JPWO2020045074A1 - 分離膜シート、分離膜エレメント、分離膜モジュール、及び、分離膜シートの製造方法 - Google Patents

分離膜シート、分離膜エレメント、分離膜モジュール、及び、分離膜シートの製造方法 Download PDF

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Abstract

分離膜シートは、特定の流体成分を選択的に透過するものであって、第1多孔層と、第1多孔層上に積層される樹脂組成物層とを含む。樹脂組成物層は、濾過残渣分率が20%以上90%以下であり、イオン性基又はその塩を有する樹脂を含み、濾過残渣における乾燥樹脂1g当たりのイオン交換容量が1ミリモル当量以上である。

Description

本発明は、分離膜シート、分離膜エレメント、分離膜モジュール、及び、分離膜シートの製造方法に関する。
水素や尿素等を製造するプラントで合成される合成ガス、天然ガス、排ガス等から二酸化炭素等の酸性ガスを分離するプロセスとして、省エネルギー化を実現することができることから、酸性ガス膜分離プロセスが近年注目されている。酸性ガス膜分離プロセスでは、ゲル層を有する酸性ガス分離膜シートを用いることが知られている(例えば、特開平7−275672号公報(特許文献1)、特開2013−27841号公報(特許文献2))。
特開平7−275672号公報 特開2013−27841号公報 特開平10−57787号公報 特開2003−251163号公報
本発明は、優れた透過性能及び分離性能(以下、両者をまとめて「透過分離性能」ということがある。)を発揮することができるとともに、優れた透過分離性能を長期間維持することができる分離膜シート、分離膜エレメント、分離膜モジュール、及び、そのような分離膜シートの製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、以下に示す分離膜シート、分離膜エレメント、分離膜モジュール、及び、分離膜シートの製造方法を提供する。
〔1〕 特定の流体成分を選択的に透過する分離膜シートであって、
第1多孔層と、
前記第1多孔層上に積層される樹脂組成物層と、を含み、
前記樹脂組成物層は、
濾過残渣分率が20%以上90%以下であり、
イオン性基又はその塩を有する樹脂を含み、濾過残渣における乾燥樹脂1g当たりのイオン交換容量が1ミリモル当量以上である、分離膜シート。
〔2〕 さらに、第2多孔層を有する、〔1〕に記載の分離膜シート。
〔3〕 前記第2多孔層は、前記樹脂組成物層の前記第1多孔層とは反対側に積層されている、〔2〕に記載の分離膜シート。
〔4〕 前記イオン性基は、酸性を示すイオン性基である、〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の分離膜シート。
〔5〕 前記酸性を示すイオン性基は、カルボキシル基である、〔4〕に記載の分離膜シートを含む分離膜エレメント。
〔6〕 前記特定の流体成分は、酸性ガスである、〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載の分離膜エレメント。
〔7〕 前記樹脂組成物層は、さらに、酸性ガスと可逆的に反応する物質を含む、〔6〕に記載の分離膜エレメント。
〔8〕 〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載の分離膜シートを含む分離膜エレメント。
〔9〕 有孔の中心管と、
〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載の分離膜シートを含むエレメント用積層体とを含み、
前記エレメント用積層体は、前記中心管に巻回される、〔8〕に記載の分離膜エレメント。
〔10〕 〔8〕又は〔9〕に記載の分離膜エレメントを少なくとも1基と、
前記分離膜シートに原料流体を供給するための原料流体供給口と、
前記分離膜シートを透過しなかった原料流体を排出するための非透過流体排出口と、
前記分離膜シートを透過した前記特定の流体成分を排出するための透過流体排出口と、を備える、分離膜モジュール。
〔11〕 〔10〕に記載の分離膜モジュールを少なくとも1つ備える、分離装置。
〔12〕 〔10〕に記載の分離膜モジュールを少なくとも1つ備え、
前記原料流体は、水素及び二酸化炭素を含む原料ガスであり、
前記特定の流体成分は、二酸化炭素を含む、水素の製造装置。
〔13〕 特定の流体成分を選択的に透過する分離膜シートの製造方法であって、
第1多孔層上に樹脂組成物層を形成する工程を含み、
前記樹脂組成物層を形成する工程は、前記第1多孔層上に形成された塗布層に対して、照射量が10kGy以上1000kGy未満の電子線を照射する工程を含む、分離膜シートの製造方法。
〔14〕 前記樹脂組成物層は、濾過残渣分率が20%以上90%以下である、〔13〕に記載の分離膜シートの製造方法。
〔15〕 前記樹脂組成物層を形成する工程は、さらに、前記塗布層の前記第1多孔層とは反対側に第2多孔層を積層して積層体を得る工程を有し、
前記電子線を照射する工程は、前記積層体が有する前記塗布層に対して電子線を照射する工程である、〔13〕又は〔14〕に記載の分離膜シートの製造方法。
〔16〕 前記樹脂組成物層は、イオン性基又はその塩を有する樹脂を含み、濾過残渣における乾燥樹脂1g当たりのイオン交換容量が1ミリモル当量以上である、〔13〕〜〔15〕のいずれかに記載の分離膜シートの製造方法。
〔17〕 前記イオン性基は、酸性を示すイオン性基である、〔16〕に記載の分離膜シートの製造方法。
〔18〕 前記酸性を示すイオン性基は、カルボキシル基である、〔17〕に記載の分離膜シートの製造方法。
〔19〕 前記塗布層は、非架橋型重合体を含む、〔13〕〜〔18〕のいずれかに記載の分離膜シートの製造方法。
〔20〕 前記塗布層は、さらに架橋型重合体を含む、〔19〕に記載の分離膜シートの製造方法。
〔21〕 前記特定の流体成分は、酸性ガスである、〔13〕〜〔20〕のいずれかに記載の分離膜シートの製造方法。
〔22〕 前記塗布層は、さらに、酸性ガスと可逆的に反応する物質を含む、〔21〕に記載の分離膜シートの製造方法。
〔23〕 前記塗布層に照射する電子線の照射量は、電子線の照射回数及び照射時間のうちの少なくとも一方によって調整される、〔13〕〜〔22〕のいずれかに記載の分離膜シートの製造方法。
本発明の分離膜シートによれば、優れた透過分離性能を発揮することができるとともに、優れた透過分離性能を長期間維持することができる。
本発明の分離膜シートの一例を示す断面図である。 本発明の分離膜シートを製造するための製造装置の一例を示す概略図である。 本発明の分離膜シートを製造するための製造装置におけるさらなる工程を説明するための概略図である。 本発明の分離膜シートを製造するための製造装置におけるさらなる工程を説明するための概略図である。 分離膜エレメントを展開して示す、一部切欠き部分を設けた概略の斜視図である。 (a)は、分離膜エレメントを示す、一部展開部分を設けた概略の斜視図であり、(b)は、テレスコープ板を設けた分離膜エレメントを示す、一部展開部分を設けた概略の斜視図である。 実施例で用いるガス分離装置の概略図である。 (a)及び(b)は、本発明の分離膜シートを用いた水素の製造装置の一例を模式的に示す構成図である。 (a)及び(b)は、本発明の分離膜シートを用いた水素の製造装置の他の例を模式的に示す構成図である。 (a)及び(b)は、本発明の分離膜シートを用いた水素の製造装置のさらに他の例を模式的に示す構成図である。 (a)及び(b)は、本発明の分離膜シートを用いた水素の製造装置のさらに他の例を模式的に示す構成図である。 (a)及び(b)は、本発明の分離膜シートを用いた水素の製造装置のさらに他の例を模式的に示す構成図である。
(分離膜シート)
本発明の分離膜シートは、特定の流体成分を選択的に透過する分離膜シートであって、第1多孔層と、第1多孔層上に積層される樹脂組成物層と、を含み、樹脂組成物層は、濾過残渣分率が20%以上90%以下である。濾過残渣分率は、後述する手順で測定することができ、25%以上であることが好ましく、30%以上であることがより好ましく、また、80%以下であることが好ましく、75%以下であることがより好ましい。濾過残渣分率が低いと、流体成分の分離を行う過程で、樹脂組成物層の一部又は全部が第1多孔層の孔を通過して欠落することがあり、流体成分の透過性能及び分離性能(以下、両者をまとめて「透過分離性能」ということがある。)の性能寿命が低下する傾向にある。また、残渣濾過率が高いと、樹脂組成物層の柔軟性が低下し、樹脂組成物層と第1多孔層との密着性が低下しやすい傾向にある。
樹脂組成物層は、イオン性基又はその塩を有する樹脂を含む。樹脂が有するイオン性基又はその塩としては、後述する親水性樹脂が有することができるイオン性基又はその塩と同じものを挙げることができる。イオン性基は、酸性を示すイオン性基であることが好ましく、例えば、カルボキシル基(−COOH)が好ましい。
樹脂組成物層は、濾過残渣における乾燥樹脂1g当たりのイオン交換容量が1ミリモル当量以上である。上記イオン交換容量は、1.02ミリモル当量以上であることが好ましく、1.04ミリモル当量以上であることがさらに好ましく、1.1ミリモル当量以上であってもよく、1.2ミリモル当量以上であってもよく、1.3ミリモル当量以上であってもよく、1.4ミリモル当量以上であってもよく、1.5ミリモル当量以上であってもよく、3ミリモル当量以上であってもよく、通常、30ミリモル当量以下であり、10ミリモル当量以下であってもよく、5ミリモル当量以下であってもよい。イオン交換容量は、樹脂単位重量当たりのイオン性基の数であり、樹脂組成物層に含まれる樹脂の乾燥樹脂1g当たりに含有されるイオン性基の当量数として定められ、後述する実施例に記載の方法で測定することができる。なお、乾燥樹脂とは、樹脂を媒質(例えば、水)の沸点以上の温度に保持し、重量の減少がほとんどなくなり重量の経時変化がほぼ一定に収束した樹脂をいう。
分離膜シートは、第2多孔層を有することができる。第2多孔層は、樹脂組成物層の第1多孔層とは反対側に、樹脂組成物層と接するように又は他の層を介して、積層されていてもよく、第1多孔層の樹脂組成物層とは反対側に、第1多孔層と接するように又は他の層を介して、積層されていてもよい。第1多孔層及び第2多孔層としては、後述する構造を有するものや、後述する材料で形成されたものを用いることができる。
分離膜シートが選択的に透過する流体成分としては、気体や液体を挙げることができる。分離膜シートは、例えば後述する酸性ガスを選択的に透過する分離膜シートや、特定のイオンを選択的に透過する分離膜シート等として用いることができる。上記の分離膜シートによれば、優れた透過分離性能を発揮することができるとともに、優れた透過分離性能を長期間維持することができる。
(分離膜シートの製造方法)
本発明の分離膜シートの製造方法は、特定の流体成分を選択的に透過する分離膜シートの製造方法であって、第1多孔層上に樹脂組成物層を形成する工程を含み、樹脂組成物層を形成する工程は、第1多孔層上に形成された塗布層に対して、照射量が10kGy以上1000kGy未満の電子線を照射する工程を含む。電子線の照射量は、14kGy以上であることが好ましく、18kGy以上であることがより好ましく、20kGy以上であることがさらに好ましく、また、800kGy以下であることが好ましく、600kGy以下であることがより好ましく、500kGy以下であることがさらに好ましい。電子線の照射量が上記の範囲内であることにより、樹脂組成物層の濾過残渣分率を20%以上90%以下に調整しやすい。また、電子線の加速電圧は、通常10keV以上500keV以下であり、100keV以上300keV以下であることが好ましい。
樹脂組成物層を形成する工程は、さらに、塗布層の第1多孔層とは反対側に第2多孔層が積層された積層体を得る工程を有し、電子線を照射する工程は、積層体が有する塗布層に対して電子線を照射する工程であってもよい。樹脂組成物層は、上記したように、酸性を示すイオン性基又はその塩を含む樹脂を含んでいてもよい。
塗布層は、後述するように、第1多孔層に塗布液を塗布して形成することができ、非架橋型重合体を含んでいてもよく、さらに架橋型重合体を含んでいてもよい。塗布液は、樹脂組成物層を形成するためのものであって、樹脂組成物層に含まれる樹脂となり得る塗布液用重合体と媒質とを含み、必要に応じて、流体成分と可逆的に反応する物質や界面活性剤等を含んでいてもよい。塗布液用重合体、媒質、流体成分と可逆的に反応する物質、界面活性剤等については、例えば後述するものを用いることができる。
以下、分離膜シートが酸性ガス分離膜シートである場合を例に挙げて、図面を参照しながら説明する。
(酸性ガス分離膜シート)
図1は、分離膜シートの一例を示す断面図である。本発明の分離膜シートの一例である酸性ガス分離膜シートは、図1に示すように、
酸性ガス(特定の流体成分)を選択的に透過する酸性ガス分離膜シート10(分離膜シート)であって、
第1多孔層11と、
親水性樹脂(樹脂)を含む層であって、第1多孔層11上に積層される親水性樹脂組成物層15(樹脂組成物層)と、を含み、
親水性樹脂組成物層15は、濾過残渣分率が20%以上90%以下であるものである。親水性樹脂組成物層15は、イオン性基又はその塩を有する樹脂を含み、濾過残渣における乾燥樹脂1g当たりのイオン交換容量は、1ミリモル当量以上である。
酸性ガス分離膜シート10は、図1に示すように、第1多孔層11上に親水性樹脂組成物層15が設けられたものであってもよいが、親水性樹脂組成物層15の第1多孔層11とは反対側に、さらに第2多孔層12を有するものであってもよい。また、親水性樹脂組成物層は、酸性ガスと可逆的に反応する物質(以下、「酸性ガスキャリア」ということがある。)を含んでいてもよい。
酸性ガス分離膜シート10は、原料ガス(原料流体)から酸性ガスを分離するために、酸性ガスを選択的に透過する酸性ガス選択透過性を有する。酸性ガスとは、二酸化炭素(CO)、硫化水素(HS)、硫化カルボニル、硫黄酸化物(SO)、窒素酸化物(NO)、塩化水素等のハロゲン化水素等をいう。また、原料ガスとは、後述するガス分離膜エレメントに供給されるガスをいい、原料ガスは少なくとも酸性ガスを含む。
酸性ガス分離膜シート10では、親水性樹脂組成物層15における溶解拡散機構と促進輸送機構とにより、酸性ガスの高い選択透過性を実現することができる。溶解拡散機構とは、原料ガスに含まれるガス成分の膜材への溶解度の差と、原料ガスに含まれるガス成分の膜中の拡散係数の差とを利用して、酸性ガスを分離する機構である。また、促進輸送機構とは、原料ガスに含まれる酸性ガスと、膜材中に含まれる酸性ガスキャリアとが反応生成物を形成して酸性ガスの透過を促進する機構である。
下記反応式(1)は、酸性ガスがCOであり、酸性ガスキャリア(COキャリア)として炭酸セシウム(CsCO)を使用した場合における、COとCOキャリアとの反応を示している。なお、反応式(1)中の記号「⇔」は、この反応が可逆反応であることを示している。
CO+CsCO+HO⇔2CsHCO (1)
上記反応式(1)に示すように、COとCOキャリアとの可逆反応には水分が必要である。すなわち、酸性ガスがCOである酸性ガス分離膜シート10では、上記反応式(1)に示すように、膜材中の水分によって酸性ガスの透過量が変化し、膜材中の水分が高いほど酸性ガスの透過量が多くなる。
(親水性樹脂組成物層)
親水性樹脂組成物層15は、親水性樹脂を含むゲル状の層であってよい。親水性樹脂組成物層15は、酸性ガスキャリアを含んでいてもよく、必要に応じて、親水性樹脂や酸性ガスキャリア以外の添加剤を含んでいてもよい。
