を硬化させる場合には、重合開始剤は通常不要である。
本発明の組成物に用いる光カチオン重合開始剤は、当技術分野で公知のものから任意に選択して用いることができ、特に特定のものに限定されない。光カチオン重合開始剤には、ジアゾニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩などの強酸発生化合物が知られており、これらを用いることができる。光カチオン重合開始剤の例として、ビス(4-tert-ブチルフェニル)ヨードニウム ヘキサフルオロホスフェート、シクロプロピルジフェニルスルホニウム テトラフルオロボレート、ジメチルフェナシルスルホニウム テトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウム ヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウム ヘキサフルオロアルセナート、ジフェニルヨードニウム テトラフルオロメタンスルホネート、2-(3,4-ジメトキシスチリル)-4,6-ビス(トリクロロメチル)-1,3,5-トリアジン、2-[2-(フラン-2-イル)ビニル]-4,6-ビス(トリクロロメチル)-1,3,5-トリアジン、4-イソプロピル-4’-メチルジフェニルヨードニウム テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、2-[2-(5-メチルフラン-2-イル)ビニル]-4,6-ビス(トリクロロメチル)-1,3,5-トリアジン、2-(4-メトキシフェニル)-4,6-ビス(トリクロロメチル)-1,3,5-トリアジン、2-(4-メトキシスチリル)-4,6-ビス(トリクロロメチル)-1,3,5-トリアジン、4-ニトロベンゼンジアゾニウム テトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウム テトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムブロマイド、トリ-p-トリルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート、トリ-p-トリルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム トリフラート、トリフェニルスルホニウム トリフラート、ジフェニルヨードニウム ナイトレート、ビス(4-tert-ブチルフェニル)ヨードニウム パーフルオロ-1-ブタンスルホネート、ビス(4-tert-ブチルフェニル)ヨードニウム トリフラート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-1-ブタンスルホナート、N-ヒドロキシナフタルイミド トリフラート、p-トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウム p-トルエンスルホネート、(4-tert-ブチルフェニル)ジフェニルスルホニウム トリフラート、トリス(4-tert-ブチルフェニル)スルホニウム トリフラート、N-ヒドロキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシミド ペルフルオロ-1-ブタンスルホナート、(4-フェニルチオフェニル)ジフェニルスルホニウム トリフラート、及び4-(フェニルチオ)フェニルジフェニルスルホニウム トリエチルトリフルオロホスフェートなどが挙げられるがこれらに限定されない。光カチオン重合開始剤として、上記化合物のほかにも、Omnicat 250、Omnicat 270(以上、IGM Resins B.V.社)、CPI-310B, IK-1(以上、サンアプロ株式会社)、DTS-200 (みどり化学株式会社)、及びIrgacure 290(BASF社)などの市販されている光開始剤を挙げることができる。
光ラジカル重合開始剤は、大きく分けて光開裂型と水素引き抜き型のものが知られているが、本発明の組成物に用いる光ラジカル重合開始剤は、当技術分野で公知のものから任意に選択して用いることができ、特に特定のものに限定されない。光ラジカル重合開始剤の例としては、アセトフェノン、p-アニシル、ベンジル、ベンゾイン、ベンゾフェノン、2-ベンゾイル安息香酸、4,4’-ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4’-ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、4-ベンゾイル安息香酸、2,2’-ビス(2-クロロフェニル)-4,4’,5,5’-テトラフェニル-1,2’-ビイミダゾール、メチル2-ベンゾイルベンゾエート、2-(1,3-ベンゾジオキソール-5-イル)-4,6-ビス(トリクロロメチル)-1,3,5-トリアジン、2-ベンジル-2-(ジメチルアミノ)-4’-モルホリノブチロフェノン、(±)-カンファーキノン、2-クロロチオキサントン、4,4’-ジクロロベンゾフェノン、2,2-ジエトキシアセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノン、2,4-ジエチルチオキサンテン-9-オン、ジフェニル(2,4,6-トリメチルベンゾイル)ホスフィンオキシド、エチル(2,4,6-トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィネート、1,4-ジベンゾイルベンゼン、2-エチルアントラキノン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオフェノン、2-ヒドロキシ-4’-(2-ヒドロキシエトキシ)-2-メチルプロピオフェノン、2-イソプロピルチオキサントン、リチウム