TW202019682A - 分離膜片、分離膜元件、分離膜模組及分離膜片的製造方法 - Google Patents

分離膜片、分離膜元件、分離膜模組及分離膜片的製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明之分離膜片係使特定之流體成分選擇性地穿透，且包含：第1多孔層、及積層於第1多孔層上之樹脂組成物層；其中，樹脂組成物層的過濾殘渣分率為20%以上90%以下，且該樹脂組成物層含有具有離子性基或其鹽之樹脂，在過濾殘渣中每1g乾燥樹脂之離子交換容量為1毫莫耳當量以上。

Description

分離膜片、分離膜元件、分離膜模組及分離膜片的製造方法
本發明係關於分離膜片、分離膜元件、分離膜模組及分離膜片的製造方法。
就從在製造氫或尿素等之工廠所合成的合成氣體、天然氣體、排出氣體等中分離二氧化碳等酸性氣體的製程而言，因可實現省能源化，故酸性氣體膜分離製程近年備受注目。在酸性氣體膜分離製程中，已知有使用具有凝膠層之酸性氣體分離膜片(例如，日本特開平7-275672號公報(專利文獻1)、日本特開2013-27841號公報(專利文獻2))。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平7-275672號公報
[專利文獻2]日本特開2013-27841號公報
[專利文獻3]日本特開平10-57787號公報
[專利文獻4]日本特開2003-251163號公報
本發明之目的在於提供一種可發揮優異之穿透性能及分離性能(以下，有時彙整兩者而稱為「穿透分離性能」)，以及可長期間維持優異之穿透分離性能之分離膜片、分離膜元件、分離膜模組、及如此之分離膜片的製造方法。
本發明係提供下述所示之分離膜片、分離膜元件、分離膜模組、及分離膜片的製造方法。
[1]一種分離膜片，係使特定之流體成分選擇性地穿透，且包含：
第1多孔層、及
積層於前述第1多孔層上之樹脂組成物層；其中，
前述樹脂組成物層的過濾殘渣分率為20%以上90%以下，
且前述樹脂組成物層含有具有離子性基或其鹽之樹脂，在過濾殘渣中每1g乾燥樹脂之離子交換容量為1毫莫耳當量以上。
[2]如[1]項所述之分離膜片，更具有第2多孔層。
[3]如[2]項所述之分離膜片，其中，前述第2多孔層係積層於前述樹脂組成物層之與前述第1多孔層為相反側處。
[4]如[1]至[3]項中任一項所述之分離膜片，其中，前述離子性基為顯示酸性之離子性基。
[5]一種分離膜元件，係包含[4]項所述之分離膜片，其中，前述顯示酸性之離子性基為羧基。
[6]如[1]至[5]項中任一項所述之分離膜元件，其中，前述特定之流體成分為酸性氣體。
[7]如[6]項所述之分離膜元件，其中，前述樹脂組成物層更含有與酸性氣體進行可逆反應之物質。
[8]一種分離膜元件，係包含[1]至[7]項中任一項所述之分離膜片。
[9]如[8]項所述之分離膜元件，係包含：
有孔之中心管、及
包含[1]至[7]項中任一項所述之分離膜片之元件用積層體；其中，
前述元件用積層體係捲繞於前述中心管。
[10]一種分離膜模組，具備：至少1座之[8]或[9]項所述之分離膜元件；
用以對前述分離膜片供給原料流體之原料流體供給口；
用以排出未穿透前述分離膜片之原料流體的非穿透流體排出口；及
用以排出穿透前述分離膜片後之前述特定的流體成分之穿透流體排出口。
[11]一種分離裝置，係至少具備1個之[10]項所述之分離膜模組。
[12]一種氫之製造裝置，係至少具備1個之[10]項所述之分離膜模組；其中，
前述原料流體係包含氫及二氧化碳之原料氣體，
前述特定之流體成分包含二氧化碳。
[13]一種分離膜片的製造方法，係製造使特定之流體成分選擇性地穿透之分離膜片，該製造方法包含：於前述第1多孔層上形成樹脂組成物層之步驟；其中，
形成前述樹脂組成物層之步驟包含：對於前述第1多孔層上所形成之塗佈層，照射照射量為10kGy以上且未達1000kGy之電子束的步驟。
[14]如[13]項所述之分離膜片的製造方法，其中，前述樹脂組成物層的過濾殘渣分率為20%以上90%以下。
[15]如[13]或[14]項所述之分離膜片的製造方法，其中，
形成前述樹脂組成物層之步驟更具有：於前述塗佈層之與前述第1多孔層為相反側處積層第2多孔層而獲得積層體之步驟；
照射前述電子束之步驟係對於前述積層體具有之前述塗佈層照射電子束之步驟。
[16]如[13]至[15]項中任一項所述之分離膜片的製造方法，其中，前述樹脂組成物層包含具有離子性基或其鹽之樹脂，在過濾殘渣中每1g乾燥樹脂之離子交換容量為1毫莫耳當量以上。
[17]如[16]項所述之分離膜片的製造方法，其中，前述離子性基為顯示酸性之離子性基。
[18]如[17]項所述之分離膜片的製造方法，其中，前述顯示酸性之離子性基為羧基。
[19]如[13]至[18]項中任一項所述之分離膜片的製造方法，其中，前述塗佈層包含非交聯型聚合物。
[20]如[19]項所述之分離膜片的製造方法，其中，前述塗佈層更包含交聯型聚合物。
[21]如[13]至[20]項中任一項所述之分離膜片的製造方法，其中，前述特定之流體成分為酸性氣體。
[22]如[21]項所述之分離膜片的製造方法，其中，前述塗佈層更包含與酸性氣體進行可逆反應之物質。
[23]如[13]至[22]項中任一項所述之分離膜片的製造方法，其中，照射於前述塗佈層之電子束的照射量係藉由電子束之照射次數及照射時間中的至少一者而調整。
若依據本發明之分離膜片，可發揮優異之穿透分離性能，以及可長期間維持優異之穿透分離性能。
1‧‧‧氣體分離膜元件(分離膜元件)
3‧‧‧供給側流路構件
4‧‧‧穿透側流路構件
5‧‧‧中心管
10‧‧‧酸性氣體分離膜片(分離膜片)
11‧‧‧第1多孔層
11a‧‧‧第1多孔層捲繞體
12‧‧‧第2多孔層
12a‧‧‧第2多孔層捲繞體
15‧‧‧親水性樹脂組成物層(樹脂組成物層)
18‧‧‧積層體
18a‧‧‧積層體捲繞體
20‧‧‧氣體分離裝置(分離裝置)
31‧‧‧原料槽
32‧‧‧攪拌槽
33‧‧‧過濾器
34‧‧‧脫泡槽
35‧‧‧配管
37‧‧‧塗佈液槽
38‧‧‧狹縫模頭
39‧‧‧乾燥爐
49‧‧‧追加乾燥爐
50‧‧‧孔
51‧‧‧供給側端部
52‧‧‧排出口
53‧‧‧排出側端部
55‧‧‧防伸縮板
59‧‧‧電子束照射裝置
61‧‧‧氣體分離膜單元
62‧‧‧供給側室
63‧‧‧穿透側室
64、66‧‧‧冷卻捕集器
65、69‧‧‧背壓調整器
67‧‧‧氣相層析儀
68、70‧‧‧定量送液泵浦
81a、81c、81g‧‧‧混合器
82a‧‧‧水蒸氣改質器
82c‧‧‧二氧化碳(CO2)改質器
82g‧‧‧改質器
83a、83e‧‧‧凝縮器
84a‧‧‧減壓泵浦
84e‧‧‧鼓風機
85a‧‧‧脫液泵浦
86b‧‧‧膨脹渦輪
87b‧‧‧發電機
100a至100j‧‧‧氫之製造裝置
第1圖係表示本發明之分離膜片的一例之剖面圖。
第2圖係表示用以製造本發明之分離膜片的製造裝置之一例的概略圖。
第3圖係用以說明用以製造本發明之分離膜片的製造裝置中進一步的步驟之概略圖。
第4圖係用以說明用以製造本發明之分離膜片的製造裝置中進一步的步驟之概略圖。
第5圖係將分離膜元件展開表示且設有一部分切口部分之概略的立體圖。
第6圖(a)係表示分離膜元件且設有一部分展開部分之概略的立體圖，第6圖(b)係表示設有防伸縮板之分離膜元件且設有一部分展開部分之概略的立體圖。
第7圖係在實施例使用之氣體分離裝置的概略圖。
第8圖(a)及第8圖(b)係示意性表示使用本發明之分離膜片的氫之製造裝置的一例之構成圖。
第9圖(a)及第9圖(b)係示意性表示使用本發明之分離膜片的氫之製造裝置的另一例之構成圖。
第10圖(a)及第10圖(b)係示意性表示使用本發明之分離膜片的氫之製造裝置的再另一例之構成圖。
第11圖(a)及第11圖(b)係示意性表示使用本發明之分離膜片的氫之製造裝置的再另一例之構成圖。
第12圖(a)及第12圖(b)係示意性表示使用本發明之分離膜片的氫之製造裝置的再另一例之構成圖。
(分離膜片)
本發明之分離膜片係使特定之流體成分選擇性地穿透，該分離膜片係包含第1多孔層、及積層於第1多孔層上之樹脂組成物層；其中，樹脂組成物層的過濾殘渣分率為20%以上90%以下。過濾殘渣分率係可以後述之順序測定，以25%以上為較佳，以30%以上為更佳，又，以80%以下為較佳，以75%以下為更佳。若過濾殘渣分率較低，在進行流體成分之分離的過程中，有時樹脂組成物層之一部分或全部會通過第1多孔層之孔而產生缺損，流體成分之穿透性能及分離性能(以 下，有時彙整兩者而稱為「穿透分離性能」)之性能壽命有降低之傾向。又，若殘渣過濾率高，樹脂組成物層之柔軟性降低，樹脂組成物層與第1多孔層之密著性有容易降低之傾向。
樹脂組成物層包含具有離子性基或其鹽之樹脂。樹脂具有之離子性基或其鹽係可舉出與後述之親水性樹脂可具有之離子性基或其鹽為相同者。離子性基較佳係顯示酸性之離子性基，例如以羧基(-COOH)為較佳。
樹脂組成物層係過濾殘渣中之每1g乾燥樹脂之離子交換容量為1毫莫耳當量以上。上述離子交換容量較佳係1.02毫莫耳當量以上，更佳係1.04毫莫耳當量以上，可為1.1毫莫耳當量以上，亦可為1.2毫莫耳當量以上，亦可為1.3毫莫耳當量以上，亦可為1.4毫莫耳當量以上，亦可為1.5毫莫耳當量以上，亦可為3毫莫耳當量以上，通常為30毫莫耳當量以下，亦可為10毫莫耳當量以下，亦可為5毫莫耳當量以下。離子交換容量係每單元重量的樹脂之離子性基的數量，且以在樹脂組成物層所含之樹脂中每1g乾燥樹脂所含有的離子性基之當量數而定，可以後述之實施例記載之方法測定。又，所謂乾燥樹脂係指將樹脂保持於介質(例如水)之沸點以上的溫度時，重量幾乎沒有減少且重量之經時變化幾乎收斂至一定之樹脂。
分離膜片係可具有第2多孔層。第2多孔層係可在樹脂組成物層之與第1多孔層為相反側處以與樹脂組成物層相接或隔著其他層而積層，亦可在第1多孔層之與樹脂組成物層為相反側處以與第1多孔層相接或隔著其他層而積層。第1多孔層及第2多孔層可使用具有後述之結構者或以後述之材料所形成者。
選擇性地穿透分離膜片之流體成分可舉出氣體或液體。分離膜片係可使用作為例如使後述之酸性氣體選擇性地穿透之分離膜片、或使特定之離 子選擇性地穿透之分離膜片等。若依據上述之分離膜片，可發揮優異之穿透分離性能，以及可長期間維持優異之穿透分離性能。
(分離膜片的製造方法)
本發明之分離膜片的製造方法係製造使特定之流體成分選擇性地穿透之分離膜片的方法，該製造方法包含於第1多孔層上形成樹脂組成物層之步驟，形成樹脂組成物層之步驟包含對形成於第1多孔層上之塗佈層，照射照射量為10kGy以上且未達1000kGy之電子束的步驟。電子束之照射量較佳係14kGy以上，更佳係18kGy以上，再更佳係20kGy以上，又，以800kGy以下為較佳，以600kGy以下為更佳，以500kGy以下為再更佳。藉由使電子束之照射量為上述之範圍內，容易將樹脂組成物層之過濾殘渣分率調整至20%以上90%以下。又，電子束之加速電壓通常為10keV以上500keV以下，以100keV以上300keV以下為較佳。
形成樹脂組成物層之步驟更具有獲得在塗佈層之與第1多孔層為相反側處積層有第2多孔層之積層體的步驟，照射電子束之步驟係可為對積層體具有之塗佈層照射電子束之步驟。樹脂組成物層係如上述，亦可包含具有顯示酸性之離子性基或其鹽之樹脂。
塗佈層係如後述，可於第1多孔層塗佈塗佈液而形成，亦可含有非交聯型聚合物，進一步亦可含有交聯型聚合物。塗佈液係用以形成樹脂組成物層者，其包含可作為樹脂組成物層所含之樹脂的塗佈液用聚合物及介質，且可視需要包含與流體成分進行可逆反應之物質或界面活性劑等。有關塗佈液用聚合物、介質、與流體成分進行可逆反應之物質、界面活性劑等係例如可使用後述者。
以下，舉出分離膜片為酸性氣體分離膜片之情形作為例子，一邊參照圖式一邊進行說明。
(酸性氣體分離膜片)
第1圖係表示分離膜片之一例的剖面圖。本發明之分離膜片之一例的酸性氣體分離膜片係如第1圖所示，
係使酸性氣體(特定之流體成分)選擇性地穿透之酸性氣體分離膜片10(分離膜片)，
其包含：第1多孔層11；及
含有親水性樹脂(樹脂)，且積層於第1多孔層11上之親水性樹脂組成物層15(樹脂組成物層)；其中，
親水性樹脂組成物層15的過濾殘渣分率為20%以上90%以下。親水性樹脂組成物層15係包含具有離子性基或其鹽之樹脂，在過濾殘渣中每1g乾燥樹脂的離子交換容量為1毫莫耳當量以上。
酸性氣體分離膜片10係如第1圖所示，可為於第1多孔層11上設有親水性樹脂組成物層15者，但亦可為親水性樹脂組成物層15之與第1多孔層11為相反側處更具有第2多孔層12者。又，親水性樹脂組成物層亦可含有與酸性氣體進行可逆性反應之物質(以下，有時稱為「酸性氣體載體」)。
酸性氣體分離膜片10係具有使酸性氣體選擇性地穿透之酸性氣體選擇穿透性，以從原料氣體(原料流體)分離酸性氣體。所謂酸性氣體係指二氧化碳(CO2)、硫化氫(H2S)、硫化羰、硫氧化物(SOx)、氮氧化物(NOx)、氯化氫等鹵化氫等。又，所謂原料氣體係指供給至後述之氣體分離膜元件的氣體，而原料氣體至少包含酸性氣體。
