JPWO2019147583A5

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Publication number: JPWO2019147583A5
Application number: JP2020561576A
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Publication date: 2023-07-14
Anticipated expiration: 2039-01-22

Description

例示する酸素含有反応物または酸化剤は、酸素ガス、水、二酸化炭素、一酸化炭素、亜酸化窒素、一酸化窒素、酸化硫黄、二酸化硫黄、酸素含有炭化水素、オゾン、およびそれらの組合せを含む。いくつかの実装形態では、基板は、プラズマが点火されている間、酸素含有反応物およびキャリアガスに同時に暴露される。たとえば酸素は、プラズマが点火されている間、ヘリウム、アルゴン、またはそれらの混合物と共に基板に導入される。

図５に戻ると、処理５００のブロック５１０で、パターン形成されたコア材料およびパターン形成されたコア材料の下にあるターゲット層を含む基板上にＡＬＤにより第１の厚さの酸化ケイ素スペーサ層を堆積させる。第１の厚さの酸化ケイ素スペーサ層を堆積させるステップは、第１の照射量のシリコン含有前駆物質に基板を暴露するステップ、および第１の酸化条件の下で酸化剤のプラズマに基板を暴露するステップを含む。第１の厚さの酸化ケイ素スペーサ層を堆積させるステップは、繰り返される複数のＡＬＤサイクルを含み、この場合、ＡＬＤの各サイクルは、図３、図４Ａ、および図４Ｂに示すように、１つまたは複数の段階を含む。ある例として、ＡＬＤサイクルは、（ｉ）照射ステップ、（ｉｉ）パージステップ、（ｉｉｉ）プラズマ暴露ステップ、および（ｉｖ）パージステップを含んでよい。照射ステップは、第１の照射量のケイ素含有前駆物質に基板を暴露して、基板表面上に自己制御的手法でケイ素含有前駆物質を吸収させるステップを含む。このステップはまた、飽和させるための、基板表面の「ソーキング（ｓｏａｋｉｎｇ）」とも呼ばれることがある。プラズマ暴露ステップは、酸化剤のラジカルまたは他の帯電種がケイ素含有前駆物質と反応して、ケイ素含有前駆物質を吸収制限された量の酸化物材料に変換するように、第１の酸化条件の下で酸化剤のプラズマ（たとえば、酸素プラズマ）に基板を暴露するステップを含んでよい。プラズマ暴露ステップはまた、プラズマ「変換」ステップとも呼ばれることがある。いくつかの実装形態では、酸化剤は、酸素ガス、水、二酸化炭素、一酸化炭素、亜酸化窒素、一酸化窒素、酸化硫黄、二酸化硫黄、酸素含有炭化水素、オゾン、およびそれらの組合せを含んでよいが、それらに限定されない酸素含有反応物である。いくつかの実装形態では、酸化剤は酸素ガスである。酸化剤は、比較的短い時間、ＲＦ電力配送に暴露されてよい。たとえば、約０．２５秒～約５秒の間の期間、ＲＦ電力配送に酸化剤を暴露して、酸素プラズマを形成し、ケイ素含有前駆物質を変換する。このステップはまた、比較的短い時間に配送されるＲＦ電力から得られるプラズマを使用して、基板表面上で前駆物質材料を変換するための「フラッシュ」動作とも呼ばれることがある。したがって、第１の酸化条件の下で酸化剤のプラズマに基板を暴露するステップは、ケイ素含有前駆物質を変換して、第１の厚さの酸化ケイ素スペーサ層を形成するステップを含む。第１の厚さの酸化ケイ素スペーサ層を堆積させるまで、照射ステップおよびプラズマステップを含むＡＬＤサイクルを繰り返してよい。

