JPWO2019224656A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (2)

1. 第１の酸化物と、
   前記第１の酸化物の上面と接する領域を有する第２の酸化物と、
   前記第２の酸化物の上面と接する領域を有する第１の導電体と、
   前記第２の酸化物の上面と接する領域を有する第２の導電体と、
   前記第１の酸化物の側面と接する領域、前記第２の酸化物の側面と接する領域、前記第１の導電体の上面と接する領域、及び前記第２の導電体の上面と接する領域を有し、且つ第１の開口部及び第２の開口部を有する第１の絶縁体と、
   前記第１の開口部の内壁と接する領域、前記第１の導電体の側面と接する領域、前記第２の導電体の側面と接する領域、及び前記第２の酸化物の上面と接する領域を有する第３の酸化物と、
   前記第３の酸化物の上方に位置し、且つ前記第２の酸化物と重なる領域を有する第３の導電体と、
   前記第２の開口部の内壁と接する領域を有する第２の絶縁体と、
   前記第２の絶縁体の側面と接する領域を有し、且つ、前記第２の開口部と重なる領域において前記第１の導電体と接する領域を有する第４の導電体と、を有し、
   前記第１の導電体は、トランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
   前記第２の導電体は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
   前記第３の導電体は、前記トランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
   前記第１の絶縁体は、酸化アルミニウムを有し、
   前記第２の絶縁体は、酸化アルミニウムを有し、
   前記第２の酸化物は、前記トランジスタのチャネル形成領域を有し、
   前記第２の酸化物は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、Ａｌとを有し、
   前記第２の酸化物は、Ｇａに対するＡｌの原子数比が０．１未満である領域を有する、半導体装置。
2. 第１の酸化物と、
   前記第１の酸化物の上面と接する領域を有する第２の酸化物と、
   前記第２の酸化物の上面と接する領域を有する第１の導電体と、
   前記第２の酸化物の上面と接する領域を有する第２の導電体と、
   前記第１の酸化物の側面と接する領域、前記第２の酸化物の側面と接する領域、前記第１の導電体の上面と接する領域、及び前記第２の導電体の上面と接する領域を有し、且つ第１の開口部及び第２の開口部を有する第１の絶縁体と、
   前記第１の開口部の内壁と接する領域、前記第１の導電体の側面と接する領域、前記第２の導電体の側面と接する領域、及び前記第２の酸化物の上面と接する領域を有する第３の酸化物と、
   前記第３の酸化物の上方に位置し、且つ前記第２の酸化物と重なる領域を有する第３の導電体と、
   前記第２の開口部の内壁と接する領域を有する第２の絶縁体と、
   前記第２の絶縁体の側面と接する領域を有し、且つ、前記第２の開口部と重なる領域において前記第１の導電体と接する領域を有する第４の導電体と、
   前記第１の酸化物の下方に位置し、且つ前記第２の酸化物と重なる領域を有する第５の導電体と、
   前記第５の導電体の上面と接する領域を有する第３の絶縁体と、
   上面が前記第３の絶縁体と接する領域を有し、且つ前記第５の導電体と同じ材料を有する第６の導電体と、を有し、
   前記第１の導電体は、トランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
   前記第２の導電体は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方として機能する領域を有し、且つ前記第３の絶縁体、前記第１の酸化物及び前記第２の酸化物に設けられた第３の開口部を介して前記第６の導電体の上面と接する領域を有し、
   前記第３の導電体は、前記トランジスタの第１のゲート電極として機能する領域を有し、
   前記第５の導電体は、前記トランジスタの第２のゲート電極として機能する領域を有し、
   前記第１の絶縁体は、酸化アルミニウムを有し、
   前記第２の絶縁体は、酸化アルミニウムを有し、
   前記第２の酸化物は、前記トランジスタのチャネル形成領域を有し、
   前記第２の酸化物は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、Ａｌとを有し、
   前記第２の酸化物は、Ｇａに対するＡｌの原子数比が０．１未満である領域を有する、半導体装置。