フェニル(2,4,6-トリメチルベンゾイル)ホスフィナート、2-メチル-4’-(メチルチオ)-2-モルホリノプロピオフェノン、2-イソニトロソプロピオフェノン、2-フェニル-2-(p-トルエンスルホニルオキシ)アセトフェノン、及びフェニルビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)ホスフィンオキシドなどが挙げられるがこれらに限定されない。また、光ラジカル重合開始剤として上記化合物の他に、Omnirad 651, 184, 1173, 2959, 127, 907, 369, 369E, 及び379EG(アルキルフェノン系光重合開始剤、IGM Resins B.V.社)、Omnirad TPO H, TPO-L,及び819(アシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤、IGM RESINS B.V.社)、Omnirad MBF及び754(分子内水素引き抜き型光重合開始剤、IGM Resins B.V.社)、Irgacure OXE01及びOXE02(オキシムエステル系非会重合開始剤、BASF社)などの開始剤を挙げることができる。
本発明の組成物に含まれる成分(A)の量は、組成物全体の40質量%以上であり、特に好ましくは50質量%以上である。また、組成物中の成分(A)と成分(B)の比は、質量比で、成分(A):成分(B)が(50〜99):(1〜50)であることが好ましい。すなわち、本発明の組成物中の成分(A)及び成分(B)の合計に占める成分(A)の割合は、50質量%以上であることが好ましく、70質量%以上、特に75質量%以上であることが好ましい。成分(B)の量は、本発明の組成物が所望の特性を示す限り特に限定されないが、一般に、組成物全体の60質量%以下、好ましくは50質量%以下、特に好ましくは30質量%以下、特に25質量%以下であり、かつ組成物全体の7%以上、好ましくは10質量%以上、さらに好ましくは15質量%以上である。
上記成分に加えて、所望によりさらなる添加剤を本発明の組成物に添加してもよい。添加剤としては、以下に挙げるものを例示できるが、これらに限定されない。
本発明の組成物には、組成物に接触している基材に対する接着性や密着性を向上させるために接着促進剤を添加することができる。本発明の硬化性組成物をコーティング剤、シーリング材などの、基材に対する接着性又は密着性が必要な用途に用いる場合には、本発明の硬化性組成物に接着性付与剤を添加することが好ましい。この接着促進剤としては、本発明の組成物の硬化反応を阻害しない限り、任意の公知の接着促進剤を用いることができる。
本発明の組成物には、上述した接着性付与剤に加えて、あるいは接着性付与剤に代えて、所望によりその他の添加剤を添加してもよい。用いることができる添加剤としては、レベリング剤、上述した接着性付与剤として挙げたものに含まれないシランカップリング剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、重合禁止剤、フィラー(補強性フィラー、絶縁性フィラー、および熱伝導性フィラー等の機能性フィラー)などが挙げられる。必要に応じて、適切な添加剤を本発明の組成物に添加することができる。また、本発明の組成物には必要に応じて、特にポッティング剤又はシール材として用いる場合には、チキソ性付与剤を添加してもよい。
本発明の紫外線硬化性オルガノポリシロキサン組成物から得られる硬化物は低い誘電率を有することができ、その比誘電率は3.0以下、好ましくは2.9以下であることができる。
本発明の紫外線硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、紫外線による硬化だけでなく、電子線を用いて硬化させることもでき、それも本発明の一つの態様である。
回転粘度計(トキメック株式会社製のE型粘度計VISCONIC EMD)を使用して、25℃における粘度(mPa・s)を測定した。
下記表1に記載した量の各材料を褐色プラスチック製容器に入れ、プラネタリーミキサーを使用して良く混合した。触媒マスターバッチC1を含有する組成物では、減圧下でトルエンを留去して、硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
表面がITO(インジウムスズオキシド)で被覆されたガラス基板(50×50mm2;厚さ0.75mm)の一部をポリイミドテープでマスクした。この基板上に、約0.5mLの硬化性オルガノポリシロキサン組成物を滴下し、スピンコーター(ミカサ株式会社製;1H−360S)にてコーティング層を形成した。その際、硬化性組成物の硬化後のコーティング層の厚さが10〜20μmになるように、スピンコーターの回転速度を調節した。得られたコーティングに、365nmのLED光を1J/cm2のエネルギー量で照射することにより、組成物を硬化させて、オルガノポリシロキサン硬化物薄膜を作製した。