親水性樹脂組成物層15の濾過残渣分率は、20%以上であり、25%以上であることが好ましく、30%以上であることがより好ましく、また、90%以下であり、80%以下であることが好ましく、75%以下であることがより好ましい。濾過残渣分率が上記の範囲内であると、酸性ガス分離膜シート10を用いたガス分離膜エレメントを、例えば温度140℃、湿度94%RHといった高温かつ高湿な運転条件下で使用した場合にも、酸性ガスの透過性能(パーミアンス)及び分離性能(以下、両者をまとめて「ガス透過分離性能」ということがある。)に優れたものとすることができ、また、この優れたガス透過分離性能を長期にわたって維持することができるという優れた性能寿命を実現することができる。
これに対し、濾過残渣分率が低いと、酸性ガス分離膜シート10を用いてガス分離を継続的に行う過程で、親水性樹脂組成物層15の一部又は全部が第1多孔層11の孔を通過して欠落することがあり、ガス透過分離性能の性能寿命が低下する傾向にある。また、残渣透過率が高いと、親水性樹脂組成物層15の柔軟性が低下し、親水性樹脂組成物層15と第1多孔層11との密着性が低下しやすい。そのため、酸性ガス分離膜シート10をガス分離膜エレメントに用いる場合の加工工程等において受ける機械的負荷により、酸性ガス分離膜シート10が損傷しやすく、ガス透過分離性能が低下する傾向にある。
濾過残渣分率は、次に示す手順で測定された値を用い、下記式(I)に基づいて算出される値である。すなわち、
(1)酸性ガス分離膜シート10から5cm×5cmの大きさで切り出したサンプルを、温度20℃の水50mLに浸漬し、親水性樹脂組成物層15を十分に水中に分散させて親水性樹脂組成物分散水を得る。
(2)親水性樹脂組成物分散水を60メッシュの濾材(材質:ナイロン66PA、線径:165μm、目開き:258μm;例えば、東京スクリーン社からナイロンメッシュNB60(商品名)として入手可能)を用いて、撹拌及び加圧を行わない自然濾過を行い、濾過開始5min後の濾過残渣及び濾過液を得る。
(3)得られた濾過残渣及び濾過液を温度100℃の減圧オーブン(例えば、アズワン社製、商品名:真空乾燥器AVO−250N)で24hr真空乾燥させた後、真空乾燥後の濾過残渣及び濾過液の重量を測定し、固形分重量[g]とする。
(4)得られた固形分重量に基づき、下記式(I):
濾過残渣分率[%]={濾過残渣の固形分の重量[g]÷(濾過残渣の固形分の重量[g]+濾過液の固形分の重量[g])}×100 (I)
に基づいて、濾過残渣分率を算出する。
親水性樹脂組成物層15は、濾過残渣における乾燥樹脂1g当たりのイオン交換容量が1ミリモル当量以上である。親水性樹脂組成物層15に含まれる樹脂は、酸性ガス分離膜シートにおいて、酸性ガスの透過に必要となる保水性を得る観点からイオン性基又はその塩を有し、親水性樹脂組成物層15に含まれる親水性樹脂がイオン性基又はその塩を有することが好ましい。親水性樹脂組成物層15の上記イオン交換容量は、1.02ミリモル当量以上であることが好ましく、1.04ミリモル当量以上であることがさらに好ましく、1.1ミリモル当量以上であってもよく、1.2ミリモル当量以上であってもよく、1.3ミリモル当量以上であってもよく、1.4ミリモル当量以上であってもよく、1.5ミリモル当量以上であってもよく、3ミリモル当量以上であってもよく、通常、30ミリモル当量以下であり、10ミリモル当量以下であってもよく、5ミリモル当量以下であってもよい。
上記イオン交換容量は、親水性樹脂組成物層15の濾過残渣の乾燥樹脂1g当たりに含有されるイオン性基の当量数として定められ、後述する実施例に記載の方法で測定することができる。なお、乾燥樹脂とは、濾過残渣を水の沸点以上の温度に保持し、重量の減少がほとんどなくなり重量の経時変化がほぼ一定に収束した樹脂をいう。
親水性樹脂組成物層15に含まれる樹脂が有することができるイオン性基としては、酸性を示すイオン性基(すなわち、カチオン交換性イオン交換基)又は塩基性を示すイオン性基(すなわち、アニオン交換性イオン交換基)が挙げられるが、必要な保水性を得る観点から、酸性を示すイオン性基(カチオン交換性イオン交換基)を有することが好ましい。親水性樹脂組成物層15に含まれる樹脂が有することができる酸性を示すイオン性基としては、例えば、カルボキシル基(−COOH)、スルホ基(−SOH)、ホスホノ基(−PO)、スルホニルイミド基(−SONHSO )、フェノール性水酸基等を挙げることができる。イオン性基の塩とは、例えば−COONaのように、イオン性基の一部あるいは全てが、金属イオンや4級アンモニウムイオン等で交換されて塩を形成している基である。濾過残渣における乾燥樹脂1g当たりのイオン交換容量が1ミリモル当量以上である樹脂は、上記で例示したイオン性基又はその塩を有しており、その数が上記のイオン交換容量を充足し得る重合体であることが好ましく、イオン性基がカルボキシル基であることがより好ましい。
これらのイオン性基は、重合体の主鎖及び側鎖のいずれか一方、又は両方に導入されていてもよいが、主鎖へ導入されていることが好ましい。ここで、重合体の主鎖とは、重合体における最長の鎖を意味する。通常、この鎖は共有結合により相互に結合した炭素原子から構成されていて、その際、この鎖は、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等により中断されていてもよい。
上記したように、親水性樹脂組成物層15に含まれる樹脂は、イオン性基がカルボキシル基である重合体であることが好ましい。カルボキシル基を有する重合体としては、重合体の主鎖又は側鎖をなす炭素原子のうち、カルボキシル基を有する炭素原子に当該カルボキシル基以外の置換基を有さない構造単位を含むことが好ましく、具体的には、アクリル酸又はその誘導体に由来する構造単位を有することが好ましい。このようなカルボキシル基を有する重合体としては、アクリル酸、イタコン酸、クロトン酸等の単量体から重合される重合体が挙げられ、具体的には、ポリアクリル酸、ポリイタコン酸、ポリクロトン酸、アクリル酸−メタクリル酸共重合体、アクリル酸−メタクリル酸メチル共重合体等が挙げられる。なかでも、アクリル酸の重合体であるポリアクリル酸、アクリル酸とメタクリル酸の重合体であるアクリル酸−メタクリル酸共重合体が好ましく、ポリアクリル酸がより好ましい。これらの重合体は、分子間又は分子内に架橋構造を有していてもよい。
なお、特開平10−57787号公報(特許文献3)に記載のビニルアルコール系重合体や、特開2003−251163号公報(特許文献4)に記載のポリイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアミドイミド等の高分子化合物は、上記のイオン性基を有していない。
また、親水性樹脂組成物層15は、後述するように、非架橋型重合体や架橋型重合体等の塗布液用重合体を含む塗布液を塗布して形成することができるが、親水性樹脂組成物層15をなす樹脂は、塗布液用重合体に架橋剤を用いることなく架橋構造を導入して得られたものとすることができる。
親水性樹脂組成物層15をなす樹脂のイオン交換容量を上記の範囲とする方法としては、電子線照射により架橋構造を導入する場合には、塗布液を調製する際に用いる塗布液用重合体のイオン性基の量を調整する方法を挙げることができる。
酸性ガスキャリアは、親水性樹脂を含む親水性樹脂組成物層15内に存在し、親水性樹脂組成物層15内に存在する水に溶解した酸性ガスと可逆的に反応することにより、酸性ガスを選択的に透過させることができる。親水性樹脂組成物層15内には、酸性ガスキャリアとして、酸性ガスと可逆的に反応する物質が少なくとも一つ含まれていることが好ましい。酸性ガスキャリアの具体例としては、酸性ガスが二酸化炭素の場合、アルカリ金属炭酸塩やアルカリ金属重炭酸塩、アルカノールアミン(例えば、特許第2086581号(特公平7−102310号公報)等に記載)、及びアルカリ金属水酸化物(例えば、国際公開公報2016/024523号等に記載)等が、酸性ガスが硫黄酸化物の場合、硫黄含有化合物や、アルカリ金属のクエン酸塩、及び遷移金属錯体(例えば、特許第2879057号公報等に記載)等が、酸性ガスが窒素酸化物の場合、アルカリ金属亜硝酸塩や、遷移金属錯体(例えば、特許第2879057号公報等に記載)等が、それぞれ挙げられる。
親水性樹脂組成物層15には、親水性樹脂、酸性ガスキャリアのほかに、例えば酸性ガスの水和反応触媒や後述する界面活性剤等が添加剤として含まれていてもよい。酸性ガスの水和反応触媒は、酸性ガスとキャリアとの反応速度を向上させることができる。酸性ガスの水和反応触媒としては、オキソ酸化合物を含むことが好ましく、14族元素、15族元素、及び16族元素からなる群より選択される少なくとも1つの元素のオキソ酸化合物を含むことがより好ましく、亜テルル酸化合物、亜セレン酸化合物、亜ヒ酸化合物、及びオルトケイ酸化合物からなる群より選択される少なくとも1つを含むことがさらに好ましい。
親水性樹脂組成物層15の厚みは、酸性ガス分離膜シート10に必要な分離性能によって適宜選択すればよいが、通常、0.1μm〜600μmの範囲であることが好ましく、0.5μm〜400μmの範囲であることがより好ましく、1μm〜200μmの範囲であることが特に好ましい。
(第1多孔層及び第2多孔層)
第1多孔層11は、後述するように、親水性樹脂組成物層15を形成するための塗布液が塗布される層であり得る。第1多孔層11は、酸性ガス分離膜シート10において、親水性樹脂組成物層15に供給された原料ガス、特に原料ガスに含まれるガス成分のうち親水性樹脂組成物層15を選択的に透過するガス成分の拡散抵抗とならないように、ガス透過性の高い多孔性を有することができる。第1多孔層11は、1層構造でもよく2層以上の積層構造であってもよい。第1多孔層11は、酸性ガス分離膜シート10の適用が想定されるプロセス条件に応じた耐熱性を有することが好ましい。本明細書において「耐熱性」とは、第1多孔層11等の部材をプロセス条件以上の温度条件下に2時間保存した後においてもこの部材の保存前の形態が維持され、熱収縮或いは熱溶融による、目視で確認し得るカールが生じないことを意味する。
第2多孔層12は、後述するように、第1多孔層11上に形成された親水性樹脂組成物層15の露出面上に積層される層であり得る。第2多孔層12は、酸性ガス分離膜シート10において、親水性樹脂組成物層15に供給された原料ガス、特に原料ガスに含まれるガス成分のうち親水性樹脂組成物層15を選択的に透過するガス成分の拡散抵抗とならないように、ガス透過性の高い多孔性を有することができる。第2多孔層12は、1層構造でもよく2層以上の積層構造であってもよい。第2多孔層12は、酸性ガス分離膜シート10の適用が想定されるプラントでのプロセス条件に応じた耐熱性を有することが好ましい。
第1多孔層11は、疎水性であってもよく、温度25℃における水の接触角が90度以上であってもよく、95度以上であってもよく、100度以上であってもよい。また、第2多孔層12は、疎水性であることが好ましい。具体的には、第2多孔層12は、温度25℃における水の接触角が90度以上であることが好ましく、95度以上であることがより好ましく、100度以上であることがさらに好ましい。水分を含む原料ガスが酸性ガス分離膜シート10に供給される場合、酸性ガス分離膜シート10が結露することがあり、結露によって生じた水は、親水性樹脂組成物層15にダメージを与える可能性がある。しかし、第1多孔層11及び第2多孔層12が疎水性であることにより、結露によって生じた水が親水性樹脂組成物層15に浸透し、親水性樹脂組成物層15にダメージを与えることを抑制することができる。水の接触角は、接触角計(例えば、協和界面科学(株)製;商品名:「DropMaster500」)で測定することができる。
第1多孔層11及び第2多孔層12は、それぞれ樹脂材料を含むことが好ましい。第1多孔層11及び第2多孔層12に含まれる樹脂材料は、例えば、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)等のポリオレフィン系樹脂;ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、ポリフッ化ビニル(PVF)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)等の含フッ素樹脂;ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル樹脂;ポリスチレン(PS)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポリスルホン(PSF)、ポリアクリロニトリル(PAN)、ポリフェニレンオキシド(PPO)、ポリアミド(PA)、ポリイミド(PI)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、高分子量ポリエステル、耐熱性ポリアミド、アラミド、ポリカーボネート等の樹脂材料等が挙げられる。これらの中でも、撥水性の点から、ポリオレフィン系樹脂又はフッ素含有樹脂であることが好ましい。また、第1多孔層11及び第2多孔層12に含まれる材料は、上記の樹脂材料の他に、金属、ガラス、セラミックス等の無機材料が挙げられ、これら無機材料と上記の樹脂材料との両方を含んでいてもよい。第1多孔層11をなす材料と、第2多孔層12をなす材料とは、それぞれ同じ材料であってもよく、異なる材料であってもよい。また、第1多孔層11や第2多孔層12が2層以上の積層構造である場合、各層をなす樹脂材料は互いに同じ材料であってもよく、異なる材料であってもよい。
後述する酸性ガス分離膜シート製造方法のように、第1多孔層11上に形成された塗布層に対して電子線を照射して親水性樹脂組成物層15を形成する場合には、照射する電子線の照射量(線量)によって損傷が生じにくい材料を選ぶことが好ましい。特に、酸性ガス分離膜シートを後述するガス分離膜エレメントに用いてガス分離を行う場合には、親水性樹脂組成物層15の透過側に積層される多孔層(第1多孔層11又は第2多孔層)に、電子線照射による損傷が生じにくいことが好ましい。電子線照射により多孔層に皺や亀裂等の損傷が生じると、酸性ガス分離を行う際に酸性ガス分離膜シートに印加される圧力において、親水性樹脂組成物層15にピンホールやクラック等の欠陥が生じる原因となり得る。電子線の照射量が10kGy以上1000kGy未満の場合、上記のような損傷が生じにくい樹脂材料として、ポリオレフィン系樹脂やフッ素含有樹脂等を挙げることができる。
第1多孔層11の厚み及び第2多孔層12の厚みは特に限定されないが、機械的強度の観点からは、それぞれ独立に、10μm〜3000μmの範囲が好ましく、10μm〜500μmの範囲がより好ましく、15μm〜150μmの範囲がさらに好ましい。第1多孔層11の厚みと第2多孔層12の厚みとは、互いに同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。
第1多孔層11の孔の平均孔径及び第2多孔層12の孔の平均孔径は、それぞれ独立に、0.0005μm以上であることが好ましく、0.001μm以上であることがより好ましく、0.005μm以上であることがさらに好ましく、また、10μm以下であることが好ましく、5μm以下であることがより好ましく、1μm以下であることがさらに好ましい。第1多孔層11の空孔率及び第2多孔層12の空孔率は、5%〜99%の範囲が好ましく、30%〜90%の範囲がより好ましい。第1多孔層11の空孔率と第2多孔層12の空孔率とは、互いに同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。
第1多孔層11の孔の最大孔径は、8μm以下であることが好ましく、4μm以下であることがより好ましく、0.8μm以下であることがさらに好ましく、通常、0.005μm以上である。
酸性ガス分離膜シート10は、第1多孔層11や第2多孔層12に強度を付加的に付与すること等を目的として、第1多孔層11及び第2多孔層12の親水性樹脂組成物層15と接しない面にさらに多孔体を積層してもよい。多孔体としては、第1多孔層11及び第2多孔層12と例示した樹脂材料及び無機材料、これら両方の材料を含む不織布又は織布等を好適に用いることができる。
(酸性ガス分離膜シートの製造方法)