在酸性氣體分離膜片10係可藉由親水性樹脂組成物層15中之溶解擴散機構與促進輸送機構，實現酸性氣體的高選擇穿透性。所謂溶解擴散機構 係利用在原料氣體所含之氣體成分對膜材之溶解度的差、及在原料氣體所含之氣體成分在膜中之擴散係數的差，而分離酸性氣體之機構。又，所謂促進輸送機構係在原料氣體所含之酸性氣體、及在膜材中所含之酸性氣體載體形成反應生成物而促進酸性氣體之穿透的機構。
下述反應式(1)係表示酸性氣體為CO2，且使用碳酸銫(Cs2CO3)作為酸性氣體載體(CO2載體)之情形時CO2與CO2載體之反應。又，反應式(1)中之記號「
Figure 108129824-A0202-12-0010-14
」係表示該反應為可逆反應。
Figure 108129824-A0202-12-0010-15
如上述反應式(1)所示，在CO2與CO2載體之可逆反應係必須有水分。亦即，在酸性氣體為CO2之酸性氣體分離膜片10中，如上述反應式(1)所示，會因膜材中之水分而改變酸性氣體之穿透量，膜材中之水分愈高，酸性氣體之穿透量愈多。
(親水性樹脂組成物層)
親水性樹脂組成物層15係可為包含親水性樹脂之凝膠狀之層。親水性樹脂組成物層15係可包含酸性氣體載體，亦可視需要包含親水性樹脂或酸性氣體載體以外之添加劑。
親水性樹脂組成物層15之過濾殘渣分率為20%以上，以25%以上為較佳，以30%以上為更佳，又，為90%以下，以80%以下為較佳，以75%以下為更佳。若過濾殘渣分率在上述之範圍內，即使在將使用酸性氣體分離膜片10之氣體分離膜元件在例如溫度140℃、濕度94%RH之高溫且高濕的運轉條件下使用之情形，亦可使酸性氣體之穿透性能(滲透率)及分離性能(以下，有時彙整兩者稱 為「氣體穿透分離性能」)成為優異者，而且可實現長期間維持該優異之氣體穿透分離性能的優異之性能壽命。
相對於此，若過濾殘渣分率較低，在使用酸性氣體分離膜片10持續地進行氣體分離之過程中，有時親水性樹脂組成物層15之一部分或全部會通過第1多孔層11之孔而產生缺損，氣體穿透分離性能之性能壽命有降低之傾向。又，若殘渣穿透率較高，親水性樹脂組成物層15之柔軟性會降低，親水性樹脂組成物層15與第1多孔層11之密著性容易降低。因此，由於將酸性氣體分離膜片10使用於氣體分離膜元件時之加工步驟等受到的機械性負荷之緣故，酸性氣體分離膜片10容易損傷，氣體穿透分離性能有降低之傾向。
過濾殘渣分率係使用如下所示之順序所測定的值，且依據下述式(I)而算出之值。亦即，
(1)將從酸性氣體分離膜片10以5cm×5cm之大小切出的試樣，浸漬於溫度20℃之水50mL，使親水性樹脂組成物層15充分分散於水中而獲得親水性樹脂組成物分散水。
(2)將親水性樹脂組成物分散水使用60網孔之濾材(材質：尼龍66PA、線徑：165μm、網眼：258μm；例如可從東京Screen公司取得尼龍網孔NB60(商品名))，不進行攪拌及加壓而進行自然過濾，獲得過濾開始5分鐘後之過濾殘渣及過濾液。
(3)使所得到之過濾殘渣及過濾液在溫度100℃之減壓烘箱(例如AS-1公司製、商品名：真空乾燥器AVO-250N)真空乾燥24小時後，測定真空乾燥後之過濾殘渣及過濾液之重量，作為固體成分重量[g]。
(4)依據所得到之固體成分重量，並依據下述式(I)算出過濾殘渣分率： 過濾殘渣分率[%]={過濾殘渣之固體成分之重量[g]÷(過濾殘渣之固體成分之重 量[g]+過濾液之固體成分之重量[g])}×100 (I)
親水性樹脂組成物層15之在過濾殘渣中每1g乾燥樹脂之離子交換容量為1毫莫耳當量以上。在酸性氣體分離膜片中，從獲得酸性氣體穿透必所需之保水性的觀點而言，以親水性樹脂組成物層15所含之樹脂具有離子性基或其鹽，且親水性樹脂組成物層15所含之親水性樹脂具有離子性基或其鹽為較佳。親水性樹脂組成物層15之上述離子交換容量係以1.02毫莫耳當量以上為較佳，以1.04毫莫耳當量以上為更佳，亦可為1.1毫莫耳當量以上，亦可為1.2毫莫耳當量以上，亦可為1.3毫莫耳當量以上，亦可為1.4毫莫耳當量以上，亦可為1.5毫莫耳當量以上，亦可為3毫莫耳當量以上，通常為30毫莫耳當量以下，亦可為10毫莫耳當量以下，亦可為5毫莫耳當量以下。
上述離子交換容量係以親水性樹脂組成物層15之過濾殘渣中每1g乾燥樹脂所含有的離子性基之當量數而定，可以後述之實施例記載之方法進行測定。又，所謂乾燥樹脂係指將過濾殘渣保持於水之沸點以上之溫度時，重量幾乎沒有減少且重量之經時變化幾乎收斂至一定之樹脂。
在親水性樹脂組成物層15所含之樹脂可具有之離子性基係可舉出顯示酸性之離子性基(亦即，陽離子交換性離子交換基)或顯示鹼性之離子性基(亦即，陰離子交換性離子交換基)，但從獲得必要的保水性之觀點而言，以具有顯示酸性之離子性基(陽離子交換性離子交換基)為較佳。在親水性樹脂組成物層15所含之樹脂可具有的顯示酸性之離子性基係可舉出例如羧基(-COOH)、磺酸基(-SO3H)、膦醯基(-PO3H2)、磺醯基醯亞胺基(-SO2NHSO2 -)、酚性羥基等。所謂離子性基之鹽係例如-COONa般，為離子性基之一部分或全部經金屬離子或4級銨 離子等交換而形成鹽之基。過濾殘渣中每1g乾燥樹脂之離子交換容量為1毫莫耳當量以上之樹脂係具有上述例示之離子性基或其鹽，以其數量可使上述之離子交換容量充足之聚合物為較佳，以離子性基以羧基者為更佳。
此等離子性基係可導入於聚合物之主鏈及側鏈之任一者、或兩者，但以導入於主鏈為較佳。在此，所謂聚合物之主鏈係意指聚合物中之最長的鏈。通常，該鏈係由藉由共價鍵相互鍵結之碳原子所構成，此時，該鏈係可被氮原子、氧原子、硫原子等中斷。
如上述，在親水性樹脂組成物層15所含之樹脂係以離子性基為羧基之聚合物為較佳。具有羧基之聚合物係以在構成聚合物之主鏈或側鏈的碳原子之中具有羧基之碳原子，含有不具有該羧基以外之取代基的結構單元為較佳，具體而言，較佳係具有源自丙烯酸或其衍生物之結構單元。具有如此之羧基的聚合物係可舉出由丙烯酸、亞甲基丁二酸、巴豆酸等由單體所聚合之聚合物，具體而言，係可舉出聚丙烯酸、聚亞甲基丁二酸、聚巴豆酸、丙烯酸-甲基丙烯酸共聚物、丙烯酸-甲基丙烯酸甲酯共聚物等。其中，屬於丙烯酸之聚合物的聚丙烯酸、屬於丙烯酸與甲基丙烯酸之聚合物的丙烯酸-甲基丙烯酸共聚物為較佳，以聚丙烯酸為更佳。此等聚合物係可於分子間或分子內具有交聯結構。
又，日本特開平10-57787號公報(專利文獻3)記載之乙烯醇系聚合物、或日本特開2003-251163號公報(專利文獻4)記載之聚醯亞胺、聚碸、聚醚碸、聚醯胺醯亞胺等高分子化合物係不具有上述之離子性基。
又，親水性樹脂組成物層15係如後述，可塗佈含有非交聯型聚合物或交聯型聚合物等塗佈液用聚合物之塗佈液而形成，但構成親水性樹脂組成 物層15之樹脂可以是於塗佈液用聚合物不使用交聯劑而導入交聯結構所得到者。
使構成親水性樹脂組成物層15之樹脂之離子交換容量成為上述範圍的方法，在藉由電子束照射導入交聯結構之情形，係可舉出將調製塗佈液之時使用的塗佈液用聚合物之離子性基之量進行調整之方法。
酸性氣體載體係存在於含有親水性樹脂之親水性樹脂組成物層15內，可藉由與溶解於親水性樹脂組成物層15內所存在之水中的酸性氣體進行可逆反應，而使酸性氣體選擇性地穿透。在親水性樹脂組成物層15內較佳係含有至少一種與酸性氣體進行可逆反應之物質作為酸性氣體載體。酸性氣體載體之具體例，當酸性氣體為二氧化碳之情形，可舉出鹼金屬碳酸鹽或鹼金屬重碳酸鹽、烷醇胺(例如記載於日本特許第2086581號(日本特公平7-102310號公報)等)、及鹼金屬氫氧化物(例如記載於國際公開公報2016/024523號等)等，當酸性氣體為硫氧化物之情形，可舉出含硫之化合物、或鹼金屬之檸檬酸鹽、及過渡金屬錯合物(例如記載於日本特許第2879057號公報等)等，當酸性氣體為氮氧化物之情形，可舉出鹼金屬亞硝酸鹽、或過渡金屬錯合物(例如記載於日本特許第2879057號公報等)等。
在親水性樹脂組成物層15係除了親水性樹脂、酸性氣體載體之外，可含有例如酸性氣體之水和反應觸媒或後述之界面活性劑等作為添加劑。酸性氣體之水和反應觸媒係可提升酸性氣體與載體之反應速度。酸性氣體之水和反應觸媒係以含有含氧酸化合物為較佳，更佳係含有選自由14族元素、15族元素及16族元素所組成之群組的至少1種元素之含氧酸化合物，再更佳係含有選自由 亞碲酸化合物、亞硒酸化合物、亞砷酸化合物及正矽酸化合物所組成之群組的至少1種。
親水性樹脂組成物層15之厚度係只要依照酸性氣體分離膜片10所需要的分離性能而適當選擇即可，但通常以0.1μm至600μm之範圍為較佳，以0.5μm至400μm之範圍為更佳，以1μm至200μm之範圍為尤佳。
(第1多孔層及第2多孔層)
第1多孔層11係如後述，可為塗佈有用以形成親水性樹脂組成物層15之塗佈液的層。在酸性氣體分離膜片10中，第1多孔層11可具有氣體穿透性高的多孔性，以避免與供給至親水性樹脂組成物層15之原料氣體，尤其是在原料氣體所含之氣體成分中，使親水性樹脂組成物層15選擇性地穿透之氣體成分形成擴散阻抗。第1多孔層11係可為1層結構，亦可為2層以上之積層結構。第1多孔層11較佳係具有符合酸性氣體分離膜片10設想之適用製程條件的耐熱性。在本說明書中，所謂「耐熱性」係意指即使在製程條件以上之溫度條件下保存第1多孔層11等構件2小時後，亦可維持該構件之保存前的形態，不會因熱收縮或熱熔融產光目視可確認的翹曲。
第2多孔層12係如後述，可為積層在第1多孔層11上所形成的親水性樹脂組成物層15之露出面上的層。第2多孔層12係在酸性氣體分離膜片10中，供給至親水性樹脂組成物層15之原料氣體，尤其在原料氣體所含之氣體成分之中，可具有氣體穿透性高的多孔性，以免成為使親水性樹脂組成物層15選擇性地穿透之氣體成分的擴散阻抗。第2多孔層12係可為1層結構，亦可為2層以上之積層結構。第2多孔層12較佳係具有依照在想定酸性氣體分離膜片10適用之工廠的製程條件之耐熱性。
第1多孔層11係可為疏水性，於溫度25℃之水的接觸角可為90度以上，亦可為95度以上，亦可為100度以上。又，第2多孔層12係以疏水性為較佳。具體而言，第2多孔層12於溫度25℃之水的接觸角以90度以上為較佳，以95度以上為更佳，以100度以上為更佳。含有水分之原料氣體供給至酸性氣體分離膜片10之情形，有時酸性氣體分離膜片10會結露，因結露產生之水有可能對親水性樹脂組成物層15造成損傷。然而，藉由使第1多孔層11及第2多孔層12為疏水性，可抑制因結露產生之水滲透至親水性樹脂組成物層15而對親水性樹脂組成物層15造成損傷之情形。水之接觸角係可以接觸角計(例如協和界面科學股份有限公司製；商品名：「DropMaster500」)進行測定。
第1多孔層11及第2多孔層12係分別以含有樹脂材料為較佳。在第1多孔層11及第2多孔層12所含之樹脂材料係可舉出例如：聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)等聚烯烴系樹脂；聚四氟乙烯(PTFE)、聚氟乙烯(PVF)、聚偏氟乙烯(PVDF)等含氟樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯樹脂；聚苯乙烯(PS)、聚醚碸(PES)、聚苯硫醚(PPS)、聚碸(PSF)、聚丙烯腈(PAN)、聚伸苯醚(PPO)、聚醯胺(PA)、聚醯亞胺(PI)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚醚醚酮(PEEK)、高分子量聚酯、耐熱性聚醯胺、芳醯胺、聚碳酸酯等樹脂材料等。此等之中，從撥水性之點而言，以聚烯烴系樹脂或含氟的樹脂為較佳。又，第1多孔層11及第2多孔層12所含之材料係除了上述之樹脂材料之外，尚可舉出金屬、玻璃、陶瓷等無機材料，亦可含有此等無機材料與上述之樹脂材料之兩者。構成第1多孔層11之材料、及構成第2多孔層12之材料係可分別為相同的材料，亦可為相異的材料。又，第1多孔層11或第2多孔層12為2層以上之積層結構的情形，構成各層之樹脂材料係可互相為相同的材料，亦可為相異的材料。
如後述之酸性氣體分離膜片製造方法，對於在第1多孔層11上所形成的塗佈層照射電子束而形成親水性樹脂組成物層15時，較佳係選擇不容易因照射之電子束的照射量(線量)而造成損傷之材料。尤其，將酸性氣體分離膜片使用於後述之氣體分離膜元件而進行氣體分離之情形，較佳係對積層於親水性樹脂組成物層15之穿透側的多孔層(第1多孔層11或第2多孔層)不容易因電子束照射而造成損傷。若因電子束照射而於多孔層產生皺摺或龜裂等之損傷，在進行酸性氣體分離時施加於酸性氣體分離膜片之壓力，會成為在親水性樹脂組成物層15產生針孔或龜裂等之缺陷的原因。在電子束之照射量為10kGy以上且未達1000kGy之情形，不容易產生如上述之損傷的樹脂材料可舉出聚烯烴系樹脂或含氟的樹脂等。