図５に戻ると、処理５００のブロック５２０で、ＡＬＤにより基板上に第２の厚さの酸化ケイ素スペーサ層を堆積させる。第２の厚さの酸化ケイ素スペーサ層を堆積させるステップは、第２の照射量のシリコン含有前駆物質に基板を暴露するステップ、および第２の酸化条件の下で酸化剤のプラズマに基板を暴露するステップを含み、第２の酸化条件は、第１の酸化条件と異なる。第２の厚さの酸化ケイ素スペーサ層を堆積させるステップは、繰り返される複数のＡＬＤサイクルを含み、この場合、ＡＬＤの各サイクルは、（ｉ）照射ステップ、（ｉｉ）パージステップ、（ｉｉｉ）プラズマ暴露ステップ、および（ｉｖ）パージステップを含んでよく、前述のステップについては、上記で記述されている。ブロック５２０中の照射ステップは、ブロック５１０中の照射ステップと同じケイ素含有前駆物質を使用してよい。ブロック５２０中のプラズマ暴露ステップは、ブロック５１０中のプラズマ暴露ステップと同じ酸化剤を使用してよい。第２の酸化条件の下で酸化剤のプラズマに基板を暴露するステップは、第２の照射量のケイ素含有前駆物質を変換して、第２の厚さの酸化ケイ素スペーサ層を形成するステップを含む。第２の厚さの組成は、第１の厚さの酸化ケイ素スペーサ層と同じであってよい。照射ステップおよびプラズマ暴露ステップを含むＡＬＤサイクルは、第２の厚さの酸化ケイ素スペーサ層を堆積させるまで繰り返してよい。ブロック５２０後に形成される層は、異なる材料からなる２重層では必ずしもなく、２つ以上の異なる堆積条件の下で形成された酸化ケイ素層である。

いくつかの実装形態では、処理９００のブロック９１０で、任意選択で複数サイクル（Ｍサイクル）のＡＬＤを遂行して、パターン形成されたコア材料の上に酸化ケイ素スペーサ層を堆積させて、パターン形成されたコア材料のその後の消費を制限してよく、この場合、Ｍは整数値である。酸化ケイ素スペーサ層を堆積させるとき、長い継続期間、高いＲＦ電力で酸化剤のプラズマに暴露することにより、パターン形成されたコア材料の一部分を不注意に消費することがある。したがって、ブロック９１０のＡＬＤの各サイクルは、プラズマ変換段階を有し、この段階では、酸化ケイ素材料の「ソフトランディング」を生み出すために、プラズマへの暴露は、短い継続期間であり、低いＲＦ電力で遂行され、それにより、パターン形成されたコア材料のその後の消費を制限する。

処理９００のブロック９２０で、ＸサイクルのＡＬＤを適用することにより、パターン形成されたコア材料の全面にわたり第１の厚さの酸化ケイ素スペーサ層を堆積させ、この場合、各サイクルは、（ｉ）第１の照射量のケイ素含有前駆物質に基板を暴露するステップ、および（ｉｉ）第１の酸化条件の下で酸化剤のプラズマに基板を暴露するステップを含む。いくつかの実装形態では、Ｘは約１０～約１００の間の整数値である。第１の酸化条件は、第１の酸化時間、第１のＲＦ電力、および第１の基板温度を含むことができる。いくつかの実装形態では、第１の酸化時間、第１のＲＦ電力、または第１の基板温度のうちの少なくとも１つを、Ｘ回のサイクルにわたり徐々に変更してよい。言い替えれば、第１の酸化時間、第１のＲＦ電力、および第１の基板温度などのパラメータは、第１の厚さの酸化ケイ素スペーサ層を堆積させる間、固定されているのでは必ずしもなく、時間をかけて変化してよい。