以下、酸性ガス分離膜シート10の製造方法の一例について図面を参照しながら説明する。図2〜5は、酸性ガス分離膜シート10を製造するための製造装置の概略図である。酸性ガス分離膜シート10の製造方法は、
第1多孔層11上に親水性樹脂組成物層15を形成する工程を含み、
親水性樹脂組成物層15を形成する工程は、第1多孔層11上に形成された塗布層に対して、照射量が10kGy以上1000kGy未満の電子線を照射する工程(以下、「電子線照射工程」ということがある。)を含み、
親水性樹脂組成物層15は、親水性樹脂を含む。親水性樹脂組成物層15の濾過残渣における乾燥樹脂1g当たりのイオン交換容量は、1ミリモル当量以上であってもよい。
電子線照射工程では、塗布層に対して照射する電子線を、塗布層側から照射してもよく、第1多孔層11側から照射してもよい。
親水性樹脂組成物層15を形成する工程は、第1多孔層11に塗布液を塗布し、液層を形成する工程(以下、「液層形成工程」ということがある。)を含んでいてもよい。液層は、第1多孔層11上の塗布液から媒質の少なくとも一部を除去する乾燥工程を経て形成されていてもよく、この乾燥工程により塗布層が形成されてもよい。
親水性樹脂組成物層15を形成する工程は、さらに、塗布層の第1多孔層11とは反対側に第2多孔層12が積層された積層体18を得る工程を有していてもよい。この場合、電子線照射工程では、塗布層に対して照射する電子線を、第1多孔層11側から照射してもよく、第2多孔層12側から照射してもよい。
積層体18を得る工程は、液層形成工程の後に、液層の第1多孔層11とは反対側に第2多孔層12を積層して積層体18を形成する工程(以下、「積層工程」ということがある。)を含んでいてもよい。また、積層工程は、第2多孔層12が積層された液層を乾燥する追乾燥工程を有していてもよく、この追乾燥工程により塗布層を形成してもよい。
酸性ガス分離膜シート10は、図2に示すように、第1多孔層11をロール状に巻取った第1多孔層巻回体11aから巻出し、また、第2多孔層12をロール状に巻取った第2多孔層巻回体12aから巻出して、これらを連続的に搬送しながら積層体18を得、この積層体18をロール状に巻取る、いわゆるロールトゥロール(Roll to Roll)方式で製造されることが好ましい。
(親水性樹脂組成物層15を形成する工程)
親水性樹脂組成物層15を形成する工程は、第1多孔層11上に、親水性樹脂を含む親水性樹脂組成物層15を形成する工程であり、第1多孔層11に塗布液を塗布して液層を形成する液層形成工程を含んでいてもよい。塗布液は、親水性樹脂組成物層15を形成するためのものであって、親水性樹脂組成物層15に含まれる親水性樹脂となり得る塗布液用重合体と媒質とを含み、酸性ガスと可逆的に反応する物質(酸性ガスキャリア)を含んでいてもよい。塗布液は、塗布液用重合体、媒質、酸性ガスキャリア等の原料を、原料組成が変化しない温度、例えば、常温(通常20℃)で混合することによって得ることができる。得られた塗布液は、図2に示すように、原料タンク31に貯留しておくことができる。また、図2に示す原料タンク31を省略し、撹拌タンク32に原料を仕込み混合して、塗布液を準備してもよい。
塗布液用重合体と媒質とを含む塗布液の濾過残渣分率は、特に限定されないが、塗布液の製膜性の観点から、20%未満が好ましく、15%未満がより好ましい。なお、塗布液の濾過残渣分率は、上記した濾過残渣分率の算出方法の(1)中の親水性樹脂組成物層15に代えて塗布液を用いること以外は同様の手順で算出することができる。
塗布液に含まれる塗布液用重合体としては、電子線照射後に濾過残渣における乾燥樹脂1g当たりのイオン交換容量が1ミリモル当量以上となる親水性樹脂組成物層15を形成することができるものを用いることが好ましい。
塗布液用重合体としては、例えば、上記したカルボキシル基を有する重合体を挙げることができる。塗布液用重合体としては、非架橋型重合体や架橋型重合体を挙げることができ、塗布液用重合体は、非架橋重合体と架橋型重合体とを含むことが好ましい。塗布液が架橋型重合体及び非架橋型重合体を含むことにより、塗布液が架橋型重合体のみを含む場合に比較して、塗布液の製膜性を向上することができる。塗布液中の非架橋型重合体の含有量は、架橋型重合体と非架橋型重合体との総重量に対して1wt%以上であることが好ましく、2wt%以上であることがより好ましく、また、99wt%以下であることが好ましく、90wt%以下であることがより好ましく、80wt%以下であることがさらに好ましい。
架橋型重合体としては、カルボキシル基を有する重合体が架橋されたものを挙げることができる。架橋型重合体は、カルボキシル基を有する重合体を架橋剤と反応させて調製してもよいし、カルボキシル基又は加水分解反応にてカルボキシル基となるアルキルエステル基を有する単量体と架橋性単量体とを重合させて調製してもよい。架橋型重合体が有するカルボキシル基は、金属イオンにより中和することで全て又は部分的にカルボキシラートに置き換わっていてもよい。金属イオンとしてはアルカリ金属カチオンが好ましく、中和反応のタイミングとしては、架橋型重合体を調製した後が好ましい。
アルキルエステル基を有する単量体としては、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸へキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸ラウリル等の炭素数1から16のアルキル基を有するアクリル酸アルキルエステル;イタコン酸メチル、イタコン酸エチル、イタコン酸プロピル、イタコン酸ブチル、イタコン酸へキシル、イタコン酸オクチル、イタコン酸ラウリル等の炭素数1から16のアルキル基を有するイタコン酸アルキルエステル;クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、クロトン酸プロピル、クロトン酸ブチル、クロトン酸へキシル、クロトン酸オクチル、クロトン酸ラウリル等の炭素数1から16のアルキル基を有するクロトン酸アルキルエステル等が挙げられる。
架橋性単量体及び架橋剤としては、特に限定はなく、従来公知のものが使用できる。架橋性単量体としては、例えば、ジビニルベンゼン、N,N’−メチレンビスアクリルアミド、トリメチロールプロパントリアリルエーテル、ペンタエリスリトールテトラアリルエーテル等が挙げられる。架橋剤としては、例えば、エポキシ架橋剤、多価グリシジルエーテル、多価アルコール、多価イソシアネート、多価アジリジン、ハロエポキシ化合物、多価アルデヒド、多価アミン、有機金属系架橋剤、金属系架橋剤等が挙げられる。架橋性単量体及び架橋剤としては、耐アルカリ性を有するものが好ましい。架橋方法としては、熱架橋、紫外線架橋、電子線架橋、放射線架橋、光架橋(可視光架橋)等や、特開2003−268009号公報又は特開平7−88171号公報に記載されている方法等、従来公知の手法を採用することができる。架橋型重合体を調製するタイミングとしては、特に限定されないが、酸性ガスキャリアや非架橋型重合体と混合する前に実施することが好ましい。
架橋型重合体は、市販品を使用することができる。ポリアクリル酸の架橋型重合体としては、例えば、アクペック(登録商標、住友精化社製)、サンフレッシュ(登録商標、三洋化成社製)等が挙げられる。
塗布液が架橋型重合体を含む場合、この架橋型重合体の粘度は、500mPa・s以上50000mPa・s未満の範囲であることが好ましい。粘度は、pH7、温度25℃、回転数20rpmの条件下で、架橋型重合体の0.2wt%水溶液をB型粘度計にて測定した値をいう。粘度が低いと、架橋型重合体の耐圧強度が不足して、酸性ガス分離膜シート10の親水性樹脂組成物層15が分離機能層としての機能を成さないおそれがある。一方、粘度が高いと、架橋型重合体の吸水による膨潤が抑制され過ぎて、保水量が小さくなり過ぎるおそれがある。より好ましい粘度は800mPa・s以上45000mPa・s未満の範囲であり、さらに好ましい粘度は1000mPa・s以上40000mPa・s未満の範囲である。
非架橋型重合体としては、酢酸ビニル、アクリル酸及びこれらの誘導体からなる群より選ばれる1種以上の単量体を原料として得られるものを挙げることができる。非架橋型重合体を得るための原料である酢酸ビニル、アクリル酸及びこれらの誘導体からなる群より選ばれる1種以上の単量体としては、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、カプロン酸ビニル、ラウリン酸ビニル、パルミチン酸ビニル、ステアリン酸ビニル、バーサチック酸ビニル等の炭素数2から16の脂肪酸のビニルエステル;アクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸ラウリル等の炭素数1から16のアルキル基を有するアクリル酸アルキルエステル;イタコン酸、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジブチル、イタコン酸ジヘキシル、イタコン酸ジオクチル、イタコン酸ジラウリル等の炭素数1から16のアルキル基を有するイタコン酸ジアルキルエステル;クロトン酸、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、クロトン酸プロピル、クロトン酸ブチル、クロトン酸へキシル、クロトン酸オクチル、クロトン酸ラウリル等の炭素数1から16のアルキル基を有するクロトン酸アルキルエステル;アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。
酢酸ビニル、アクリル酸及びこれらの誘導体からなる群より選ばれる1種以上の単量体を重合して得られる非架橋型重合体としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリイタコン酸、ポリクロトン酸、ポリアクリルアミド、ビニルアルコール−アクリル酸共重合体、アクリル酸−メタクリル酸共重合体、アクリル酸−メタクリル酸メチル共重合体、アクリル酸−アクリルアミド共重合体等が挙げられる。なかでもポリアクリル酸、アクリル酸−メタクリル酸共重合体、ビニルアルコール−アクリル酸共重合体、アクリル酸−アクリルアミド共重合体であるのが好ましく、ポリアクリル酸、アクリル酸−メタクリル酸共重合体であることがより好ましい。これらの非架橋型重合体は、酢酸ビニル、アクリル酸及びこれらの誘導体からなる群より選ばれる1種以上の単量体を重合して得られた重合体を加水分解させることで調製してもよい。
酢酸ビニル、アクリル酸及びこれらの誘導体からなる群より選ばれる1種以上の単量体を重合して得られる非架橋型重合体は、カルボキシル基、ヒドロキシ基及びカルバモイル基からなる群より選ばれる1種以上の官能基を構造単位に有することが好ましい。非架橋型重合体を構成するカルボキシル基、ヒドロキシ基及びカルバモイル基からなる群より選ばれる1種以上の官能基を有する構造単位の合計含有率は、非架橋型重合体を構成する全構造単位の総量に対して50mol%〜100mol%の範囲であることが好ましく、60mol%〜100mol%の範囲であることがより好ましく、70mol%〜100mol%の範囲であることがより好ましい。
非架橋型重合体は、市販品を使用することができる。ポリアクリル酸の非架橋型重合体としては、例えば、アクパーナ(登録商標、住友精化社製)、アクアリック(登録商標、日本触媒社製)等が挙げられる。
塗布液が非架橋型重合体を含む場合、この非架橋型重合体の粘度は、100mPa・s以上1500mPa・s未満の範囲であることが好ましく、架橋型重合体よりも低いものであることが好ましい。粘度は、架橋型重合体と同様の測定条件によって得られるものである。粘度が低いと、製膜性が低下し、親水性樹脂組成物層15の柔軟性が不足するおそれがある。一方、粘度が高いと、非架橋型重合体の合成が難しいおそれがある。より好ましい粘度は150mPa・s以上1200mPa・s未満の範囲であり、さらに好ましい粘度は200mPa・s以上1000mPa・s未満の範囲である。
塗布液に含まれる酸性ガスキャリアとしては、上記したものを用いることができる。また、塗布液に含まれる媒質としては、例えば、水、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール等のアルコール等のプロトン性極性溶媒;トルエン、キシレン、ヘキサン等の無極性溶媒;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶媒;等が挙げられる。媒質は、1種類を単独で用いてもよく、相溶する範囲で2種類以上を併用してもよい。これらの中でも、水、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール等のアルコールからなる群から選択される少なくとも1つが含まれる媒質が好ましく、水が含まれる媒質がより好ましい。
塗布液は、必要に応じて界面活性剤を含んでいてもよい。界面活性剤を塗布液に添加することにより、塗布液を第1多孔層11に塗布したときや、液層上に第2多孔層12を積層したときに、液層と第1多孔層11及び第2多孔層12との界面に界面活性剤が偏在し、第1多孔層11及び第2多孔層12との濡れ性が向上して膜厚のムラ等を改善することができる。界面活性剤としては、特に限定されないが、例えば、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール類、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等の従来公知の界面活性剤を使用することができる。界面活性剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を併用してもよい。塗布液は上記した酸性ガスの水和反応触媒を含んでいてもよい。
塗布液は、架橋剤を含んでいないことが好ましい。ここで、架橋剤を含んでいないとは、塗布液中の塗布液用重合体の総重量に対して、架橋剤の含有量が0.1重量%未満であることをいう。後述するように、親水性樹脂組成物層15は、電子線照射等によって塗布液に含まれる塗布液用重合体に架橋構造を導入することができるため、架橋剤によって重合体に架橋構造を導入しなくてもよい。
親水性樹脂組成物層15を形成する工程における液層形成工程では、例えば図2に示すように、撹拌タンク32中の塗布液をフィルター33を介して脱泡タンク34に送出して塗布液内に含まれる異物や気泡を除去し、さらに温度調整等の必要な処理を行った塗布液を用いて、第1多孔層11への塗布を行うことが好ましい。第1多孔層11への塗布液の塗布は、例えば、大気圧下、温度15〜30℃で行うことができる。脱泡タンク34中の塗布液は、図2に示すように、スロットダイ38を備えた塗布液タンク37に供給される。このとき、塗布液タンク37の底部に、塗布液の出入り口を設けることにより、塗布液タンク37内のガスが、スロットダイ38に供給される塗布液内に混入することを回避することができる。
次いで、液層形成工程では、第1多孔層11をロール状に巻取った第1多孔層巻回体11aから連続的に巻出された第1多孔層11上に、スロットダイ38から塗布液を連続的に塗布する。第1多孔層巻回体11aは、長さ10m以上の第1多孔層11を巻取ったものであることが好ましく、1つのガス分離膜エレメントの製造に必要な酸性ガス分離膜シートの単位長さの整数倍以上であることがより好ましい。
図2では、スロットダイ38を用いて塗布液を塗布する方法を示しているが、塗布液を第1多孔層11に塗布する方法は、これに限定されない。塗布方法としては、例えばスピンコート法、バー塗布、ダイコート塗布、ブレード塗布、エアナイフ塗布、グラビアコート、ロールコーティング塗布、スプレー塗布、ディップ塗布、コンマロール法、キスコート法、スクリーン印刷、インクジェット印刷等を挙げることができる。塗布液の塗布量は、目付け量(単位面積当たりの固形分量)が0.1g/m〜1000g/mの範囲であることが好ましく、0.5g/m〜750g/mの範囲であることがより好ましく、1g/m〜500g/mの範囲であることがさらに好ましい。目付け量の調節は、塗布液の塗布速度(例えば、第1多孔層11の搬送速度)や塗布液の濃度、塗布液の吐出量等で制御することができる。また、塗布液の第1多孔層11への塗布は、ストライプ状やドット状になるようにしてもよい。