第1多孔層11之厚度及第2多孔層12之厚度並無特別限定，但從機械強度之觀點而言，分別獨立地以10μm至3000μm之範圍為較佳，以10μm至500μm之範圍為更佳，以15μm至150μm之範圍為再更佳。第1多孔層11之厚度與第2多孔層12之厚度係可互相為相同，亦可互相為相異。
第1多孔層11之孔的平均孔徑及第2多孔層12之孔的平均孔徑係分別獨立地以0.0005μm以上為較佳，以0.001μm以上為更佳，以0.005μm以上為再更佳，又，以10μm以下為較佳，以5μm以下為更佳，以1μm以下為再更佳。第1多孔層11之空孔率及第2多孔層12之空孔率係以5%至99%之範圍為較佳，以30%至90%之範圍為更佳。第1多孔層11之空孔率與第2多孔層12之空孔率係可互相為相同，亦可互相為相異。
第1多孔層11之孔的最大孔徑係以8μm以下為較佳，以4μm以下為更佳，以0.8μm以下為再更佳，通常為0.005μm以上。
為了對第1多孔層11或第2多孔層12加成性賦予強度等，酸性氣體分離膜片10係可於第1多孔層11及第2多孔層12之不與親水性樹脂組成物層15相接之面更積層多孔體。多孔體係可適宜使用例示為第1多孔層11及第2多孔層12之樹脂材料及無機材料、含有此等兩者之材料的不織布或織布等。
(酸性氣體分離膜片的製造方法)
以下，一邊參照圖式一邊說明有關酸性氣體分離膜片10之製造方法之一例。第2至5圖係用以製造酸性氣體分離膜片10之製造裝置的概略圖。酸性氣體分離膜片10之製造方法包含：
於第1多孔層11上形成親水性樹脂組成物層15之步驟；其中，
形成親水性樹脂組成物層15之步驟包含：對於第1多孔層11上所形成之塗佈層，照射照射量為10kGy以上且未達1000kGy之電子束的步驟(以下，有時稱為「電子束照射步驟」)；
親水性樹脂組成物層15包含親水性樹脂。親水性樹脂組成物層15的過濾殘渣中每1g乾燥樹脂之離子交換容量可為1毫莫耳當量以上。
在電子束照射步驟中，對塗佈層進行照射之電子束可從塗佈層側照射，亦可從第1多孔層11側進行照射。
形成親水性樹脂組成物層15之步驟係亦可包含：於第1多孔層11塗佈塗佈液而形成液層之步驟(以下，有時稱為「液層形成步驟」)。液層係亦可經過從第1多孔層11上之塗佈液除去介質之至少一部分的乾燥步驟而形成，亦可藉由該乾燥步驟形成塗佈層。
形成親水性樹脂組成物層15之步驟係可更具有：獲得在塗佈層之與第1多孔層11為相反側處積層有第2多孔層12之積層體18的步驟。此情形，在電 子束照射步驟中，對塗佈層照射之電子束可從第1多孔層11側進行照射，亦可從第2多孔層12側進行照射。
獲得積層體18之步驟係在液層形成步驟之後，亦可包含：在液層之與第1多孔層11為相反側處積層第2多孔層12而形成積層體18之步驟(以下，有時稱為「積層步驟」)。又，積層步驟係亦可具有對積層有第2多孔層12之液層進行乾燥之追加乾燥步驟，亦可藉由該追加乾燥步驟形成塗佈層。
酸性氣體分離膜片10較佳係如第2圖所示，以下述方式來製造：從將第1多孔層11捲取成捲筒狀之第1多孔層捲繞體11a捲出，且從將第2多孔層12捲取成捲筒狀之第2多孔層捲繞體12a捲出，在將此等連續地輸送的情況下獲得積層體18，將該積層體18捲取成捲筒狀，亦即捲筒至捲筒(Roll to Roll)方式。
(形成親水性樹脂組成物層15之步驟)
形成親水性樹脂組成物層15之步驟係在第1多孔層11上形成含有親水性樹脂之親水性樹脂組成物層15的步驟，亦可包含在第1多孔層11塗佈塗佈液而形成液層之液層形成步驟。塗佈液係用以形成親水性樹脂組成物層15者，且包含可作為親水性樹脂組成物層15所含之親水性樹脂的塗佈液用聚合物及介質，亦可包含與酸性氣體進行可逆反應之物質(酸性氣體載體)。塗佈液係可藉由將塗佈液用聚合物、介質、酸性氣體載體等原料在原料組成不會變化之溫度例如常溫(通常20℃)進行混合而獲得。所得到之塗佈液係如第2圖所示，可先貯存於原料槽31。又，可省略第2圖所示之原料槽31，於攪拌槽32裝填原料並混合，而準備塗佈液。
包含塗佈液用聚合物及介質之塗佈液之過濾殘渣分率係無特別限定，但從塗佈液之製膜性之觀點而言，以未達20%為較佳，以未達15%為更佳。 又，塗佈液之過濾殘渣分率係除了使用塗佈液取代上述過濾殘渣分率之算出方法之(1)中的親水性樹脂組成物層15以外，其餘係以同樣之順序算出。
在塗佈液所含之塗佈液用聚合物較佳係使用可形成如在電子束照射後過濾殘渣中每1g乾燥樹脂之離子交換容量會成為1毫莫耳當量以上的親水性樹脂組成物層15者。
塗佈液用聚合物係可舉出例如上述之具有羧基的聚合物。塗佈液用聚合物係可舉出非交聯型聚合物或交聯型聚合物，塗佈液用聚合物較佳係包含非交聯聚合物及交聯型聚合物。藉由使塗佈液包含交聯型聚合物及非交聯型聚合物，相較於塗佈液僅包含交聯型聚合物之情形，可提升塗佈液之製膜性。相對於交聯型聚合物與非交聯型聚合物之總重量，塗佈液中之非交聯型聚合物之含量係以1wt%以上為較佳，以2wt%以上為更佳，又，以99wt%以下為較佳，以90wt%以下為更佳，以80wt%以下為更佳。
交聯型聚合物係可舉出由具有羧基之聚合物交聯者。交聯型聚合物係可使具有羧基之聚合物與交聯劑反應而調製，亦可使具有羧基或會因水解反應而成為羧基之烷基酯基的單體與交聯性單體聚合而調製。交聯型聚合物具有之羧基可藉由金屬離子進行中和，而全部或部分地取代成羧酸鹽。金屬離子係以鹼金屬陽離子為較佳，中和反應之時機係以調製交聯型聚合物之後為較佳。
具有烷基酯基之單體可舉出：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸己酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸月桂酯等具有碳數1至16之烷基的丙烯酸烷酯；亞甲基丁二酸甲酯、亞甲基丁二酸乙酯、亞甲基丁二酸丙酯、亞甲基丁二酸丁酯、亞甲基丁二酸己酯、亞甲基丁二酸辛酯、亞甲基丁二酸月桂酯等具有碳數1至16之烷基的亞甲基丁二酸烷酯；巴豆酸甲酯、巴豆酸乙酯、 巴豆酸丙酯、巴豆酸丁酯、巴豆酸己酯、巴豆酸辛酯、巴豆酸月桂酯等具有碳數1至16之烷基的巴豆酸烷酯等。
交聯性單體及交聯劑並無特別限定，可使用以往公知者。交聯性單體可舉出例如二乙烯基苯、N，N’-亞甲基雙丙烯醯胺、三羥甲基丙烷三烯丙基醚、新戊四醇四烯丙基醚等。交聯劑可舉出例如環氧交聯劑、多元縮水甘油基醚、多元醇、多元異氰酸酯、多元氮丙啶(aziridine)、鹵化環氧化合物、多元醛、多元胺、有機金屬系交聯劑、金屬系交聯劑等。交聯性單體及交聯劑係以具有耐鹼性者為較佳。交聯方法係可採用熱交聯、紫外線交聯、電子束交聯、放射線交聯、光交聯(可見光交聯)等、或日本特開2003-268009號公報或日本特開平7-88171號公報記載之方法等以往公知之方法。調製交聯型聚合物之時機並無特別限定，但以在與酸性氣體載體或非交聯型聚合物混合之前實施為較佳。
交聯型聚合物係可使用市售品。聚丙烯酸之交聯型聚合物可舉出例如Aqupec(註冊商標，住友精化公司製)、SANFRESH(註冊商標，三洋化成公司製)等。
塗佈液含有交聯型聚合物時，該交聯型聚合物之黏度係以500mPa‧s以上且未達50000mPa‧s之範圍為較佳。黏度係指在pH7、溫度25℃、旋轉數20rpm之條件下以B型黏度計測定交聯型聚合物之0.2wt%水溶液得到的值。若黏度低，交聯型聚合物之耐壓強度會不足，酸性氣體分離膜片10之親水性樹脂組成物層15有無法作為分離功能層發揮功能之虞。另一方面，若黏度高，因交聯型聚合物之吸水所造成的膨潤被過度抑制，有保水量變得過小之虞。更佳的黏度係800mPa‧s以上且未達45000mPa‧s之範圍，更佳的黏度係1000mPa‧s以上且未達40000mPa‧s之範圍。
非交聯型聚合物可舉出以選自由乙酸乙烯酯、丙烯酸及此等之衍生物所組成之群組的1種以上之單體作為原料所得者。選自由用以獲得非交聯型聚合物之原料的乙酸乙烯酯、丙烯酸及此等之衍生物所組成之群組的1種以上之單體可舉出：乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、己酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯、棕櫚酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯、新癸酸乙烯酯等碳數2至16之脂肪酸的乙烯基酯；丙烯酸、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸己酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸月桂酯等具有碳數1至16之烷基的丙烯酸烷酯；亞甲基丁二酸、亞甲基丁二酸二甲酯、亞甲基丁二酸二乙酯、亞甲基丁二酸二丁酯、亞甲基丁二酸二己酯、亞甲基丁二酸二辛酯、亞甲基丁二酸二月桂酯等具有碳數1至16之烷基的亞甲基丁二酸二烷酯；巴豆酸、巴豆酸甲酯、巴豆酸乙酯、巴豆酸丙酯、巴豆酸丁酯、巴豆酸己酯、巴豆酸辛酯、巴豆酸月桂酯等具有碳數1至16之烷基的巴豆酸烷酯；丙烯醯胺、丙烯腈等。
由選自由乙酸乙烯酯、丙烯酸及此等之衍生物所組成之群組的1種以上之單體聚合而得之非交聯型聚合物可舉出聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚亞甲基丁二酸、聚巴豆酸、聚丙烯醯胺、乙烯基醇-丙烯酸共聚合物、丙烯酸-甲基丙烯酸共聚物、丙烯酸-甲基丙烯酸甲酯共聚物、丙烯酸-丙烯醯胺共聚物等。其中，以聚丙烯酸、丙烯酸-甲基丙烯酸共聚物、乙烯基醇-丙烯酸共聚物、丙烯酸-丙烯醯胺共聚物為較佳，以聚丙烯酸、丙烯酸-甲基丙烯酸共聚物為更佳。此等非交聯型聚合物亦可藉由使由選自由乙酸乙烯酯、丙烯酸及此等之衍生物所組成之群組的1種以上之單體聚合而得到之聚合物進行水解來調製。
由選自由乙酸乙烯酯、丙烯酸及此等之衍生物所組成之群組的1種以上之單體聚合而得之非交聯型聚合物，較佳係在結構單元具有選自由羧基、 羥基及胺甲醯基所組成之群組的1種以上之官能基。構成非交聯型聚合物之具有選自由羧基、羥基及胺甲醯基所組成之群組的1種以上之官能基的結構單元之合計含有率相對於構成非交聯型聚合物之全結構單元之總量，較佳為50mol%至100mol%之範圍，以60mol%至100mol%之範圍為更佳，以70mol%至100mol%之範圍為更佳。
非交聯型聚合物係可使用市售品。聚丙烯酸之非交聯型聚合物可舉出例如Aqupaana(註冊商標、住友精化公司製)、Aqualic(註冊商標、日本觸媒公司製)等。
塗佈液含有非交聯型聚合物時，該非交聯型聚合物之黏度較佳係100mPa‧s以上且未達1500mPa‧s之範圍，以低於交聯型聚合物者為較佳。黏度係依據與交聯型聚合物同樣之測定條件所得者。若黏度低，製膜性會降低，親水性樹脂組成物層15之柔軟性有不足之虞。另一方面，若黏度高，有難以合成非交聯型聚合物之虞。更佳的黏度係150mPa‧s以上且未達1200mPa‧s之範圍，更佳的黏度係200mPa‧s以上且未達1000mPa‧s之範圍。
在塗佈液所含之酸性氣體載體係可使用上述者。又，在塗佈液所含之介質可舉出例如：水、甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇等醇等的質子性極性溶劑；甲苯、二甲苯、己烷等之無極性溶劑；丙酮、甲乙酮、甲基異丁酮等酮、N-甲基吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺等之非質子性極性溶劑；等。介質係可單獨使用1種類，亦可在相溶之範圍內併用2種類以上。此等之中，更佳係含有選自由水、甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇等醇所組成之群組的至少1種之介質，以含有水之介質為更佳。
塗佈液係可視需要含有界面活性劑。藉由將界面活性劑添加於塗佈液，將塗佈液塗佈於第1多孔層11之時或於液層上積層第2多孔層12之時，界面活性劑會偏位地存在於液層與第1多孔層11及第2多孔層12之界面，可使第1多孔層11及第2多孔層12之潤濕性提高而改善膜厚之不均等。界面活性劑並無特別限定，但可使用例如聚氧乙烯聚氧丙二醇類、烷基苯基聚氧乙烯醚類、烷基聚氧乙烯醚類、氟系界面活性劑、聚矽氧系界面活性劑等之以往公知的界面活性劑。界面活性劑係可單獨使用1種類，亦可併用2種類以上。塗佈液係亦可含有上述之酸性氣體的水合反應觸媒。
塗佈液係以不含有交聯劑為較佳。在此，所謂不含有交聯劑係指相對於塗佈液中之塗佈液用聚合物之總重量，交聯劑之含量為未達0.1重量%之情形。如後述，由於親水性樹脂組成物層15係可藉由電子束照射等而於塗佈液所含之塗佈液用聚合物導入交聯結構，故亦可不藉由交聯劑而於聚合物導入交聯結構。