処理９００のブロック９３０で、ＹサイクルのＡＬＤを適用することにより、第１の厚さの全面わたり第２の厚さの酸化ケイ素スペーサ層を堆積させ、この場合、各サイクルは、（ｉ）第２の照射量のケイ素含有前駆物質に基板を暴露するステップ、および（ｉｉ）第２の酸化条件の下で酸化剤のプラズマに基板を暴露するステップを含む。いくつかの実装形態では、Ｙは約１０～約１００の間の整数値である。第２の酸化条件は、第２の酸化時間、第２のＲＦ電力、および第２の基板温度を含むことができる。第２の酸化条件は、酸化時間、ＲＦ電力、または基板温度のうちの１つだけ第１の酸化条件と異なる。いくつかの実装形態では、第２の酸化時間、第２のＲＦ電力、または第２の基板温度のうちの少なくとも１つを、Ｙ回のサイクルにわたり徐々に変更してよい。言い替えれば、第２の酸化時間、第２のＲＦ電力、および第２の基板温度などのパラメータは、第２の厚さの酸化ケイ素スペーサ層を堆積させる間、固定されているのでは必ずしもなく、時間をかけて変化してよい。

結論
前述の実施形態について、理解を明確にするためにいくらか詳細に記述してきたが、添付の特許請求の範囲内で一定の変更および修正を実施してよいことは明らかであろう。本実施形態の処理、システム、および装置を実装する代替方法が多くあることに留意されたい。したがって、本実施形態は、例示的であり、制限するものではないと考えるべきであり、実施形態は、本明細書で示す詳細に限定されるべきではない。また、本開示は以下の形態として実現できる。
［形態１]
方法であって、
プラズマチャンバ内で、パターン形成されたコア材料および前記パターン形成されたコア材料の下にあるターゲット層を含む基板上に原子層堆積（ＡＬＤ）により第１の厚さの酸化ケイ素スペーサ層を堆積させるステップであって、第１の照射量のケイ素含有前駆物質に前記基板を暴露するステップ、および第１の酸化条件の下で酸化剤のプラズマに前記基板を暴露するステップを含むステップと、
前記プラズマチャンバ内で、前記基板上に前記ＡＬＤにより第２の厚さの前記酸化ケイ素スペーサ層を堆積させるステップであって、第２の照射量の前記ケイ素含有前駆物質に前記基板を暴露するステップ、および第２の酸化条件の下で前記酸化剤の前記プラズマに前記基板を暴露するステップを含み、前記第１の酸化条件は、前記第２の酸化条件と異なるステップと、
前記プラズマチャンバ内で、前記パターン形成されたコア材料をエッチングして、前記酸化ケイ素スペーサ層から前記ターゲット層用のマスクの役割を果たす複数のスペーサを形成するステップと
を備える方法。
［形態２]
形態１に記載の方法であって、
前記第２の酸化条件は、（１）酸化時間、（２）無線周波数（ＲＦ）電力、および（３）基板温度のうちの１つまたは複数だけ前記第１の酸化条件と異なる方法。
［形態３]
形態２に記載の方法であって、
前記酸化時間は、前記第１の酸化条件および前記第２の酸化条件ごとに約０．２５秒～約５秒の間である方法。
［形態４]
形態２に記載の方法であって、
前記ＲＦ電力は、前記第１の酸化条件および前記第２の酸化条件ごとに約１００ワット～約１０，０００ワットの間である方法。
［形態５]
形態２に記載の方法であって、
前記基板温度は、前記第１の酸化条件および前記第２の酸化条件ごとに約０℃～約１００℃の間である方法。
［形態６]
形態１に記載の方法であって、
前記第２の酸化条件は、第２の酸化時間および第２のＲＦ電力を含み、前記第１の酸化条件は、第１の酸化時間および第１のＲＦ電力を含み、前記第２の酸化時間は、前記第１の酸化時間よりも長く、前記第２のＲＦ電力は、前記第１のＲＦ電力よりも大きい方法。
［形態７]
形態１に記載の方法であって、
