JPWO2018181556A1 - 感光性樹脂組成物 - Google Patents

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Abstract

レーザーダイレクトイメージング型露光方式において、従来使用されている増感剤よりも、感度(生産性)、解像性、密着性に優れる感光性樹脂組成物、等を提供する。以下の成分:(A)アルカリ可溶性高分子、(B)エチレン性不飽和二重結合を有する化合物、(C)光重合開始剤、および(D)光増感剤を含み、(D)光増感剤が、一般式(2)で表されるジスチリルベンゼン誘導体を含む、感光性樹脂組成物。式(2)中、R3、R4、R5は、それぞれシアノ基を示し、c、eはそれぞれ独立に1〜5の整数を示し、そしてdは0〜4の整数を示す。

Description

本発明は感光性樹脂組成物、等に関する。
パソコン又は携帯電話等の電子機器には、部品又は半導体等の実装用としてプリント配線板等が用いられる。プリント配線板等の製造用レジストとしては、従来、支持フィルム上に感光性樹脂層を積層し、さらに該感光性樹脂層上に必要に応じて保護フィルムを積層してなる感光性樹脂積層体、いわゆるドライフィルムレジスト(以下、DFと呼ぶこともある)が用いられている。
ここで用いられる感光性樹脂層としては、現在、現像液として弱アルカリ水溶液を用いるアルカリ現像型のものが一般的である。DFを用いてプリント配線板等を作製するには、保護フィルムが有る場合には、まず保護フィルムを剥離した後、銅張積層板又はフレキシブル基板等の永久回路作製用基板上にラミネーター等を用いDFをラミネートし、配線パターンマスクフィルム等を通し露光を行う。次に必要に応じて支持フィルムを剥離し、現像液により未露光部分(ネガ型の場合)の感光性樹脂層を溶解、若しくは分散除去し、基板上に硬化レジストパターン(以下、単にレジストパターンと呼ぶこともある)を形成させる。
レジストパターン形成後回路を形成させるプロセスは、大きく2つの方法に分かれる。第一の方法は、レジストパターンによって覆われていない基板表面(例えば銅張積層板の銅面)をエッチング除去した後、レジストパターン部分を現像液よりも強いアルカリ水溶液で除去する方法(エッチング法)である。第二の方法は同上の上記基板表面に銅、半田、ニッケル又は錫等のメッキ処理を行った後、同様にレジストパターン部分の除去、さらに現れた基板表面(例えば銅張積層板の銅面)をエッチングする方法(メッキ法)である。エッチングには塩化第二銅、塩化第二鉄、銅アンモニア錯体等の溶液等が用いられる。
さて、このような製造工程において、生産性向上の観点から高感度化が求められている。一方で、露光方式も用途に応じ多様化しており、レーザーによる直接描画によりフォトマスクを不要とする、マスクレス露光が近年急激な広がりを見せている。マスクレス露光の光源としては波長350〜410nmの光、特にi線又はh線(405nm)が用いられる場合が多い。従って、これらの波長域、特にh線の光源に対して高感度、かつ高解像度のレジストパターンを形成できることが重要視されている。更に、電子機器の小型化、軽量化に伴い、プリント配線板の微細化、高密度化が進んでおり、解像性等に優れた高性能DFが求められている。
このような高感度と高解像性を実現させる感光性樹脂組成物として、特許文献1には、青紫色レーザー感光性組成物が記載されている。この感光性組成物は、青紫色領域のレーザー光に対して高感度であると共に、黄色灯下でのセーフライト性に優れ、特に、ドライフィルムレジスト材として、及び青紫色レーザー光による直接描画に好適に用いることができる。
特開2005−091593号公報
しかしながら、上記特許文献1に記載された感光性樹脂組成物は、感度(生産性)、解像性、密着性、等を同時に満足するものではなく、なお改良の余地を有するものであった。
従って、本発明は、レーザーダイレクトイメージング型露光方式において、従来よりも、感度(生産性)、解像性、密着性に優れる感光性樹脂組成物、等を提供することを課題とする。
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意研究し実験を重ねた結果、(D)光増感剤として特定の成分を含有することにより、上記課題を解決することができることを見出した。
すなわち、本発明は以下の通りのものである。
[1]
以下の成分:
(A)アルカリ可溶性高分子、
(B)エチレン性不飽和二重結合を有する化合物、
(C)光重合開始剤、および
(D)光増感剤、
を含み、
前記(D)光増感剤が、下記一般式(2)で表されるジスチリルベンゼン誘導体を含む、感光性樹脂組成物。
Figure 2018181556
式(2)中、R、R、Rは、それぞれシアノ基を示し、c、eはそれぞれ独立に1〜5の整数を示し、そしてdは0〜4の整数を示す。
[2]
前記(D)光増感剤は、4’−(2−シアノスチリル)−2−スチルベンカルボニトリル、4’−(2−シアノスチリル)−3−スチルベンカルボニトリル、4’−(2−シアノスチリル)−4−スチルベンカルボニトリル、1,4−ビス(4−シアノスチリル)ベンゼンから選ばれる少なくとも1つの化合物を含む、[1]に記載の感光性樹脂組成物。
[3]
前記(D)光増感剤は、4’−(2−シアノスチリル)−2−スチルベンカルボニトリル、4’−(2−シアノスチリル)−3−スチルベンカルボニトリルを含む、[2]に記載の感光性樹脂組成物。
[4]
前記(D)光増感剤は、4’−(2−シアノスチリル)−4−スチルベンカルボニトリルを含む、[2]に記載の感光性樹脂組成物。
[5]
前記(D)光増感剤は、1,4−ビス(4−シアノスチリル)ベンゼンを含む、[2]に記載の感光性樹脂組成物。
[6]
前記(D)光増感剤は、最大吸収ピークを330nm−450nmに有する蛍光色素である、[1]から[5]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
[7]
前記(C)光重合開始剤は、ヘキサアリールビイミダゾール化合物を含む、[1]〜[6]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
[8]
前記感光性樹脂組成物の膜厚25μmにおける波長405nmの光の透過率が10%よりも大きい、[1]〜[7]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
[9]
前記感光性樹脂組成物は金属配線形成用の感光性樹脂組成物である、[1]〜[8]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
[10]
支持体と、前記支持体上に設けられた1〜9のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を含む感光性樹脂層と、を備える、感光性樹脂積層体。
[11]
[10]に記載の感光性樹脂積層体を基材にラミネートする工程と、
前記感光性樹脂層を露光する工程と、
前記露光後の感光性樹脂層を現像する工程と、
を含む、レジストパターン形成方法。
[12]
前記露光を、描画パターンの直接描画により行う、[11]に記載のレジストパターン形成方法。
[13]
[11]または[12]に記載の方法によりレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを用いて金属配線を形成する工程と、
前記レジストパターンを剥離する工程と、
を含む、金属配線の形成方法。
[14]
[11]または[12]に記載のレジストパターン形成方法によって、基材としての半導体パッケージ用基板上にレジストパターンを形成する工程、及び前記レジストパターンが形成された半導体パッケージ用基板をエッチングするかまたはめっきする工程を含む、半導体パッケージの製造方法。
[15]
以下の成分:
(A)アルカリ可溶性高分子、
(B)エチレン性不飽和二重結合を有する化合物、
(C)光重合開始剤、および
(D)光増感剤、
を含み、
前記(D)光増感剤の酸解離定数pKaが9より大きく12より小さく、且つ、波長405nmのモル吸光係数が100М−1cm−1以上である(ただし、Мはモル濃度の単位であり、前記モル吸光係数はアセトンを溶媒に用いた場合の値である。)感光性樹脂組成物。
[16]
前記(D)光増感剤は、4−[3−(4−クロロフェニル)−4,5−ジヒドロ−1H−ピラゾール−1−イル]ベンゼンスルフォンアミドである、[15]に記載の感光性樹脂組成物。
[17]
前記(B)エチレン性不飽和二重結合を有する化合物は、分子内にヒドロキシル基を含む、[16]に記載の感光性樹脂組成物。
[18]
前記(D)光増感剤は、最大吸収ピークを330nm−450nmに有する蛍光色素である、[15]〜[17]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
[19]
前記(C)光重合開始剤は、ヘキサアリールビイミダゾール化合物を含む、[15]〜[18]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
[20]
前記感光性樹脂組成物の膜厚25μmにおける波長405nmの光の透過率が10%よりも大きい、[15]〜[19]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
[21]
前記(D)光増感剤の酸解離定数pKaが9.5より大きく11より小さい、[15]〜[20]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
[22]
前記(B)エチレン性不飽和二重結合を有する化合物は、分子内にヒドロキシル基を含む、[15]〜[21]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
[23]
前記感光性樹脂組成物は金属配線形成用の感光性樹脂組成物である、[15]〜[22]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
[24]
支持体と、前記支持体上に設けられた[15]〜[23]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を含む感光性樹脂層と、を備える、感光性樹脂積層体。
[25]
[24]に記載の感光性樹脂積層体を基材にラミネートする工程と、
前記感光性樹脂層を露光する工程と、
前記露光後の感光性樹脂層を現像する工程と、
を含む、レジストパターン形成方法。
[26]
前記露光を、描画パターンの直接描画により行う、[25]に記載のレジストパターン形成方法。
[27]
[25]または[26]に記載の方法によりレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを用いて金属配線を形成する工程と、
前記レジストパターンを剥離する工程と、
を含む、金属配線の形成方法。
[28]
[25]または[26]に記載のレジストパターン形成方法によって、基材としての半導体パッケージ用基板上にレジストパターンを形成する工程、及び前記レジストパターンが形成された半導体パッケージ用基板をエッチングするかまたはめっきする工程を含む、半導体パッケージの製造方法。
本発明により、感度(生産性)、解像性、密着性に優れた感光性樹脂組成物、等が提供される。
以下、本発明を実施するための例示の形態(以下、「実施の形態」と略記する。)について詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
<感光性樹脂組成物>
実施の形態では、感光性樹脂組成物は、以下の(A)〜(E)の各成分:(A)アルカリ可溶性高分子(本開示で(A)成分ともいう)、(B)エチレン性不飽和二重結合を有する化合物(本開示で(B)成分ともいう)、(C)光重合開始剤(本開示で(C)成分ともいう)、(D)光増感剤(本開示で(D)成分ともいう)からなる。(E)添加剤(本開示で(E)成分ともいう)を含んでいてもよい。以下、各成分を順に説明する。
(A)アルカリ可溶性高分子
(A)アルカリ可溶性高分子はアルカリ物質に溶け易い高分子であり、具体的には、アルカリ可溶性に寄与する官能基(例えばカルボキシル基)を、所望のアルカリ物質に溶解するのに十分な量で有する高分子である。また、典型的には、(A)アルカリ可溶性高分子に含まれるカルボキシル基の量は、酸当量で100〜600であり、好ましくは250〜450である。酸当量とは、その分子中に1当量のカルボキシル基を有する線状重合体の質量(単位:グラム)を言う。(A)アルカリ可溶性高分子中のカルボキシル基は、感光性樹脂層にアルカリ水溶液に対する現像性及び剥離性を与えるために必要である。酸当量を100以上にすることは、現像耐性、解像性及び密着性を向上させる観点か好ましく、そして酸当量を250以上にすることが好ましい。一方で、酸当量を600以下にすることは、現像性及び剥離性を向上させる観点から好ましく、そして酸当量を450以下にすることが好ましい。
(A)アルカリ可溶性高分子の重量平均分子量は、好ましくは5,000〜500,000である。重量平均分子量を500,000以下にすることは、解像性及び現像性を向上させる観点から好ましく、重量平均分子量を300,000以下にすることがより好ましく、200,000以下にすることが更に好ましい。一方で、重量平均分子量を5,000以上にすることは、現像凝集物の性状、並びに感光性樹脂積層体のエッジフューズ性及びカットチップ性等の未露光膜の性状を制御する観点から好ましく、重量平均分子量を10,000以上にすることがより好ましく、20,000以上にすることが更に好ましい。エッジフューズ性とは、感光性樹脂積層体としてロール状に巻き取った場合にロールの端面から感光性樹脂層がはみ出す現象をいう。カットチップ性とは未露光膜をカッターで切断した場合にチップが飛ぶ現象をいう。このチップが感光性樹脂積層体の上面等に付着すると、後の露光工程等でチップがマスクに転写して不良品の原因となる。