形成親水性樹脂組成物層15之步驟中的液層形成步驟較佳係例如第2圖所示，將攪拌槽32中之塗佈液隔著過濾器33送出至脫泡槽34而除去塗佈液內所含之異物或氣泡，進一步使用經過溫度調整等必要的處理後之塗佈液，於第1多孔層11進行塗佈。於第1多孔層11塗佈塗佈液係例如可在大氣壓下、溫度15至30℃下進行。脫泡槽34中之塗佈液係如第2圖所示，供給至具備狹縫模頭38之塗佈液槽37。此時，藉由在塗佈液槽37之底部設有塗佈液之出入口，可避免塗佈液槽37內之氣體混入於要供給至狹縫模頭38之塗佈液內之情形。
然後，在液層形成步驟係從已將第1多孔層11捲繞成捲筒狀之第1多孔層捲繞體11a連續地捲出之第1多孔層11上，從狹縫模頭38起連續地塗佈塗佈 液。第1多孔層捲繞體11a係以捲取成長度10m以上之第1多孔層11者為較佳，以製造1個之氣體分離膜元件所需的酸性氣體分離膜片之單元長度的整數倍以上為更佳。
在第2圖係表示使用狹縫模頭38塗佈塗佈液之方法，但將塗佈液塗佈於第1多孔層11之方法係不限定於此。塗佈方法可舉出例如旋轉塗佈法、棒式塗佈、模縫塗佈、刮刀塗佈、空氣刀塗佈、凹版塗佈、滾輪塗佈、噴塗塗佈、浸漬塗佈、缺角輪塗佈法、接觸塗佈法、網版印刷、噴墨印刷等。塗佈液之塗佈量係以每單位面積重量(每單元面積之固體成分量)為0.1g/m2至1000g/m2之範圍為較佳，以0.5g/m2至750g/m2之範圍為更佳，以1g/m2至500g/m2之範圍為再更佳。每單位面積重量之調節係可藉由塗佈液之塗佈速度(例如第1多孔層11之輸送速度)或塗佈液之濃度、塗佈液之吐出量等進行控制。又，塗佈液於第1多孔層11之塗佈係亦可依條紋狀或點狀之方式進行。
經塗佈之塗佈液的溫度只要依照組成或濃度而適當決定即可，但若溫度過高，會有介質從塗佈於第1多孔層11之塗佈液中大量蒸發而改變組成或濃度，或在親水性樹脂組成物層15殘留蒸發痕跡之虞，故以15℃以上為較佳，且比使用之介質的沸點低5℃以上之溫度範圍為較佳。例如使用水作為介質時，塗佈於第1多孔層11之塗佈液之溫度係以15℃至95℃之溫度範圍為較佳。
經塗佈液塗佈之第1多孔層11係例如可輸送至如第2圖所示之乾燥爐39，而進行除去介質之至少一部分的乾燥步驟而形成液層。從塗佈於第1多孔層11之塗佈液除去介質之方法並無特別限定，但藉由吹送經加熱之空氣等而使介質蒸發除去並乾燥之方法為較佳。具體而言，例如只要將乾燥爐39內調節至 預定溫度及預定濕度，將將經塗佈液塗佈之第1多孔層11搬入至乾燥爐39內，將介質從第1多孔層11上之塗佈液中蒸發除去即可。
在乾燥步驟之乾燥條件係具有於液層上積層第2多孔層12之積層步驟之情形時，較佳係以適合積層第2多孔層12的液層之介質含有率之方式進行選定，但在乾燥爐39之乾燥溫度較佳係考量塗佈液所含之介質及第1多孔層11之種類而決定。在乾燥爐39之乾燥溫度通常係以設為比介質之凝固點更高且比構成第1多孔層11之材料的融點更低之溫度為較佳，一般以60℃至200℃之範圍為適宜。又，亦可將乾燥爐39內畫分區域，將各個區域設定成相異之溫度而進行乾燥步驟。此時，出入口部分之區域的溫度較佳係低於中央部分之區隔的溫度。
在酸性氣體分離膜片10之製造方法中，亦可將塗佈液之塗佈及乾燥步驟重複進行2次以上，形成2層以上之液層。藉由積層2層以上之液層而形成親水性樹脂組成物層15，可抑制因親水性樹脂組成物層15之不均等造成產生針孔之情形。形成2層以上之液層時，塗佈液之組成或塗佈量等之塗佈條件及乾燥條件在各液層中可為互相相異或相同。
在形成親水性樹脂組成物層15之步驟中，沿續在乾燥步驟後，亦可進行在形成於第1多孔層11上之液層積層第2多孔層12而形成積層體18之積層步驟。第2多孔層12係積層在液層之與第1多孔層11為相反側處。在積層步驟係例如第2圖所示，從已將第2多孔層12捲取成捲筒狀之第2多孔層捲繞體12a連續地捲出第2多孔層12，並積層於第1多孔層11上所形成之液層的露出面上而形成積層體18。第2多孔層捲繞體12a較佳係捲取成長度10m以上之第2多孔層12者，更佳係製造1個氣體分離膜元件所需的酸性氣體分離膜片之單元長度之整數倍以上。
沿續積層步驟後，亦可進行將該積層體18捲取成捲筒狀之步驟，而形成積層體捲繞體18a。
在形成親水性樹脂組成物層15之步驟中，沿續積層步驟後，可對於積層體18進行使積層體18中之液層進行乾燥的追加乾燥步驟。在追加乾燥步驟係例如第3圖所示，可從積層體捲繞體18a連續地捲出積層體18，輸送至追加乾燥爐49而從積層體18中之液層進一步除去介質而形成塗佈層。追加乾燥爐49係可使用與上述之乾燥爐39同樣者，進行追加乾燥時之乾燥溫度只要依照塗佈液所含之介質與第1多孔層11及第2多孔層12之種類而適當決定即可。在追加乾燥爐49之乾燥溫度通常係以設為比介質之凝固點更高且比構成第1多孔層11及第2多孔層12之材料的融點更低之溫度為較佳，一般以60℃至200℃之範圍為適宜。從追加乾燥爐49所搬出之積層體18可再度捲取成捲筒狀。
在形成親水性樹脂組成物之步驟所形成之第1多孔層上的塗佈層係塗佈上述塗佈液所形成者，故可包含上述之塗佈液用聚合物(非交聯型聚合物或非交聯型聚合物)。
在上述中，沿續積層步驟後，舉出設有將積層體18捲取成捲筒狀之捲取步驟之情形為例子來進行說明，但亦可不進行捲取積層體18之步驟而輸送至追加乾燥爐以進行追加乾燥。
(電子束照射步驟)
電子束照射步驟係對形成於第1多孔層11上之塗佈層照射電子束，而於第1多孔層11上形成親水性樹脂組成物層15之步驟。電子束照射步驟係例如第4圖所示，從經過追加乾燥步驟之積層體捲繞體18a將積層體18連續地捲出，對於所捲出之積層體18，藉由從第2多孔層12側照射來自電子束照射裝置59之電子束，可 使塗佈層中之塗佈液用聚合物在分子內或分子間進行交聯而形成親水性樹脂組成物層15。
以電子束照射進行塗佈液用聚合物之交聯，推測並非因塗佈液用聚合物具有之羧基等官能基的參與而形成交聯結構，而是羧基等官能基鍵結之碳原子與其他碳原子鍵結形成烷基鏈而形成交聯結構者。因此，如上述，在以電子束照射進行交聯時，在塗佈液用聚合物導入交聯結構之前後(亦即，電子束照射之前後)，可成為離子性基或其鹽之官能基之數量並沒有大幅地變化，離子交換容量亦幾乎沒有變化。相對於此，使用交聯劑之情形時，聚合物具有之羧基等官能基會與交聯劑進行反應而於聚合物導入交聯結構。因此認為，以交聯劑進行交聯時，在導入交聯結構之前後，可成為離子性基或其鹽之官能基之數量會受到變化，且離子交換容量大幅地變化。
照射於積層體18中之塗佈層的電子束之照射量係10kGy以上，以14kGy以上為較佳，以18kGy以上為更佳，以20kGy以上為再更佳，而且為未達1000kGy，以800kGy以下為較佳，以600kGy以下為更佳，以500kGy以下為再更佳。若電子束之照射量較少，難以使親水性樹脂組成物層15之過濾殘渣分率為20%以上，塗佈液用聚合物之交聯無法成為充分者，而酸性氣體分離膜片10之氣體穿透分離性能有降低之傾向。又，若電子束之照射量較多，難以使親水性樹脂組成物層15之過濾殘渣分率為90%以下，用以將酸性氣體分離膜片10使用於氣體分離膜元件進行加工時，酸性氣體分離膜片10容易損傷，氣體穿透分離性能有降低之傾向。
對於積層體18所照射之電子束之加速電壓雖然取決於第2多孔層12之厚度而定，但通常為10keV以上500keV以下，以100keV以上300keV以下為較 佳。又，進行電子束照射時之照射環境並無特別限定，但較佳係設為氮氣或氬氣、氦氣等非活性氣體環境。
在電子束照射步驟係可依照電子束照射裝置59進行照射之電子束的線量，藉由使電子束之照射量成為上述之範圍內之方式調整電子束之照射次數或照射時間，而調整電子束之照射量。照射量係對電子束之總量乘以電子束之照射時間、照射次數而得之值。因此，在電子束照射步驟係亦可以成為上述之照射量的方式將電子束之照射分成2次以上進行。
藉由電子束照射步驟所得之親水性樹脂組成物層15係可為塗佈液用聚合物全部經交聯者，亦可為一部分經交聯者。親水性樹脂組成物層15係於塗佈層(塗佈液)中包含非交聯型聚合物之情形時，可為該非交聯型聚合物之至少一部分在分子內或分子間經電子束交聯者，亦可使非交聯型聚合物之一部分不經電子束交聯而殘留。在塗佈層(塗佈液)中含有非交聯型聚合物以及交聯型聚合物之情形時，親水性樹脂組成物層15所含之交聯型聚合物係可為非交聯型聚合物在分子內或分子間經電子束交聯者，亦可為交聯型聚合物在分子內或分子間經電子束交聯者，亦可為非交聯型聚合物與交聯型聚合物在分子間經電子束交聯者，亦可殘留未經電子束交聯之交聯型聚合物或非交聯型聚合物。
上述係舉出從積層體18之第2多孔層12上進行電子束照射之情形為例子來進行說明，但亦可從第1多孔層11上進行電子束照射，在不積層第2多孔層12之情形，亦可直接對塗佈層照射電子束。又，上述係舉出從經過追加乾燥步驟之積層體捲繞體將積層體連續地捲出而進行電子束照射之情形為例子來進行說明，但亦可不進行將經過追加乾燥之積層體捲出之步驟而輸送至電子束照射裝置59以進行電子束照射。
又，上述係舉出對塗佈層進行電子束照射而使塗佈液中之塗佈液用聚合物進行交聯之情形為例子來進行說明，但交聯方法係可採用熱交聯、紫外線交聯、輻射線交聯、光交聯(可見光交聯)等，亦可組合此等。又，亦可組合此等交聯方法與電子束交聯而進行。
(氣體分離膜元件)
酸性氣體分離膜片10係可使用於螺旋型、平膜型、褶襉型、板及框型等公知之氣體分離膜元件(分離膜元件)。
就氣體分離膜元件而言，舉出使用螺旋型氣體分離膜元件之情形為例子來進行說明。第5圖係將螺旋型之氣體分離膜元件展開表示且設有一部分缺口部分的概略立體圖。又，第6圖(a)係表示氣體分離膜元件1(分離膜元件)且設有一部分展開部分的概略立體圖，第6圖(b)係表示設有防伸縮板之氣體分離膜元件且設有一部分展開部分的概略立體圖。
螺旋型之氣體分離膜元件1可具備將元件用積層體捲繞於中心管5而成之捲繞體，該元件用積層體係具有：
含有酸性氣體之原料氣體進行流動之供給側流路構件3；
使在供給側流路構件3流動之原料氣體所含的酸性氣體選擇性進行分離並使其穿透之酸性氣體分離膜片10；
含有穿透酸性氣體分離膜片10後之酸性氣體的穿透氣體進行流動之穿透側流路構件4；
用以防止原料氣體與穿透氣體混合的密封部；及
將在穿透側流路構件4流動之穿透氣體收集之中心管5；
且分別積層至少1個以上之供給側流路構件3、酸性氣體分離膜片10、及穿透側流路構件4者。捲繞體係亦可為圓筒狀、方筒狀等之任意形狀。
氣體分離膜元件1可更具備外周膠帶或第6圖(b)所示之防伸縮板55等固定構件，以防止捲繞體之回捲或崩捲，亦可於捲繞體之最外周具有外包裝(補強層)，以確保對施加於氣體分離膜元件1之內壓及外壓所產生的負荷之強度。
供給側流路構件3及穿透側流路構件4較佳係具有促進原料氣體及穿透酸性氣體分離膜片10後之穿透氣體的亂流(膜面之表面更新)而使原料氣體中之穿透氣體的膜穿透速度增加之功能、及使所供給之原料氣體及穿透酸性氣體分離膜片10後之穿透氣體的壓力損失儘可能地減少之功能。由於供給側流路構件3及穿透側流路構件4較佳係具備：作為形成原料氣體及穿透氣體之流路的間隔物之功能、及於原料氣體及穿透氣體產生亂流之功能，故適宜使用網眼狀(網狀、網孔狀等)者。由於依網眼之形狀不同會改變氣體之流路，故網眼目之單元格子的形狀較佳係依照目的而由例如正方形、長方形、菱形、平行四邊形等形狀選出。作為供給側流路構件3及穿透側流路構件4之材質並無特別限定，但較佳係具有可承受設有氣體分離膜元件1之氣體分離裝置的運轉溫度條件之耐熱性的材料。
密封部係為了防止原料氣體與穿透氣體之混合而設，例如可藉由使密封材料浸透至穿透側流路構件4及酸性氣體分離膜片10而進行硬化來形成。密封部通常係可設置在位於與捲繞體之中心管5的軸平行之方向的兩端之端部、及位於與中心管5之軸垂直的方向之兩端的端部中中心管5與端部之距離為較長之側的端部，而構成所謂包膜狀。密封部係可使用一般作為接著劑所使用之材料，例如可使用環氧系樹脂等。
為提升使用氣體分離膜元件之酸性氣體分離的效率，亦可供給會與穿透酸性氣體分離膜片10後之穿透氣體一起從氣體分離膜元件排出的掃除氣體。使用於該情形之氣體分離膜元件係除了在第5圖所示之中心管5及穿透側流路構件設有加成性構成之方面與上述經說明之氣體分離膜元件相異以外，其他之構成均相同。供給掃除氣體時的氣體分離膜元件係可於中心管5之內部具有阻隔構件，且對於穿透側流路構件4在對應於阻隔構件之位置沿著與中心管5垂直的方向延設區隔構件。阻隔構件及區隔構件係藉由阻隔氣體穿透而限定氣體之流路者。又，設有阻隔構件之位置係可為中心管5之中心附近，但只要在中心管5內以使供給至穿透側流路構件4之掃除氣體的流路、從穿透側流路構件4所回收之穿透氣體、及掃除氣體之混合氣體之流路互相區隔之方式配置即可，並無特別限定。掃除氣體並無特別限定，但可使用含有選自由空氣、氧、二氧化碳、氮、氬、氦及水蒸氣所組成之群組的至少一種之氣體。
中心管5係用以將穿透酸性氣體分離膜片10後之穿透氣體收集，並從氣體分離膜元件1排出之導管。中心管5較佳係具有可承受設有氣體分離膜元件1之氣體分離裝置的使用溫度條件之耐熱性，且具有可承受元件用積層體之捲附的機械強度之材料。中心管5係如第6圖所示，在其外周面具有使以穿透側流路構件4所形成的穿透氣體之流路空間與中心管5內部之中空空間連通的複數個孔50。