前記第２の酸化条件は、第２の酸化時間および第２のＲＦ電力を含み、前記第１の酸化条件は、第１の酸化時間および第１のＲＦ電力を含み、前記第２の酸化時間は、前記第１の酸化時間よりも短く、前記第２のＲＦ電力は、前記第１のＲＦ電力よりも小さい方法。
［形態８]
形態１に記載の方法であって、
前記第２の酸化条件は、第２の基板温度を含み、前記第１の酸化条件は、第１の基板温度を含み、前記第２の基板温度は、前記第１の基板温度と異なる方法。
［形態９]
形態８に記載の方法であって、
基板支持物の温度を前記第１の基板温度から前記第２の基板温度へ傾斜させるステップ
をさらに備える方法。
［形態１０]
形態１～９のいずれか一項に記載の方法であって、
前記第１の厚さの前記酸化ケイ素スペーサ層を堆積させる前記ステップの動作、前記第２の厚さの前記酸化ケイ素スペーサ層を堆積させる前記ステップの動作、および前記パターン形成されたコア材料をエッチングする前記ステップの動作は、前記動作の間に真空破壊を導入することなく前記プラズマチャンバ内で行われる方法。
［形態１１]
形態１～９のいずれか一項に記載の方法であって、
前記プラズマチャンバ内の圧力は、約１ｍＴｏｒｒ（１３３．３２２ｍＰａ）～約１００ｍＴｏｒｒ（１３３３２．２ｍＰａ）の間である方法。
［形態１２]
形態１～９のいずれか一項に記載の方法であって、
前記パターン形成されたコア材料をエッチングする前記ステップの前に前記酸化ケイ素スペーサ層の一部分をエッチングするステップ
をさらに備える方法。
［形態１３]
形態１～９のいずれか一項に記載の方法であって、
前記第１の厚さの前記酸化ケイ素スペーサ層を堆積させる前記ステップは、（ｉ）前記第１の照射量の前記ケイ素含有前駆物質に前記基板を暴露する前記ステップ、および（ｉｉ）前記第１の酸化条件の下で前記酸化剤の前記プラズマに前記基板を暴露する前記ステップからなるＸ回のサイクルを適用するステップを含み、前記第２の厚さの前記酸化ケイ素スペーサ層を堆積させる前記ステップは、（ｉｉｉ）前記第２の照射量の前記ケイ素含有前駆物質に前記基板を暴露する前記ステップ、および（ｉｖ）前記第２の酸化条件の下で前記酸化剤の前記プラズマに前記基板を暴露する前記ステップからなるＹ回のサイクルを適用するステップを含み、前記Ｘおよび前記Ｙは、互いに異なる整数値である方法。
［形態１４]
形態１３に記載の方法であって、
前記第１の酸化条件は、第１の酸化時間を含み、前記第２の酸化条件は、第２の酸化時間を含み、前記第１の酸化時間は、前記Ｘ回のサイクルにわたり徐々に変化し、前記第２の酸化時間は、前記Ｙ回のサイクルにわたり徐々に変化する方法。
［形態１５]
形態１３に記載の方法であって、
前記第１の酸化条件は、第１のＲＦ電力を含み、前記第２の酸化条件は、第２のＲＦ電力を含み、前記第１のＲＦ電力は、前記Ｘ回のサイクルにわたり徐々に変化し、前記第２のＲＦ電力は、前記Ｙ回のサイクルにわたり徐々に変化する方法。
［形態１６]
形態１３に記載の方法であって、
前記第１の酸化条件の下で前記酸化剤の前記プラズマに前記基板を暴露する前記ステップは、前記第１の照射量の前記ケイ素含有前駆物質を変換して、前記第１の厚さの前記酸化ケイ素スペーサ層を形成するステップを含み、前記第２の酸化条件の下で前記酸化剤の前記プラズマに前記基板を暴露する前記ステップは、前記第２の照射量の前記ケイ素含有前駆物質を変換して、前記第２の厚さの前記酸化ケイ素スペーサ層を形成するステップを含む方法。
［形態１７]
形態１～９のいずれか一項に記載の方法であって、
前記酸化剤は酸素ガスを含む方法。
［形態１８]
形態１～９のいずれか一項に記載の方法であって、