塗布される塗布液の温度は、組成や濃度に応じて適宜決定すればよいが、温度が高すぎると、第1多孔層11に塗布された塗布液から媒質が多量に蒸発して組成や濃度が変化したり、親水性樹脂組成物層15に蒸発痕が残ったりするおそれがあるため、15℃以上であることが好ましく、かつ、使用している媒質の沸点よりも5℃以上低い温度範囲が好ましい。例えば、媒質として水を用いた場合には、第1多孔層11に塗布される塗布液の温度は、15℃〜95℃の温度範囲が好ましい。
塗布液が塗布された第1多孔層11は、例えば図2に示す乾燥炉39に搬送されて、媒質の少なくとも一部を除去する乾燥工程を行って液層を形成してもよい。第1多孔層11に塗布された塗布液から媒質を除去する方法は特に限定されないが、加熱された空気等を通風させることによって媒質を蒸発除去させて乾燥させる方法が好ましい。具体的には、例えば、乾燥炉39内を所定温度及び所定湿度に調節し、乾燥炉39内に、塗布液が塗布された第1多孔層11を搬入し、第1多孔層11上の塗布液から媒質を蒸発除去すればよい。
乾燥工程での乾燥条件は、液層上に第2多孔層12を積層する積層工程を有する場合、第2多孔層12を積層する際に好適な液層の媒質含有率となるように選定することが好ましいが、乾燥炉39での乾燥温度は、塗布液に含まれる媒質及び第1多孔層11の種類も考慮して決定することが好ましい。乾燥炉39での乾燥温度は、通常、媒質の凝固点よりも高く、かつ、第1多孔層11をなす材料の融点よりも低い温度とすることが好ましく、一般に60℃〜200℃の範囲が好適である。また、乾燥炉39内を区画分けし、それぞれの区画を異なる温度に設定して乾燥工程を行ってもよい。この場合、出入口部分の区画の温度は中央部分の区画の温度よりも低いことが好ましい。
酸性ガス分離膜シート10の製造方法では、塗布液の塗布と乾燥工程とを2回以上繰り返して、2層以上の液層を形成してもよい。親水性樹脂組成物層15が2層以上の液層を積層して形成されることにより、親水性樹脂組成物層15のムラ等に起因するピンホールの発生を抑制することができる。2層以上の液層を形成する場合、塗布液の組成や塗布量等の塗工条件及び乾燥条件は、各液層において互いに異なっていてもよく、同一であってもよい。
親水性樹脂組成物層15を形成する工程では、乾燥工程に続いて、第1多孔層11上に形成された液層に、第2多孔層12を積層して積層体18を形成する積層工程を行ってもよい。第2多孔層12は、液層の第1多孔層11とは反対側に積層される。積層工程では、例えば図2に示すように、第2多孔層12をロール状に巻取った第2多孔層巻回体12aから連続的に第2多孔層12を巻出し、第1多孔層11上に形成された液層の露出面上に積層して積層体18を形成する。第2多孔層巻回体12aは、長さ10m以上の第2多孔層12を巻取ったものであることが好ましく、1つのガス分離膜エレメントの製造に必要な酸性ガス分離膜シートの単位長さの整数倍以上であることがより好ましい。
積層工程に続いて、この積層体18をロール状に巻取る工程を行い、積層体巻回体18aを形成してもよい。
親水性樹脂組成物層15を形成する工程では、積層工程に続いて積層体18に対して、積層体18中の液層を乾燥する追乾燥工程を行ってもよい。追乾燥工程では、例えば図3に示すように、積層体巻回体18aから積層体18を連続的に巻出し、追乾燥炉49に搬送して積層体18中の液層からさらに媒質を除去して塗布層を形成することができる。追乾燥炉49としては、上記した乾燥炉39と同様のものを用いることができ、追乾燥を行う際の乾燥温度は、塗布液に含まれる媒質と第1多孔層11及び第2多孔層12の種類とに応じて適宜決定すればよい。追乾燥炉49での乾燥温度は、通常、媒質の凝固点よりも高く、かつ、第1多孔層11及び第2多孔層12をなす材料の融点よりも低い温度とすることが好ましく、一般に60℃〜200℃の範囲が好適である。追乾燥炉49から搬出された積層体18は、再びロール状に巻取ることができる。
親水性樹脂組成物を形成する工程で形成された、第1多孔層上の塗布層は、上記した塗布液が塗布されて形成されたものであるため、上記した塗布液用重合体(非架橋型重合体や非架橋型重合体)を含むことができる。
上記では、積層工程に続いて、積層体18をロール状に巻取る巻取り工程を設ける場合を例に挙げて説明したが、積層体18を巻取る工程を行うことなく追乾燥炉に搬送して、追乾燥を行うようにしてもよい。
(電子線照射工程)
電子線照射工程は、第1多孔層11上に形成された塗布層に電子線を照射して、第1多孔層11上に親水性樹脂組成物層15を形成する工程である。電子線照射工程は、例えば図4に示すように、追乾燥工程を経た積層体巻回体18aから積層体18を連続的に巻出し、巻出された積層体18に対して、第2多孔層12側から電子線照射装置59から電子線を照射することにより、塗布層中の塗布液用重合体を、分子内又は分子間で架橋して親水性樹脂組成物層15を形成することができる。
電子線照射による塗布液用重合体の架橋は、塗布液用重合体が有するカルボキシル基等の官能基が関与して架橋構造を形成するものではなく、カルボキシル基等の官能基が結合している炭素原子が別の炭素原子と結合してアルキル鎖を形成して架橋構造を形成するものであると推測される。そのため、上記したように、電子線照射による架橋では、塗布液用重合体に架橋構造を導入する前後(すなわち、電子線照射の前後)において、イオン性基又はその塩となり得る官能基の数が大きく変化することはなく、イオン交換容量もほとんど変化しない。これに対し、架橋剤を用いる場合、重合体が有するカルボキシル基等の官能基が架橋剤と反応して重合体に架橋構造が導入される。そのため、架橋剤による架橋では、架橋構造を導入する前後において、イオン性基又はその塩となり得る官能基の数が変化し、イオン交換容量が大きく変化すると考えられる。
積層体18中の塗布層に照射される電子線の照射量は、10kGy以上であり、14kGy以上であることが好ましく、18kGy以上であることがより好ましく、20kGy以上であることがさらに好ましく、また、1000kGy未満であり、800kGy以下であることが好ましく、600kGy以下であることがより好ましく、500kGy以下であることがさらに好ましい。電子線の照射量が少ないと、親水性樹脂組成物層15の濾過残渣分率を20%以上とすることが困難となり、塗布液用重合体の架橋が十分なものとならず、酸性ガス分離膜シート10のガス透過分離性能が低下する傾向にある。また、電子線の照射量が多いと、親水性樹脂組成物層15の濾過残渣分率を90%以下とすることが困難となり、酸性ガス分離膜シート10をガス分離膜エレメントに用いるために加工する際に、酸性ガス分離膜シート10が損傷しやすく、ガス透過分離性能が低下する傾向にある。
積層体18に対して照射される電子線の加速電圧は、第2多孔層12の厚みにもよるが、通常、10keV以上500keV以下であり、100keV以上300keV以下であることが好ましい。また、電子線照射を行う際の照射雰囲気は特に限定されないが、窒素ガスやアルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガス雰囲気とすることが好ましい。
電子線照射工程では、電子線照射装置59が照射する電子線の線量に応じて、電子線の照射量が上記の範囲内となるように電子線の照射回数や照射時間を調整することにより、電子線の照射量を調整することができる。照射量は、電子線の総量に電子線の照射時間、照射回数を乗じた値である。そのため、電子線照射工程では、上記した照射量となるように、電子線の照射を2回以上に分けて行うようにしてもよい。
電子線照射工程により得られる親水性樹脂組成物層15は、塗布液用重合体のすべてが架橋されたものであってもよく、一部が架橋されたものであってもよい。親水性樹脂組成物層15は、塗布層(塗布液)中に非架橋型重合体を含む場合、この非架橋型重合体の少なくとも一部が分子内又は分子間で電子線架橋されたものであり得、非架橋型重合体の一部が電子線架橋されずに残存していてもよい。塗布層(塗布液)中に、非架橋型重合体とともに架橋型重合体が含まれる場合、親水性樹脂組成物層15に含まれる架橋型重合体は、非架橋型重合体が分子内又は分子間で電子線架橋されたものであってもよく、架橋型重合体が分子内又は分子間で電子線架橋されたものであってもよく、非架橋型重合体と架橋型重合体とが分子間で電子線架橋されたものであってもよく、電子線架橋されていない架橋型重合体や非架橋型重合体が残存していてもよい。
上記では、積層体18の第2多孔層12上から電子線照射を行う場合を例に挙げて説明したが、第1多孔層11上から電子線照射を行ってもよく、第2多孔層12を積層しない場合は、塗布層に直接電子線を照射してもよい。また、上記では、追乾燥工程を経た積層体巻回体から積層体を連続的に巻出して電子線照射を行う場合を例に挙げて説明したが、追乾燥を経た積層体を巻取る工程を行うことなく、電子線照射装置59に搬送して、電子線照射を行ってもよい。
また、上記では、塗布層に電子線照射を行って、塗布液中の塗布液用重合体を架橋する場合を例に挙げて説明したが、架橋方法としては、熱架橋、紫外線架橋、放射線架橋、光架橋(可視光架橋)等を採用してもよく、これらを組み合わせてもよい。また、これらの架橋方法と電子線架橋とを組み合わせて行ってもよい。
(ガス分離膜エレメント)
酸性ガス分離膜シート10は、スパイラル型、平膜型、プリーツ型、プレートアンドフレーム型等の公知のガス分離膜エレメント(分離膜エレメント)に用いることができる。
ガス分離膜エレメントとして、スパイラル型ガス分離膜エレメントを用いる場合を例に挙げて説明する。図5は、スパイラル型のガス分離膜エレメントを展開して示す、一部切欠き部分を設けた概略の斜視図である。また、図6(a)は、ガス分離膜エレメント1(分離膜エレメント)を示す、一部展開部分を設けた概略の斜視図であり、図6(b)は、テレスコープ防止板を設けたガス分離膜エレメントを示す、一部展開部分を設けた概略の斜視図である。
スパイラル型のガス分離膜エレメント1は、
酸性ガスを含む原料ガスが流れる供給側流路部材3と、
供給側流路部材3を流れる原料ガスに含まれる酸性ガスを選択的に分離して透過させる酸性ガス分離膜シート10と、
酸性ガス分離膜シート10を透過した酸性ガスを含む透過ガスが流れる透過側流路部材4と、
原料ガスと透過ガスとの混合を防止するための封止部と、
透過側流路部材4を流れる透過ガスを収集する中心管5と、を有し、
供給側流路部材3と、酸性ガス分離膜シート10と、透過側流路部材4とをそれぞれ少なくとも1以上積層したエレメント用積層体が、中心管5に巻回された巻回体を備えることができる。巻回体は、円筒状、角筒状等の任意の形状であってもよい。
ガス分離膜エレメント1は、さらに、巻回体の巻戻しや巻崩れを防止するために、外周テープや図6(b)に示すテレスコープ防止板55等の固定部材を備えていてもよく、ガス分離膜エレメント1にかかる内圧及び外圧による負荷に対する強度を確保するために、巻回体の最外周にアウターラップ(補強層)を有していてもよい。
供給側流路部材3及び透過側流路部材4は、原料ガス及び酸性ガス分離膜シート10を透過した透過ガスの乱流(膜面の表面更新)を促進して、原料ガス中の透過ガスの膜透過速度を増加させる機能と、供給される原料ガス及び酸性ガス分離膜シート10を透過した透過ガスの圧力損失をできるだけ小さくする機能とを有していることが好ましい。供給側流路部材3及び透過側流路部材4は、原料ガス及び透過ガスの流路を形成するスペーサとしての機能と、原料ガス及び透過ガスに乱流を生じさせる機能とを備えていることが好ましいことから、網目状(ネット状、メッシュ状等)のものが好適に用いられる。網目の単位格子の形状は、網目の形状によりガスの流路が変わることから、目的に応じて、例えば、正方形、長方形、菱形、平行四辺形等の形状から選択されることが好ましい。供給側流路部材3及び透過側流路部材4の材質としては、特に限定されないが、ガス分離膜エレメント1が設けられるガス分離装置の運転温度条件に耐え得る耐熱性を有する材料が好ましい。
封止部は、原料ガスと透過ガスとの混合を防止するために設けられ、例えば透過側流路部材4及び酸性ガス分離膜シート10に封止材料が浸透して硬化することにより形成することができる。封止部は、通常、巻回体の中心管5の軸に平行な方向の両端に位置する端部、及び、中心管5の軸に直交する方向の両端に位置する端部のうち、中心管5と端部との距離が長い側の端部に設けられて、いわゆるエンベロープ状をなすことができる。封止部は、一般に接着剤として用いられる材料を用いることができ、例えば、エポキシ系樹脂等を用いることができる。
ガス分離膜エレメントを用いた酸性ガス分離の効率を向上するために、酸性ガス分離膜シート10を透過した透過ガスと同伴してガス分離膜エレメントから排出されるスイープガスを供給してもよい。この場合に用いるガス分離膜エレメントは、上記で説明したガス分離膜エレメントと、図5に示す中心管5及び透過側流路部材に付加的な構成を設ける点において異なり、他の構成は同じである。スイープガスを供給する場合のガス分離膜エレメントは、中心管5の内部に遮断部材を有し、透過側流路部材4に遮断部材に対応する位置に中心管5に直交する方向に仕切部材を延設することができる。遮断部材及び仕切部材は、ガスの透過を遮断することによりガスの流路を規定するものである。なお、遮断部材を設ける位置は、中心管5の中心付近であってもよいが、中心管5内において、透過側流路部材4に供給されるスイープガスの流路と、透過側流路部材4から回収された透過ガスと、スイープガスの混合ガスの流路とが互いに仕切られるように配置されていれば特に限定されない。スイープガスとしては特に限定されないが、空気、酸素、二酸化炭素、窒素、アルゴン、ヘリウム、及び水蒸気からなる群より選択される少なくとも一つを含むガスを用いることができる。
中心管5は、酸性ガス分離膜シート10を透過した透過ガスを収集して、ガス分離膜エレメント1から排出するための導管である。中心管5は、ガス分離膜エレメント1が設けられるガス分離装置の使用温度条件に耐え得る耐熱性を有し、エレメント用積層体の巻き付けに耐え得る機械的強度を有する材料であることが好ましい。中心管5は、図6に示すように、その外周面に透過側流路部材4で形成される透過ガスの流路空間と中心管5内部の中空空間とを連通させる複数の孔50を有している。
酸性ガス分離膜シート10にスイープガスを供給する場合、ガス分離膜モジュールは、さらに、酸性ガス分離膜シートにスイープガスを供給するためのスイープガス供給口を備えることができる。このスイープガス供給口は、図6に示すガス分離膜エレメントの排出口52とは反対側の中心管5の端部口と連通するように設けられていればよく、例えばガス分離膜エレメントの本体に設けられてもよく、ガス分離膜エレメントを収納するハウジングに設けられてもよい。
ガス分離膜エレメント1はガス分離膜モジュール(分離膜モジュール)に用いることができ、ガス分離膜モジュールは、ガス分離膜エレメント1を1基以上有する。ガス分離膜モジュールは、酸性ガス分離膜シートに原料ガスを供給するための原料ガス供給口(図6に示す供給側端部51と連通する部分)(原料流体供給口)、酸性ガス分離膜シートを透過した透過ガスを排出するための透過ガス排出口(図6に示す排出口52と連通する部分)(透過流体排出口)、及び酸性ガス分離膜シートを透過しなかった原料ガスを排出するための非透過ガス排出口(図6に示す排出側端部53と連通する部分)(非透過流体排出口)を備えている。上記の原料ガス供給口、非透過ガス排出口及び透過ガス排出口は、ガス分離膜エレメントの本体に設けられてもよく、ガス分離膜エレメントを収納する容器(以下、「ハウジング」ということがある。)に設けられてもよい。