對酸性氣體分離膜片10供給掃除氣體之情形，氣體分離膜模組係可更具備用以對酸性氣體分離膜片供給掃除氣體之掃除氣體供給口。該掃除氣體供給口只要設置成與第6圖所示之氣體分離膜元件之與排出口52為相反側之 中心管5的端部口連通即可，例如可設置於氣體分離膜元件之本體，亦可設置於收納氣體分離膜元件之殼體內。
氣體分離膜元件1係可使用於氣體分離膜模組(分離膜模組)，氣體分離膜模組係具有1座以上之氣體分離膜元件1。氣體分離膜模組係具備：用以對酸性氣體分離膜片供給原料氣體之原料氣體供給口(與第6圖所示之供給側端部51連通之部分)(原料流體供給口)、用以排出穿透酸性氣體分離膜片後之穿透氣體的穿透氣體排出口(與第6圖所示之排出口52連通之部分)(穿透流體排出口)、及用以排出未穿透酸性氣體分離膜片之原料氣體的非穿透氣體排出口(與第6圖所示之排出側端部53連通之部分)(非穿透流體排出口)。上述之原料氣體供給口、非穿透氣體排出口及穿透氣體排出口係可設置於氣體分離膜元件之本體，亦可設置於收納氣體分離膜元件之容器(以下，有時亦稱為「殼體」)。
殼體係可形成用以封入在氣體分離膜模組內流通之原料氣體的空間，例如可具有：不銹鋼等之筒狀構件、及用以堵塞該筒狀構件之軸方向兩端的賭塞構件。殼體係可為圓筒狀、方筒狀等任意之筒狀形狀，但氣體分離膜元件1通常為圓筒狀，故以圓筒狀為較佳。又，在殼體之內部係可設置區隔，該區隔係用以防止供給至供給側端部51之原料氣體、與未穿透氣體分離膜元件1所具備之酸性氣體分離膜片10的非穿透氣體混合。
在殼體內配置2個以上之氣體分離膜元件1的情形，供給至各氣體分離膜元件1之原料氣體係可並聯地供給，亦可串聯地供給。在此，所謂並聯地供給原料氣體係指至少分配原料氣體而導入複數個氣體分離膜元件之情形，所謂串聯地供給原料氣體係指將從前段之氣體分離膜元件1所排出之穿透氣體及/或非穿透氣體導入至後段之氣體分離膜元件1之情形。
又，在上述係說明有關使用酸性氣體分離膜片10而獲得氣體分離膜元件1或氣體分離膜模組之情形，但亦可使用使特定之流體成分選擇性地穿透之分離膜片，取代使用使酸性氣體選擇性地穿透之酸性氣體分離膜片10。特定之流體成分可舉出氣體或液體。
(氣體分離裝置)
氣體分離裝置(分離裝置)係具備至少1個氣體分離膜模組。在氣體分離裝置所具備之氣體分離膜模組的排列及個數係可依照所要求之處理量、特定氣體之回收率、設置氣體分離裝置之場所的大小等進行選擇。
(酸性氣體分離膜片之用途)
在酸性氣體為二氧化碳(CO2)之情形，上述之酸性氣體分離膜片10係可從含有CO2及水蒸氣之原料氣體中除去CO2且同時除去水蒸氣，故含有酸性氣體分離膜片10之氣體分離裝置係可使用在各種之用途。具體而言，係為了除去下述氣體所含之CO2或水蒸氣，可使用上述之酸性氣體分離膜片10、氣體分離膜模組、氣體分離裝置等，該氣體為：進行烴之改質而得，而用以製造氫等之改質氣體；在燃料電池等產生的氫之電化學性氧化反應氣體；在生質之甲烷發酵等所得之生物氣體；在鍋爐等產生之燃燒排出氣體等。
(使用氣體分離膜模組之氫之製造裝置及氫之製造方法)
氫之製造裝置係可至少具備1個氣體分離膜模組(分離膜模組)。此時，氣體分離膜模組係可從至少含有氫及二氧化碳之原料氣體(原料流體)中使含有二氧化碳氣體之氣體成分(特定之流體成分)選擇性地穿透。在氫之製造裝置所具備之氣體分離膜模組係可作為含有氣體分離膜模組之氣體分離裝置而具備。
供給至氣體分離膜模組之原料氣體所含的氫係可為藉由烴之改質反應所生成的改質氣體中所含者。藉由從該改質氣體中使用酸性氣體分離膜片10除去CO2及水蒸氣，可製造粗純化氫(氫)。烴之改質反應係可藉由使用CO2之CO2改質、使用水蒸氣之水蒸氣改質、此等2種改質的組合之任一者來進行。因此，製造粗純化氫時，在使用酸性氣體分離膜片10之除去時所回收的含有CO2及水蒸氣之混合氣體係可在分離CO2及水蒸氣之後，再利用於烴之改質反應。藉此，可降低使用於烴之改質反應的原料。
藉由氣體分離裝置或氣體分離膜模組具備之酸性氣體分離膜片10所進行的膜分離係藉由穿透酸性氣體分離膜片10之穿透氣體量而決定膜分離之處理量。提高膜分離之處理量之方法係可舉出：藉由使供給至酸性氣體分離膜片10之供給側的原料氣體之壓力以壓縮機等進行昇壓，使供給側之氣體分壓高於穿透側(酸性氣體分離膜片10之穿透氣體被排出之側)之氣體分壓的方法；藉由將酸性氣體分離膜片10之穿透側設為減壓狀態，使供給側之氣體分壓高於穿透側之氣體分壓之方法(以下，有時稱為「減壓法」)；藉由對酸性氣體分離膜片10之穿透側供給用以與穿透氣體一起排出之掃除氣體，以增加穿透氣體量之方法(以下，有時稱為「掃除法」)；組合此等中的2種以上之方法等。此等之中，在將穿透氣體之至少一部分再利用的情形，由於從不需要供給新的氣體(掃除氣體)，且可僅分離穿透氣體，故使用減壓法為較佳。
可從如上述方式所得到之粗純化氫純化出高純度氫。若依據該方法，相較於將改質氣體純化成高純度氫之情形，在純化手段之化學吸收法或壓力變動吸附法(PSA)中，可期待省能源化或氫耗損降低化。
以下，在參照圖式下，說明有關使用甲烷(CH4)作為烴，進行CH4之水蒸氣改質或CH4之CO2改質而製造氫之情形的較佳之實施形態。第8圖至第12圖係示意性表示使用本實施形態之分離膜片的氫之製造裝置之一例的構成圖。
(實施形態1)
第8圖(a)所示之氫之製造裝置100a係進行水蒸氣改質而製造氫之裝置，藉由減壓法進行膜分離。氫之製造裝置100a係具有：混合器81a、用以進行水蒸氣改質之水蒸氣改質器82a、具備具有酸性氣體分離膜片10之氣體分離膜模組的氣體分離裝置20、凝縮器83a、減壓泵浦84a、脫液泵浦85a。
混合器81a係用以將成為水蒸氣改質之原料的CH4及水蒸氣(圖中為H2O)供給至水蒸氣改質器82a者。混合器81a係可舉出例如攪拌機、氣化器、噴塗噴霧器、噴射器、此等中的2種以上之組合等。
水蒸氣改質器82a係用以使用供給自混合器81a之CH4及水蒸氣而進行水蒸氣改質者。水蒸氣改質器82a係可具有：
依據反應式(2)所示之水蒸氣改質反應，將CH4改質為一氧化碳(CO)及氫(H2)之改質部；及
Figure 108129824-A0202-12-0036-16
依據反應式(3)所示之CO轉化反應，將CO轉化成CO2及H2之轉化部
Figure 108129824-A0202-12-0036-17
氣體分離裝置20係具備具有酸性氣體分離膜片10之氣體分離膜模組，用以從供給至氣體分離裝置20之原料氣體(改質氣體及水蒸氣)中使CO2及水蒸氣選擇性進行分離者。雖然對氣體分離裝置20供給在水蒸氣改質器82a生成之含有H2及CO2的改質氣體，但該改質氣體係亦包含供給作為水蒸氣改質之原料 的水蒸氣(原料中之未反應的水蒸氣)。因此，在氣體分離裝置20係藉由從所供給之含有改質氣體及水蒸氣之原料氣體中使CO2及水蒸氣選擇性地穿透酸性氣體分離膜片10，可將含有CO2及水蒸氣之混合氣體與富含H2之粗純化氫分離。又，在氣體分離裝置20，對氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10供給的原料氣體(改質氣體及水蒸氣)之流動方向、與穿透氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10後之穿透氣體(CO2及水蒸氣)的流動方向係可為順流，亦可為逆流。
凝縮器83a係用以將穿透氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10後之包含CO2及水蒸氣的混合氣體分離成CO2及水蒸氣者，藉由將CO2及水蒸氣冷卻，使水蒸氣液化而分離CO2與水蒸氣。減壓泵浦84a係用以回收在凝縮器83a分離之CO2者。脫液泵浦85a係用以回收在凝縮器83a使水蒸氣液化產生之水者。
第8圖(a)所示之氫之製造裝置100a係可如以下方式製造氫。首先，將成為水蒸氣改質之原料的CH4及水供給至混合器81a。供給至混合器81a之水係只要為適宜作為水蒸氣改質之原料者，並無特別限定，可從氫之製造裝置100a以外調度，或者如第8圖(a)所示，使用後述之氫的製造方法中在氣體分離裝置20所回收之水。又，在只藉由氣體分離裝置20中所回收之水不足以作為水蒸氣改質之原料時，在氣體分離裝置20所回收之水中，可追加從氫之製造裝置100a以外所調度的水作為不足分量之水，而供給至混合器81a。以混合器81a所調整之CH4及水蒸氣係供給至水蒸氣改質器82a，進行上述之反應式(2)所示之水蒸氣改質反應、及上述之反應式(3)所示之CO轉化反應，生成作為改質氣體之H2及CO2。
所生成之改質氣體中因亦含有供給作為水蒸氣改質之原料的未反應之水蒸氣，故將以及含有水蒸氣之原料氣體與改質氣體(H2及CO2)一起供給 至氣體分離裝置20。氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10係可使CO2及水蒸氣選擇性地穿透，故在氣體分離裝置20中，將含有CO2及水蒸氣之混合氣體與富含H2之原料氣體分離，獲得粗純化氫(圖中為H2)。穿透氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10之穿透氣體的組成(CO2及水蒸氣之比率)係可藉由調整穿透側之壓力而進行調整。經選擇性地穿透氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10後之CO2及水蒸氣係藉由以凝縮器83a使水蒸氣進行液化而與CO2分離，CO2則藉由減壓泵浦84a而回收，使水蒸氣液化而生成之水係藉由脫液泵浦85a而回收。藉由脫液泵浦85a所回收之水係可再利用作為水蒸氣改質之原料。
又，第8圖(a)所示之氫之製造裝置100a係舉出使用凝縮器83a而使CO2與水蒸氣進行分離之情形為例子來說明，但亦可使用水蒸氣分離膜取代凝縮器83a而分離CO2與水蒸氣。此時，可不使在水蒸氣分離膜分離之水蒸氣進行液化，而直接供給至混合器81a。
(實施形態1之變形例)
第8圖(b)所示之氫之製造裝置100b係進行水蒸氣改質而製造氫之裝置，與上述之實施形態的差異在於，使用壓力比水蒸氣改質反應之壓力更高的CH4作為成為水蒸氣改質之原料的CH4。本變形例係可藉由使用壓力比上述之實施形態更高之CH4，將藉由該CH4以差壓發電得到之電力用於使氫之製造裝置100b所具備之機器運轉。在以下，有關與先前之實施形態說明者為相同的構件係賦予相同的符號，並省略其說明。
氫之製造裝置100b係具有混合器81a、水蒸氣改質器82a、氣體分離裝置20、凝縮器83a、減壓泵浦84a、脫液泵浦85a、膨脹渦輪86b、發電機87b。有關膨脹渦輪86b及發電機87b以外之各構件的說明係如上述。
膨脹渦輪86b係藉由導入壓力比在水蒸氣改質器82a使用時的CH4之壓力更高之CH4來驅動，伴隨此，使所導入之CH4膨脹並減壓。以膨脹渦輪86b減壓之CH4係被供給至混合器81a。發電機87b係藉由膨脹渦輪86b之驅動而驅動來進行發電者。以發電機87b產生之電力係可用於驅動減壓泵浦84a或脫液泵浦85a。
第8圖(b)所示之氫之製造裝置100b係可如以下方式製造氫。首先，將成為水蒸氣改質之原料的CH4導入於膨脹渦輪86b。在膨脹渦輪86b係藉由對葉片部噴出CH4，使膨脹渦輪86b進行旋轉而驅動發電機87b。藉此，以發電機87b係可進行發電。在膨脹渦輪86b進行膨脹並減壓後之CH4係被供給至混合器81a。水係與先前之實施形態同樣地，只要適宜作為水蒸氣改質之原料者，並無特別限定，可從氫之製造裝置100b以外進行調度，或者如第8圖(b)所示，使用在後述之氣體分離裝置20中所回收之水。又，在只藉由氣體分離裝置20所回收之水不足以作為水蒸氣改質之原料時，在氣體分離裝置20所回收之水中，可追加從氫之製造裝置100b以外所調度之水作為不足分量之水，而供給至混合器81a。以混合器81a調整過之CH4及水蒸氣係可供給至水蒸氣改質器82a，如先前之實施形態敘述，進行水蒸氣改質反應及CO轉化反應。繼而，將含有在水蒸氣改質器82a生成之改質氣體及原料中之未反應的水蒸氣的原料氣體供給至氣體分離裝置20，分離成包含CO2及水蒸氣之混合氣體與富含H2之原料氣體，獲得粗純化氫(圖中為H2)。穿透氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10之穿透氣體的組成(CO2及水蒸氣之比率)係可藉由調整穿透側之壓力而進行調整。選擇性地穿透氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10後之CO2及水蒸氣係藉由以凝縮器83a使水蒸氣進行液化而與CO2分離，且藉由因發電機87b產生之電力受到驅動之減壓泵浦84a及 脫液泵浦85a而分別回收CO2及水。所回收之水係可再利用作為水蒸氣改質之原料。
