JPWO2018123414A1 - インターポーザ基板、回路モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
10、10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G、10H、10I、10J、10K:インターポーザ基板
11、12、13S、14S、15、16:インターポーザ基板
20、20A、20B、20C、20D、20E、20F、20G、20H、20I、20K:素体
20G1:第1部分
20G2:第2部分
20P:積層体
20PD:犠牲層
21、21A、21B、21C、21D、21E、21F:第1部分
22、22A、22B、22C、22D、22E、22F:第2部分
23B、23E:第3部分
31、31A、31B、31C、31D、31E、31F、31G、31H、31I:外部接続導体
32、32A、32B、32C、32D、32E、32F、32G、32H、32I:外部接続導体
33、33A、33B、33E、33F、33G、33H、33I、33S:外部接続導体
34B、34E、34H:外部接続導体
81、81A、81B、81C、82、82A、82B、82C、83、83C、84、84C、85、85C、86C:フラットケーブル
90A、91、92、93、94、95、96:回路基板
201、201A、201B、201C、201D、201E、201F、201G、201H、201I、201P:第1主面
202、202A、202B、202C、202D、202E、202F、202G、202H、202I、202P:第2主面
203、203A、203B、203C、203D、203E、203F、203G、203H、203I:第3主面
204B、204E、204H:第4主面
210G、210G1、210I、211H、212H:凹部
230:シールド膜
241:磁性体層
242:非磁性体層
331D、332C、333C、333D、334C、335C、336C:外部接続導体
340、340G、340H、340I:配線導体
341、341G、341H、341I:ビア導体
342、342G、342H、342I:平面導体パターン
350、350H:配線導体
351、351G、351H、351I、361H:ビア導体
352、352H:平面導体パターン
361、362:接合用導体パターン
811、821:信号導体
812、822:端子導体
813、823:ビア導体
901:ランド導体
911、912、921、931、941、951、961:表面実装型電子部品
990:充電池
991、992、993:導電性接合材
3401、3501:配線導体用パターン
9991、9992:平板
Claims (20)
- それぞれが高さ方向に直交する第1主面、第2主面、第3主面を有し、前記高さ方向において、前記第1主面と前記第2主面との距離と、前記第1主面と前記第3主面との距離とが異なる素体と、
前記第1主面に形成され、インターポーザ基板を外部の回路基板に実装するための第1外部接続導体と、
前記第2主面に形成され、外部に接続するための第2外部接続導体と、
前記第3主面に形成され、外部に接続するための第3外部接続導体と、
前記素体に形成され、前記第1外部接続導体と、前記第2外部接続導体および前記第3外部接続導体とを接続する配線導体と、
を備えた、インターポーザ基板。 - 前記第1主面と前記第2主面との距離は、前記第1主面と前記第3主面との距離よりも長く、
前記第1主面と前記第3主面との距離は、前記回路基板に実装され、インターポーザ基板に隣接する表面実装型電子部品の高さよりも長い、
請求項1に記載のインターポーザ基板。 - 前記素体は、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板である、
請求項1または請求項2に記載のインターポーザ基板。 - 前記第2外部接続導体は、該第2外部接続導体に接続される外部の回路部材の個数に応じた個数で形成されている、
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のインターポーザ基板。 - 前記第3外部接続導体は、該第3外部接続導体に接続される外部の回路部材の個数に応じた個数で形成されている、
請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のインターポーザ基板。 - 前記第3主面は、前記素体の高さ方向から平面視して、前記第2主面に対して少なくとも一部が重なっている、
請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のインターポーザ基板。 - 前記第3主面は、前記素体の側面から凹む凹部の壁によって形成されている、
請求項6に記載のインターポーザ基板。 - 前記第3主面は、複数である、
請求項1乃至請求項7のいずれかに記載のインターポーザ基板。 - 前記素体は、前記第1主面、前記第2主面、および、前記第3主面に連接する側面を備え、
前記側面には、シールド膜を備える、
請求項1乃至請求項8のいずれかに記載のインターポーザ基板。 - 前記シールド膜は、前記素体の前記側面の全周に亘って形成されている、
請求項9に記載のインターポーザ基板。 - 前記素体は、磁性体部と非磁性体部とからなり、
前記シールド膜は、前記磁性体部の側面に形成されている、
請求項10に記載のインターポーザ基板。 - 前記シールド膜は、前記回路基板に実装され、インターポーザ基板に隣接する表面実装型電子部品の高さよりも長い、
請求項9乃至請求項11のいずれかに記載のインターポーザ基板。 - 前記配線導体は、前記素体の高さ方向に延びるビア導体を有し、
前記第2外部接続導体は、前記素体の前記第2主面から突出する前記ビア導体である、
請求項1乃至請求項12のいずれかに記載のインターポーザ基板。 - 請求項1乃至請求項13のいずれかに記載のインターポーザ基板と、
前記第1外部接続導体に接合され、前記インターポーザ基板が実装される回路基板と、
前記第2外部接続導体に接合される第1ケーブルと、
前記第3外部接続導体に接合される第2ケーブルと、
を備える回路モジュール。 - 平面視において、前記第1ケーブルと前記第2ケーブルは、少なくとも一部が重なる、
請求項14に記載の回路モジュール。 - 請求項1乃至請求項13のいずれかに記載のインターポーザ基板の製造方法であって、
導体パターンが形成された層を積層して積層体を形成する工程と、
前記積層体の積層方向の一方端である第1主面に剛体の平板を配置し、前記積層方向の他方端である第2主面に前記剛体よりも柔らかい平板を配置して、プレス処理する工程と、
前記積層体を焼成して、前記第1主面と前記第2主面とを有する前記素体を形成する工程と、
前記素体における前記第2主面の一部を面状に研削して、前記第3主面を形成する工程と、
を有する、インターポーザ基板の製造方法。 - 前記第2主面の一部以外の残り部分を面状に研削して、前記第2主面を平坦とする、
請求項16に記載のインターポーザ基板の製造方法。 - 前記積層体を形成する工程において、前記第2主面側の表層に犠牲層が形成され、前記犠牲層には前記配線導体が形成される、
請求項16または請求項17に記載のインターポーザ基板の製造方法。 - 前記研削する工程は、前記焼成する工程よりも後である、
請求項請求項16乃至請求項18のいずれかに記載のインターポーザ基板の製造方法。 - 前記研削する工程は、前記焼成する工程よりも前である、
請求項請求項16乃至請求項18のいずれかに記載のインターポーザ基板の製造方法。
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