前記パターン形成されたコア材料は、スピンオン炭素、ダイヤモンド状炭素、およびギャップ充填灰化可能バードマスクからなるグループから選択される材料を含む方法。
［形態１９]
形態１～９のいずれか一項に記載の方法であって、
前記複数のスペーサの各々の上側部分は、前記第１の酸化条件および前記第２の酸化条件に少なくとも一部は依存する傾きを有する方法。
［形態２０]
複数の酸化ケイ素スペーサの傾きを制御するための装置であって、
プラズマチャンバと、
前記プラズマチャンバにＲＦ電力を配送するように構成された、前記プラズマチャンバに連結されたＲＦ電源と、
前記プラズマチャンバ内で、パターン形成されたコア材料および前記パターン形成されたコア材料の下にあるターゲット層を含む基板を支持するための基板支持物と、
コントローラであって、
（ｉ）前記プラズマチャンバ内で、前記基板上に原子層堆積（ＡＬＤ）により第１の厚さの酸化ケイ素スペーサ層を堆積させる命令であって、前記ＡＬＤにより前記第１の厚さの前記酸化ケイ素スペーサ層を堆積させるステップは、第１の照射量のケイ素含有前駆物質に前記基板を暴露するステップ、および第１の酸化条件の下で酸化剤のプラズマに前記基板を暴露するステップを含む命令、
（ｉｉ）前記プラズマチャンバ内で、前記第１の厚さの前記酸化ケイ素スペーサ層上に前記ＡＬＤにより第２の厚さの前記酸化ケイ素スペーサ層を堆積させる命令であって、前記ＡＬＤにより前記第２の厚さの前記酸化ケイ素スペーサ層を堆積させるステップは、第２の照射量の前記ケイ素含有前駆物質に前記基板を暴露するステップ、および第２の酸化条件の下で前記酸化剤の前記プラズマに前記基板を暴露するステップを含み、前記第２の酸化条件は、前記第１の酸化条件と異なる命令、ならびに
（ｉｉｉ）前記プラズマチャンバ内で、前記パターン形成されたコア材料をエッチングして、前記酸化ケイ素スペーサ層から前記ターゲット層用のマスクの役割を果たす複数のスペーサを形成する命令
を遂行するように構成されたコントローラと
を備える装置。
［形態２１]
形態２０に記載の装置であって、
前記第２の酸化条件は、（１）酸化時間、（２）無線周波数（ＲＦ）電力、および（３）基板温度のうちの１つまたは複数だけ前記第１の酸化条件と異なる装置。
［形態２２]
形態２０に記載の装置であって、
前記複数のスペーサの各々の上側部分は、前記第１の酸化条件および前記第２の酸化条件に少なくとも一部は依存する傾きを有する装置。

Claims

複数の酸化ケイ素スペーサの傾きを制御するための方法であって、
プラズマチャンバ内で、パターン形成されたコア材料および前記パターン形成されたコア材料の下にあるターゲット層を含む基板上に原子層堆積（ＡＬＤ）により第１の厚さの酸化ケイ素スペーサ層を堆積させるステップであって、第１の照射量のケイ素含有前駆物質に前記基板を暴露するステップ、および第１の酸化条件の下で酸化剤のプラズマに前記基板を暴露するステップを含むステップと、
前記プラズマチャンバ内で、前記基板上に前記ＡＬＤにより第２の厚さの前記酸化ケイ素スペーサ層を堆積させるステップであって、第２の照射量の前記ケイ素含有前駆物質に前記基板を暴露するステップ、および第２の酸化条件の下で前記酸化剤の前記プラズマに前記基板を暴露するステップを含み、前記第１の酸化条件は、前記第２の酸化条件と異なるステップと、
前記プラズマチャンバ内で、前記パターン形成されたコア材料をエッチングして、前記酸化ケイ素スペーサ層から前記ターゲット層用のマスクの役割を果たす複数のスペーサを形成するステップと