又，第8圖(b)所示之氫之製造裝置100b係舉出藉由差壓發電在發電機87b所得到之電力而驅動減壓泵浦84a或脫液泵浦85a之情形為例子來進行說明，但不限定於此。例如，亦可將藉由導入CH4使膨脹渦輪86b進行旋轉所得之動力，用於驅動減壓泵浦84a或脫液泵浦85a。
又，在本變形例中，混合器81a含有噴射器之情形，成為水蒸氣改質之原料的CH4(壓力比水蒸氣改質反應之壓力更高之CH4)係可使用來作為噴射器之驅動流體。
(實施形態2)
第9圖(a)所示之氫之製造裝置100c係進行CO2改質而製造氫之裝置，且藉由減壓法進行膜分離。以下，有關與以先前之實施形態及變形例說明者相同的構件係賦予相同的符號，省略其說明。氫之製造裝置100c係具有混合器81c、用以進行CO2改質的CO2改質器82c、具備具有酸性氣體分離膜片10之氣體分離膜模組的氣體分離裝置20、凝縮器83a、減壓泵浦84a、脫液泵浦85a。有關混合器81c及CO2改質器82c以外之各構件之說明係如上述。
混合器81c係用以將成為CO2改質之原料的CH4及CO2混合者。混合器81c係可舉出例如攪拌器、噴射器、此等中的2種以上之組合等。
CO2改質器82c係使用從混合器81c供給之CH4及CO2而進行CO2改質者。CO2改質器82c係可具有藉由反應式(4)所示之CO2改質，而將CH4改質成H2及CO之改質部。
Figure 108129824-A0202-12-0040-18
第9圖(a)所示之氫之製造裝置100c係可如以下方式製造氫。首先，將成為CO2改質之原料的CH4及CO2供給至混合器81c。供給至混合器81c之CO2只要為適宜作為CO2改質之原料者，並無特別限定，亦可從氫之製造裝置100c以外調度，或者如第9圖(a)所示，使用在後述之氣體分離裝置20所回收之CO2。又，只藉由氣體分離裝置20中所回收之水不足以作為水蒸氣改質之原料時，在氣體分離裝置20所回收之CO2中，可追加從氫之製造裝置100c以外所調度的CO2作為不足分量之CO2，而供給至混合器81c。以混合器81c所混合之CH4及CO2係供給至CO2改質器82c，進行上述之反應式(4)所示之CO2改質反應，並生成作為改質氣體之H2及CO2。使用於氣體分離裝置20之酸性氣體分離膜片10之親水性樹脂組成物層15所含的CO2載體係如式(1)所示，為了與CO2進行可逆反應，必須有水分，故必須將包含供給至氣體分離裝置之改質氣體及原料中之未反應的CO2之原料氣體預先進行加濕。又，使用於加濕原料氣體的水係可使用在後述之氣體分離裝置20所回收的水。又，在供給至氣體分離裝置20之前，將經加濕之原料氣體使用在反應式(3)所示之CO轉化反應中以富含CO2，可提高氣體分離裝置中之CO2的除去效率。
在CO2改質器82c所生成之改質氣體係供給至氣體分離裝置20，作為更含有原料中之未反應之CO2及為了預先加濕所追加的水蒸氣之原料氣體。氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10係因可使CO2及水蒸氣選擇性地穿透，故使得含有CO2及水蒸氣之混合氣體及富含H2之原料氣體分離，獲得粗純化氫(圖中為H2)。穿透氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10的穿透氣體之組成(CO2及水蒸氣之比率)係可藉由調整穿透側之壓力而進行調整。選擇性地穿透氣 體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10後之CO2及水蒸氣係藉由以凝縮器83a使水蒸氣進行液化而與CO2分離，CO2則藉由減壓泵浦84a而回收，使水蒸氣液化而生成之水係藉由脫液泵浦85a而回收。藉由減壓泵浦84a而回收之CO2係可再利用作為CO2改質之原料。又，藉由脫液泵浦85a所回收之水係可使用於改質氣體之加濕。
又，第9圖(a)所示之氫之製造裝置100c係舉出使用凝縮器83a而使CO2與水蒸氣進行分離之情形為例子來進行說明，但亦可使用水蒸氣分離膜取代凝縮器83a而使CO2與水蒸氣分離。此時，可不使被水蒸氣分離膜分離之水蒸氣進行液化，而直接使用於加濕改質氣體。
(實施形態2之變形例)
第9圖(b)所示之氫之製造裝置100d係進行CO2改質而製造氫之裝置，與上述之實施形態的差異在於，使用壓力比CO2改質反應之壓力更高之CH4作為成為CO2改質之原料的CH4。本變形例係可藉由使用壓力比上述之實施形態更高之CH4，將藉由該CH4以差壓發電得到之電力用於使氫之製造裝置100d所具備之機器運轉。在以下，有關與先前之實施形態及變形例說明者為相同的構件係賦予相同的符號，並省略其說明。
氫之製造裝置100d係具有混合器81c、CO2改質器82c、氣體分離裝置20、凝縮器83a、減壓泵浦84a、脫液泵浦85a、膨脹渦輪86b、發電機87b。說明有關此等之各構件之說明係如上述。
第9圖(b)所示之氫之製造裝置100d係可如以下方式製造氫。首先，將成為CO2改質之原料的CH4導入於膨脹渦輪86b，藉此與先前的變形例同樣地使膨脹渦輪86b進行旋轉而驅動發電機87b，以進行發電。經膨脹渦輪86b進行膨脹 並減壓之CH4係被供給至混合器81c而與CO2混合。CO2係與先前之實施形態同樣地，只要為適宜作為CO2改質之原料者，並無特別限定，可從氫之製造裝置100d以外進行調度，或者如第9圖(b)所示，使用在後述之氣體分離裝置20中所回收之CO2。又，在只藉由氣體分離裝置20所回收之CO2不足以作為CO2改質之原料時，在氣體分離裝置20所回收之CO2中，可追加從氫之製造裝置100d以外所調度之CO2作為不足分量之CO2，而供給至混合器81c。以混合器81c混合過之CH4及CO2係供給至CO2改質器82c，如上述之實施形態敘述，進行CO2改質反應。繼而，將包含在CO2改質器82c生成之改質氣體、原料中之未反應的CO2、及為了預先加濕所追加之水蒸氣的原料氣體供給至氣體分離裝置20，分離成包含CO2及水蒸氣之混合氣體與富含H2之原料氣體，獲得粗純化氫(圖中為H2)。穿透氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10之穿透氣體的組成(CO2及水蒸氣之比率)係可藉由調整穿透側之壓力而進行調整。選擇性地穿透氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10後之CO2及水蒸氣係藉由以凝縮器83a使水蒸氣進行液化而與CO2分離，且藉由因發電機87b產生之電力受到驅動之減壓泵浦84a及脫液泵浦85a而分別回收CO2及水。所回收之CO2係可再利用作為CO2改質之原料，水可視需要而再利用於加濕改質氣體。
又，第9圖(b)所示之製造裝置100d係如先前之變形例敘述，可使用藉由導入CH4使膨脹渦輪86b進行旋轉所得之動力，用以驅動減壓泵浦84a或脫液泵浦85a。又，在本變形例中，混合器81a含有噴射器之情形，成為CO2改質之原料之CH4(壓力比水蒸氣改質反應之更高之CH4)係可使用作為噴射器之驅動流體。
(實施形態3)
第10圖(a)所示之氫之製造裝置100e係進行CO2改質而製造氫之裝置，且藉由掃除法進行膜分離。掃除氣體係使用作為CO2改質之原料的CH4。以下，有關與以先前之實施形態及變形例說明者相同的構件係賦予相同的符號，省略其說明。氫之製造裝置100e係具有混合器81c、用以進行CO2改質的CO2改質器82c、具備具有酸性氣體分離膜片10之氣體分離膜模組的氣體分離裝置20、凝縮器83e、鼓風機84e、脫液泵浦85a。有關凝縮器83e及鼓風機84e以外之各構件之說明係如上述。
凝縮器83e係用以導入含有經穿透氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10後的CO2及水蒸氣、及在氣體分離裝置20所使用之掃除氣體(CH4)的混合氣體，並冷卻該混合氣體，以使水蒸氣與含有CO2及CH4之氣體分離者。鼓風機84e係用以將掃除氣體(CH4)供給至氣體分離裝置20，以回收以凝縮器83e所分離之含有CO2及CH4的氣體者。
第10圖(a)所示之氫之製造裝置100e係可如以下方式製造氫。首先，將成為CO2改質之原料的CH4及CO2供給至混合器81c。於混合器81c係除了從氫之製造裝置100e以外所調度之CO2以外，如第10圖(a)所示，亦可追加供給含有在後述之氣體分離裝置20所回收的CO2及掃除氣體(CH4)之氣體。以混合器81c混合之CH4及CO2係供給至CO2改質器82c，如先前之實施形態敘述，進行CO2改質反應。繼而，將包含在CO2改質器82c生成之改質氣體、原料中之未反應之CO2、及為了預先加濕所追加之水蒸氣的原料氣體供給至氣體分離裝置20，同時亦於氣體分離裝置20之穿透側(酸性氣體分離膜片10之穿透側)供給作為掃除氣體之CH4。氣體分離裝置20係分離成含有CO2、CH4、及水蒸氣之混合氣體、與富含H2之原料氣體，獲得粗純化氫(圖中為H2)。穿透氣體分離裝置20具備之酸性氣體分 離膜片10的穿透氣體之組成(CO2及水蒸氣之比率)係可藉由調整掃除氣體之流量而進行調整。
選擇性地穿透氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10後的CO2及水蒸氣係與掃除氣體(CH4)一起導入於凝縮器83e中，且藉由以凝縮器83e使水蒸氣進行液化而分離成水蒸氣與含有CO2及CH4之氣體，而含有CO2及CH4之氣體則藉由鼓風機84e回收，使水蒸氣液化而生成之水係藉由脫液泵浦85a回收。藉由鼓風機84e所回收之含有CO2及CH4的氣體係可再利用作為CO2改質之原料。又，藉由脫液泵浦85a所回收之水係可使用於供給至氣體分離裝置20之改質氣體的預先加濕。
又，第10圖(a)所示之氫之製造裝置100e係舉出使用凝縮器83e而分離含有CO2及CH4之氣體與水蒸氣之情形為例子來進行說明，但亦可使用水蒸氣分離膜取代凝縮器83e而使含有CO2及CH4之氣體與水蒸氣分離。此時，可不使被水蒸氣分離膜分離之水蒸氣進行液化，而直接使用於預先加濕改質氣體。
(實施形態3之變形例)
第10圖(b)所示之氫之製造裝置100f係進行CO2改質而製造氫之裝置，與上述之實施形態的差異在於，使用壓力比CO2改質反應之壓力更高之CH4作為成為CO2改質之原料的CH4。本變形例係可藉由使用壓力比上述之實施形態更高之CH4，將藉由該CH4以差壓發電所得到之電力用於使製造裝置100f具備之機器運轉。以下，有關與先前之實施形態及變形例說明者相同的構件係賦予相同的符號，省略其說明。
製造裝置100f係具有混合器81c、CO2改質器82c、氣體分離裝置20、凝縮器83e、鼓風機84e、脫液泵浦85a、膨脹渦輪86b、發電機87b。有關此等之各構件的說明係如上述。
第10圖(b)所示之氫之製造裝置100f係可如以下方式製造氫。首先，將成為CO2改質之原料的CH4導入於膨脹渦輪86b，藉此與先前之變形例同樣地使膨脹渦輪86b進行旋轉而驅動發電機87b，以進行發電。經膨脹渦輪86b進行膨脹並減壓之CH4係被供給至混合器81c而與CO2混合。對於混合器81c係與先前之實施形態同樣地，可追加供給藉由氣體分離裝置20而分離且從凝縮器83e藉由鼓風機84e所回收之包含CO2及掃除氣體(CH4)之氣體。以混合器81c混合之CH4及CO2係被供給至CO2改質器82c，如先前之實施形態敘述，進行CO2改質反應。
繼而，將包含在CO2改質器82c生成之改質氣體、原料中之未反應之CO2、及為了預先加濕所追加之水蒸氣的原料氣體供給至氣體分離裝置20，同時亦於氣體分離裝置20之穿透側(酸性氣體分離膜片10之穿透側)供給作為掃除氣體之CH4。在氣體分離裝置20係分離成含有CO2、CH4、及水蒸氣之混合氣體與富含H2之原料氣體，獲得粗純化氫(圖中為H2)。穿透氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10的穿透氣體之組成(CO2及水蒸氣之比率)係可藉由調整掃除氣體之流量而進行調整。
選擇性地穿透氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10後的CO2及水蒸氣係如上述之實施形態敘述，與掃除氣體(CH4)一起導入於凝縮器83e，且藉由以凝縮器83e使水蒸氣進行液化而分離成水蒸氣與含有CO2及CH4之氣體，藉由因發電機87b產生之電力受到驅動之鼓風機84e及脫液泵浦85a而分別回收含有CO2及CH4之氣體與水。藉由鼓風機84e所回收之含有CO2及CH4的氣體 係可再利用作為CO2改質之原料，藉由脫液泵浦85a所回收之水係可使用於供給至氣體分離裝置20之改質氣體的預先加濕。
又，第10圖(b)所示之製造裝置100f係如先前之變形例敘述，可使用藉由導入CH4使膨脹渦輪86b進行旋轉所得之動力，用於驅動減壓泵浦84e或脫液泵浦85a。又，在本變形例中，混合器81a含有噴射器之情形，成為CO2改質之原料之CH4(壓力比水蒸氣改質反應之壓力更高之CH4)係可使用作為噴射器之驅動流體。