ハウジングは、ガス分離膜モジュール内を流通する原料ガスを封入するための空間を形成することができ、例えばステンレス等の筒状部材と、この筒状部材の軸方向両端を閉塞するための閉塞部材とを有していてもよい。ハウジングは、円筒状、角筒状等の任意の筒状形状であってもよいが、ガス分離膜エレメント1は通常、円筒状であることから、円筒状であることが好ましい。また、ハウジングの内部には、供給側端部51に供給される原料ガスと、ガス分離膜エレメント1に備えられた酸性ガス分離膜シート10を透過しなかった非透過ガスとの混合を防止するための仕切りを設けることができる。
ハウジング内に2以上のガス分離膜エレメント1を配置する場合、各ガス分離膜エレメント1に供給される原料ガスは、並列に供給されてもよく、直列に供給されてもよい。ここで、原料ガスを並列に供給するとは、少なくとも原料ガスを分配して複数のガス分離膜エレメントに導入することをいい、原料ガスを直列に供給するとは、少なくとも前段のガス分離膜エレメント1から排出された透過ガス及び/又は非透過ガスを、後段のガス分離膜エレメント1に導入することをいう。
なお、上記では、酸性ガス分離膜シート10を用いてガス分離膜エレメント1やガス分離膜モジュールを得ることについて説明したが、酸性ガスを選択的に透過する酸性ガス分離膜シート10を用いることに代えて、特定の流体成分を選択的に透過する分離膜シートを用いてもよい。特定の流体成分としては、気体や液体を挙げることができる。
(ガス分離装置)
ガス分離装置(分離装置)は、ガス分離膜モジュールを少なくとも1つ備える。ガス分離装置に備えられるガス分離膜モジュールの配列及び個数は、要求される処理量、特定のガスの回収率、ガス分離装置を設置する場所の大きさ等に応じて選択することができる。
(酸性ガス分離膜シートの用途)
上記した酸性ガス分離膜シート10は、酸性ガスが二酸化炭素(CO)である場合、CO及び水蒸気を含む原料ガスからCOと同時に水蒸気も除去することができるため、酸性ガス分離膜シート10を含むガス分離装置は、種々の用途に用いることができる。具体的には、炭化水素の改質を行って得られ、水素の製造等のために用いる改質ガス;燃料電池等で発生する水素の電気化学的酸化反応ガス;バイオマスのメタン発酵等で得られるバイオガス;ボイラ等で発生する燃焼排ガス等に含まれるCOや水蒸気を除去するために、上記した酸性ガス分離膜シート10、ガス分離膜モジュール、ガス分離装置等を用いることができる。
(ガス分離膜モジュールを用いた水素の製造装置及び水素の製造方法)
水素の製造装置は、ガス分離膜モジュール(分離膜モジュール)を少なくとも1つ備えることができる。この場合、ガス分離膜モジュールは、少なくとも水素及び二酸化炭素を含む原料ガス(原料流体)から、二酸化炭素ガスを含むガス成分(特定の流体成分)を選択的に透過させることができる。水素の製造装置に備えられるガス分離膜モジュールは、ガス分離膜モジュールを含むガス分離装置として備えられていてもよい。
ガス分離膜モジュールに供給される原料ガスに含まれる水素は、炭化水素の改質反応により生成した改質ガスに含まれるものであってもよい。この改質ガスから、酸性ガス分離膜シート10を用いてCO及び水蒸気を除去することにより、粗精製水素(水素)を製造することができる。炭化水素の改質反応は、COを用いたCO改質、水蒸気を用いた水蒸気改質、これら2つの改質の組み合わせのいずれかによって行うことができる。そのため、粗精製水素を製造する際に、酸性ガス分離膜シート10を用いた除去で回収されたCO及び水蒸気を含む混合ガスは、COと水蒸気とを分離した後、炭化水素の改質反応に再利用することができる。これにより、炭化水素の改質反応に用いる原料を低減することができる。
ガス分離装置又はガス分離膜モジュールが備える酸性ガス分離膜シート10による膜分離では、酸性ガス分離膜シート10を透過する透過ガス量によって膜分離の処理量が決まる。膜分離の処理量を向上する方法としては、酸性ガス分離膜シート10の供給側に供給する原料ガスの圧力を圧縮機等で昇圧することにより、供給側のガス分圧を、透過側(酸性ガス分離膜シート10の透過ガスが排出される側)のガス分圧よりも高める方法;酸性ガス分離膜シート10の透過側を減圧状態とすることにより、供給側のガス分圧を透過側のガス分圧よりも高める方法(以下、「減圧法」ということがある。);酸性ガス分離膜シート10の透過側に透過ガスと同伴して排出するためのスイープガスを供給することにより、透過ガス量を増やす方法(以下、「スイープ法」ということがある。);これらのうちの2以上を組み合わせた方法等が挙げられる。これらのうち、透過ガスの少なくとも一部を再利用する場合、新たなガス(スイープガス)の供給が不要であり、透過ガスのみを分離することができることから、減圧法を用いることが好ましい。
上記のようにして得られた粗精製水素から高純度水素を精製することができる。この方法によれば、改質ガスを高純度水素に精製する場合に比較して、精製手段である化学吸収法や圧力変動吸着法(PSA)において、省エネルギー化や水素ロス低減化が期待できる。
以下、図面を参照して、炭化水素としてメタン(CH)を用い、CHの水蒸気改質やCHのCO改質を行って水素を製造する場合の好ましい実施形態について説明する。図8〜図12は、本実施形態の分離膜シートを用いた水素の製造装置の一例を模式的に示す構成図である。
(実施形態1)
図8(a)に示す水素の製造装置100aは、水蒸気改質を行って水素を製造する装置であり、減圧法により膜分離を行う。水素の製造装置100aは、混合器81a、水蒸気改質を行うための水蒸気改質器82a、酸性ガス分離膜シート10を有するガス分離膜モジュールを備えたガス分離装置20、凝縮器83a、減圧ポンプ84a、液抜きポンプ85aを有する。
混合器81aは、水蒸気改質の原料となるCH及び水蒸気(図中、HO)を水蒸気改質器82aに供給するためのものである。混合器81aとしては、例えば、ミキサ、気化器、スプレー噴霧器、エゼクタ、これらのうちの2つ以上の組み合わせ等が挙げられる。
水蒸気改質器82aは、混合器81aから供給されたCH及び水蒸気を用いて水蒸気改質を行うためのものである。水蒸気改質器82aは、反応式(2):
CH+HO⇔CO+3H (2)
に示す水蒸気改質反応によって、CHを一酸化炭素(CO)及び水素(H)に改質する改質部と、反応式(3):
CO+HO⇔CO+H (3)
に示すCO転化反応によって、COをCO及びHに転化する転化部とを有することができる。
ガス分離装置20は、酸性ガス分離膜シート10を有するガス分離膜モジュールを備え、ガス分離装置20に供給された原料ガス(改質ガス及び水蒸気)から、CO及び水蒸気を選択的に分離するためのものである。ガス分離装置20には、水蒸気改質器82aで生成したH及びCOを含む改質ガスが供給されるが、この改質ガスには、水蒸気改質の原料として供給された水蒸気(原料中の未反応の水蒸気)も含まれている。そのため、ガス分離装置20では、供給された改質ガス及び水蒸気を含む原料ガスからCO及び水蒸気が酸性ガス分離膜シート10を選択的に透過することにより、CO及び水蒸気を含む混合ガスとHが富化された粗精製水素とを分離することができる。なお、ガス分離装置20では、ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10に供給される原料ガス(改質ガス及び水蒸気)の流れ方向と、ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を透過した透過ガス(CO及び水蒸気)の流れ方向とは、並流であってもよく向流であってもよい。
凝縮器83aは、ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を透過したCO及び水蒸気を含む混合ガスをCOと水蒸気とに分離するためのものであり、CO及び水蒸気を冷却し、水蒸気を液化することによってCOと水蒸気とを分離する。減圧ポンプ84aは、凝縮器83aで分離されたCOを回収するためのものである。液抜きポンプ85aは、凝縮器83aで水蒸気が液化して生じた水を回収するためのものである。
図8(a)に示す水素の製造装置100aでは、次のようにして水素を製造することができる。まず、水蒸気改質の原料となるCH及び水を混合器81aに供給する。混合器81aに供給される水は、水蒸気改質の原料として適したものであれば特に限定されず、水素の製造装置100a以外から調達してもよく、図8(a)に示すように、後述する水素の製造方法においてガス分離装置20において回収される水を用いてもよい。なお、ガス分離装置20において回収される水のみでは水蒸気改質の原料として不足する場合、ガス分離装置20において回収される水に、不足分量の水として水素の製造装置100a以外から調達される水を追加して、混合器81aに供給してもよい。混合器81aで調整されたCH及び水蒸気は水蒸気改質器82aに供給されて、上記した反応式(2)に示す水蒸気改質反応、及び、上記した反応式(3)に示すCO転化反応が行われ、改質ガスとしてのH及びCOが生成される。
生成された改質ガスには、水蒸気改質の原料として供給された未反応の水蒸気も含まれるため、改質ガス(H及びCO)とともに水蒸気を含む原料ガスがガス分離装置20に供給される。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10はCO及び水蒸気を選択的に透過させることができるため、ガス分離装置20において、CO及び水蒸気を含む混合ガスとHが富化された原料ガスとが分離され、粗精製水素が得られる(図中、H)。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を透過する透過ガスの組成(CO及び水蒸気の割合)は、透過側の圧力を調整することによって調整することができる。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を選択的に透過したCO及び水蒸気は、凝縮器83aで水蒸気が液化することによってCOと分離され、COは減圧ポンプ84aによって回収され、水蒸気が液化して生成した水は液抜きポンプ85aによって回収される。液抜きポンプ85aによって回収された水は、水蒸気改質の原料として再利用できる。
なお、図8(a)に示す水素の製造装置100aでは、凝縮器83aを用いてCOと水蒸気とを分離する場合を例に挙げて説明したが、凝縮器83aに代えて水蒸気分離膜を用いてCOと水蒸気とを分離してもよい。この場合、水蒸気分離膜で分離された水蒸気を液化することなく、そのまま混合器81aに供給してもよい。
(実施形態1の変形例)
図8(b)に示す水素の製造装置100bは、水蒸気改質を行って水素を製造する装置であり、水蒸気改質の原料となるCHとして、水蒸気改質反応の圧力よりも高い圧力のCHを用いる点において、上記の実施形態と異なっている。本変形例では、上記の実施形態よりも高い圧力のCHを用いることにより、このCHによる差圧発電で得られた電力を、水素の製造装置100bに備えられた機器の作動に用いることができる。以下では、先の実施形態で説明したものと同じ部材については同じ符号を付し、その説明を省略する。
水素の製造装置100bは、混合器81a、水蒸気改質器82a、ガス分離装置20、凝縮器83a、減圧ポンプ84a、液抜きポンプ85a、膨張タービン86b、発電機87bを有する。膨張タービン86b及び発電機87b以外の各部材の説明については、上記したとおりである。
膨張タービン86bは、水蒸気改質器82aで用いられるときのCHの圧力よりも高い圧力のCHが導入されることにより駆動され、これに伴い、導入されたCHを膨張させて減圧するものである。膨張タービン86bで減圧されたCHは、混合器81aに供給される。発電機87bは、膨張タービン86bの駆動によって駆動されることにより発電を行うものである。発電機87bで発生した電力は、減圧ポンプ84aや液抜きポンプ85aの駆動に用いることができる。
図8(b)に示す水素の製造装置100bでは、次のようにして水素を製造することができる。まず、水蒸気改質の原料となるCHを膨張タービン86bに導入する。膨張タービン86bでは、翼部にCHが吹き付けられることにより、膨張タービン86bが回転して発電機87bを駆動する。これにより、発電機87bでは発電が行われる。膨張タービン86bで膨張して減圧したCHは、混合器81aに供給される。水は、先の実施形態と同様に、水蒸気改質の原料として適したものであれば特に限定されず、水素の製造装置100b以外から調達してもよく、図8(b)に示すように、後述するガス分離装置20において回収される水を用いてもよい。なお、ガス分離装置20において回収される水のみでは水蒸気改質の原料として不足する場合、ガス分離装置20において回収される水に、不足分量の水として水素の製造装置100b以外から調達される水を追加して、混合器81aに供給してもよい。混合器81aで調整されたCH及び水蒸気は水蒸気改質器82aに供給されて、先の実施形態で述べたように、水蒸気改質反応及びCO転化反応が行われる。続いて、水蒸気改質器82aで生成した改質ガス及び原料中の未反応の水蒸気を含む原料ガスがガス分離装置20に供給され、CO及び水蒸気を含む混合ガスとHが富化された原料ガスとに分離されて、粗精製水素が得られる(図中、H)。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を透過する透過ガスの組成(CO及び水蒸気の割合)は、透過側の圧力を調整することによって調整することができる。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を選択的に透過したCO及び水蒸気は、凝縮器83aで水蒸気が液化することによってCOと分離され、発電機87bで発生した電力によって駆動される減圧ポンプ84a及び液抜きポンプ85aによってCO及び水がそれぞれ回収される。回収された水は水蒸気改質の原料として再利用できる。
なお、図8(b)に示す水素の製造装置100bでは、差圧発電により発電機87bで得られた電力によって減圧ポンプ84aや液抜きポンプ85aを駆動する場合を例に挙げて説明したが、これに限定されない。例えば、CHの導入により膨張タービン86bが回転することによって得られる動力を、減圧ポンプ84aや液抜きポンプ85aを駆動するために用いてもよい。
また、本変形例において、混合器81aがエゼクタを含む場合、水蒸気改質の原料となるCH(水蒸気改質反応の圧力よりも高い圧力のCH)は、エゼクタの駆動流体として用いてもよい。
(実施形態2)
図9(a)に示す水素の製造装置100cは、CO改質を行って水素を製造する装置であり、減圧法により膜分離を行う。以下では、先の実施形態及び変形例で説明したものと同じ部材については同じ符号を付し、その説明を省略する。水素の製造装置100cは、混合器81c、CO改質を行うためのCO改質器82c、酸性ガス分離膜シート10を有するガス分離膜モジュールを備えたガス分離装置20、凝縮器83a、減圧ポンプ84a、液抜きポンプ85aを有する。混合器81c及びCO改質器82c以外の各部材の説明については、上記したとおりである。
混合器81cは、CO改質の原料となるCH及びCOを混合するためのものである。混合器81cとしては、例えば、ミキサ、エゼクタ、これらのうちの2つ以上の組み合わせ等が挙げられる。
CO改質器82cは、混合器81cから供給されたCH及びCOを用いてCO改質を行うためのものである。CO改質器82cは、反応式(4):
CH+CO⇔2CO+2H (4)
に示すCO改質によって、CHをH及びCOに改質する改質部を有することができる。