を備える方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記第２の酸化条件は、（１）酸化時間、（２）無線周波数（ＲＦ）電力、および（３）基板温度のうちの１つまたは複数だけ前記第１の酸化条件と異なる方法。
請求項２に記載の方法であって、
前記酸化時間は、前記第１の酸化条件および前記第２の酸化条件ごとに０．２５秒～５秒の間である方法。
請求項２に記載の方法であって、
前記ＲＦ電力は、前記第１の酸化条件および前記第２の酸化条件ごとに１００ワット～１０，０００ワットの間である方法。
請求項２に記載の方法であって、
前記基板温度は、前記第１の酸化条件および前記第２の酸化条件ごとに０℃～１００℃の間である方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記第２の酸化条件は、第２の酸化時間および第２のＲＦ電力を含み、前記第１の酸化条件は、第１の酸化時間および第１のＲＦ電力を含み、前記第２の酸化時間は、前記第１の酸化時間よりも長く、前記第２のＲＦ電力は、前記第１のＲＦ電力よりも大きい方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記第２の酸化条件は、第２の酸化時間および第２のＲＦ電力を含み、前記第１の酸化条件は、第１の酸化時間および第１のＲＦ電力を含み、前記第２の酸化時間は、前記第１の酸化時間よりも短く、前記第２のＲＦ電力は、前記第１のＲＦ電力よりも小さい方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記第２の酸化条件は、第２の基板温度を含み、前記第１の酸化条件は、第１の基板温度を含み、前記第２の基板温度は、前記第１の基板温度と異なる方法。
請求項８に記載の方法であって、
基板支持物の温度を前記第１の基板温度から前記第２の基板温度へ傾斜させるステップ
をさらに備える方法。
請求項１～９のいずれか一項に記載の方法であって、
前記第１の厚さの前記酸化ケイ素スペーサ層を堆積させる前記ステップの動作、前記第２の厚さの前記酸化ケイ素スペーサ層を堆積させる前記ステップの動作、および前記パターン形成されたコア材料をエッチングする前記ステップの動作は、前記動作の間に真空破壊を導入することなく前記プラズマチャンバ内で行われる方法。
請求項１～９のいずれか一項に記載の方法であって、
前記プラズマチャンバ内の圧力は、１ｍＴｏｒｒ（１３３．３２２ｍＰａ）～１００ｍＴｏｒｒ（１３３３２．２ｍＰａ）の間である方法。
請求項１～９のいずれか一項に記載の方法であって、
前記パターン形成されたコア材料をエッチングする前記ステップの前に前記酸化ケイ素スペーサ層の一部分をエッチングするステップ
をさらに備える方法。
請求項１～９のいずれか一項に記載の方法であって、
前記第１の厚さの前記酸化ケイ素スペーサ層を堆積させる前記ステップは、（ｉ）前記第１の照射量の前記ケイ素含有前駆物質に前記基板を暴露する前記ステップ、および（ｉｉ）前記第１の酸化条件の下で前記酸化剤の前記プラズマに前記基板を暴露する前記ステップからなるＸ回のサイクルを適用するステップを含み、前記第２の厚さの前記酸化ケイ素スペーサ層を堆積させる前記ステップは、（ｉｉｉ）前記第２の照射量の前記ケイ素含有前駆物質に前記基板を暴露する前記ステップ、および（ｉｖ）前記第２の酸化条件の下で前記酸化剤の前記プラズマに前記基板を暴露する前記ステップからなるＹ回のサイクルを適用するステップを含み、前記Ｘおよび前記Ｙは、互いに異なる整数値である方法。
請求項１３に記載の方法であって、