(實施形態4)
第11圖(a)所示之氫之製造裝置100g係進行水蒸氣改質及CO2改質而製造氫之裝置，且藉由減壓法進行膜分離。以下，有關與以先前之實施形態及變形例說明者相同的構件係賦予相同的符號，省略其說明。氫之製造裝置100g係具有混合器81g、用以進行水蒸氣改質及CO2改質的改質器82g、具備具有酸性氣體分離膜片10之氣體分離膜模組的氣體分離裝置20、凝縮器83a、鼓風機84a、脫液泵浦85a。有關凝縮器83g及改質器82g以外之各構件之說明係如上述。
混合器81g係用以將水蒸氣改質及成為CO2改質之原料的CH4、水蒸氣、及CO2供給至改質器82g者。混合器81g可舉出例如攪拌器、氣化器、噴灑噴霧器、噴射器、此等中的2種以上之組合等。
改質器82g係使用從混合器81g供給之CH4、水蒸氣、及CO2以進行水蒸氣改質及CO2改質者。改質器82g係至少可進行上述反應式(2)所示之水蒸氣改質、及上述反應式(4)所示之CO2改質，進一步亦可進行上述反應式(3)所示之CO轉化反應。藉此，可將CH4改質成H2及CO，而且將CO轉化成CO2及H2。
第11圖(a)所示之氫之製造裝置100g係可如下方式製造氫。首先，將水蒸氣改質及成為CO2改質之原料的CH4、水蒸氣(或水)、及CO2供給至混合器81g。供給至混合器81g之水蒸氣(或水)及CO2係只要適宜作為水蒸氣改質及CO2改質之原料者，並無特別限定，可從氫之製造裝置100g以外進行調度，或者如第11圖(a)所示，使用在後述之氣體分離裝置20所回收之水或CO2。又，在只藉由氣體分離裝置20所回收之水或CO2不足以作為水蒸氣改質及CO2改質之原料時，在氣體分離裝置20所回收之水或CO2中，可追加從氫之製造裝置100g以外所調度之水或CO2作為不足分量之水或CO2，而供給至混合器81g。在混合器81g所調整之CH4、水蒸氣、及CO2係供給至改質器82g，而進行上述之水蒸氣改質反應(反應式(2))及CO2改質反應(反應式(4))，生成作為改質氣體之H2及CO。再者，在改質器82g中進行CO轉化反應(反應式(3))之情形係追加生成CO2。
在改質器82g所生成之改質氣體係供給至氣體分離裝置20。在氣體分離裝置20係除了改質氣體以外，尚可導入亦包含水蒸氣(原料中之未反應之水蒸氣)之原料氣體。氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10係可使CO2及水蒸氣選擇性地穿透，故可使含有CO2及水蒸氣之混合氣體與富含H2之原料氣體分離，獲得粗純化氫(圖中為H2)。穿透氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10的穿透氣體之組成(CO2及水蒸氣之比率)係可藉由調整穿透側之壓力而進行調整。選擇性地穿透氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10後的CO2及水蒸氣係藉由以凝縮器83a使水蒸氣進行液化而與CO2分離，CO2則藉由減壓泵浦84a而回收，使水蒸氣液化而生成之水係藉由脫液泵浦85a回收。藉由減壓泵浦84a所回收之CO2係可再利用作為CO2改質之原料。又，藉由脫液泵浦85a所回收之水係可再利用作為水蒸氣改質之原料。
又，第11圖(a)所示之氫之製造裝置100g係舉出使用凝縮器83a分離CO2及水蒸氣之情形為例子來進行說明，但亦可使用水蒸氣分離膜取代凝縮器83a而分離CO2與水蒸氣。此時，可不使在水蒸氣分離膜分離之水蒸氣進行液化，而直接供給至混合器81a。
(實施形態4之變形例)
第11圖(b)所示之氫之製造裝置100h係進行水蒸氣改質及CO2改質而製造氫之裝置，與上述之實施形態的差異在於，使用壓力比水蒸氣改質反應及CO2改質反應之壓力更高之CH4作為成為水蒸氣改質反應及CO2改質之原料的CH4之點上。本變形例係可藉由使用壓力比上述之實施形態更高之CH4，將藉由該CH4以差壓發電所得到之電力用於使製造裝置100h具備之機器運轉。以下，有關與先前之實施形態及變形例說明者相同的構件係賦予相同的符號，省略其說明。
製造裝置100h係具有混合器81g、改質器82g、氣體分離裝置20、凝縮器83a、減壓泵浦84a、脫液泵浦85a、膨脹渦輪86b、發電機87b。有關此等之各構件的說明係如上述。
第11圖(b)所示之氫之製造裝置100h係可如以下方式製造氫。首先，將成為水蒸氣改質之原料的CH4導入於膨脹渦輪86b，藉此與先前之變形例同樣地使膨脹渦輪86b進行旋轉而驅動發電機87b，並以發電機87b進行發電。經膨脹渦輪86b進行膨脹並減壓之CH4係被供給至混合器81g。以混合器81g調整過之CH4、水蒸氣、及CO2係供給至改質器82g，與先前之實施形態同樣地進行水蒸氣改質反應及CO2改質反應，生成作為改質氣體之H2及CO。再者，在改質器82g中，進行CO轉化反應(反應式(3))之情形係追加生成CO2。
繼而，將包含在改質器82g生成之改質氣體及水蒸氣(原料中之未反應的水蒸氣)之原料氣體供給至氣體分離裝置20，分離成含有CO2及水蒸氣之混合氣體與富含H2之原料氣體，獲得粗純化氫(圖中為H2)。穿透氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10的穿透氣體之組成(CO2及水蒸氣之比率)係可藉由調整穿透側之壓力而進行調整。選擇性地穿透氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10後的CO2及水蒸氣係藉由在凝縮器83a使水蒸氣進行液化而與CO2分離，且藉由因發電機87b產生之電力受到驅動之減壓泵浦84a及脫液泵浦85a而分別回收CO2及水。藉由減壓泵浦84a所回收之CO2係可再利用作為CO2改質之原料，藉由脫液泵浦85a所回收之水係可再利用作為水蒸氣改質之原料。
又，第11圖(b)所示之製造裝置100h係如先前之變形例敘述，可使用藉由導入CH4使膨脹渦輪86b進行旋轉所得之動力，用以驅動減壓泵浦84a或脫液泵浦85a。又，在本變形例中，混合器81a含有噴射器之情形，成為水蒸氣改質之原料之CH4(壓力比水蒸氣改質反應及CO2改質反應之壓力更高之CH4)係可使用作為噴射器之驅動流體。
(實施形態5)
第12圖(a)所示之氫之製造裝置100i係進行水蒸氣改質及CO2改質而製造氫之裝置，且藉由掃除法進行膜分離。以下，有關與以先前之實施形態及變形例說明者相同的構件係賦予相同的符號，省略其說明。製造裝置100i係具有混合器81g、用以進行水蒸氣改質及CO2改質的CO2改質器82g、具備具有酸性氣體分離膜片10之氣體分離膜模組的氣體分離裝置20、凝縮器83e、鼓風機84e、脫液泵浦85a。
第12圖(a)所示之氫之製造裝置100i係可如以下方式製造氫。首先，將成為水蒸氣改質及CO2改質之原料的CH4、水蒸氣(或水)及CO2供給至混合器 81g。於混合器81g係除了從氫之製造裝置100i以外所調度之水或CO2以外，如第12圖(a)所示，亦可追加供給含有在後述之氣體分離裝置20所回收的水或CO2及掃除氣體(CH4)之氣體。以混合器81g調整過之CH4、水蒸氣及CO2係供給至改質器82g，如先前之實施形態敘述，進行水蒸氣改質反應及CO2改質反應，生成作為改質氣體之H2及CO。再者，在改質器82g中進行CO轉化反應(反應式(3))之情形係追加生成CO2。繼而，將包含在改質器82g生成之改質氣體水蒸氣(原料中之未反應之水蒸氣)的原料氣體供給至氣體分離裝置20，且亦於氣體分離裝置20之穿透側(酸性氣體分離膜片10之穿透側)供給作為掃除氣體之CH4。在氣體分離裝置20係分離成含有CO2及水蒸氣之混合氣體、與富含H2之原料氣體，獲得粗純化氫(圖中為H2)。穿透氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10的穿透氣體之組成(CO2及水蒸氣之比率)係可藉由調整掃除氣體之流量而進行調整。
選擇性地穿透氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10後的CO2及水蒸氣係如上述之實施形態敘述，與掃除氣體(CH4)一起導入於凝縮器83e中，且藉由以凝縮器83e使水蒸氣進行液化而分離成水蒸氣與含有CO2及CH4之氣體，而含有CO2及CH4之氣體則藉由鼓風機84e而回收，使水蒸氣進行液化而生成之水係藉由脫液泵浦85a回收。藉由鼓風機84e所回收之含有CO2及CH4的氣體係可再利用作為水蒸氣改質及CO2改質之原料。又，藉由脫液泵浦85a所回收之水係可再利用作為水蒸氣改質之原料。
又，第12圖(a)所示之氫之製造裝置100i係舉出使用凝縮器83e而分離含有CO2及CH4之氣體與水蒸氣之情形為例子來進行說明，但亦可使用水蒸氣分離膜取代凝縮器83a而使含有CO2及CH4之氣體與水蒸氣分離。此時，可不使在水蒸氣分離膜分離之水蒸氣進行液化，而直接供給至混合器81g。
(實施形態5之變形例)
第12圖(b)所示之氫之製造裝置100j係進行水蒸氣改質及CO2改質而製造氫之裝置，與上述之實施形態的差異在於，在使用壓力比水蒸氣改質及CO2改質反應之壓力更高之CH4作為成為水蒸氣改質及CO2改質之原料的CH4。本變形例係可藉由使用壓力比上述之實施形態更高之CH4，將藉由該CH4以差壓發電所得到之電力用於使製造裝置100j具備之機器運轉。以下，有關與先前之實施形態及變形例說明者相同的構件係賦予相同的符號，省略其說明。
製造裝置100j係具有混合器81g、改質器82g、氣體分離裝置20、凝縮器83e、鼓風機84e、脫液泵浦85a、膨脹渦輪86b、發電機87b。有關此等之各構件的說明係如上述。
第12圖(b)所示之氫之製造裝置100j係可如以下方式製造氫。首先，將成為水蒸氣改質之原料的CH4導入於膨脹渦輪86b，藉此與先前之變形例同樣地使膨脹渦輪86b進行旋轉而驅動發電機87b，並進行發電。經膨脹渦輪86b進行膨脹並減壓之CH4係供給至混合器81g。供給至混合器81g之水蒸氣(或水)及CO2係與先前之實施形態同樣地，可從氫之製造裝置100j以外進行調度，或者如第12圖(b)所示，使用在後述之氣體分離裝置20所回收之水或含有CO2及掃除氣體(CH4)之氣體。以混合器81c調整之CH4、水蒸氣、及CO2係供給至改質器82g，如先前之實施形態敘述，至少進行水蒸氣改質反應及CO2改質反應。
繼而，將包含在改質器82g所生成之改質氣體及水蒸氣(原料中之未反應之水蒸氣)的原料氣體供給至氣體分離裝置20，同時亦在氣體分離裝置20之穿透側(酸性氣體分離膜片10之穿透側)供給作為掃除氣體之CH4。在氣體分離裝置20係分離成含有CO2、CH4、及水蒸氣之混合氣體與富含H2之原料氣體，獲 得粗純化氫(圖中為H2)。穿透氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10的穿透氣體之組成(CO2及水蒸氣之比率)係可藉由調整掃除氣體之流量而進行調整。選擇性地穿透氣體分離裝置20具備之酸性氣體分離膜片10後的CO2及水蒸氣係如上述之實施形態敘述，與掃除氣體(CH4)一起導入於凝縮器83e，在凝縮器83e使水蒸氣進行液化而分離成水蒸氣與含有CO2及CH4之氣體，含有CO2及CH4之氣體係藉由鼓風機84e而回收，使水蒸氣進行液化而生成之水係藉由脫液泵浦85a而回收。藉由鼓風機84e所回收之含有CO2及CH4的氣體係可再利用作為水蒸氣改質及CO2改質之原料。又，藉由脫液泵浦85a所回收之水係可再利用作為水蒸氣改質之原料。
又，第12圖(b)所示之製造裝置100j係如先前之變形例敘述，可使用藉由導入CH4使膨脹渦輪86b進行旋轉所得之動力，用於驅動減壓泵浦84a或脫液泵浦85a。又，在本變形例中，混合器81a含有噴射器之情形，成為水蒸氣改質之原料之CH4(壓力比水蒸氣改質反應之壓力更高之CH4)係可使用作為噴射器之驅動流體。
上述之氫的製造方法之實施態樣1至5及其等之變形例係可使用於以藉由烴之改質反應生成的改質氣體所含之氫作為燃料之燃料電池系統。
[實施例]
以下，顯示實施例及比較例而更具體說明本發明，但本發明係不受此等之例所限定。
[過濾殘渣分率之測定]
將從酸性氣體分離膜片以5cm×5cm之大小切出之試樣浸漬於溫度20℃之水50mL中，使親水性樹脂組成物層充分分散於水中而獲得親水性樹脂組成物分散 水。將所得到之親水性樹脂組成物分散水使用60網目之濾材(東京Screen公司製、商品名：尼龍網目NB60、材質：尼龍66PA、線徑：165μm、網眼：258μm)進行不進行攪拌及加壓之自然過濾，獲得過濾開始5分鐘後之過濾殘渣及過濾液。使所得到之過濾殘渣及過濾液在溫度100℃之減壓烘箱(AS-1公司製、商品名：真空乾燥器AVO-250N)真空乾燥24小時之後，測定真空乾燥後之過濾殘渣及過濾液之重量，分別作為過濾殘渣之固體成分重量[g]及過濾液之固體成分重量[g]。依據所得到之固體成分重量，依式(I)算出過濾殘渣分率：過濾殘渣分率[%]={過濾殘渣之固體成分之重量[g]÷(過濾殘渣之固體成分之重 量[g]+過濾液之固體成分之重量[g])}×100 (I)