図9(a)に示す水素の製造装置100cでは、次のようにして水素を製造することができる。まず、CO改質の原料となるCH及びCOを混合器81cに供給する。混合器81cに供給されるCOは、CO改質の原料として適したものであれば特に限定されず、水素の製造装置100c以外から調達してもよく、図9(a)に示すように、後述するガス分離装置20において回収されたCOを用いることができる。なお、ガス分離装置20において回収されるCOのみではCO改質の原料として不足する場合、ガス分離装置20において回収されるCOに、不足分量のCOとして水素の製造装置100c以外から調達されるCOを追加して、混合器81cに供給してもよい。混合器81cで混合されたCH及びCOはCO改質器82cに供給されて、上記した反応式(4)に示すCO改質反応が行われ、改質ガスとしてのH及びCOが生成される。ガス分離装置20に用いる酸性ガス分離膜シート10の親水性樹脂組成物層15に含まれるCOキャリアは、式(1)に示すように、COとの可逆反応のために水分を必要とするため、ガス分離装置に供給される改質ガスと原料中の未反応のCOとを含む原料ガスを、事前に加湿する必要がある。なお、原料ガスの加湿に用いる水は、後述するガス分離装置20において回収された水を用いることができる。また、加湿した原料ガスを、ガス分離装置20に供給する前に、反応式(3)に示すCO転化反応にてCOを富化するために用いることにより、ガス分離装置におけるCOの除去効率を向上させることができる。
CO改質器82cで生成された改質ガスは、原料中の未反応のCOと事前の加湿のために追加された水蒸気とをさらに含む原料ガスとして、ガス分離装置20に供給される。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10は、CO及び水蒸気を選択的に透過させることができるため、CO及び水蒸気を含む混合ガスとHが富化された原料ガスとが分離され、粗精製水素が得られる(図中、H)。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を透過する透過ガスの組成(CO及び水蒸気の割合)は、透過側の圧力を調整することによって調整することができる。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を選択的に透過したCO及び水蒸気は、凝縮器83aで水蒸気が液化することによってCOと分離され、COは減圧ポンプ84aによって回収され、水蒸気が液化して生成した水は液抜きポンプ85aによって回収される。減圧ポンプ84aによって回収されたCOは、CO改質の原料として再利用できる。また、液抜きポンプ85aによって回収された水は、改質ガスの加湿に用いることができる。
なお、図9(a)に示す水素の製造装置100cでは、凝縮器83aを用いてCOと水蒸気とを分離する場合を例に挙げて説明したが、凝縮器83aに代えて水蒸気分離膜を用いてCOと水蒸気とを分離してもよい。この場合、水蒸気分離膜で分離された水蒸気を液化することなく、そのまま改質ガスの加湿に用いてもよい。
(実施形態2の変形例)
図9(b)に示す水素の製造装置100dは、CO改質を行って水素を製造する装置であり、CO改質の原料となるCHとして、CO改質反応の圧力よりも高い圧力のCHを用いる点において、上記の実施形態と異なっている。本変形例では、上記の実施形態よりも高い圧力のCHを用いることにより、このCHによる差圧発電で得られた電力を、水素の製造装置100dに備えられた機器の作動に用いることができる。以下では、先の実施形態及び変形例で説明したものと同じ部材については同じ符号を付し、その説明を省略する。
水素の製造装置100dは、混合器81c、CO改質器82c、ガス分離装置20、凝縮器83a、減圧ポンプ84a、液抜きポンプ85a、膨張タービン86b、発電機87bを有する。これらの各部材の説明については、上記したとおりである。
図9(b)に示す水素の製造装置100dでは、次のようにして水素を製造することができる。まず、CO改質の原料となるCHを膨張タービン86bに導入することにより、先の変形例と同様に、膨張タービン86bが回転して発電機87bを駆動し、発電が行われる。膨張タービン86bで膨張して減圧されたCHは、混合器81cに供給されてCOと混合される。COは、上記した実施形態と同様に、CO改質の原料として適したものであれば特に限定されず、水素の製造装置100d以外から調達してもよく、図9(b)に示すように、後述するガス分離装置20によって回収されたCOを用いてもよい。なお、ガス分離装置20において回収されるCOのみではCO改質の原料として不足する場合、ガス分離装置20において回収されるCOに、不足分量のCOとして水素の製造装置100d以外から調達されるCOを追加して、混合器81cに供給してもよい。混合器81cで混合されたCH及びCOはCO改質器82cに供給されて、上記した実施形態で述べたように、CO改質反応が行われる。続いて、CO改質器82cで生成した改質ガス、原料中の未反応のCO、及び、事前の加湿のために追加された水蒸気を含む原料ガスがガス分離装置20に供給され、CO及び水蒸気を含む混合ガスとHが富化された原料ガスとに分離されて、粗精製水素が得られる(図中、H)。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を透過する透過ガスの組成(CO及び水蒸気の割合)は、透過側の圧力を調整することによって調整することができる。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を選択的に透過したCO及び水蒸気は、凝縮器83aで水蒸気が液化することによってCOと分離され、発電機87bで発生した電力によって駆動される減圧ポンプ84a及び液抜きポンプ85aによってCO及び水がそれぞれ回収される。回収されたCOはCO改質の原料として再利用でき、水は必要に応じて改質ガスの加湿のために再利用できる。
なお、図9(b)に示す製造装置100dでは、先の変形例でも述べたように、CHの導入により膨張タービン86bが回転することによって得られる動力を、減圧ポンプ84aや液抜きポンプ85aを駆動するために用いてもよい。また、本変形例において、混合器81aがエゼクタを含む場合、CO改質の原料となるCH(水蒸気改質反応の圧力よりも高い圧力のCH)は、エゼクタの駆動流体として用いてもよい。
(実施形態3)
図10(a)に示す水素の製造装置100eは、CO改質を行って水素を製造する装置であり、スイープ法により膜分離を行う。スイープガスとしては、CO改質の原料であるCHを用いる。以下では、先の実施形態及び変形例で説明したものと同じ部材については同じ符号を付し、その説明を省略する。製造装置100eは、混合器81c、CO改質を行うためのCO改質器82c、酸性ガス分離膜シート10を有するガス分離膜モジュールを備えたガス分離装置20、凝縮器83e、ブロア84e、液抜きポンプ85aを有する。凝縮器83e及びブロア84e以外の各部材の説明については、上記したとおりである。
凝縮器83eは、ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を透過したCO及び水蒸気と、ガス分離装置20で用いられるスイープガス(CH)とを含む混合ガスが導入され、この混合ガスを冷却し、水蒸気とCO及びCHを含むガスとを分離するためのものである。ブロア84eは、スイープガス(CH)をガス分離装置20に供給し、凝縮器83eで分離されたCO及びCHを含むガスを回収するためのものである。
図10(a)に示す水素の製造装置100eでは、次のようにして水素を製造することができる。まず、CO改質の原料となるCH及びCOを混合器81cに供給する。混合器81cには、水素の製造装置100e以外から調達されるCOに加えて、図10(a)に示すように、後述するガス分離装置20において回収されたCO及びスイープガス(CH)を含むガスを追加して供給してもよい。混合器81cで混合されたCH及びCOはCO改質器82cに供給されて、先の実施形態で述べたように、CO改質反応が行われる。続いて、CO改質器82cで生成した改質ガス、原料中の未反応のCO、及び、事前の加湿のために追加された水蒸気を含む原料ガスがガス分離装置20に供給されるとともに、ガス分離装置20の透過側(酸性ガス分離膜シート10の透過側)に、スイープガスとしてのCHも供給する。ガス分離装置20では、CO、CH、及び水蒸気を含む混合ガスとHが富化された原料ガスとに分離され、粗精製水素が得られる(図中、H)。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を透過する透過ガスの組成(CO及び水蒸気の割合)は、スイープガスの流量を調整することによって調整することができる。
ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を選択的に透過したCO及び水蒸気は、スイープガス(CH)とともに凝縮器83eに導入され、凝縮器83eで水蒸気が液化することによって水蒸気とCO及びCHを含むガスとに分離され、CO及びCHを含むガスはブロア84eによって回収され、水蒸気が液化して生成した水は液抜きポンプ85aによって回収される。ブロア84eによって回収されたCO及びCHを含むガスは、CO改質の原料として再利用することができる。また、液抜きポンプ85aによって回収された水は、ガス分離装置20に供給される改質ガスの事前の加湿に用いることができる。
なお、図10(a)に示す水素の製造装置100eでは、凝縮器83eを用いてCO及びCHを含むガスと水蒸気とを分離する場合を例に挙げて説明したが、凝縮器83eに代えて水蒸気分離膜を用いてCO及びCHを含むガスと水蒸気とを分離してもよい。この場合、水蒸気分離膜で分離された水蒸気を液化することなく、そのまま改質ガスの事前の加湿に用いてもよい。
(実施形態3の変形例)
図10(b)に示す水素の製造装置100fは、CO改質を行って水素を製造する装置であり、CO改質の原料となるCHとして、CO改質反応の圧力よりも高い圧力のCHを用いる点において、上記の実施形態と異なっている。本変形例では、上記の実施形態よりも高い圧力のCHを用いることにより、このCHによる差圧発電で得られた電力を、製造装置100fに備えられた機器の作動に用いることができる。以下では、先の実施形態及び変形例で説明したものと同じ部材については同じ符号を付し、その説明を省略する。
製造装置100fは、混合器81c、CO改質器82c、ガス分離装置20、凝縮器83e、ブロア84e、液抜きポンプ85a、膨張タービン86b、発電機87bを有する。これらの各部材の説明については、上記したとおりである。
図10(b)に示す水素の製造装置100fでは、次のようにして水素を製造することができる。まず、CO改質の原料となるCHを膨張タービン86bに導入することにより、先の変形例と同様に、膨張タービン86bが回転して発電機87bを駆動し、発電が行われる。膨張タービン86bで膨張して減圧されたCHは、混合器81cに供給されてCOと混合される。混合器81cには、先の実施形態と同様に、ガス分離装置20によって分離され、凝縮器83eからブロア84eによって回収されたCO及びスイープガス(CH)を含むガスを追加供給してもよい。混合器81cで混合されたCH及びCOはCO改質器82cに供給されて、先の実施形態で述べたように、CO改質反応が行われる。
続いて、CO改質器82cで生成した改質ガス、原料中の未反応のCO、及び、事前の加湿のために追加された水蒸気を含む原料ガスがガス分離装置20に供給されるとともに、ガス分離装置20の透過側(酸性ガス分離膜シート10の透過側)に、スイープガスとしてのCHも供給する。ガス分離装置20では、CO、CH、及び水蒸気を含む混合ガスとHが富化された原料ガスとに分離され、粗精製水素が得られる(図中、H)。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を透過する透過ガスの組成(CO及び水蒸気の割合)は、スイープガスの流量を調整することによって調整することができる。
ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を選択的に透過したCO及び水蒸気は、上記した実施形態で述べたように、スイープガス(CH)とともに凝縮器83eに導入され、凝縮器83eで水蒸気が液化することによって水蒸気とCO及びCHを含むガスとに分離され、発電機87bで発生した電力によって駆動されるブロア84e及び液抜きポンプ85aによってCO及びCHを含むガスと水とがそれぞれ回収される。ブロア84eによって回収されたCO及びCH含むガスは、CO改質の原料として再利用することができ、液抜きポンプ85aによって回収された水は、ガス分離装置20に供給される改質ガスの事前の加湿に用いることができる。
なお、図10(b)に示す水素の製造装置100fでは、先の変形例でも述べたように、CHの導入により膨張タービン86bが回転することによって得られる動力を、ブロア84eや液抜きポンプ85aを駆動するために用いてもよい。また、本変形例において、混合器81aがエゼクタを含む場合、CO改質の原料となるCH(水蒸気改質反応の圧力よりも高い圧力のCH)は、エゼクタの駆動流体として用いてもよい。
(実施形態4)
図11(a)に示す水素の製造装置100gは、水蒸気改質及びCO改質を行って水素を製造する装置であり、減圧法により膜分離を行う。以下では、先の実施形態及び変形例で説明したものと同じ部材については同じ符号を付し、その説明を省略する。水素の製造装置100gは、混合器81g、水蒸気改質及びCO改質を行うための改質器82g、酸性ガス分離膜シート10を有するガス分離膜モジュールを備えたガス分離装置20、凝縮器83a、減圧ポンプ84a、液抜きポンプ85aを有する。混合器81g及び改質器82g以外の各部材の説明については、上記したとおりである。
混合器81gは、水蒸気改質及びCO改質の原料となるCH、水蒸気、及びCOを改質器82gに供給するためのものである。混合器81gとしては、例えば、ミキサ、気化器、スプレー噴霧器、エゼクタ、これらのうちの2つ以上の組み合わせ等が挙げられる。
改質器82gは、混合器81gから供給されたCH、水蒸気、及びCOを用いて、水蒸気改質及びCO改質を行うためのものである。改質器82gは、少なくとも、上記反応式(2)に示す水蒸気改質、及び、上記反応式(4)に示すCO改質を行うことができ、さらに上記反応式(3)に示すCO転化反応を行ってもよい。これにより、CHをH及びCOに改質し、さらに、COをCO及びHに転化することができる。
図11(a)に示す水素の製造装置100gでは、次のようにして水素を製造することができる。まず、水蒸気改質及びCO改質の原料となるCH、水蒸気(又は水)、及びCOを混合器81gに供給する。混合器81gに供給される水蒸気(又は水)及びCOは、水蒸気改質及びCO改質の原料として適したものであれば特に限定されず、水素の製造装置100g以外から調達してもよく、図11(a)に示すように、後述するガス分離装置20において回収される水やCOを用いることができる。なお、ガス分離装置20において回収される水やCOのみでは水蒸気改質及びCO改質の原料として不足する場合、ガス分離装置20において回収される水やCOに、不足分量の水やCOとして水素の製造装置100g以外から調達される水やCOを追加して、混合器81gに供給してもよい。混合器81gで調整されたCH、水蒸気、及びCOは改質器82gに供給されて、上記した水蒸気改質反応(反応式(2))及びCO改質反応(反応式(4))が行われ、改質ガスとしてのH及びCOが生成される。さらに、改質器82gにおいてCO転化反応(反応式(3))を行う場合は、COが追加生成される。
改質器82gで生成された改質ガスは、ガス分離装置20に供給される。ガス分離装置20には、改質ガスに加えて、水蒸気(原料中の未反応の水蒸気)も含んだ原料ガスが導入される。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10は、CO及び水蒸気を選択的に透過させることができるため、CO及び水蒸気を含む混合ガスとHが富化された原料ガスとが分離され、粗精製水素が得られる(図中、H)。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を透過する透過ガスの組成(CO及び水蒸気の割合)は、透過側の圧力を調整することによって調整することができる。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を選択的に透過したCO及び水蒸気は、凝縮器83aで水蒸気が液化することによってCOと分離され、COは減圧ポンプ84aによって回収され、水蒸気が液化して生成した水は液抜きポンプ85aによって回収される。減圧ポンプ84aによって回収されたCOは、CO改質の原料として再利用できる。また、液抜きポンプ85aによって回収された水は、水蒸気改質の原料として再利用できる。