作製した硬化物薄膜上にアルミニウム電極を真空蒸着法で作製した。マスクしたポリイミドテープを剥がし、キーサイトテクノロジー製4294Aプレシジョンインピーダンス・アナライザにて室温、100KHzにおける静電容量を測定した。測定した静電容量の値と、別途測定した硬化物薄膜の厚さ、及び電極面積の値を用いて、比誘電率を算出した。
内容積500mLの三つ口フラスコにデシルトリメトキシシラン75.0g、テトラヒドロフラン350mLを投入し、均一溶液とし、この溶液に水酸化カリウム0.29g及び水7.6gからなる水溶液をゆっくり添加した。反応混合物を、攪拌下75℃にて6時間加熱還流した。冷却後、混合物を中和し、揮発成分を減圧下除去することにより、かご状分子構造を有するデシル置換ポリシルセスキオキサンを調製した。単離収率は98%であった。ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法で分析した結果、このポリシルセスキオキサンの、ポリスチレン換算におけるMwは、2340であり、Mnは、2250であり、Mw/Mnは1.04であった。また、ケイ素29核磁気共鳴(29Si−NMR)法で分析した結果、このポリシルセスキオキサンの全シロキサン構造単位における部分開裂構造単位の割合は7モル%であった。
製造例B1において用いたデシルトリメトキシシラン75.0gに代えてビニルトリメトキシシラン55.0gとヘキセニルトリメトキシシラン25.3gの混合物を用い、テトラヒドロフランの量を375mL、水酸化カリウムの量を0.19g、水の量を13.6gとした以外は製造例B1と同様に反応を行い、かご状分子構造を有するヘキセニル及びビニル置換ポリシルセスキオキサンを調製した。単離収率は98%であった。ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法で分析した結果、このポリシルセスキオキサンの、ポリスチレン換算におけるMwは、1400であり、Mnは、1160であり、Mw/Mnは1.20であった。また、炭素13核磁気共鳴(13C−NMR)法で分析した結果、このポリシルセスキオキサンのビニル基とヘキセニル基のモル比は6/2であり、また、ケイ素29核磁気共鳴(29Si−NMR)法で分析した結果、全シロキサン構造単位における部分開裂構造単位の割合は7モル%であった。
製造例B1において用いたデシルトリメトキシシラン75.0gに代えてヘキセニルトリメトキシシラン75.1gを用い、水酸化カリウムの量を0.20g、水の量を10.1gとした以外は製造例B1と同様に反応を行い、かご状分子構造を有するヘキセニル置換ポリシルセスキオキサンを調製した。単離収率は98%であった。ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法で分析した結果、このポリシルセスキオキサンの、ポリスチレン換算におけるMwは、1790であり、Mnは、1720であり、Mw/Mnは1.04であった。また、ケイ素29核磁気共鳴(29Si−NMR)法で分析した結果、このポリシルセスキオキサンの全シロキサン構造単位における部分開裂構造単位の割合は7モル%であった。
デシルトリメトキシシラン75.0gの代わりに、ヘキシルトリメトキシシラン67.71g、3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン11.55gの混合物を用い、水酸化カリウム0.29gの代わりに50質量%水酸化セシウム水溶液0.90gを用い、さらに、水の量を10.3gにした以外は製造例B1と同様に反応を行い、かご状分子構造を有するヘキシルおよび3,4-エポキシシクロヘキシルエチル置換ポリシルセスキオキサンを調製した。単離収率は100%であった。同様にGPC法で分析した結果、このポリシルセスキオキサンの、ポリスチレン換算におけるMwは、1430であり、Mnは、1310であり、Mw/Mnは1.09であった。また、炭素13核磁気共鳴(13C−NMR)法で分析した結果、このポリシルセスキオキサンのヘキシル基と3,4-エポキシシクロヘキシルエチル基のモル比は7/1であり、また、29Si−NMR法で分析した結果、全シロキサン構造単位における部分開裂構造単位の割合は7モル%であった。
下記の各成分を用いて、表1に示す組成(質量部)の紫外線硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
(A1)(EpMe2Si)2O
(A2)(Me2MalSiO1/2)2(Me2SiO2/2)10で表され、粘度が74mPa・sであるマレイミド官能性ポリシロキサン
(A3)(EpMe2SiO)4Si
(B1〜B4)上記製造例で調製したポリシルセスキオキサン
(C1)下記の成分から構成される触媒マスターバッチ−1:(C1a)/(C1b)/(C1c)=49/2/49(質量比)
(C1a)4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウム テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート
(C1b)2−イソプロピルチオキサントン
(C1c)トルエン