[離子交換容量之測定]
在親水性樹脂組成物層所含之親水性樹脂的離子交換容量係對於測定過濾殘渣分率時所得之過濾殘渣進行測定。具體而言，係以如下之順序測定親水性樹脂之離子交換容量。使測定過濾殘渣分率時所得到之過濾殘渣35mg分散於純化水180mL中，並採集20mL，一邊以攪拌子進行攪拌，一邊加入0.1M之鹽酸使pH形成3.5左右之後，使用0.2M之氫氧化鈉水溶液進行中和滴定。從該中和滴定之結果，使用下式算出親水性樹脂之離子交換容量：離子交換容量[毫莫耳當量/過濾殘渣中之乾燥樹脂1g]=(氫氧化鈉之滴定量[mL]×氫氧化鈉之濃度[0.2毫莫耳/mL]/乾燥洗淨過濾殘渣[35mg])×1000在此，設定為：氫氧化鈉之滴定量[mL]=達到第二中和點為止所需要之氫氧化鈉之滴入量[mL]-達到第一中和點為止所需要之氫氧化鈉之滴入量[mL]。
[性能壽命試驗]
如第7圖所示，使用具備氣體分離膜單元61之氣體分離裝置，測定酸性氣體分離膜片10之CO2滲透率及N2滲透率。具體而言，係將製作之酸性氣體分離膜片10切成適當的大小而形成為平膜形狀，將此固定於不銹鋼製之氣體分離膜單元61的供給側室62與穿透側室63之間。將原料氣體(CO2：34.4%、N2：27.8%、H2O：37.8%)以1349.5NmL/min之流量供給至氣體分離膜單元61之供給側室62。在此，以定量送液泵浦68送入水，進行加熱而使其蒸發，調整H2O成為上述混合比率。供給側室62之壓力係藉由設於非穿透氣體之排出路徑中途之冷卻捕集器64的下游側之背壓調整器65而調整至900kPaA(絶對壓)。又，在冷卻捕集器66與氣相層析儀67之間亦設有背壓調整器69，藉此，將穿透側室63之壓力調整為大氣壓。
運轉開始後，在達到定常狀態之時點，將從穿透側室63所排出之穿透氣體所含有的水蒸氣以冷卻捕集器66除去之後的穿透氣體以氣相層析儀67進行分析，算出CO2之滲透率(mol/(m2‧s‧kPa))、及N2之滲透率(mol/(m2‧s‧kPa))，作為初期之CO2之滲透率、及初期之N2之滲透率。
又，運轉開始後，在達到定常狀態之後經過146小時之時點，將從穿透側室63所排出之穿透氣體所含有的水蒸氣以冷卻捕集器66除去之後的穿透氣體以氣相層析儀67進行分析，算出CO2之滲透率(mol/(m2‧s‧kPa))、及N2之滲透率(mol/(m2‧s‧kPa))，作為146小時後之CO2之滲透率、及146小時後之N2之滲透率。使用如此之算出值，依據下式之計算式計算CO2滲透率之性能壽命、及CO2/N2選擇率之性能壽命。
CO2滲透率之性能壽命=146小時後之CO2滲透率[mol/(m2‧s‧kPa)]/初期之CO2滲透率[mol/(m2‧s‧kPa)]
CO2/N2選擇率之性能壽命=146小時後之CO2/N2選擇率/初期之CO2/N2選擇率
在此，初期之CO2/N2選擇率及146小時後之CO2/N2選擇率係依據下式之計算式而計算出。
初期之CO2/N2選擇率=初期之CO2滲透率[mol/(m2‧s‧kPa)]/初期之N2滲透率[mol/(m2‧s‧kPa)]
146小時後之CO2/N2選擇率=146小時後之CO2滲透率[mol/(m2‧s‧kPa]/146小時後之N2滲透率[mol/(m2‧s‧kPa)]
[實施例1]
將作為介質之水170.92重量份、作為聚合物之交聯聚丙烯酸(住友精化股份有限公司製；商品名：Aqupec「HV-501」、離子交換容量13.5毫莫耳當量/g)4重量份及非交聯聚丙烯酸(住友精化股份有限公司製；商品名：Aqupanna「AP-40F(40%Na鹸化)」、離子交換容量12.4毫莫耳當量/g)0.8重量份裝填於原料槽31，獲得使此等聚合物分散於水中之分散液。於該分散液中添加50%氫氧化銫水溶液38.09重量份作為酸性氣體載體並混合之後，加入10%亞碲酸鈉水溶液3.18重量份及10%界面活性劑(AGCSemichemical股份有限公司製；商品名：Surflon「S-242」)水溶液1.2重量份作為添加劑並進行混合，獲得塗佈液。將所得到之塗佈液使用脫泡裝置(Thinky股份有限公司公司製；商品名：「自轉‧公轉除泡練太郎(Awatori Rentaro)ARE-310」)進行脫泡。
使用疏水性PTFE多孔膜(住友電工Fine Polymer公司製；商品名：Poreflon「HP-010-50」)作為第1多孔層11，在第1多孔層11之一面上，在溫度20至 25℃塗佈上述所得到之塗佈液，將塗佈有塗佈液之第1多孔層11在恆溫槽於溫度約100℃乾燥約10分鐘，而形成液層。
繼而，使用與在上述第1多孔層11所使用者相同的疏水性PTFE多孔膜作為第2多孔層12，在液層之與第1多孔層11為相反側處積層第2多孔層12而獲得積層體18。將該積層體18在恆溫槽於溫度120℃乾燥液層約7分鐘而形成塗佈層。使乾燥後之積層體18載置於金屬托盤，以電子束照射裝置59(ESI公司製、商品名EC300/165/800)，將加速電壓150keV之電子束以成為照射量20kGy之方式從積層體18之第2多孔層側起照射於塗佈層，形成親水性樹脂組成物層15，獲得酸性氣體分離膜片10。使用所得到之酸性氣體分離膜片10，測定過濾殘渣分率及離子交換容量，進行性能壽命試驗。將其結果表示於表1中。
[實施例2]
除了將使用於塗佈液之交聯聚丙烯酸變更為住友精化股份有限公司製；商品名：Aqupec「HV-501E」者以外，其餘以與實施例1同樣方式而獲得酸性氣體分離膜片10。使用所得到之酸性氣體分離膜片10，測定過濾殘渣分率及離子交換容量，進行性能壽命試驗。將其結果表示於表1中。
[實施例3]
除了將電子束照射之加速電壓及線量如表1所示般變更以外，其餘以與實施例1同樣方式而獲得酸性氣體分離膜片10。使用所得到之酸性氣體分離膜片10，測定過濾殘渣分率及離子交換容量，進行性能壽命試驗。其將結果表示於表1中。
[實施例4]
除了將使用於塗佈液之交聯聚丙烯酸、非交聯聚丙烯酸、及50%氫氧化銫水溶液之添加量如表1所示般變更以外，其餘以與實施例1同樣方式而獲得酸性氣 體分離膜片10。使用所得到之酸性氣體分離膜片10，測定過濾殘渣分率及離子交換容量，進行性能壽命試驗。將其結果表示於表1中。
[比較例1]
除了不藉由電子束照射裝置59進行電子束照射以外，其餘以與實施例2同樣方式而獲得酸性氣體分離膜片10。使用所得到之酸性氣體分離膜片10，測定過濾殘渣分率及離子交換容量，進行性能壽命試驗。將其結果表示於表1中。
[比較例2]
除了將電子束照射量如表1所示般進行變更以外，其餘以與實施例1同樣方式而獲得酸性氣體分離膜片10。使用所得到之酸性氣體分離膜片10，測定過濾殘渣分率及離子交換容量，進行性能壽命試驗。將其結果表示於表1中。又，表2中之性能壽命欄的「無法測定(有損傷)」係表示在酸性氣體分離膜片10之第1多孔層11有損傷而無法進行性能壽命試驗之意。
[比較例3]
除了不藉由電子束照射裝置59進行電子束照射以外，其餘以與實施例4同樣方式而獲得酸性氣體分離膜片10。使用所得到之酸性氣體分離膜片10，測定過濾殘渣分率及離子交換容量，進行性能壽命試驗。將其結果表示於表1中。
在實施例1至4之任一者中，離子交換容量係任一者皆為1毫莫耳當量以上。在比較例1及2中，過濾殘渣中所含之親水性樹脂為微量，故離子交換容量為未達偵測之下限值。在比較例3中，過濾殘渣分率為0%，故離子交換容量係無法測定。
[表1]
Figure 108129824-A0202-12-0059-1
10‧‧‧酸性氣體分離膜片(分離膜片)
11‧‧‧第1多孔層
12‧‧‧第2多孔層
15‧‧‧親水性樹脂組成物層(樹脂組成物層)

Claims (23)

  1. 一種分離膜片，係使特定之流體成分選擇性地穿透，且包含：
    第1多孔層、及
    積層於前述第1多孔層上之樹脂組成物層；其中，
    前述樹脂組成物層的過濾殘渣分率為20%以上90%以下，
    且前述樹脂組成物層含有具有離子性基或其鹽之樹脂，在過濾殘渣中每1g乾燥樹脂之離子交換容量為1毫莫耳當量以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之分離膜片，更具有第2多孔層。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之分離膜片，其中，前述第2多孔層係積層於前述樹脂組成物層之與前述第1多孔層為相反側處。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之分離膜片，其中，前述離子性基為顯示酸性之離子性基。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之分離膜片，其中，前述顯示酸性之離子性基為羧基。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之分離膜片，其中，前述特定之流體成分為酸性氣體。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之分離膜片，其中，前述樹脂組成物層更含有與酸性氣體進行可逆反應之物質。
  8. 一種分離膜元件，係包含申請專利範圍第1至7項中任一項所述之分離膜片。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之分離膜元件，係包含：
    有孔之中心管、及
    包含申請專利範圍第1至7項中任一項所述之分離膜片之元件用積層體；其中，
    前述元件用積層體係捲繞於前述中心管。
  10. 一種分離膜模組，具備：至少1座之申請專利範圍第8或9項所述之分離膜元件；
    用以對前述分離膜片供給原料流體之原料流體供給口；
    用以排出未穿透前述分離膜片之原料流體的非穿透流體排出口；及
    用以排出穿透前述分離膜片後之前述特定的流體成分之穿透流體排出口。
  11. 一種分離裝置，係至少具備1個之申請專利範圍第10項所述之分離膜模組。
  12. 一種氫之製造裝置，係至少具備1個之申請專利範圍第10項所述之分離膜模組；其中，
    前述原料流體係包含氫及二氧化碳之原料氣體，
    前述特定之流體成分包含二氧化碳。
  13. 一種分離膜片的製造方法，係製造使特定之流體成分選擇性地穿透之分離膜片，該製造方法包含：於第1多孔層上形成樹脂組成物層之步驟；其中，
    形成前述樹脂組成物層之步驟包含：對於前述第1多孔層上所形成之塗佈層，照射照射量為10kGy以上且未達1000kGy之電子束的步驟。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之分離膜片的製造方法，其中，前述樹脂組成物層的過濾殘渣分率為20%以上90%以下。
  15. 如申請專利範圍第13或14項所述之分離膜片的製造方法，其中，
    形成前述樹脂組成物層之步驟更具有：於前述塗佈層之與前述第1多孔層為相反側處積層第2多孔層而獲得積層體之步驟；
    照射前述電子束之步驟係對於前述積層體具有之前述塗佈層照射電子束之步驟。
  16. 如申請專利範圍第13至15項中任一項所述之分離膜片的製造方法，其中，前述樹脂組成物層包含具有離子性基或其鹽之樹脂，在過濾殘渣中每1g乾燥樹脂之離子交換容量為1毫莫耳當量以上。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之分離膜片的製造方法，其中，前述離子性基為顯示酸性之離子性基。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之分離膜片的製造方法，其中，前述顯示酸性之離子性基為羧基。
  19. 如申請專利範圍第13至18項中任一項所述之分離膜片的製造方法，其中，前述塗佈層包含非交聯型聚合物。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之分離膜片的製造方法，其中，前述塗佈層更包含交聯型聚合物。
  21. 如申請專利範圍第13至20項中任一項所述之分離膜片的製造方法，其中，前述特定之流體成分為酸性氣體。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之分離膜片的製造方法，其中，前述塗佈層更包含與酸性氣體進行可逆反應之物質。
  23. 如申請專利範圍第13至22項中任一項所述之分離膜片的製造方法，其中，照射於前述塗佈層之電子束的照射量係藉由電子束之照射次數及照射時間中的至少一者而調整。
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