前記第１の酸化条件は、第１の酸化時間を含み、前記第２の酸化条件は、第２の酸化時間を含み、前記第１の酸化時間は、前記Ｘ回のサイクルにわたり徐々に変化し、前記第２の酸化時間は、前記Ｙ回のサイクルにわたり徐々に変化する方法。
請求項１３に記載の方法であって、
前記第１の酸化条件は、第１のＲＦ電力を含み、前記第２の酸化条件は、第２のＲＦ電力を含み、前記第１のＲＦ電力は、前記Ｘ回のサイクルにわたり徐々に変化し、前記第２のＲＦ電力は、前記Ｙ回のサイクルにわたり徐々に変化する方法。
請求項１３に記載の方法であって、
前記第１の酸化条件の下で前記酸化剤の前記プラズマに前記基板を暴露する前記ステップは、前記第１の照射量の前記ケイ素含有前駆物質を変換して、前記第１の厚さの前記酸化ケイ素スペーサ層を形成するステップを含み、前記第２の酸化条件の下で前記酸化剤の前記プラズマに前記基板を暴露する前記ステップは、前記第２の照射量の前記ケイ素含有前駆物質を変換して、前記第２の厚さの前記酸化ケイ素スペーサ層を形成するステップを含む方法。
請求項１～９のいずれか一項に記載の方法であって、
前記酸化剤は酸素ガスを含む方法。
請求項１～９のいずれか一項に記載の方法であって、
前記パターン形成されたコア材料は、スピンオン炭素、ダイヤモンド状炭素、およびギャップ充填灰化可能バードマスクからなるグループから選択される材料を含む方法。
請求項１～９のいずれか一項に記載の方法であって、
前記複数のスペーサの各々は、前記第１の酸化条件および前記第２の酸化条件に少なくとも一部は依存する傾きを有する方法。
複数の酸化ケイ素スペーサの傾きを制御するための装置であって、
プラズマチャンバと、
前記プラズマチャンバにＲＦ電力を配送するように構成された、前記プラズマチャンバに連結されたＲＦ電源と、
前記プラズマチャンバ内で、パターン形成されたコア材料および前記パターン形成されたコア材料の下にあるターゲット層を含む基板を支持するための基板支持物と、
コントローラであって、
（ｉ）前記プラズマチャンバ内で、前記基板上に原子層堆積（ＡＬＤ）により第１の厚さの酸化ケイ素スペーサ層を堆積させる命令であって、前記ＡＬＤにより前記第１の厚さの前記酸化ケイ素スペーサ層を堆積させるステップは、第１の照射量のケイ素含有前駆物質に前記基板を暴露するステップ、および第１の酸化条件の下で酸化剤のプラズマに前記基板を暴露するステップを含む命令、
（ｉｉ）前記プラズマチャンバ内で、前記第１の厚さの前記酸化ケイ素スペーサ層上に前記ＡＬＤにより第２の厚さの前記酸化ケイ素スペーサ層を堆積させる命令であって、前記ＡＬＤにより前記第２の厚さの前記酸化ケイ素スペーサ層を堆積させるステップは、第２の照射量の前記ケイ素含有前駆物質に前記基板を暴露するステップ、および第２の酸化条件の下で前記酸化剤の前記プラズマに前記基板を暴露するステップを含み、前記第２の酸化条件は、前記第１の酸化条件と異なる命令、ならびに
（ｉｉｉ）前記プラズマチャンバ内で、前記パターン形成されたコア材料をエッチングして、前記酸化ケイ素スペーサ層から前記ターゲット層用のマスクの役割を果たす複数のスペーサを形成する命令
を遂行するように構成されたコントローラと
を備える装置。
請求項２０に記載の装置であって、
前記第２の酸化条件は、（１）酸化時間、（２）無線周波数（ＲＦ）電力、および（３）基板温度のうちの１つまたは複数だけ前記第１の酸化条件と異なる装置。
請求項２０に記載の装置であって、
前記複数のスペーサの各々は、前記第１の酸化条件および前記第２の酸化条件に少なくとも一部は依存する傾きを有する装置。