(C2)下記の成分から構成される触媒マスターバッチ−2:(C2a)/(C2b)/(C2c)=43.7/27.4/28.9(質量比)
(C2a)エチル(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィネート
(C2b)2,6−ジターシャリーブチル−p−クレゾール
(C2c)1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラビニル−シクロテトラシロキサン
(D)1,2−エポキシ−4−ビニルシクロヘキサン
Claims (14)
- (A)一分子中に平均して2個以上の紫外線硬化性官能基を有する1種以上のオルガノシロキサン及び/又はオルガノポリシロキサン、及び
(B)かご状分子構造を有するポリシルセスキオキサン
を含有し、(A)成分の量が、組成物全体の質量の40%以上であり、かつ組成物中に含まれる有機溶剤の量が組成物全体の質量の10%未満である、紫外線硬化性オルガノポリシロキサン組成物。 - 成分(A)が、平均組成式;
RaR’bSiO(4−a―b)/2 (1)
(式中、Rは、紫外線硬化性官能基であり、
R’は、前記紫外線硬化性官能基を除く一価炭化水素基、水酸基、及びアルコキシ基から選ばれる基であり、
a及びbは次の条件:1≦a+b≦3及び0.001≦a/(a+b)≦0.33を満たす数である。)
で表される直鎖状、分岐状、又は環状のオルガノポリシロキサン(ただし、(B)成分に該当するものを除く)であり、
(B)のかご状分子構造を有するポリシルセスキオキサンが下記平均単位式(2):
(R9SiO3/2)p(R10SiO3/2)q(O1/2Rb)r (2)
(式中、R9はそれぞれ独立に、非置換又はフッ素で置換された一価炭化水素基であり;R10は紫外線硬化性官能基であり;Rbはそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、又は炭素数5〜20のシクロアルキル基であり;p、q、及びrはそれぞれの単位の数を表し、q及びrはいずれか又は両方が0であってもよい)
で表される請求項1に記載の組成物。 - 成分(A)のオルガノシロキサン又はオルガノポリシロキサンが、下記式(3):
平均単位式:
(R3SiO1/2)a(R2SiO2/2)b(RSiO3/2)c(SiO4/2)d (4)
(式中、Rは、それぞれ独立に、紫外線硬化性官能基及び非置換又はフッ素で置換された一価炭化水素基から選ばれる基であり、全てのRのうち、少なくとも2個は紫外線硬化性官能基であり、(c+d)は正数であり、aは0又は正数であり、bは0〜100の範囲内の数である。)
で表されるオルガノポリシロキサン、及びそれらから任意に選択される2種以上のオルガノシロキサン及び/又はオルガノポリシロキサンの混合物からなる群から選択される、紫外線硬化性官能基を有する1種類以上のオルガノポリシロキサンである、請求項1又は2に記載の組成物。 - 成分(B)の式(2)のR9がそれぞれ独立に、炭素数2〜20の非置換又はフッ素で置換されたアルキル基及び炭素数2〜20のアルケニル基からなる群から選択される、請求項2又は3に記載の組成物。
- 有機溶剤の量が組成物全体の質量の1.0%未満であるか又は有機溶剤を含まない、請求項1〜4のいずれか一項に記載の組成物。
- 成分(A)の紫外線硬化性官能基の数が、一分子当たり平均して2〜4個である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の組成物。
- 成分(A)の紫外線硬化性官能基が、エポキシ基含有基及びマレイミド基含有基から選択される基である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の組成物。
- 成分(B)のポリシルセスキオキサンが、ケイ素原子に結合した紫外線硬化性官能基を有しない、請求項1〜7のいずれか一項に記載の組成物。
- 成分(B)のポリシルセスキオキサンが、1分子当たり平均してケイ素原子の数が8〜20であり、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法で測定したポリスチレン換算における数平均分子量が500〜3,000の範囲であり、分子量分散度(Mw/Mn)が1.0〜1.5である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の組成物。
- 成分(A)と成分(B)の質量比が(50〜99):(1〜50)(成分(A):成分(B))である、請求項1〜9のいずれか一項に記載の組成物。
- 組成物の粘度が25℃において5〜1,000mPa.sの範囲であり、硬化後の硬化物の比誘電率が3.0以下である、請求項1〜10のいずれか一項に記載の組成物。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載の組成物を含む、絶縁性コーティング剤。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載の組成物の硬化物を絶縁性コーティング層として使用する方法。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載の組成物の硬化物からなる層を含む表示装置。
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