(A)アルカリ可溶性高分子の分散度(分子量分布と呼ぶこともある)は1〜6程度でよく、好ましくは1〜4である。分散度は、重量平均分子量と数平均分子量との比で表され、(分散度)=(重量平均分子量)/(数平均分子量)である。重量平均分子量及び数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーを用い、ポリスチレン換算により測定される値である。
(A)アルカリ可溶性高分子は、後述する第一の単量体の少なくとも1種及び後述する第二の単量体の少なくとも1種から得られる共重合体であることが好ましい。
第一の単量体は、分子中に重合性不飽和基を1個有するカルボン酸又は酸無水物である。第一の単量体としては、例えば、(メタ)アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸半エステル等が挙げられる。特に(メタ)アクリル酸が好ましい。本明細書では、(メタ)アクリルとは、アクリル及び/又はメタクリルを示す。以下同様である。
第二の単量体は、非酸性であり、かつ分子中に重合性不飽和基を少なくとも1個有する単量体である。第二の単量体としては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、tert−ブチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、ビニルアルコールのエステル類、例えば、酢酸ビニル、(メタ)アクリロニトリル、スチレン、及びスチレン誘導体が挙げられる。中でも、メチル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、スチレン、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、及びベンジル(メタ)アクリレートが好ましい。レジストパターンの解像性及び密着性を向上させる観点からは、スチレン及びベンジル(メタ)アクリレートが好ましい。
第一の単量体及び第二の単量体の共重合割合は、(A)アルカリ可溶性高分子のアルカリ溶解性の調整の観点から、第一の単量体が10〜60質量%であり、かつ第二の単量体が40〜90質量%であることが好ましく、より好ましくは第一の単量体が15〜35質量%であり、かつ第二の単量体が65〜85質量%である。
(A)アルカリ可溶性高分子の合成は、第一の単量体と第二の単量体との混合物を、アセトン、メチルエチルケトン、又はイソプロパノール等の溶剤で希釈した溶液に、過酸化ベンゾイル、アゾイソブチロニトリル等のラジカル重合開始剤を適量添加し、加熱攪拌することにより行われることが好ましい。混合物の一部を反応液に滴下しながら合成を行う場合もある。反応終了後、さらに溶剤を加えて、所望の濃度に調整する場合もある。合成手段としては、溶液重合以外に、塊状重合、懸濁重合、又は乳化重合を用いてもよい。
(A)アルカリ可溶性高分子(複数種のアルカリ可溶性高分子を混合して使用する場合には、その混合物)が、(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分及び(E)成分の総量(以下、(A)成分〜(E)成分の総量ということもある)中に占める割合としては、好ましくは10〜90質量%の範囲であり、より好ましくは30〜70質量%であり、更に好ましくは40〜60質量%である。(A)成分〜(E)成分の総量に対する(A)成分の割合を90質量%以下にすることは現像時間を制御する観点から好ましく、一方で、(A)成分〜(E)成分の総量に対する(A)成分の割合を10質量%以上にすることはエッジフューズ性を向上させる観点から好ましい。
(A)アルカリ可溶性高分子の、感光性樹脂組成物の全固形分質量に対する割合は、10質量%以上であってもよく、20質量%以上であってもよく、25質量%以上であってもよく、30質量%以上であってもよく、35質量%以上であってもよく、40質量%以上であってもよく、45質量%以上であってもよく、50質量%以上であってもよく、55質量%以上であってもよく、60質量%以上であってもよい。また、90質量%以下であってもよく、80質量%以下であってもよく、70質量%以下であってもよく、60質量%以下であってもよく、50質量%以下であってもよい。好ましくは10質量%〜90質量%の範囲であり、より好ましくは30質量%〜70質量%であり、更に好ましくは40質量%〜60質量%である。感光性樹脂組成物に対する(A)アルカリ可溶性高分子の割合を90質量%以下にすることは、現像時間を制御する観点から好ましい。一方で、感光性樹脂組成物に対する(A)アルカリ可溶性高分子の割合を10質量%以上にすることは、耐エッジフューズ性を向上させる観点から好ましい。
特に、感光性樹脂組成物は、(A)成分として、以下の(a−1)及び(a−2)からなる群から選択される1種以上の成分:
(a−1)スチレン15〜60質量%と、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸エステル、及びメタクリル酸エステルからなる群から選択される1種以上のアクリル単量体とを含む重合成分に由来するアクリル共重合体;
(a−2)ベンジルメタクリレート20〜85質量%と、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸エステル、及びベンジルメタクリレート以外のメタクリル酸エステルからなる群から選択される1種以上のアクリル単量体とを含む重合成分に由来するアクリル共重合体;
を含むことが、高解像性を発現する上で好ましい。(a−1)成分及び(a−2)成分の総量の、(A)成分〜(E)成分の総量中に占める割合としては、10〜60質量%が、高解像性を発現する上で好ましい。上記割合は解像性の観点から好ましくは20質量%以上、より好ましくは30質量%以上であり、カットチップ性の観点から好ましくは55質量%以下、より好ましくは50質量%以下である。
(a−1)における重合成分は、スチレン及び上記のアクリル単量体のみからなるものでもよいし、他の単量体を更に含んでもよい。また(a−2)における重合成分は、ベンジルメタクリレート及び上記のアクリル単量体のみからなるものでもよいし、他の単量体を更に含んでもよい。重合成分の組合せの特に好ましい例としては、スチレンが15〜60質量%に対してメタクリル酸が20〜35質量%、残りがメチルメタクリレートの組合せ、スチレンが30〜50質量%に対してメタクリル酸が20〜40質量%、2−エチルヘキシルアクリレートが10〜20質量%、残りが2−ヒドロキシエチルメタクリレートの組合せ、ベンジルメタクリレートが20〜60質量%に対して、スチレンが10〜30質量%、残りがメタクリル酸の組合せ、ベンジルメタクリレートが60〜85質量%に対して、2−エチルヘキシルアクリレートが0〜15質量%、残りがメタクリル酸の組合せ等が挙げられる。アラルキル基を有するモノマー、及び又はスチレンをモノマーとして含有することはレジストパターンの耐薬品性、密着性、高解像性、又はスソ形状の観点から好ましい。
(B)エチレン性不飽和二重結合を有する化合物
(B)エチレン性不飽和二重結合を有する化合物は、硬化性及び(A)アルカリ可溶性高分子との相溶性の観点から分子内にアクリロイル基を有する化合物を含むことが好ましい。分子内にアクリロイル基を有する化合物としては、例えば、ポリアルキレンオキシドの片方の末端に(メタ)アクリル酸を付加した化合物又は、片方の末端に(メタ)アクリル酸を付加し、他方の末端をアルキルエーテル化又はアリルエーテル化したもの等を挙げることができる。
このような化合物としては、ポリエチレングリコールをフェニル基に付加した化合物の(メタ)アクリレートであるフェノキシヘキサエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート又は、平均2モルのプロピレンオキシド(以下、POと略することもある)を付加したポリプロピレングリコールと平均7モルのエチレンオキシド(以下、EOと略することもある)を付加したポリエチレングリコールをノニルフェノールに付加した化合物の(メタ)アクリレートである4−ノルマルノニルフェノキシヘプタエチレングリコールジプロピレングリコール(メタ)アクリレート、平均1モルのプロピレンオキシドを付加したポリプロピレングリコールと平均5モルのエチレンオキシドを付加したポリエチレングリコールをノニルフェノールに付加した化合物の(メタ)アクリレートである4−ノルマルノニルフェノキシペンタエチレングリコールモノプロピレングリコール(メタ)アクリレートが挙げられる。平均8モルのエチレンオキシドを付加したポリエチレングリコールをノニルフェノールに付加した化合物のアクリレートである4−ノルマルノニルフェノキシオクタエチレングリコール(メタ)アクリレート(例えば東亞合成(株)製、M−114)も挙げられる。
例えば、アルキレンオキシド鎖の両末端に(メタ)アクリロイル基を有する化合物、又はエチレンオキシド鎖とプロピレンオキシド鎖とがランダム若しくはブロックで結合したアルキレンオキシド鎖の両末端に(メタ)アクリロイル基を有する化合物を挙げることができる。
このような化合物としては、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ヘキサエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ヘプタエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、オクタエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ノナエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、デカエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、12モルのエチレンオキシド鎖の両末端に(メタ)アクリロイル基を有する化合物等のポリエチレングリコ−ル(メタ)アクリレ−ト、ポリプロピレングリコ−ルジ(メタ)アクリレ−ト、ポリブチレングリコ−ルジ(メタ)アクリレ−ト等を挙げることができる。化合物中にエチレンオキシド基とプロピレンオキシド基とを含むポリアルキレンオキシドジ(メタ)アクリレート化合物としては、例えば、平均12モルのプロピレンオキシドを付加したポリプロピレングリコールにエチレンオキシドをさらに両端にそれぞれ平均3モル付加したグリコールのジメタクリレート、平均18モルのプロピレンオキシドを付加したポリプロピレングリコールにエチレンオキシドをさらに両端にそれぞれ平均15モル付加したグリコールのジメタクリレート等が挙げられる。さらに、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイドとポリプロピレンオキサイドを両方有するジ(メタ)アクリレート(例えば「FA−023M、FA−024M、FA−027M、製品名、日立化成工業製」)が、柔軟性、解像性、密着性等の観点で好ましい。
また、ビスフェノールAをアルキレンオキシド変性し、両末端に(メタ)アクリロイル基を有する化合物が解像性及び密着性の観点では好ましい。アルキレンオキシド変性にはエチレンオキシド変性、プロピレンオキシド変性、ブチレンオキシド変性、ペンチレンオキシド変性、へキシレンオキシド変性等がある。また解像性及び密着性の観点から、ビスフェノールAをエチレンオキシド変性し、両末端に(メタ)アクリロイル基を有する化合物が特に好ましい。