なお、図11(a)に示す水素の製造装置100gでは、凝縮器83aを用いてCOと水蒸気とを分離する場合を例に挙げて説明したが、凝縮器83aに代えて水蒸気分離膜を用いてCOと水蒸気とを分離してもよい。この場合、水蒸気分離膜で分離された水蒸気を液化することなく、そのまま混合器81aに供給してもよい。
(実施形態4の変形例)
図11(b)に示す水素の製造装置100hは、水蒸気改質及びCO改質を行って水素を製造する装置であり、水蒸気改質及びCO改質の原料となるCHとして、水蒸気改質反応及びCO改質反応の圧力よりも高い圧力のCHを用いる点において、上記の実施形態と異なっている。本変形例では、上記の実施形態よりも高い圧力のCHを用いることにより、このCHによる差圧発電で得られた電力を、製造装置100hに備えられた機器の作動に用いることができる。以下では、先の実施形態で説明したものと同じ部材については同じ符号を付し、その説明を省略する。
製造装置100hは、混合器81g、改質器82g、ガス分離装置20、凝縮器83a、減圧ポンプ84a、液抜きポンプ85a、膨張タービン86b、発電機87bを有する。これらの各部材の説明については、上記したとおりである。
図11(b)に示す水素の製造装置100hでは、次のようにして水素を製造することができる。まず、水蒸気改質の原料となるCHを膨張タービン86bに導入することにより、先の変形例と同様に、膨張タービン86bが回転して発電機87bを駆動し、発電機87bで発電が行われる。膨張タービン86bで膨張して減圧されたCHは、混合器81gに供給される。混合器81gで調整されたCH、水蒸気、及びCOは改質器82gに供給されて、上記した実施形態と同様に、水蒸気改質反応及びCO改質反応が行われ、改質ガスとしてのH及びCOが生成される。さらに、改質器82gにおいて、CO転化反応(反応式(3))を行う場合は、COが追加生成される。
続いて、改質器82gで生成した改質ガス及び水蒸気(原料中の未反応の水蒸気)を含む原料ガスがガス分離装置20に供給され、CO及び水蒸気を含む混合ガスとHが富化された原料ガスとに分離されて、粗精製水素が得られる(図中、H)。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を透過する透過ガスの組成(CO及び水蒸気の割合)は、透過側の圧力を調整することによって調整することができる。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を選択的に透過したCO及び水蒸気は、凝縮器83aで水蒸気が液化することによってCOと分離され、発電機87bで発生した電力によって駆動される減圧ポンプ84a及び液抜きポンプ85aによってCO及び水がそれぞれ回収される。減圧ポンプ84aによって回収されたCOは、CO改質の原料として再利用でき、液抜きポンプ85aによって回収された水は、水蒸気改質の原料として再利用できる。
なお、図11(b)に示す製造装置100hでは、先の変形例でも述べたように、CHの導入により膨張タービン86bが回転することによって得られる動力を、減圧ポンプ84aや液抜きポンプ85aを駆動するために用いてもよい。また、本変形例において、混合器81aがエゼクタを含む場合、水蒸気改質の原料となるCH(水蒸気改質反応及びCO改質反応の圧力よりも高い圧力のCH)は、エゼクタの駆動流体としてもよい。
(実施形態5)
図12(a)に示す水素の製造装置100iは、水蒸気改質及びCO改質を行って水素を製造する装置であり、スイープ法により膜分離を行う。以下では、先の実施形態及び変形例で説明したものと同じ部材については同じ符号を付し、その説明を省略する。製造装置100iは、混合器81g、水蒸気改質及びCO改質を行うための改質器82g、酸性ガス分離膜シート10を有するガス分離膜モジュールを備えたガス分離装置20、凝縮器83e、ブロア84e、液抜きポンプ85aを有する。
図12(a)に示す水素の製造装置100iでは、次のようにして水素を製造することができる。まず、水蒸気改質及びCO改質の原料となるCH、水蒸気(又は水)、及びCOを混合器81gに供給する。混合器81gには、水素の製造装置100i以外から調達される水やCOに加えて、図12(a)に示すように、後述するガス分離装置20において回収される水やCO及びスイープガス(CH)を含むガスを追加供給してもよい。混合器81gで調整されたCH、水蒸気、及びCOは改質器82gに供給されて、先の実施形態で述べたように、水蒸気改質反応及びCO改質反応が行われ、改質ガスとしてのH及びCOが生成される。さらに、改質器82gにおいてCO転化反応(反応式(3))を行う場合は、COが追加生成される。続いて、改質器82gで生成した改質ガス及び水蒸気(原料中の未反応の水蒸気)を含む原料ガスがガス分離装置20に供給され、ガス分離装置20の透過側(酸性ガス分離膜シート10の透過側)には、スイープガスとしてのCHも供給される。ガス分離装置20では、CO及び水蒸気を含む混合ガスとHが富化された原料ガスとに分離されて、粗精製水素が得られる(図中、H)。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を透過する透過ガスの組成(CO及び水蒸気の割合)は、スイープガスの流量を調整することによって調整することができる。
ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を選択的に透過したCO及び水蒸気は、上記した実施形態で述べたように、スイープガス(CH)とともに凝縮器83eに導入され、凝縮器83eで水蒸気が液化することによって水蒸気とCO及びCHを含むガスとに分離され、CO及びCHを含むガスはブロア84eによって回収され、水蒸気が液化して生成した水は液抜きポンプ85aによって回収される。ブロア84eによって回収されたCO及びCHを含むガスは、水蒸気改質及びCO改質の原料として再利用することができる。また、液抜きポンプ85aによって回収された水は、水蒸気改質の原料として再利用することができる。
なお、図12(a)に示す水素の製造装置100iでは、凝縮器83eを用いてCO及びCHを含むガスと水蒸気とを分離する場合を例に挙げて説明したが、凝縮器83aに代えて水蒸気分離膜を用いてCO及びCHを含むガスと水蒸気とを分離してもよい。この場合、水蒸気分離膜で分離された水蒸気を液化することなく、そのまま混合器81gに供給してもよい。
(実施形態5の変形例)
図12(b)に示す水素の製造装置100jは、水蒸気改質及びCO改質を行って水素を製造する装置であり、水蒸気改質及びCO改質の原料となるCHとして、水蒸気改質及びCO改質反応の圧力よりも高い圧力のCHを用いる点において、上記の実施形態と異なっている。本変形例では、上記の実施形態よりも高い圧力のCHを用いることにより、このCHによる差圧発電で得られた電力を、製造装置100jに備えられた機器の作動に用いることができる。以下では、先の実施形態及び変形例で説明したものと同じ部材については同じ符号を付し、その説明を省略する。
製造装置100jは、混合器81g、改質器82g、ガス分離装置20、凝縮器83e、ブロア84e、液抜きポンプ85a、膨張タービン86b、発電機87bを有する。これらの各部材の説明については、上記したとおりである。
図12(b)に示す水素の製造装置100jでは、次のようにして水素を製造することができる。まず、水蒸気改質の原料となるCHを膨張タービン86bに導入することにより、先の変形例と同様に、膨張タービン86bが回転して発電機87bを駆動し、発電が行われる。膨張タービン86bで膨張して減圧されたCHは、混合器81gに供給される。混合器81gに供給される水蒸気(又は水)及びCOは、上記の実施形態と同様に、水素の製造装置100j以外から調達してもよく、図12(b)に示すように、後述するガス分離装置20において回収される水やCO及びスイープガス(CH)を含むガスを用いてもよい。混合器81gで調整されたCH、水蒸気、及びCOは改質器82gに供給されて、先の実施形態で述べたように、少なくとも水蒸気改質反応及びCO改質反応が行われる。
続いて、改質器82gで生成した改質ガス及び水蒸気(原料中の未反応の水蒸気)を含む原料ガスがガス分離装置20に供給されるとともに、ガス分離装置20の透過側(酸性ガス分離膜シート10の透過側)に、スイープガスとしてのCHも供給する。ガス分離装置20では、CO、CH、及び水蒸気を含む混合ガスとHが富化された原料ガスとに分離されて、粗精製水素が得られる(図中、H)。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を透過する透過ガスの組成(CO及び水蒸気の割合)は、スイープガスの流量を調整することによって調整することができる。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を選択的に透過したCO及び水蒸気は、上記の実施形態で述べたように、スイープガス(CH)とともに凝縮器83eに導入され、凝縮器83eで水蒸気が液化することによって水蒸気とCO及びCHを含むガスとに分離され、CO及びCHを含むガスはブロア84eによって回収され、水蒸気が液化して生成した水は液抜きポンプ85aによって回収される。ブロア84eによって回収されたCO及びCHを含むガスは、水蒸気改質及びCO改質の原料として再利用することができる。また、液抜きポンプ85aによって回収された水は、水蒸気改質の原料として再利用することができる。
なお、図12(b)に示す製造装置100jでは、先の変形例でも述べたように、CHの導入により膨張タービン86bが回転することによって得られる動力を、減圧ポンプ84aや液抜きポンプ85aを駆動するために用いてもよい。また、本変形例において、混合器81aがエゼクタを含む場合、水蒸気改質の原料となるCH(水蒸気改質反応の圧力よりも高い圧力のCH)は、エゼクタの駆動流体としてもよい。
上記した水素の製造方法の実施態様1〜5及びそれらの変形例は、炭化水素の改質反応により生成した改質ガスに含まれる水素を燃料とする燃料電池システムに用いることができる。
以下、実施例及び比較例を示して本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
[濾過残渣分率の測定]
酸性ガス分離膜シートから5cm×5cmの大きさで切り出したサンプルを、温度20℃の水50mLに浸漬し、親水性樹脂組成物層を十分に水中に分散させて親水性樹脂組成物分散水を得た。得られた親水性樹脂組成物分散水を60メッシュの濾材(東京スクリーン社製、商品名:ナイロンメッシュNB60、材質:ナイロン66PA、線径:165μm、目開き:258μm)を用いて、撹拌及び加圧を行わない自然濾過を行い、濾過開始5min後の濾過残渣及び濾過液を得た。得られた濾過残渣及び濾過液を温度100℃の減圧オーブン(アズワン社製、商品名:真空乾燥器AVO−250N)で24hr真空乾燥させた後、真空乾燥後の濾過残渣及び濾過液の重量を測定し、それぞれを、濾過残渣の固形分重量[g]及び濾過液の固形分重量[g]とした。得られた固形分重量に基づき、式(I):
濾過残渣分率[%]={濾過残渣の固形分の重量[g]÷(濾過残渣の固形分の重量[g]+濾過液の固形分の重量[g])}×100 (I)
にしたがって濾過残渣分率を算出した。
[イオン交換容量の測定]
親水性樹脂組成物層に含まれる親水性樹脂のイオン交換容量は、濾過残渣分率の測定時に得られる濾過残渣に対して測定した。具体的には、次の手順で親水性樹脂のイオン交換容量を測定した。濾過残渣分率を測定する際に得られた濾過残渣35mgを精製水180mLに分散させ、20mLを採取し、スターラーで撹拌しながら、0.1Mの塩酸を加えてpHを3.5程度にした後、0.2Mの水酸化ナトリウム水溶液を用いて中和滴定を行った。この中和滴定の結果より、親水性樹脂のイオン交換容量は、次式:
イオン交換容量[ミリモル当量/濾過残渣における乾燥樹脂1g]=(水酸化ナトリウムの滴定量[mL]×水酸化ナトリウムの濃度[0.2ミリモル/mL]/乾燥洗浄濾過残渣[35mg])×1000
を用いて算出した。ここで、
水酸化ナトリウムの滴定量[mL]=第二中和点までに要した水酸化ナトリウムの滴下量[mL]−第一中和点までに要した水酸化ナトリウムの滴下量[mL]
とする。
[性能寿命試験]
図7に示す、ガス分離膜セル61を備えたガス分離装置を用いて、酸性ガス分離膜シート10のCOパーミアンス及びNパーミアンスを測定した。具体的には、作製した酸性ガス分離膜シート10を適切な大きさにカットして平膜形状とし、これをステンレス製のガス分離膜セル61の供給側室62と透過側室63の間に固定した。原料ガス(CO:34.4%、N:27.8%、HO:37.8%)を1349.5NmL/minの流量でガス分離膜セル61の供給側室62に供給した。ここで、水を定量送液ポンプ68で送入し、加熱して蒸発させて、HOが上記混合比率となるように調整した。供給側室62の圧力は、非透過ガスの排出路の途中の冷却トラップ64の下流側に設けられた背圧調整器65によって900kPaA(絶対圧)に調整した。また、冷却トラップ66とガスクロマトグラフ67の間にも背圧調整器69が設けられており、これによって透過側室63の圧力を大気圧に調整した。
運転開始後、定常状態に到達した時点で、透過側室63から排出された透過ガスに含まれる水蒸気を冷却トラップ66で除去した後の透過ガスをガスクロマトグラフ67で分析し、COのパーミアンス(mol/(m・s・kPa))、及び、Nのパーミアンス(mol/(m・s・kPa))を算出し、初期のCOのパーミアンス、及び、初期のNのパーミアンスとした。
また、運転開始後、定常状態に到達してから146hr経過した時点で、透過側室63から排出された透過ガスに含まれる水蒸気を冷却トラップ66で除去した後の透過ガスをガスクロマトグラフ67で分析し、COのパーミアンス(mol/(m・s・kPa))、及び、Nのパーミアンス(mol/(m・s・kPa))を算出し、146hr後のCOのパーミアンス、及び、146hr後のNのパーミアンスとした。かかる算出値を用いて、次式の計算式にしたがってCOパーミアンスの性能寿命、及び、CO/N選択率の性能寿命を計算した。
COパーミアンスの性能寿命
=146hr後のCOパーミアンス[mol/(m・s・kPa)]/初期のCOパーミアンス[mol/(m・s・kPa)]
CO/N選択率の性能寿命
=146hr後のCO/N選択率/初期のCO/N選択率
ここで、初期のCO/N選択率及び146hr後のCO/N選択率は、次式の計算式にしたがって計算した。
初期のCO/N選択率
=初期のCOパーミアンス[mol/(m・s・kPa)]/初期のNパーミアンス[mol/(m・s・kPa)]
146hr後のCO/N選択率
=146hr後のCOパーミアンス[mol/(m・s・kPa]/146hr後のNパーミアンス[mol/(m・s・kPa)]
〔実施例1〕
媒質としての水170.92重量部と、重合体としての架橋ポリアクリル酸(住友精化(株)製;商品名:アクペック「HV−501」、イオン交換容量13.5ミリモル当量/g)4重量部及び非架橋ポリアクリル酸(住友精化(株)製;商品名:アクパーナ「AP−40F(40%Na鹸化)」、イオン交換容量12.4ミリモル当量/g)0.8重量部とを原料タンク31に仕込み、これらの重合体を水に分散させた分散液を得た。この分散液に、酸性ガスキャリアとして50%水酸化セシウム水溶液38.09重量部を添加し混合した後、添加剤として10%亜テルル酸ナトリウム水溶液3.18重量部と10%界面活性剤(AGCセイミケミカル(株)製;商品名:サーフロン「S−242」)水溶液1.2重量部を加えて混合して、塗布液を得た。得られた塗布液を、脱泡装置((株)シンキー社製;商品名:「自転・公転ミキサーあわとり練太郎ARE−310」)を用いて脱泡した。