このような化合物としては、例えば、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシジエトキシ)フェニル)プロパン(例えば新中村化学工業(株)製NKエステルBPE−200)、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシトリエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシテトラエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシペンタエトキシ)フェニル)プロパン(例えば新中村化学工業(株)製NKエステルBPE−500)、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘキサエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘプタエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシオクタエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシノナエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシウンデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシドデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシトリデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシテトラデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシペンタデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘキサデカエトキシ)フェニル)プロパン等の2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリエトキシ)フェニル)プロパン等が挙げられる。さらに、ビスフェノールAの両端にそれぞれ平均2モルのプロピレンオキシドと平均6モルのエチレンオキシドを付加したポリアルキレングリコールのジ(メタ)クリレート又は、ビスフェノールAの両端にそれぞれ平均2モルのプロピレンオキシドと平均15モルのエチレンオキシドを付加したポリアルキレングリコールのジ(メタ)クリレート等、エチレンオキシド変性及びプロピレンオキシド変性した化合物も、解像性及び密着性の観点から好ましい。これらビスフェノールAをアルキレンオキシド変性し両末端に(メタ)アクリロイル基を有する化合物中の、ビスフェノールA 1モルに対するエチレンオキシドのモル数は、解像性、密着性及び柔軟性を向上させる観点から、合計で10モル以上30モル以下が好ましい。
本実施の形態においては、(B)エチレン性不飽和二重結合を有する化合物として、一分子中に2個を超える(メタ)アクリロイル基を有する化合物を含むことが、高解像性を発現する上で好ましい。一分子中の(メタ)アクリロイル基の数は、より好ましくは3個以上である。一分子中の(メタ)アクリロイル基の数は、剥離性の観点から好ましくは6個以下、より好ましくは4個以下である。一分子中に2個を超える(メタ)アクリロイル基を有する化合物は、中心骨格として分子内にアルキレンオキシド基を付加させることができる基を3モル以上(すなわち中心骨格1つ当たり3つ以上)有し、これにエチレンオキシド基、プロピレンオキシド基又はブチレンオキシド基等のアルキレンオキシド基が付加されたアルコールと、(メタ)アクリル酸とから(メタ)アクリレートを形成することで得られる。中心骨格がアルコールであれば、直接(メタ)アクリル酸と(メタ)アクリレートを形成することでも得られる。中心骨格になることができる化合物としては、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、イソシアヌレート環等を挙げることができる。
このような化合物としては、トリメチロールプロパンのEO3モル変性トリアクリレート、トリメチロールプロパンのEO6モル変性トリアクリレート、トリメチロールプロパンのEO9モル変性トリアクリレート、トリメチロールプロパンのEO12モル変性トリアクリレート、グリセリンのEO3モル変性トリアクリレート(例えば新中村化学工業(株)製A−GLY−3E)、グリセリンのEO9モル変性トリアクリレート(例えば新中村化学工業(株)製A−GLY−9E)、グリセリンのEO6モルPO6モル変性トリアクリレート(A−GLY−0606PE)、グリセリンのEO9モルPO9モル変性トリアクリレート(A−GLY−0909PE)、ペンタエリスリトールの4EO変性テトラアクリレート(例えばサートマージャパン(株)社製SR−494)、ペンタエリスリトールの35EO変性テトラアクリレート(例えば新中村化学工業(株)社製NKエステルATM−35E)、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、等を挙げることができる。また、メタクリロイル基を少なくとも3個有する化合物としては、トリメタクリレート、例えば、エトキシ化グリセリントリメタクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート(例えばトリメチロールプロパンに平均21モルのエチレンオキサイドを付加したトリメタクリレート、トリメチロールプロパンに平均30モルのエチレンオキサイドを付加したトリメタクリレートが、柔軟性、密着性、ブリードアウト抑制の観点で好ましい)等;テトラメタクリレート、例えば、ジトリメチロールプロパンテトラメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールテトラメタクリレート等;ペンタメタクリレート、例えば、ジペンタエリスリトールペンタメタクリレート等;ヘキサメタクリレート、例えば、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート等が挙げられる。これらの中でも、テトラ、ペンタ又はヘキサメタクリレートが好ましい。
中でも好ましい(B)エチレン性不飽和二重結合を有する化合物の例は、室温よりも融点が低く、保存時に容易に固化しないものが、取り扱い性の観点から好ましく、特にトリメチロールプロパンのEO3モル変性トリアクリレート、ペンタエリスリトールの4EO変性テトラアクリレートが好ましい。
一分子中に2個を超える(メタ)アクリロイル基を有する化合物の含有量としては、前記(B)エチレン性不飽和二重結合を有する化合物の50〜100質量%であることが好ましい。該含有量は、解像度の観点から好ましくは50質量%以上であり、より好ましくは60質量%以上である。該含有量は、100質量%であってもよいが、剥離性の観点から、好ましくは95質量%以下、より好ましくは90質量%以下であってもよい。
(B)成分は、前記した化合物以外にも、例えば以下に挙げる化合物を適宜含むことができる。例えば、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,4−シクロヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、2−ジ(p−ヒドロキシフェニル)プロパンジ(メタ)アクリレート、2,2−ビス[(4−(メタ)アクリロキシポリプロピレンオキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[(4−(メタ)アクリロキシポリブチレンオキシ)フェニル]プロパン、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ポリオキシプロピルトリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリ(メタ)アクリレート、β−ヒドロキシプロピル−β’−(アクリロイルキシ)プロピルフタレート、ノニルフェノキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリブチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート等が挙げられる。さらに以下のようなウレタン化合物も挙げられる。例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート又はジイソシアネート化合物(例えば、2,2,4−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート)と、一分子中にヒドロキシル基と(メタ)アクリル基を有する化合物、例えば、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、オリゴプロピレングリコールモノメタクリレートとのウレタン化合物が挙げられる。具体的には、ヘキサメチレンジイソシアネートとオリゴプロピレングリコールモノメタクリレート(例えば日本油脂(株)製、ブレンマーPP1000)との反応生成物がある。また、ポリプロピレングリコール又はポリカプロラクトンにより変性したイソシアヌル酸エステルのジ又はトリ(メタ)アクリレート等も挙げられる。また、例えばジイソシアネートとポリオールとの重付加物として得られるウレタン化合物の末端とエチレン性不飽和二重結合及びヒドロキシル基を有する化合物とを反応させて得られるウレタンオリゴマー等も挙げることができる。
また、(B)エチレン性不飽和結合を有する化合物として、4−ノルマルノニルフェノキシオクタエチレングリコールアクリレート、4−ノルマルノニルフェノキテトラエチレングリコールアクリレート、γ−クロロ−β−ヒドロキシプロピル−β'−メタクリロイルオキシエチル−о−フタレートのようなエチレン性不飽和結合を1個有する化合物を含んでもよい。剥離性や硬化膜柔軟性の観点で好ましく、γ−クロロ−β−ヒドロキシプロピル−β'−メタクリロイルオキシエチル−о−フタレートを含むと感度、解像性、密着性の観点でも好ましい。
前記(B)エチレン性不飽和二重結合を有する化合物は、分子内にヒドロキシル基を含むことが好ましい。これにより、特に感度(生産性)、解像性、密着性に優れものとなる。
(B)エチレン性不飽和二重結合を有する化合物の前記(A)成分〜(E)成分の総量に対する割合は、5〜70質量%であることが好ましい。この割合を5質量%以上にすることは、感度、解像性及び密着性の観点から好ましく、この割合はより好ましくは10質量%以上、更に好ましくは20質量%以上である。一方で、この割合を70質量%以下にすることは、エッジフューズ及び硬化レジストの剥離遅延を抑えるという観点から好ましく、この割合はより好ましくは60質量%以下、更に好ましくは50質量%以下である。
(B)エチレン性不飽和二重結合を有する化合物の感光性樹脂組成物の全固形分質量に対する割合は、5質量%以上であってもよく、10質量%以上であってもよく、20質量%以上であってもよく、25質量%以上であってもよく、30質量%以上であってもよく、35質量%以上であってもよく、40質量%以上であってもよく、45質量%以上であってもよく、50質量%以上であってもよい。また、70質量%以下であってもよく、60質量%以下であってもよく、50質量%以下であってもよい。好ましくは5質量%〜70質量%である。この割合を5質量%以上にすることは、感度、解像性及び密着性の観点から好ましい。この割合を20質量%以上にすることがより好ましく、30質量%以上にすることが更に好ましい。一方で、この割合を70質量%以下にすることは、エッジフューズ及び硬化レジストの剥離遅延を抑えるという観点から好ましい。この割合を50質量%以下にすることがより好ましい。
本実施の形態では、感光性樹脂組成物中の固形分中に含まれる(A)アルカリ可溶性高分子及び(B)エチレン性不飽和結合を有する化合物以外の物質を(A)(B)以外の成分としたときに、[前記(A)(B)以外の成分の質量]/[前記(B)エチレン性不飽和結合を有する化合物の質量]の値が0.190以下であることが好ましい。この値が0.190以下であると、架橋構造を形成する(B)エチレン性不飽和結合を有する化合物の含有量に対して、架橋構造に組み込まれない成分の含有量を少なくすることができるため、過現像かつ過水洗で現像液の温度も高いといった極めて過酷な現像条件においても密着性や解像性が優れる観点から好ましい。同様の観点から、0.185以下であることがより好ましく、0.180以下であることが更に好ましく、0.175以下であることが特に好ましく、0.170以下であることが最も好ましい。0.165以下であってもよく、0.160以下であってもよい。
また、下限値には限定は無いが、この値は0.005以上であってもよく、0.010以上であってもよく、0.030以上であってもよく、0.050以上であってもよい。
本実施の形態では、感光性樹脂組成物中の固形分中に含まれる[(A)アルカリ可溶性高分子の含有量]/[(B)エチレン性不飽和結合を有する化合物の含有量]の値が5.00以下であることが好ましい。5.00以下であると硬化膜柔軟性の観点から好ましく、同様の観点から3.00以下であることがより好ましく、2.00以下であることが更に好ましく、1.800以下であることが特に好ましく、1.600以下であることが最も好ましい。下限は特に限定は無いが、この値は0.200以上であってもよく、0.300以上であってもよく、0.500以上であってもよい。
(C)光重合開始剤
(C)光重合開始剤は、感度と解像度を得る観点からヘキサアリールビイミダゾール化合物を含むことが好ましい。
ヘキサアリールビイミダゾール化合物としては、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルビイミダゾール、2,2’,5−トリス−(o−クロロフェニル)−4−(3,4−ジメトキシフェニル)−4’,5’−ジフェニルビイミダゾール、2,4−ビス−(o−クロロフェニル)−5−(3,4−ジメトキシフェニル)−ジフェニルビイミダゾール、2,4,5−トリス−(o−クロロフェニル)−ジフェニルビイミダゾール、2−(o−クロロフェニル)−ビス−4,5−(3,4−ジメトキシフェニル)−ビイミダゾール、2,2’−ビス−(2−フルオロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラキス−(3−メトキシフェニル)−ビイミダゾール、2,2’−ビス−(2,3−ジフルオロメチルフェニル)−4,4’,5,5’−テトラキス−(3−メトキシフェニル)−ビイミダゾール、2,2’−ビス−(2,4−ジフルオロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラキス−(3−メトキシフェニル)−ビイミダゾール、2,2’−ビス−(2,5−ジフルオロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラキス−(3−メトキシフェニル)−ビイミダゾール、2,2’−ビス−(2,6−ジフルオロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラキス−(3−メトキシフェニル)−ビイミダゾール、2,2’−ビス−(2,3,4−トリフルオロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラキス−(3−メトキシフェニル)−ビイミダゾール、2,2’−ビス−(2,3,5−トリフルオロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラキス−(3−メトキシフェニル)−ビイミダゾール、2,2’−ビス−(2,3,6−トリフルオロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラキス−(3−メトキシフェニル)−ビイミダゾール、2,2’−ビス−(2,4,5−トリフルオロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラキス−(3−メトキシフェニル)−ビイミダゾール、2,2’−ビス−(2,4,6−トリフルオロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラキス−(3−メトキシフェニル)−ビイミダゾール、2,2’−ビス−(2,3,4,5−テトラフルオロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラキス−(3−メトキシフェニル)−ビイミダゾール、2,2’−ビス−(2,3,4,6−テトラフルオロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラキス−(3−メトキシフェニル)−ビイミダゾール、及び2,2’−ビス−(2,3,4,5,6−ペンタフルオロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラキス−(3−メトキシフェニル)−ビイミダゾール等が挙げられる。中でも、感度と解像度の観点から2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体が好ましい。
(C)成分としてヘキサアリールビイミダゾール化合物以外に含有してもよい光重合開始剤としては、N−アリール−α−アミノ酸化合物、キノン類、芳香族ケトン類、アセトフェノン類、アシルフォスフィンオキサイド類、ベンゾイン又はベンゾインエーテル類、ジアルキルケタール類、チオキサントン類、ジアルキルアミノ安息香酸エステル類、オキシムエステル類、アクリジン類、N−アリールアミノ酸のエステル化合物、及びハロゲン化合物等が挙げられる。
N−アリール−α−アミノ酸化合物の例としては、N−フェニルグリシン、N−メチル−N−フェニルグリシン、N−エチル−N−フェニルグリシン等が挙げられる。特にN−フェニルグリシンは増感効果が高く好ましい。
キノン類としては、2−エチルアントラキノン、オクタエチルアントラキノン、1,2−ベンズアントラキノン、2,3−ベンズアントラキノン、2−フェニルアントラキノン、2,3−ジフェニルアントラキノン、1−クロロアントラキノン、2−クロロアントラキノン、2−メチルアントラキノン、1,4−ナフトキノン、9,10−フェナントラキノン、2−メチル−1,4−ナフトキノン、9,10−フェナントラキノン、2−メチル−1,4−ナフトキノン、2,3−ジメチルアントラキノン、3−クロロ−2−メチルアントラキノン等を挙げることができる。
芳香族ケトン類としては、例えば、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン[4,4’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン]、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、及び4−メトキシ−4’−ジメチルアミノベンゾフェノンを挙げることができる。
アセトフェノン類としては、例えば、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、1−(4−ドデシルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、4−(2−ヒドロキシエトキシ)−フェニル(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−ブタノン−1、及び2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−プロパノン−1を挙げることができる。市販品としては、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製のイルガキュアー907、イルガキュアー369、及びイルガキュアー379を挙げることができる。
アシルフォスフィンオキサイド類としては、例えば、2,4,6−トリメチルベンジルジフェニルフォスフィンオキサイド、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フォスフィンオキサイド、ビス(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチル−ペンチルフォスフィンオキサイド等が挙げられる。市販品としてはBASF社製のルシリンTPO、及びチバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製のイルガキュアー819が挙げられる。
ベンゾイン又はベンゾインエーテル類としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、メチルベンゾイン、及びエチルベンゾインを挙げることができる。
ジアルキルケタール類としては、例えば、ベンジルジメチルケタール、及びベンジルジエチルケタールを挙げることができる。
チオキサントン類としては、例えば、2,4−ジエチルチオキサントン、2,4−ジイソプロピルチオキサントン、及び2−クロルチオキサントンを挙げることができる。
ジアルキルアミノ安息香酸エステル類としては、例えば、ジメチルアミノ安息香酸エチル、ジエチルアミノ安息香酸エチル、エチル−p−ジメチルアミノベンゾエート、2−エチルヘキシル−4−(ジメチルアミノ)ベンゾエート等を挙げることができる。
オキシムエステル類としては、例えば、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−O−ベンゾイルオキシム、及び1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(O−エトキシカルボニル)オキシムが挙げられる。市販品としては、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製のCGI−325、イルガキュアーOXE01、及びイルガキュアーOXE02が挙げられる。
アクリジン類としては、例えば、1,7−ビス(9,9’−アクリジニル)ヘプタン、9−フェニルアクリジン、9−メチルアクリジン、9−エチルアクリジン、9−クロロエチルアクリジン、9−メトキシアクリジン、9−エトキシアクリジン、9−(4−メチルフェニル)アクリジン、9−(4−エチルフェニル)アクリジン、9−(4−n−プロピルフェニル)アクリジン、9−(4−n−ブチルフェニル)アクリジン、9−(4−tert−ブチルフェニル)アクリジン、9−(4−メトキシフェニル)アクリジン、9−(4−エトキシフェニル)アクリジン、9−(4−アセチルフェニル)アクリジン、9−(4−ジメチルアミノフェニル)アクリジン、9−(4−クロロフェニル)アクリジン、9−(4−ブロモフェニル)アクリジン、9−(3−メチルフェニル)アクリジン、9−(3−tert−ブチルフェニル)アクリジン、9−(3−アセチルフェニル)アクリジン、9−(3−ジメチルアミノフェニル)アクリジン、9−(3−ジエチルアミノフェニル)アクリジン、9−(3−クロロフェニル)アクリジン、9−(3−ブロモフェニル)アクリジン、9−(2−ピリジル)アクリジン、9−(3−ピリジル)アクリジン、及び9−(4−ピリジル)アクリジンを挙げることができる。
N−アリールアミノ酸のエステル化合物としては、例えば、N−フェニルグリシンのメチルエステル、N−フェニルグリシンのエチルエステル、N−フェニルグリシンのn−プロピルエステル、N−フェニルグリシンのイソプロピルエステル、N−フェニルグリシンの1−ブチルエステル、N−フェニルグリシンの2−ブチルエステル、N−フェニルグリシンのtertブチルエステル、N−フェニルグリシンのペンチルエステル、N−フェニルグリシンのヘキシルエステル、N−フェニルグリシンのペンチルエステル、N−フェニルグリシンのオクチルエステル等が挙げられる。
ハロゲン化合物としては、例えば、臭化アミル、臭化イソアミル、臭化イソブチレン、臭化エチレン、臭化ジフェニルメチル、臭化ベンジル、臭化メチレン、トリブロモメチルフェニルスルフォン、四臭化炭素、トリス(2,3−ジブロモプロピル)ホスフェート、トリクロロアセトアミド、ヨウ化アミル、ヨウ化イソブチル、1,1,1−トリクロロ−2,2−ビス(p−クロロフェニル)エタン、クロル化トリアジン化合物、ジアリルヨードニウム化合物等が挙げられ、とりわけトリブロモメチルフェニルスルフォンが好ましい。感光性樹脂組成物中のハロゲン化合物の含有量は、感度の観点から前記(A)成分〜(E)成分の総量に対して0.01〜3質量%であることが好ましい。
これらの光重合開始剤は単独で使用しても2種類以上併用してもよい。
(C)光重合開始剤の前記(A)成分〜(E)成分の総量に対する割合は、0.1〜20質量%が好ましい。この割合を0.1質量%以上にすることは充分な感度を得る観点から好ましく、この割合を0.2質量%以上にすることがより好ましく、0.5質量%以上にすることが更に好ましい。一方で、この割合を20質量%以下にすることは高い解像性を得て、かつ現像液中での凝集性を抑制する観点から好ましく、この割合を10質量%以
下にすることがより好ましい。
また、(C)光重合開始剤としてのヘキサアリールビイミダゾール化合物の配合量は、前記(A)成分〜(E)成分の総量に対して0.01〜10質量%である。この配合量を0.01質量%以上にすることは、充分な感度を得るという観点から必要であり、この配合量を1質量%以上にすることが好ましく、3質量%以上にすることがより好ましい。一方で、この配合量を10質量%以下にすることは、高い解像性を得て、かつ現像液中での凝集性を抑制する観点から必要であり、この配合量を8質量%以下にすることが好ましく、6質量%以下にすることがより好ましい。
(D)光増感剤
本実施形態の感光性樹脂組成物において、前記(D)光増感剤が、下記一般式(2)で表されるジスチリルベンゼン誘導体を含む。なお、本実施形態では、ジスチリルベンゼンそのものは含まない。
Figure 2018181556
式(2)中、R、R、Rは、それぞれシアノ基を示し、c、eはそれぞれ独立に1〜5の整数を示し、そしてdは0〜4の整数を示す。
(D)光増感剤として上記一般式(2)で表されるジスチリルベンゼン誘導体を含むことにより、本実施形態の感光性樹脂組成物は、レーザーダイレクトイメージング型露光方式において、従来よりも、感度(生産性)、解像性、密着性に優れたものとなる。
シアノ基は、例えば、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子と異なり、電子吸引性基であり、光増感剤のエネルギー準位を下げる効果がある。これがロフィンに代表される光開始剤とのエネルギーの授受を行いやすい効果があり、高感度化に有効であると推測する。
上記一般式(2)で表されるジスチリルベンゼン誘導体としては、4’−(2−シアノスチリル)−2−スチルベンカルボニトリル、4’−(2−シアノスチリル)−3−スチルベンカルボニトリル、4’−(2−シアノスチリル)−4−スチルベンカルボニトリル、および1,4−ビス(4−シアノスチリル)ベンゼンから選ばれる少なくとも1つの化合物を含む。
その中でも特に、4’−(2−シアノスチリル)−2−スチルベンカルボニトリル、4’−(2−シアノスチリル)−3−スチルベンカルボニトリル、1,4−ビス(4−シアノスチリル)ベンゼンが好ましい。これにより、本実施形態の感光性樹脂組成物は、特に、感度(生産性)、解像性、密着性に優れたものとなる。
特に、1,4−ビス(4−シアノスチリル)ベンゼンが感度(生産性)、解像性、密着性の観点から特に好ましい。1,4−ビス(4−シアノスチリル)ベンゼンが特に好ましい理由は、2つのCN基が両方ともパラ位にあり、共役系が伸びることで励起エネルギーギャップが大きくなるためと推測する。
また、本実施形態の感光性樹脂組成物において、(D)光増感剤の酸解離定数pKaが9より大きく12より小さい。好ましくはpKaが9.5より大きく11より小さい。(D)光増感剤の酸解離定数pKaが上記範囲であることにより、本実施形態の感光性樹脂組成物は、レーザーダイレクトイメージング型露光方式において、従来よりも、感度(生産性)、解像性、密着性に優れたものとなる。尚、pKaの値はAdvanced Chemistry Development (AD/Labs) Software V11.02(1994-2018 ACD/Labs)による計算値を使用する。