第1多孔層11として疎水性PTFE多孔膜(住友電工ファインポリマー社製;商品名:ポアフロン「HP−010−50」)を用い、第1多孔層11の一方の面上に、上記で得られた塗布液を温度20〜25℃で塗布し、塗布液が塗布された第1多孔層11を恒温槽にて、温度約100℃で約10分間乾燥して液層を形成した。
続いて、第2多孔層12として上記第1多孔層11に用いたものと同じ疎水性PTFE多孔膜を用い、液層の第1多孔層11とは反対側に、第2多孔層12を積層して積層体18を得た。この積層体18を恒温槽にて、温度120℃で約7分間、液層を乾燥して塗布層を形成した。乾燥後の積層体18を金属トレイに載せ、電子線照射装置59(ESI社製、商品名EC300/165/800)にて、加速電圧150keVの電子線を照射量20kGyとなるように、積層体18の第2多孔層側から塗布層に照射して、親水性樹脂組成物層15を形成し、酸性ガス分離膜シート10を得た。得られた酸性ガス分離膜シート10を用いて、濾過残渣分率及びイオン交換容量を測定し、性能寿命試験を行った。その結果を表1に示す。
〔実施例2〕
塗布液に用いた架橋ポリアクリル酸を、住友精化(株)製;商品名:アクペック「HV−501E」に変更したこと以外は、実施例1と同様にして酸性ガス分離膜シート10を得た。得られた酸性ガス分離膜シート10を用いて、濾過残渣分率及びイオン交換容量を測定し、性能寿命試験を行った。その結果を表1に示す。
〔実施例3〕
電子線照射の加速電圧及び線量を表1に示すように変更したこと以外は、実施例1と同様にして酸性ガス分離膜シート10を得た。得られた酸性ガス分離膜シート10を用いて、濾過残渣分率及びイオン交換容量を測定し、性能寿命試験を行った。その結果を表1に示す。
〔実施例4〕
塗布液に用いた架橋ポリアクリル酸、非架橋ポリアクリル酸、及び50%水酸化セシウム水溶液の添加量を、表1に示すように変更したこと以外は、実施例1と同様にして酸性ガス分離膜シート10を得た。得られた酸性ガス分離膜シート10を用いて、濾過残渣分率及びイオン交換容量を測定し、性能寿命試験を行った。その結果を表1に示す。
〔比較例1〕
電子線照射装置59による電子線照射を行わなかったこと以外は、実施例2と同様にして酸性ガス分離膜シート10を得た。得られた酸性ガス分離膜シート10を用いて、濾過残渣分率及びイオン交換容量を測定し、性能寿命試験を行った。その結果を表1に示す。
〔比較例2〕
電子線照射量を表1に示すように変更したこと以外は、実施例1と同様にして酸性ガス分離膜シート10を得た。得られた酸性ガス分離膜シート10を用いて、濾過残渣分率及びイオン交換容量を測定し、性能寿命試験を行った。その結果を表1に示す。なお、表2中の性能寿命の欄の「測定不能(損傷有)」は、酸性ガス分離膜シート10の第1多孔層11に損傷があり、性能寿命試験を行うことができなかったことを示す。
〔比較例3〕
電子線照射装置59による電子線照射を行わなかったこと以外は、実施例4と同様にして酸性ガス分離膜シート10を得た。得られた酸性ガス分離膜シート10を用いて、濾過残渣分率及びイオン交換容量を測定し、性能寿命試験を行った。その結果を表1に示す。
実施例1〜4のいずれにおいても、イオン交換容量はいずれも1ミリモル当量以上である。比較例1及び2においては、濾過残渣中に含まれる親水性樹脂が微量であったため、イオン交換容量が検出下限値未満になった。比較例3においては、濾過残渣分率が0%であったため、イオン交換容量は測定できなかった。
1 ガス分離膜エレメント(分離膜エレメント)、3 供給側流路部材、4 透過側流路部材、5 中心管、10 酸性ガス分離膜シート(分離膜シート)、11 第1多孔層、11a 第1多孔層巻回体、12 第2多孔層、12a 第2多孔層巻回体、15 親水性樹脂組成物層(樹脂組成物層)、18 積層体、 18a 積層体巻回体、20 ガス分離装置(分離装置)、31 原料タンク、32 撹拌タンク、33 フィルター、34 脱泡タンク、35 配管、37 塗布液タンク、38 スロットダイ、39 乾燥炉、49 追乾燥炉、50 孔、51 供給側端部、52 排出口、53 排出側端部、55 テレスコープ防止板、59 電子線照射装置、61 ガス分離膜セル、62 供給側室、63 透過側室、64 冷却トラップ、65 背圧調整器、66 冷却トラップ、67 ガスクロマトグラフ、68 定量送液ポンプ、69 背圧調整器、70 定量送液ポンプ、81a 混合器、81c 混合器、81g 混合器、82a 水蒸気改質器、82c 二酸化炭素(CO)改質器、82g 改質器、83a 凝縮器、83e 凝縮器、84a 減圧ポンプ、84e ブロア、85a 液抜きポンプ、86b 膨張タービン、87b 発電機、100a〜100j 水素の製造装置。
〔5〕 前記酸性を示すイオン性基は、カルボキシル基である、〔4〕に記載の分離膜シート。
〔6〕 前記特定の流体成分は、酸性ガスである、〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載の分離膜シート
〔7〕 前記樹脂組成物層は、さらに、酸性ガスと可逆的に反応する物質を含む、〔6〕に記載の分離膜シート
本発明の分離膜シートの一例を示す断面図である。 本発明の分離膜シートを製造するための製造装置の一例を示す概略図である。 本発明の分離膜シートを製造するための製造装置におけるさらなる工程を説明するための概略図である。 本発明の分離膜シートを製造するための製造装置におけるさらなる工程を説明するための概略図である。 分離膜エレメントを展開して示す、一部切欠き部分を設けた概略の斜視図である。 (a)は、分離膜エレメントを示す、一部展開部分を設けた概略の斜視図であり、(b)は、テレスコープ防止板を設けた分離膜エレメントを示す、一部展開部分を設けた概略の斜視図である。 実施例で用いるガス分離装置の概略図である。 (a)及び(b)は、本発明の分離膜シートを用いた水素の製造装置の一例を模式的に示す構成図である。 (a)及び(b)は、本発明の分離膜シートを用いた水素の製造装置の他の例を模式的に示す構成図である。 (a)及び(b)は、本発明の分離膜シートを用いた水素の製造装置のさらに他の例を模式的に示す構成図である。 (a)及び(b)は、本発明の分離膜シートを用いた水素の製造装置のさらに他の例を模式的に示す構成図である。 (a)及び(b)は、本発明の分離膜シートを用いた水素の製造装置のさらに他の例を模式的に示す構成図である。
親水性樹脂組成物を形成する工程で形成された、第1多孔層上の塗布層は、上記した塗布液が塗布されて形成されたものであるため、上記した塗布液用重合体(架橋型重合体や非架橋型重合体)を含むことができる。
生成された改質ガスには、水蒸気改質の原料として供給された未反応の水蒸気も含まれるため、改質ガス(H及びCO)とともに水蒸気を含む原料ガスがガス分離装置20に供給される。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10はCO及び水蒸気を選択的に透過させることができるため、ガス分離装置20において、CO及び水蒸気を含む混合ガスとHが富化された原料ガスとが分離され、粗精製水素が得られる(図中、H)。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を透過する透過ガスの組成(CO及び水蒸気の割合)は、透過側の圧力を調整することによって調整することができる。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を選択的に透過したCO及び水蒸気は、凝縮器83aで水蒸気が液化することによって分離され、COは減圧ポンプ84aによって回収され、水蒸気が液化して生成した水は液抜きポンプ85aによって回収される。液抜きポンプ85aによって回収された水は、水蒸気改質の原料として再利用できる。
図8(b)に示す水素の製造装置100bでは、次のようにして水素を製造することができる。まず、水蒸気改質の原料となるCHを膨張タービン86bに導入する。膨張タービン86bでは、翼部にCHが吹き付けられることにより、膨張タービン86bが回転して発電機87bを駆動する。これにより、発電機87bでは発電が行われる。膨張タービン86bで膨張して減圧したCHは、混合器81aに供給される。水は、先の実施形態と同様に、水蒸気改質の原料として適したものであれば特に限定されず、水素の製造装置100b以外から調達してもよく、図8(b)に示すように、後述するガス分離装置20において回収される水を用いてもよい。なお、ガス分離装置20において回収される水のみでは水蒸気改質の原料として不足する場合、ガス分離装置20において回収される水に、不足分量の水として水素の製造装置100b以外から調達される水を追加して、混合器81aに供給してもよい。混合器81aで調整されたCH及び水蒸気は水蒸気改質器82aに供給されて、先の実施形態で述べたように、水蒸気改質反応及びCO転化反応が行われる。続いて、水蒸気改質器82aで生成した改質ガス及び原料中の未反応の水蒸気を含む原料ガスがガス分離装置20に供給され、CO及び水蒸気を含む混合ガスとH2が富化された原料ガスとに分離されて、粗精製水素が得られる(図中、H)。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を透過する透過ガスの組成(CO及び水蒸気の割合)は、透過側の圧力を調整することによって調整することができる。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を選択的に透過したCO及び水蒸気は、凝縮器83aで水蒸気が液化することによって分離され、発電機87bで発生した電力によって駆動される減圧ポンプ84a及び液抜きポンプ85aによってCO及び水がそれぞれ回収される。回収された水は水蒸気改質の原料として再利用できる。
CO改質器82cで生成された改質ガスは、原料中の未反応のCOと事前の加湿のために追加された水蒸気とをさらに含む原料ガスとして、ガス分離装置20に供給される。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10は、CO及び水蒸気を選択的に透過させることができるため、CO及び水蒸気を含む混合ガスとHが富化された原料ガスとが分離され、粗精製水素が得られる(図中、H)。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を透過する透過ガスの組成(CO及び水蒸気の割合)は、透過側の圧力を調整することによって調整することができる。ガス分離装置20に備わる酸性ガス分離膜シート10を選択的に透過したCO及び水蒸気は、凝縮器83aで水蒸気が液化することによって分離され、COは減圧ポンプ84aによって回収され、水蒸気が液化して生成した水は液抜きポンプ85aによって回収される。減圧ポンプ84aによって回収されたCOは、CO改質の原料として再利用できる。また、液抜きポンプ85aによって回収された水は、改質ガスの加湿に用いることができる。
なお、図12(a)に示す水素の製造装置100iでは、凝縮器83eを用いてCO及びCHを含むガスと水蒸気とを分離する場合を例に挙げて説明したが、凝縮器83に代えて水蒸気分離膜を用いてCO及びCHを含むガスと水蒸気とを分離してもよい。この場合、水蒸気分離膜で分離された水蒸気を液化することなく、そのまま混合器81gに供給してもよい。

Claims (23)

  1. 特定の流体成分を選択的に透過する分離膜シートであって、
    第1多孔層と、
    前記第1多孔層上に積層される樹脂組成物層と、を含み、
    前記樹脂組成物層は、
    濾過残渣分率が20%以上90%以下であり、
    イオン性基又はその塩を有する樹脂を含み、濾過残渣における乾燥樹脂1g当たりのイオン交換容量が1ミリモル当量以上である、分離膜シート。
  2. さらに、第2多孔層を有する、請求項1に記載の分離膜シート。
  3. 前記第2多孔層は、前記樹脂組成物層の前記第1多孔層とは反対側に積層されている、請求項2に記載の分離膜シート。
  4. 前記イオン性基は、酸性を示すイオン性基である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の分離膜シート。
  5. 前記酸性を示すイオン性基は、カルボキシル基である、請求項4に記載の分離膜シート。
  6. 前記特定の流体成分は、酸性ガスである、請求項1〜5のいずれか1項に記載の分離膜シート。
  7. 前記樹脂組成物層は、さらに、酸性ガスと可逆的に反応する物質を含む、請求項6に記載の分離膜シート。
  8. 請求項1〜7のいずれか1項に記載の分離膜シートを含む分離膜エレメント。
  9. 有孔の中心管と、
    請求項1〜7のいずれか1項に記載の分離膜シートを含むエレメント用積層体とを含み、
    前記エレメント用積層体は、前記中心管に巻回される、請求項8に記載の分離膜エレメント。
  10. 請求項8又は9に記載の分離膜エレメントを少なくとも1基と、
    前記分離膜シートに原料流体を供給するための原料流体供給口と、
    前記分離膜シートを透過しなかった原料流体を排出するための非透過流体排出口と、
    前記分離膜シートを透過した前記特定の流体成分を排出するための透過流体排出口と、を備える、分離膜モジュール。
  11. 請求項10に記載の分離膜モジュールを少なくとも1つ備える、分離装置。
  12. 請求項10に記載の分離膜モジュールを少なくとも1つ備え、
    前記原料流体は、水素及び二酸化炭素を含む原料ガスであり、
    前記特定の流体成分は、二酸化炭素を含む、水素の製造装置。
  13. 特定の流体成分を選択的に透過する分離膜シートの製造方法であって、
    第1多孔層上に樹脂組成物層を形成する工程を含み、
    前記樹脂組成物層を形成する工程は、前記第1多孔層上に形成された塗布層に対して、照射量が10kGy以上1000kGy未満の電子線を照射する工程を含む、分離膜シートの製造方法。
  14. 前記樹脂組成物層は、濾過残渣分率が20%以上90%以下である、請求項13に記載の分離膜シートの製造方法。
  15. 前記樹脂組成物層を形成する工程は、さらに、前記塗布層の前記第1多孔層とは反対側に第2多孔層を積層して積層体を得る工程を有し、
    前記電子線を照射する工程は、前記積層体が有する前記塗布層に対して電子線を照射する工程である、請求項13又は14に記載の分離膜シートの製造方法。
  16. 前記樹脂組成物層は、イオン性基又はその塩を有する樹脂を含み、濾過残渣における乾燥樹脂1g当たりのイオン交換容量が1ミリモル当量以上である、請求項13〜15のいずれか1項に記載の分離膜シートの製造方法。
  17. 前記イオン性基は、酸性を示すイオン性基である、請求項16に記載の分離膜シートの製造方法。
  18. 前記酸性を示すイオン性基は、カルボキシル基である、請求項17に記載の分離膜シートの製造方法。
  19. 前記塗布層は、非架橋型重合体を含む、請求項13〜18のいずれか1項に記載の分離膜シートの製造方法。
  20. 前記塗布層は、さらに架橋型重合体を含む、請求項19に記載の分離膜シートの製造方法。
  21. 前記特定の流体成分は、酸性ガスである、請求項13〜20のいずれか1項に記載の分離膜シートの製造方法。
  22. 前記塗布層は、さらに、酸性ガスと可逆的に反応する物質を含む、請求項21に記載の分離膜シートの製造方法。
  23. 前記塗布層に照射する電子線の照射量は、電子線の照射回数及び照射時間のうちの少なくとも一方によって調整される、請求項13〜22のいずれか1項に記載の分離膜シートの製造方法。
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