また、(D)光増感剤の波長405nmのモル吸光係数は100М−1cm−1以上である。ただし、Мはモル濃度の単位であり、前記モル吸光係数はアセトンを溶媒に用いた場合の値である。
このような(D)光増感剤としては、4−[3−(4−クロロフェニル)−4,5−ジヒドロ−1H−ピラゾール−1−イル]ベンゼンスルフォンアミドが挙げられる。これにより特に感度(生産性)、解像性、密着性に優れたものとなる。
(D)光増感剤の酸解離定数pKaが9より大きく12より小さく、且つ、波長405nmのモル吸光係数は100М−1cm−1以上であると感度(生産性)、解像性、密着性に優れる理由は定かではないが、以下のように推測する。
硬化したレジストを剥離するためには、強アルカリ溶液に浸漬する必要がある。これは、レジスト中のカルボキシル基を酸解離させることでレジスト中のイオン濃度および浸透圧を上げ、剥離液によるレジストの膨潤を促進するためである。したがって、剥離性を向上させるためにはレジスト中にイオン化合物を添加すればよい。しかし、単純にイオン化合物を添加した場合には、現像時にレジストが膨潤し、正常なパターンを形成することができない。したがって現像後のパターンを維持して剥離性を向上させるためには、現像液中では解離しないが、剥離液中で解離する化合物が必要である。
そこで、イオン化合物の酸解離定数pKaに着目した。pKaはそのイオン化合物が解離の割合が50%となるpHの値であり、pKa以下のpHでは解離の割合が小さくなり、pKa以上のpHでは解離の割合が大きくなる。一般的にドライフィルムにおいて用いられる現像液である炭酸ナトリウムのpHは約10の弱アルカリ性であり、水酸化ナトリウムやアミン剥離液などの剥離液のpHは14以上の強アルカリ性である。ここでpKaが剥離液のpHと比べて同等か大きい値の場合、剥離液中でのイオン化合物の解離の割合は小さく、大きな剥離性の向上は見込めない。またpKaが現像液のpHと比べて同等未満の値である場合、現像液中でのイオン化合物の解離の割合が大きく、現像時のパターン膨潤が発生する。したがって、酸解離定数pKaが9より大きく12より小さい光増感剤を用いることで現像時の膨潤抑制と、剥離性の向上を両立できる。 さらに、波長405nmのモル吸光係数が100М−1cm−1以上であるとレジストが効率良くレーザー光を吸収することが可能であり、感度(生産性)が向上する。
また、酸解離定数pKaが9より大きく12より小さいが、モル吸光係数を満たさない増感剤と、モル吸光係数を満たす光増感剤との併用では望ましい効果を得ることが難しい。この要因としては、pKaを満たす増感剤化合物がモノマーに付加反応することによって化合物の共役構造が壊れ、剥離液中で安定な解離ができなくなるためであると考えている。一方、本願のようにpKaとモル吸光係数の両方を満たす光増感剤は、光励起された後に吸収した光エネルギーを開始剤であるヘキサアリールビイミダゾール化合物へ伝達し、元の基底状態に戻るために化合物の分子構造は壊れず、剥離液中でも安定な解離が可能で、剥離性を向上させることができる。
(D)光増感剤の酸解離定数pKaは、感度(生産性)、解像性、密着性の観点から、より好ましくは9.1以上、11.9以下である。
(D)光増感剤の酸解離定数pKaは9.2以上であってもよく、9.5以上であってもよく、9.8以上であってもよく、10.0以上であってもよく、10.2以上であってもよく、10.5以上であってもよく、10.8以上であってもよく、11.0以上であってもよく、11.2以上であってもよく、11.5以上であってもよく、11.8以上であってもよい。また、酸解離定数pKaは11.8以下であってもよく、11.6以下であってもよく、11.4以下であってもよく、11.2以下であってもよく、11.0以下であってもよく、10.8以下であってもよく、10.6以下であってもよく、10.4以下であってもよく、10.2以下であってもよく、10.0以下であってもよく、9.8以下であってもよく、9.6以下であってもよく、9.4以下であってもよく、9.2以下であってもよい。
(D)光増感剤の波長405nmのモル吸光係数は、感度(生産性)、解像性、密着性の観点から、より好ましくは200М−1cm−1以上1.0×1010М−1cm−1以下である。
(D)光増感剤の波長405nmのモル吸光係数は、500М−1cm−1以上であってもよく、1.0×10М−1cm−1以上であってもよく、2.0×10М−1cm−1以上であってもよく、3.0×10М−1cm−1以上であってもよく、5.0×10М−1cm−1以上であってもよく、1.0×10М−1cm−1以上であってもよく、5.0×10М−1cm−1以上であってもよい。上限は特に限定は無いが、1.0×10М−1cm−1以下であってもよく、5.0×10М−1cm−1以下であってもよく、1.0×10М−1cm−1以下であってもよく、5.0×10М−1cm−1以下であってもよい。
さらに、本実施形態の感光性樹脂組成物において、(D)光増感剤が、下記(1)又は(2)のいずれかを満たすことが好ましい。
(1)1−フェニル−3−(4−ビフェニル)−5−(4−tert−ブチル−フェニル)−ピラゾリンに対する相対蛍光強度が100%より大きい。
(2)1−フェニル−3−(4−ビフェニル)−5−(4−tert−ブチル−フェニル)−ピラゾリンに対する相対蛍光強度が5%以上であり、且つ、吸収スペクトルと蛍光スペクトルの交点波長が400nm未満である。
(D)光増感剤として特定の物性を有する成分を含有することで、本実施形態の感光性樹脂組成物は、感度、解像性、密着性に優れたものとなる。
増感剤とロフィン(2,4,5−トリフェニルイミダゾール)の系における開始機構は、光励起された増感剤からロフィンへのエネルギー移動と、その後起こるロフィンの開裂により説明できる。
光励起された増感剤は、励起一重項状態や励起三重項状態を経て、蛍光や燐光、熱を放出することで基底状態に戻る。この過程はナノ秒からマイクロ秒の時間がかかり、基底状態に戻った後にまだ励起光が照射されている場合、増感剤は再び光励起−減衰のサイクルを繰り返す。励起光の照射時間内にこのサイクルが多いほど光励起状態の存在確率が大きくなり、したがってロフィンへの増感反応が起こりやすくなる。このサイクルを増加させるためには、寿命の短い一重項増感剤であることが重要で、つまり増感剤の蛍光性が大きい(蛍光量子収率が大きい)ほど感度が向上すると考えられる。逆に、三重項増感剤は励起エネルギーの低い三重項状態に存在する寿命が長いため、基底状態に戻り再び光励起されるまでの時間も長くなり、時間あたりの励起サイクル数が一重項増感剤と比較して少なくなるため、ロフィンへの増感効率は低くなる。
この状況は、高照度かつ短時間露光であるレーザーダイレクトイメージング型露光において特に顕著な現象である。
また、光電子移動における自由エネルギー変化は、レーンウェラー式(Rehm-Weller equation)によって表され、励起エネルギーが大きいほど開始反応が起こりやすくなると考えられる。
上記のことから、光増感剤の蛍光量子収率と、最低励起エネルギーEが大きいほど感度が向上すると考えることができる。
また、上記のメカニズムが、細線の密着性に特に有効である点について述べる。
一般的に、レジストの密着性は露光量を増加させると向上する。しかし露光量を増加させるとレジストトップの線幅が太る傾向があるため、密着性は同一線幅で比較することが重要である。
同一線幅での密着向上には、光増感剤を減量し、レジスト透過率を増加することが有効である。これによって、レジストトップとボトムの吸収露光量の差が小さくなるためである。しかし、透過率の増加は吸収露光量の絶対値そのものを低下させるため、感度が低くなることが問題になる。
したがって、高感度の光増感剤が密着性に有効であると考えられ、とくに以下の要件を満たす光増感剤が有効である。
すなわち、本実施形態の感光性樹脂組成物において、(D)光増感剤が、下記(1)又は(2)のいずれかを満たすことが好ましい。本実施形態の感光性樹脂組成物では、(D)光増感剤として特定の物性を有する成分を含有しているので、感度を低下させることなく、解像性、密着性を両立したものとなる。
(1)1−フェニル−3−(4−ビフェニル)−5−(4−tert−ブチル−フェニル)−ピラゾリンに対する相対蛍光強度が100%より大きい。
相対蛍光強度は、励起エネルギーの使われ方を示す。励起エネルギーは、熱と光に変換される。相対蛍光強度が大きいということは、励起エネルギーの多くが光に変換されて放出されることを意味する。
相対蛍光強度は大きいほど好ましい。相対蛍光強度は110%以上が好ましく、より好ましくは120%以上であり、更に好ましくは130%以上であり、更に好ましくは140%以上であり、更に好ましくは150%以上であり、更に好ましくは160%以上であり、更に好ましくは170%以上であり、特に好ましくは180%以上である。
(2)1−フェニル−3−(4−ビフェニル)−5−(4−tert−ブチル−フェニル)−ピラゾリンに対する相対蛍光強度が5%以上であり、且つ、吸収スペクトルと蛍光スペクトルの交点波長が400nm未満である。
交点波長は、励起エネルギーの大きさを表す。すなわち、波長が小さいほど、励起エネルギーは大きい。光増感剤の最低励起エネルギーは、基底状態と励起一重項状態の最低エネルギーの差であり、フランクコンドンの原理(Franck-Condon principle)から、吸収スペクトルと蛍光スペクトルの交点波長のエネルギーが、最低励起エネルギーに相当する。従って、交点波長が小さい場合は励起エネルギーが大きいので、相対蛍光強度は小さくてもよい。相対蛍光強度は大きいほど好ましい。相対蛍光強度は10%以上が好ましく、より好ましくは20%以上であり、更に好ましくは30%以上であり、更に好ましくは40%以上であり、更に好ましくは50%以上であり、更に好ましくは60%以上であり、更に好ましくは70%以上であり、特に好ましくは80%以上である。
このような(D)光増感剤は、例えば、最大吸収ピークを330nm−450nmに有する蛍光色素である。このような蛍光色素としては例えば、ピラゾリン化合物、アントラセン化合物、クマリン化合物、ジスチリルベンゼン化合物、ピレン化合物、ペリレン化合物、ベンゾオキサゾール化合物等が挙げられるが、上記条件の(1)と(2)を満足するのは特定の構造に限られる。
(D)光増感剤は、下記一般式(1)で表されるジフェニルピラゾリン誘導体を含有していてもよい。なお、本実施形態では、ジフェニルピラゾリンそのものは含まない。
Figure 2018181556

式(1)中、R、Rは、それぞれ独立に、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のアルキルエステル基、アミノ基、炭素数1〜20のアルキルアミノ基、フルオロ基、クロル基、ブロモ基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アセチル基、スルホニル基、スルホンアミド基を示し、a、bはそれぞれ独立に0〜5の整数を示す。但し、aが2以上の場合、複数存在するR1はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、bが2以上の場合、複数存在するR2はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
上記一般式(1)で表されるジフェニルピラゾリン誘導体としては、4−[3−(4−クロロフェニル)−4,5−ジヒドロ−1H−ピラゾール−1−イル]ベンゼンスルフォンアミドが挙げられる。
(D)光増感剤の前記(A)成分〜(E)成分の総量に対する割合は、0.01〜1質量%が好ましい。この割合を0.01質量%以上にすることは充分な感度を得る観点から好ましく、この割合を0.05質量%以上にすることがより好ましく、0.1質量%以上にすることが更に好ましい。一方で、この割合を1質量%以下にすることは高い解像性を得る観点から好ましく、この割合を0.8質量%以下にすることがより好ましく、0.5質量%以下にすることが更に好ましい。
ジフェニルピラゾリン誘導体、又は、ジスチリルベンゼン誘導体の合計配合量は、前記(A)成分〜(E)成分の総量に対して0.01〜1質量%である。この配合量を0.01質量%以上にすることは、充分な感度を得るという観点から必要であり、この配合量を0.05質量%以上にすることが好ましく、0.1質量%以上にすることがより好ましい。一方で、この配合量を1質量%以下にすることは、高い解像性を得る観点から必要であり、この配合量を0.8質量%以下にすることが好ましく、0.5質量%以下にすることがより好ましい。
(E)添加剤
本開示で「(E)添加剤」とは、感光性樹脂組成物に所望の機能を与えるために配合される成分であって上述の(A)成分、(B)成分、(C)成分及び(D)成分以外のものを包含する。
(E)添加剤は、基板の赤面を防止する観点から、カルボキシルベンゾトリアゾール類を含む。カルボキシルベンゾトリアゾール類を前記(A)成分〜(E)成分の総量に対して0.01〜5質量%含む。この配合量を0.01質量%以上にすることは、感光性樹脂積層体を銅張積層板等の基板にラミネートし、時間が経ってから現像したときの基板の赤面を防止するという観点から必要であり、この配合量を0.03質量%以上にすることが好ましく、0.05質量%以上にすることがより好ましい。一方で、この配合量を5質量%以下にすることは、高い解像性を得る観点から必要であり、この配合量を3質量%以下にすることが好ましく、1質量%以下にすることが更に好ましい。
カルボキシルベンゾトリアゾール類としては、例えば、4−カルボキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール、5−カルボキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール、置換されていてもよいアミノメチル基を含有している1−〔N,N−ビス(2−エチルヘキシル)アミノメチル〕−5−カルボキシルベンゾトリアゾール、1−〔N,N−ビス(2−エチルヘキシル)アミノメチル〕−4−カルボキシルベンゾトリアゾール、1−〔N,N−ビス(イソプロピル)アミノメチル〕−5−カルボキシルベンゾトリアゾール、1−〔N−ヒドロ−N−3−(2−エチルヘキシルオキシ)−1−プロピルアミノメチル〕−5−カルボキシルベンゾリアゾール、1−〔N,N−ビス(1−オクチル)アミノメチル〕−5−カルボキシルベンゾトリアゾール、1−〔N,N−ビス(2−ヒドロオキシプロピル)アミノメチル〕−5−カルボキシルベンゾトリアゾール、1−〔N,N−ビス(1−ブチル)アミノメチル〕−5−カルボキシルベンゾトリアゾール等が挙げられる。これらの中では、赤面防止の性能の観点から1−〔N,N−ビス(1−ブチル)アミノメチル〕−5−カルボキシルベンゾトリアゾールが好ましい。カルボキシル基の置換位置は、合成過程で5位と6位が混在することがあるが、そのいずれも好ましく、例えば5位置換体と6位置換体との0.5:1.5〜1.5:0.5(質量比)の混合物、特に1:1(質量比)混合物が使用できる。単に「1−N−ジブチルアミノメチルカルボキシルベンゾトリアゾール」と記述して5位置換体と6位置換体の混合物を指すこともある。カルボキシルベンゾトリアゾールとして、例えば特開2008−175957号公報に記載の化合物も使用できる。その他、2−メルカプトベンゾイミダゾール、1H−テトラゾール、1−メチル−5−メルカプト−1H−テトラゾール、2−アミノ−5−メルカプト−1,3,4−チアジアゾール、3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、3−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、3−メルカプトトリアゾール、4,5−ジフェニル−1,3−ジアゾール−2−イル、5−アミノ−1H-テトラゾール等も使用できる。
上述した感光性樹脂組成物に、(E)成分として加えてもよいその他の添加剤としては、着色剤、ラジカル重合禁止剤、カルボキシルベンゾトリアゾール類以外のベンゾトリアゾール類、ビスフェノールAのエポキシ化合物類、可塑剤、等が挙げられる。
着色剤としては、フクシン、フタロシアニングリーン、オーラミン塩基、パラマジェンタ、クリスタルバイオレット、メチルオレンジ、ナイルブルー2B、ビクトリアブルー、マラカイトグリーン(例えば保土ヶ谷化学(株)製 アイゼン(登録商標) MALACHITE GREEN)、ベイシックブルー20、ダイアモンドグリーン(例えば保土ヶ谷化学(株)製 アイゼン(登録商標) DIAMOND GREEN GH)、1,4−ビス(4−メチルフェニルアミノ)−9,10−アントラキノン(例えばオリエント化学工業(株)製、OPLAS GREEN533)、1,4−ビス(ブチルアミノ)アントラキノン(例えばオリエント化学工業(株)製、OIL BLUE 2N)、1,4−ビス(イソプロピルアミノ)−9,10−アントラキノン(例えばオリエント化学工業(株)製、OIL BLUE 630)等が挙げられる。
なお、着色剤の前記(A)成分〜(E)成分の総量に対する割合は、好ましくは0.01〜10質量%、より好ましくは0.1〜5質量%、更に好ましくは0.5〜2質量%、特に好ましくは0.5〜1質量%である。
着色剤としては、例えば、ロイコ染料、又はフルオラン染料を含有してもよい。これらを含有することにより感光性樹脂層の露光部分が発色するので視認性の点で好ましく、また、検査機等が露光のための位置合わせマーカーを読み取る場合、露光部と未露光部のコントラストが大きい方が認識し易くなるため、有利である。
ロイコ染料としては、トリス(4−ジメチルアミノフェニル)メタン[ロイコクリスタルバイオレット]、ビス(4−ジメチルアミノフェニル)フェニルメタン[ロイコマラカイトグリーン]等が挙げられる。とりわけ、コントラストが良好となる観点から、ロイコ染料としては、ロイコクリスタルバイオレットを用いることが好ましい。感光性樹脂組成物中のロイコ染料の含有量は、前記(A)成分〜(E)成分の総量に対して0.1〜10質量%であることが好ましい。この含有量を0.1質量%以上にすることは、露光部分と未露光部分のコントラストを良好にする観点から好ましく、この含有量を0.2質量%以上にすることがより好ましく、0.4質量%以上にすることが特に好ましい。一方で、この含有量を10質量%以下にすることが保存安定性を維持するという観点から好ましく、この含有量を2質量%以下にすることがより好ましく、1質量%以下にすることが特に好ましい。
また、感光性樹脂組成物中にロイコ染料とハロゲン化合物を組み合わせて用いることは、密着性及びコントラストを最適化する観点から好ましい。ハロゲン化合物は、(C)成分として前述した有機ハロゲン化合物に由来することができ、特にトリブロモメチルフェニルスルフォンが好ましい。
ラジカル重合禁止剤としては、例えば、p−メトキシフェノール、ハイドロキノン、ピロガロール、ナフチルアミン、tert−ブチルカテコール、塩化第一銅、2,6−ジ−tert−ブチル−p−クレゾール、2,2’−メチレンビス(4−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、2,2’−メチレンビス(4−エチル−6−tert−ブチルフェノール)、ニトロソフェニルヒドロキシアミンアルミニウム塩、ジフェニルニトロソアミン等が挙げられる。感光性樹脂組成物の感度を損なわないために、ニトロソフェニルヒドロキシアミンアルミニウム塩が好ましい。
カルボキシルベンゾトリアゾール類以外のベンゾトリアゾール類としては、例えば、1,2,3−ベンゾトリアゾール、1−クロロ−1,2,3−ベンゾトリアゾール、ビス(N−2−エチルヘキシル)アミノメチレン−1,2,3−ベンゾトリアゾール、ビス(N−2−エチルヘキシル)アミノメチレン−1,2,3−トリルトリアゾール、ビス(N−2−ヒドロキシエチル)アミノメチレン−1,2,3−ベンゾトリアゾール等が挙げられる。
ビスフェノールAのエポキシ化合物類としては、ビスフェノールAをポリプロピレングリコールで修飾し末端をエポキシ化した化合物等が挙げられる。
なお、ラジカル重合禁止剤、カルボキシルベンゾトリアゾール類以外のベンゾトリアゾール類、カルボキシルベンゾトリアゾール類、及びビスフェノールAのエポキシ化合物類の合計含有量は、前記(A)成分〜(E)成分の総量に対して、好ましくは0.001〜3質量%であり、より好ましくは0.01〜1質量%である。当該含有量を0.001質量%以上にすることは、感光性樹脂組成物に保存安定性を付与するという観点から好ましく、一方で、当該含有量を3質量%以下にすることは、感光性樹脂組成物の感度を維持し、かつ染料の脱色及び発色を抑える観点から好ましい。
可塑剤としては、例えば、ジエチルフタレート等のフタル酸エステル類、o−トルエンスルホン酸アミド、p−トルエンスルホン酸アミド、クエン酸トリブチル、クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリ−n−プロピル、アセチルクエン酸トリ−n−ブチル、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコールアルキルエ−テル、ポリプロピレングリコールアルキルエーテル等が挙げられる。また、アデカノールSDX−1569、アデカノールSDX−1570、アデカノールSDX−1571、アデカノールSDX−479(以上旭電化(株)製)、ニューポールBP−23P、ニューポールBP−3P、ニューポールBP−5P、ニューポールBPE−20T、ニューポールBPE−60、ニューポールBPE−100、ニューポールBPE−180(以上三洋化成(株)製)、ユニオールDB−400、ユニオールDAB−800、ユニオールDA−350F、ユニオールDA−400、ユニオールDA−700 (以上日本油脂(株)製)、BA−P4Uグリコール、BA−P8グリコール(以上日本乳化剤(株)製)等のビスフェノール骨格を有する化合物も挙げられる。
前記(A)成分〜(E)成分の総量に対する可塑剤の含有量は、好ましくは1〜50質量%であり、より好ましくは1〜30質量%である。該含有量を1質量%以上にすることは、現像時間の遅延を抑え、かつ硬化膜に柔軟性を付与するという観点から好ましく、一方で、該含有量を50質量%以下にすることは、硬化不足及びコールドフローを抑えるという観点から好ましい。
本実施形態の感光性樹脂組成物は、膜厚25μmにおける波長405nmの光の透過率が10%よりも大きいことが好ましい。透過率が高いため密着性が高くなり、更に感度も高いため、生産性に優れたものとなる。
<感光性樹脂積層体>
本実施形態の感光性樹脂積層体は、支持体と、支持体上に設けられた感光性樹脂組成物を含む感光性樹脂層と、を備える。
別の実施の形態は、上記のような感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層が支持体上に積層された感光性樹脂積層体を提供する。必要により、感光性樹脂積層体は、感光性樹脂層の支持体側とは反対側の表面に保護層を有してもよい。
支持体は通常支持フィルムである。支持フィルムとしては、露光光源から放射される光を透過する透明なものが好ましい。このような支持フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、塩化ビニリデン共重合フィルム、ポリメタクリル酸メチル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリアクリロニトリルフィルム、スチレン共重合体フィルム、ポリアミドフィルム、セルロース誘導体フィルム等が挙げられる。これらのフィルムは、必要に応じて延伸されたものも使用可能であり、ヘーズ5以下のものであることが好ましい。フィルムの厚みは、薄いほど画像形成性及び経済性を向上させるため有利であるが、感光性樹脂積層体の強度を維持するために10〜30μmのものが好ましく用いられる。
感光性樹脂積層体に用いられる保護層の重要な特性は、感光性樹脂層との密着力について支持体よりも保護層の方が充分小さく、容易に剥離できることである。例えば、ポリエチレンフィルム、又はポリプロピレンフィルムが保護層として好ましく使用できる。また、例えば特開昭59−202457号公報に示された剥離性の優れたフィルムを用いることもできる。保護層の膜厚は10〜100μmが好ましく、10〜50μmがより好ましい。
保護層にポリエチレンを用いた場合は、ポリエチレンフィルム表面にフィッシュアイと呼ばれるゲルがあり、これが感光性樹脂層に転写することがある。フィッシュアイが感光性樹脂層に転写するとラミネート時に空気を巻き込んで空隙になることがあり、レジストパターンの欠損につながる。フィッシュアイを防ぐ観点から、保護層の材質は延伸ポリプロピレンが好ましい。具体例としては王子製紙(株)製アルファンE−200Aを挙げることができる。
感光性樹脂積層体における感光性樹脂層の厚さは、用途において異なるが、好ましくは5μm〜100μm、より好ましくは7μm〜60μmであり、薄いほど解像度は向上し、また厚いほど膜強度が向上する。
感光性樹脂積層体の製造方法について説明する。支持体、感光性樹脂層、及び必要により保護層を順次積層し感光性樹脂積層体を作製する方法としては、既知の方法を採用することができる。例えば、感光性樹脂層に用いる感光性樹脂組成物を、これらを溶解する溶剤と混ぜ合わせ均一な溶液にし、まず支持フィルム上にバーコーター又はロールコーターを用いて塗布し、次いで乾燥して支持フィルム上に感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層を積層する。次いで必要により、感光性樹脂層上に保護層をラミネートすることにより感光性樹脂積層体を作製することができる。
なお、溶剤としては、メチルエチルケトン(MEK)に代表されるケトン類、メタノール、エタノール又はイソプロパノールに代表されるアルコール類等が挙げられる。当該溶剤は、支持フィルム上に塗布する感光性樹脂組成物の溶液の粘度が25℃で500〜4000mPa・sとなるように、感光性樹脂組成物に添加することが好ましい。
<レジストパターン形成方法>
別の態様は、上述した感光性樹脂積層体を基材にラミネートし、露光し、現像する工程を含む、レジストパターン形成方法を提供する。以下に、本実施の形態の感光性樹脂積層体を用いてレジストパターンを形成する方法の一例を説明する。レジストパターンとしては、回路基板(プリント配線板)、フレキシブル基板、リードフレーム基板、COF(チップオンフィルム)用基板、半導体パッケージ用基板、液晶パネル用透明電極、液晶パネル用TFT配線、有機ELディスプレイ用配線、PDP(プラズマディスプレイパネル)用電極等において形成されるレジストパターンが挙げられる。
レジストパターンは、以下の各工程を経て形成できる。
本実施形態のレジストパターン形成方法は、感光性樹脂積層体を基材にラミネートする工程と、感光性樹脂層を露光する工程と、露光後の感光性樹脂層を現像する工程と、を含む。
(1)ラミネート工程
感光性樹脂層の保護層を剥がしながら、銅張積層板、フレキシブル基板等の基板上にホットロールラミネーターを用いて感光性樹脂積層体を密着させる。ラミネート条件は従来公知の条件で適宜設定すればよい。
(2)露光工程
所望のパターン(例えば配線パターン)を有するマスクフィルムを感光性樹脂積層体の支持体上に密着させて活性光源を用いて露光するか、又は所望のパターンに対応する描画パターンを直接描画によって露光する。露光を、描画パターンの直接描画によって行うことが好ましい。露光波長としては、i線、h線、g線、これらの混合等を適宜使用できるが、本実施の形態の感光性樹脂組成物は、i線又はh線、特にh線での露光において高感度及び高解像度を実現できる点で有利である。またこれにより、本実施の形態の感光性樹脂組成物は、特に直接描画において有用である。露光条件は従来公知の条件で適宜設定すればよい。
(3)現像工程
露光後、感光性樹脂層上の支持体を剥離し、続いてアルカリ水溶液の現像液を用いて未露光部を現像除去してレジストパターンを基板上に形成する。アルカリ水溶液としては、Na2CO3又はK2CO3の水溶液を用いる。アルカリ水溶液は、感光性樹脂層の特性に合わせて適宜選択されるが、約0.2〜2質量%の濃度、かつ約20〜40℃のNa2CO3水溶液が一般的である。
上記の各工程を経てレジストパターンを得ることができるが、場合により、さらに約100〜300℃の加熱工程を行うこともできる。この加熱工程を実施することにより、更なる耐薬品性向上が可能となる。加熱には熱風、赤外線、又は遠赤外線の方式の加熱炉を用いることができる。
本実施形態の金属配線の形成方法は、上記の方法によりレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンを用いて金属配線(導体パターン)を形成する工程と、レジストパターンを剥離する工程と、を含む。
別の態様は、上述の感光性樹脂積層体を基材にラミネートし、露光し、現像し、めっきする工程を含む、回路基板の製造方法、及び、上述の感光性樹脂積層体を基材にラミネートし、露光し、現像し、エッチングする工程を含む、回路基板の製造方法を提供する。回路基板は、レジストパターン形成方法について上述したような手順でレジストパターンが形成された基材を、更にエッチング又はめっきすることにより製造できる。特に、回路基板の製造において露光を描画パターンの直接描画により行うことは、マスクの作製が不要であるため、生産性の観点から有利である。エッチング及びめっきは、それぞれ以下のように実施できる。
(4)エッチング工程又はめっき工程
上述の現像により露出した基材の表面(例えば銅張積層板の場合の銅面)をエッチング又はめっきし、導体パターンを形成する。エッチング及びめっきの方法はそれぞれ従来公知の方法を適宜使用できる。
(5)剥離工程
その後、レジストパターンを現像液よりも強いアルカリ性を有する水溶液により基板から剥離する。剥離用のアルカリ水溶液についても特に制限はないが、濃度約2〜5質量%、かつ約40〜70℃の温度のNaOH又はKOHの水溶液が一般に用いられる。剥離液に、少量の水溶性溶媒を加えることもできる。
特に本実施形態では、(D)光増感剤としてジフェニルピラゾリン誘導体を用いることにより、特に優れためっき後剥離性を有する。
上記のような手順で、回路基板を製造できる。
また、本実施形態の半導体パッケージの製造方法は、上述したレジストパターン形成方法によって基材としての半導体パッケージ用基板上にレジストパターンを形成する工程、及び該レジストパターンが形成された半導体パッケージ用基板をエッチングするか又はめっきする工程を含む、半導体パッケージの製造方法を提供する。半導体パッケージ用基板、及び半導体パッケージの構成は、従来公知の任意のものを適宜採用できる。またレジストパターンの形成、及びエッチング又はめっきは、上述したような手順でそれぞれ実施できる。
本実施の形態の感光性樹脂積層体は、回路基板(プリント配線板)、フレキシブル基板、リードフレーム基板、COF(チップオンフィルム)用基板、半導体パッケージ用基板、液晶パネル用透明電極、液晶パネル用TFT配線、有機ELディスプレイ用配線、PDP(プラズマディスプレイパネル)用電極等の導体パターンの製造に適した感光性樹脂積層体である。
上述の通り、本実施の形態によれば、感度(生産性)、解像性、密着性に優れた感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体を提供すること、並びに該感光性樹脂積層体を用いたレジストパターンの形成方法及び導体パターンの形成方法を提供することができる。
なお、上述した各種パラメータについては特に断りの無い限り、後述の実施例における測定方法に準じて測定される。
次に、実施例及び比較例を挙げて本実施の形態をより具体的に説明するが、本実施の形態はその要旨から逸脱しない限り、以下の実施例に限定されるものではない。なお、上記の発明を実施するための形態及び後述の実施例における物性は以下の方法により測定した。
<感光性樹脂層の405nm透過率>
感光性樹脂積層体のポリエチレンフィルムを剥がし、分光光度計(日立U−3010)により、吸収スペクトルを測定した。405nmの吸光度を透過率に変換し、測定値とした。ここで、光増感剤の添加量は405nmの透過率が約40%となるようにし、光増感剤が同一の光量を吸収した場合のレジストの性能を比較できるようにした。
<感度評価>
まず、35μm圧延銅箔を積層した0.4mm厚の銅張積層板を、スプレー圧0.2MPaで研削材(日本カーリット(株)製、サクランダムR(登録商標#220))を用いてジェットスラブ研磨した。
次に、感光性樹脂積層体のポリエチレンフィルムを剥がしながら、60℃に予熱した銅張積層板に、ホットロールラミネーター(旭化成(株)社製、AL−700)により、感光性樹脂積層体をロール温度105℃でラミネートした。エアー圧はシリンダ圧で0.35MPaとし、積層板の横幅は20cmとし、ラミネート速度は1.5m/分とした。
次に、直接描画式露光装置(日立ビアメカニクス(株)製、DE−1DH、光源:GaN青紫ダイオード、主波長405±5nm)により、ストーファー21段ステップタブレットをマスクとして、80mWの照度で露光した。
更に、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、アルカリ現像機(フジ機工製、ドライフィルム用現像機)を用いて30℃の1質量%NaCO水溶液を所定時間スプレーし、感光性樹脂層の未露光部分を最小現像時間の2倍の時間で溶解除去した。この際、未露光部分の感光性樹脂層が完全に溶解するのに要する最も少ない時間を最小現像時間とした。実際の現像時間は最小現像時間の2倍で現像し、硬化レジストパターンを得た。
現像後の基板について、ライン/スペースが20μm/20μmのマスクパターンのレジストのトップ線幅がマスク値通り20μmとなる露光量を、感度とした。
<解像性評価>
感度評価手順と同様に基板整面及びラミネートを行い、露光部と未露光部との幅が1:1の比率のラインパターンを、描画データを用いて線幅が感度評価で求めた露光量で露光した。その後、最小現像時間の2倍の現像時間で現像し、硬化レジストラインが正常に形成されている最小マスク幅を解像度の値とした。
<密着性評価>
感度評価手順と同様に基板整面及びラミネートを行い、露光部と未露光部との幅が1:200の比率のラインパターンを、描画データを用いて線幅が感度評価で求めた露光量で露光した。その後、最小現像時間の2倍の現像時間で現像し、硬化レジストラインが正常に形成されている最小マスク幅を密着性の値とした。
<めっき後剥離性評価>
感度評価手順と同様に基板整面及びラミネートを行い、露光部と未露光部との幅が1:1の比率のラインパターンを、描画データを用いて線幅が感度評価で求めた露光量で露光した。その後、最小現像時間の2倍の現像時間で現像した。現像後の基板を、酸性脱脂FRX(10%水溶液、アトテックジャパン(株)製)浴に、40℃で4分浸せきした。水洗した後10%硫酸水溶液に室温下2分浸せきした。
硫酸銅コンク(メルテックス(株)製)を19wt%硫酸で3.6倍に希釈し、濃塩酸を200ppm添加した。次いで光沢剤としてカパラシッドHLとカパラシッドGSをそれぞれ0.4ml/l、20ml/l添加した。めっき前処理後の耐めっき性評価基板(6cm×12.5cm)を、作製された硫酸銅めっき液を用いてハーリングセル均一めっき装置(株式会社 山本鍍金試験器社製)により、引加電流0.4Aで65分間めっきした。このときの銅めっき被膜の厚みは20μm厚であった。
めっき処理を施した評価基板を、50℃、1.5wt%の苛性ソーダ水溶液に入れ、撹拌せずに4分間浸漬して、レジスト膜を剥離除去した。このとき、めっきパターン間の硬化レジストラインが完全に剥離されている最小マスク幅をめっき後剥離性の値とした。
[実施例1〜3及び比較例1〜7]
表1に示す組成(但し、各成分の数字は固形分としての配合量(質量部)を示す。)の感光性樹脂組成物及び溶媒を十分に攪拌、混合して固形分量60質量%の感光性樹脂組成物調合液を得た。支持体として16μm厚のポリエチレンテレフタラートフィルム(東レ社製FB40、ヘーズ値0.6)を用意して、そのフィルムの表面に、バーコーターを用いて感光性樹脂組成物調合液を均一に塗布し、95℃の乾燥器中で2分30秒間乾燥して感光性樹脂層を形成した。感光性樹脂層の厚みは25μmであった。
次いで、感光性樹脂層のポリエチレンテレフタラートフィルムを積層していない表面上に、保護層として19μm厚のポリエチレンフィルム(タマポリ(株)製GF−818)を貼り合わせて感光性樹脂積層体を得た。
得られた感光性樹脂積層体につき、各種評価を行った。結果を表1に示す。また、各実施例および比較例で用いた各成分(A)〜(E)を表2に示す。
Figure 2018181556
Figure 2018181556
Figure 2018181556
Figure 2018181556
Figure 2018181556
表1の結果から、以下の内容が読み取れる。
まず、(D)光増感剤の酸解離定数pKaが9より大きく12より小さい実施例1または2は、pKaが9以下または12以上である比較例1〜6に対して、h線露光において高感度・高解像度の特性を発現できることが分かる。また、(D)光増感剤としてジフェニルピラゾリン誘導体を用いた実施例1では、特に優れためっき後剥離性を示すことが分かる。
実施例1と2とを比較することにより、(B)エチレン性不飽和二重結合を有する化合物が、分子内にヒドロキシル基を含むことにより(実施例1)、特に感度(生産性)、解像性、密着性に優れることがわかる。
また、(D)光増感剤としてジスチリルベンゼン誘導体を含む実施例3〜5は、ジスチリルベンゼン誘導体を含まない比較例7に対して、h線露光において高感度・高解像度の特性を発現できることが分かる。特に感度(生産性)、解像性、密着性に優れることがわかる。
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
本発明の感光性樹脂組成物は、その高感度及び高解像度のために、回路基板(プリント配線板)、フレキシブル基板、リードフレーム基板、COF(チップオンフィルム)用基板、半導体パッケージ用基板、液晶パネル用透明電極、液晶パネル用TFT配線、有機ELディスプレイ用配線、PDP(プラズマディスプレイパネル)用電極等における導体パターンの製造に好適に利用することができる。

Claims (28)

  1. 以下の成分:
    (A)アルカリ可溶性高分子、
    (B)エチレン性不飽和二重結合を有する化合物、
    (C)光重合開始剤、および
    (D)光増感剤、
    を含み、
    前記(D)光増感剤が、下記一般式(2)で表されるジスチリルベンゼン誘導体を含む、感光性樹脂組成物。
    Figure 2018181556
    式(2)中、R、R、Rは、それぞれシアノ基を示し、c、eはそれぞれ独立に1〜5の整数を示し、そしてdは0〜4の整数を示す。
  2. 前記(D)光増感剤は、4’−(2−シアノスチリル)−2−スチルベンカルボニトリル、4’−(2−シアノスチリル)−3−スチルベンカルボニトリル、4’−(2−シアノスチリル)−4−スチルベンカルボニトリル、1,4−ビス(4−シアノスチリル)ベンゼンから選ばれる少なくとも1つの化合物を含む、請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
  3. 前記(D)光増感剤は、4’−(2−シアノスチリル)−2−スチルベンカルボニトリル、4’−(2−シアノスチリル)−3−スチルベンカルボニトリルを含む、請求項2に記載の感光性樹脂組成物。
  4. 前記(D)光増感剤は、4’−(2−シアノスチリル)−4−スチルベンカルボニトリルを含む、請求項2に記載の感光性樹脂組成物。
  5. 前記(D)光増感剤は、1,4−ビス(4−シアノスチリル)ベンゼンを含む、請求項2に記載の感光性樹脂組成物。
  6. 前記(D)光増感剤は、最大吸収ピークを330nm−450nmに有する蛍光色素である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
  7. 前記(C)光重合開始剤は、ヘキサアリールビイミダゾール化合物を含む、請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
  8. 前記感光性樹脂組成物の膜厚25μmにおける波長405nmの光の透過率が10%よりも大きい、請求項1〜7のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
  9. 前記感光性樹脂組成物は金属配線形成用の感光性樹脂組成物である、請求項1〜8のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
  10. 支持体と、前記支持体上に設けられた請求項1〜9のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物を含む感光性樹脂層と、を備える、感光性樹脂積層体。
  11. 請求項10に記載の感光性樹脂積層体を基材にラミネートする工程と、
    前記感光性樹脂層を露光する工程と、
    前記露光後の感光性樹脂層を現像する工程と、
    を含む、レジストパターン形成方法。
  12. 前記露光を、描画パターンの直接描画により行う、請求項11に記載のレジストパターン形成方法。
  13. 請求項11または12に記載の方法によりレジストパターンを形成する工程と、
    前記レジストパターンを用いて金属配線を形成する工程と、
    前記レジストパターンを剥離する工程と、
    を含む、金属配線の形成方法。
  14. 請求項11または12に記載のレジストパターン形成方法によって、基材としての半導体パッケージ用基板上にレジストパターンを形成する工程、及び前記レジストパターンが形成された半導体パッケージ用基板をエッチングするかまたはめっきする工程を含む、半導体パッケージの製造方法。
  15. 以下の成分:
    (A)アルカリ可溶性高分子、
    (B)エチレン性不飽和二重結合を有する化合物、
    (C)光重合開始剤、および
    (D)光増感剤、
    を含み、
    前記(D)光増感剤の酸解離定数pKaが9より大きく12より小さく、且つ、波長405nmのモル吸光係数が100М−1cm−1以上である(ただし、Мはモル濃度の単位であり、前記モル吸光係数はアセトンを溶媒に用いた場合の値である。)感光性樹脂組成物。
  16. 前記(D)光増感剤は、4−[3−(4−クロロフェニル)−4,5−ジヒドロ−1H−ピラゾール−1−イル]ベンゼンスルフォンアミドである、請求項15に記載の感光性樹脂組成物。
  17. 前記(B)エチレン性不飽和二重結合を有する化合物は、分子内にヒドロキシル基を含む、請求項16に記載の感光性樹脂組成物。
  18. 前記(D)光増感剤は、最大吸収ピークを330nm−450nmに有する蛍光色素である、請求項15〜17のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
  19. 前記(C)光重合開始剤は、ヘキサアリールビイミダゾール化合物を含む、請求項15〜18のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
  20. 前記感光性樹脂組成物の膜厚25μmにおける波長405nmの光の透過率が10%よりも大きい、請求項15〜19のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
  21. 前記(D)光増感剤の酸解離定数pKaが9.5より大きく11より小さい、請求項15〜20のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
  22. 前記(B)エチレン性不飽和二重結合を有する化合物は、分子内にヒドロキシル基を含む、請求項15〜21のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
  23. 前記感光性樹脂組成物は金属配線形成用の感光性樹脂組成物である、請求項15〜22のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
  24. 支持体と、前記支持体上に設けられた請求項15〜23のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物を含む感光性樹脂層と、を備える、感光性樹脂積層体。
  25. 請求項24に記載の感光性樹脂積層体を基材にラミネートする工程と、
    前記感光性樹脂層を露光する工程と、
    前記露光後の感光性樹脂層を現像する工程と、
    を含む、レジストパターン形成方法。
  26. 前記露光を、描画パターンの直接描画により行う、請求項25に記載のレジストパターン形成方法。
  27. 請求項25または26に記載の方法によりレジストパターンを形成する工程と、
    前記レジストパターンを用いて金属配線を形成する工程と、
    前記レジストパターンを剥離する工程と、
    を含む、金属配線の形成方法。
  28. 請求項25または26に記載のレジストパターン形成方法によって、基材としての半導体パッケージ用基板上にレジストパターンを形成する工程、及び前記レジストパターンが形成された半導体パッケージ用基板をエッチングするかまたはめっきする工程を含む、半導体パッケージの製造方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112574184B (zh) * 2020-12-25 2022-12-20 同济大学 环氧化物取代的吡唑啉衍生物、光固化组合物以及制备方法
KR20220098410A (ko) 2021-01-04 2022-07-12 주식회사 뷰메진 드론을 통한 클라우드 환경 기반의 실시간 영상 정보 송신 및 수신을 위한 통신 회로 차단기법 응용 시스템 및 방법
WO2022190208A1 (ja) * 2021-03-09 2022-09-15 昭和電工マテリアルズ株式会社 感光性フィルム、感光性エレメント、及び、積層体の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1157303A (zh) * 1996-12-31 1997-08-20 中国科学院感光化学研究所 含有高分子分散剂的荧光染料分散液及其制法和用途
EP1657286A2 (en) * 2004-11-12 2006-05-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Radiation curable ink jet ink, comprising a polymerisation initiation sensitising dye
JP2007178459A (ja) * 2005-12-26 2007-07-12 Fujifilm Corp パターン形成材料、並びにパターン形成装置及びパターン形成方法
WO2008084599A1 (ja) * 2007-01-10 2008-07-17 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. 感光性平版印刷版材料
CN1908698B (zh) * 2006-08-23 2010-10-06 黄则煌 丙烯基二甘醇碳酸酯护目镜片及其制造方法
JP2014523540A (ja) * 2011-06-08 2014-09-11 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ポリマー連結ナノ粒子を含有するフォトレジスト

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1469821B2 (de) * 1959-06-24 1972-03-23 Badische Anilin & Soda Fabrik AG, 6700 Ludwigshafen Optische Aufheller für makromolekulare organische Stoffe
US5275909A (en) * 1992-06-01 1994-01-04 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Positive-working radiation sensitive mixtures and articles containing alkali-soluble binder, o-quinonediazide photoactive compound and BLANKOPHOR FBW acting dye
EP0709226A1 (de) * 1994-09-30 1996-05-01 Ciba-Geigy Ag Streichformulierungen für Thermopapiere
GB9605712D0 (en) * 1996-03-19 1996-05-22 Minnesota Mining & Mfg Novel uv-curable compositions
JPH11199609A (ja) * 1998-01-16 1999-07-27 Tokuyama Sekiyu Kagaku Kk 光重合性組成物
JP3473696B2 (ja) * 1999-03-03 2003-12-08 日立化成工業株式会社 感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法
US7265161B2 (en) * 2002-10-02 2007-09-04 3M Innovative Properties Company Multi-photon reactive compositions with inorganic particles and method for fabricating structures
JP2003313208A (ja) * 2002-04-19 2003-11-06 Meiko:Kk 光硬化性樹脂組成物
RU2351615C2 (ru) * 2003-06-06 2009-04-10 Циба Спешиалти Кемикэлз Холдинг Инк. Новые поверхностно-активные полисилоксановые фотоинициаторы
JP4337485B2 (ja) 2003-09-16 2009-09-30 三菱化学株式会社 青紫色レーザー感光性組成物、並びにそれを用いた画像形成材料、画像形成材、及び画像形成方法
CN101652715B (zh) * 2007-04-04 2012-05-02 旭化成电子材料株式会社 感光性树脂组合物及层叠体
KR20140069310A (ko) * 2009-09-25 2014-06-09 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 레지스트 재료용 감광성 수지 조성물 및 감광성 수지 적층체
US9222024B2 (en) * 2010-04-20 2015-12-29 Basf Se Polymerized films with line texture or fingerprint texture
CN103509454B (zh) * 2013-09-12 2016-02-24 苏州金海薄膜科技发展有限公司 一种涂布液、带有涂布液的薄膜及其制作方法
JP2015219336A (ja) * 2014-05-16 2015-12-07 旭化成イーマテリアルズ株式会社 レジスト材料用感光性樹脂組成物及び感光性樹脂積層体
JPWO2016163540A1 (ja) * 2015-04-08 2017-11-02 旭化成株式会社 感光性樹脂組成物
CN107759715A (zh) * 2017-09-20 2018-03-06 苏州瑞红电子化学品有限公司 琥珀酰亚胺改性的环氧丙烯酸树脂及其制备方法、负性光刻胶组合物

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1157303A (zh) * 1996-12-31 1997-08-20 中国科学院感光化学研究所 含有高分子分散剂的荧光染料分散液及其制法和用途
EP1657286A2 (en) * 2004-11-12 2006-05-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Radiation curable ink jet ink, comprising a polymerisation initiation sensitising dye
JP2007178459A (ja) * 2005-12-26 2007-07-12 Fujifilm Corp パターン形成材料、並びにパターン形成装置及びパターン形成方法
CN1908698B (zh) * 2006-08-23 2010-10-06 黄则煌 丙烯基二甘醇碳酸酯护目镜片及其制造方法
WO2008084599A1 (ja) * 2007-01-10 2008-07-17 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. 感光性平版印刷版材料
JP2014523540A (ja) * 2011-06-08 2014-09-11 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ポリマー連結ナノ粒子を含有するフォトレジスト

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