JPH11150391A - 電子回路モジュールおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数の電子回路小ブロックが近接して積層さ
れる電子回路モジュールにおいて、各ブロック間のシー
ルド強化と薄型軽量化とを両立させる。 【解決手段】 コネクタ１４，２４で電気的に接続され
る第１小ブロック１と第２小ブロック２との中間に、第
１小ブロック１の対向面の表面凹凸を反映させた薄膜状
のシールド層１７を介在させることで、両ブロックを最
小間隔にて対向可能とする。このシールド層１７は、第
１小ブロック１上に薄い絶縁膜１５を形成した後、導電
性塗料をスプレーして得られた塗膜より形成され、開口
１６を通じて第１ブロックの接地電極に接続される。シ
ールド層１７と第２小ブロック２との間の絶縁は、該第
２小ブロック２の表面に形成された絶縁膜２５が担う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器に内蔵さ
れる電子回路モジュールおよびその製造方法に関し、特
に個々の電子回路小ブロック間のシールドを強化しなが
ら薄型軽量化を実現する構造、およびその簡便な達成方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】携帯電話、ＰＨＳ（パーソナル・ハンデ
ィホン・システム）、これらを内蔵した携帯情報端末、
あるいは移動体通信機器においては機器本体の薄型軽量
化と高機能化とが同時に進行しており、これらの機器に
搭載される電子回路モジュールにも、限られた容積内に
複数の電子回路小ブロックを高度に密集させることが要
求されている。

【０００３】図１１に、一例として２個の電子回路小ブ
ロックをシールドケースに収容した電子回路モジュール
の模式的断面図を示す。この電子回路モジュールは、第
１小ブロック１００と第２小ブロック２００とが、上側
シールドケース３００、側面シールドケース３０１およ
び下側シールドケース３０２の三者が一体となって形成
される閉鎖空間内に収容されたものである。上記第１小
ブロック１００は、実装基板１０１の両面に半導体素子
１０２や電子部品１０３が実装されたものであり、上記
第２小ブロック２００は、実装基板２０１の両面に半導
体素子２０２や電子部品２０３が実装されたものであ
る。これら第１小ブロック１００と第２小ブロック２０
０とは、コネクタ１０４により相互に電気的に接続され
ている。また、上記第２小ブロック２００の下面にはコ
ネクタ１０５が設けられており、下側シールドケース３
０２に開口された外部接続穴３０３を通じて外部回路と
接続可能となされている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図１１に示
されるような電子回路モジュールの構成では、半導体素
子１０２，２０２や電子部品１０３，２０３の実装によ
り生じた各ブロック上の表面凹凸を組み合わせるように
して該ブロック同士を近接対向させているため、薄型化
には有効である。反面、ブロック同士が近接している
分、両者間の電磁的結合によるノイズが発生しやすく、
正常な電気特性を得ることが困難である。

【０００５】上記の問題に対する対策として、図１２に
示されるように、第１小ブロック１００と第２小ブロッ
ク２００との間にたとえば銅平板よりなるシールド中隔
板３０４を設けることも行なわれている。しかし、かか
る構成では、双方の小ブロック１００，２００の対向面
に実装される半導体素子１０２，２０２や電子部品１０
３，２０３と、導電性を有するシールド中隔板３０４と
の接触を避けるために、実装品の中で最も高さの大きい
ものに合わせてブロック間の距離を決定する必要がある
ので、薄型化に限界がある。また、かかる金属板を使用
することで軽量化が困難となったり、あるいはシールド
ケースとシールド中隔板の接合部等の離構造が複雑化し
て、組立て作業が煩雑となったり、コストが余分にかか
る等の短所もある。そこで本発明は、薄型軽量化の流れ
を妨げずに優れたシールド効果を達成することが可能な
電子回路モジュールと、その簡便な製造方法を提供する
ことを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の電子回路モジュ
ールは、上述の目的を達成するために提案されるもので
あり、互いに電気的に接続されかつ隣接する電子回路小
ブロック（以下、適宜ブロックと省略する。）の中間
に、これら電子回路小ブロックの少なくとも一方の対向
面の表面凹凸を反映させた薄膜状のシールド層を挟み、
両ブロックを最小間隔にて対向させる構成とすること
で、薄型軽量化を可能とするものである。かかるシール
ド層は、隣接する電子回路小ブロックの双方の対向面か
ら、その少なくとも一方の表面凹凸を反映させた絶縁膜
により隔てられていることが好適である。

【０００７】このようにシールド層が絶縁膜により電子
回路小ブロックの双方の対向面から隔てられてなる電子
回路モジュールは、まず第１工程にて第１の電子回路小
ブロックの主面のうち、少なくとも他方の電子回路小ブ
ロックと対向される方の主面にその表面凹凸を反映させ
た第１絶縁膜を形成し、次に第２工程にて上記第１絶縁
膜上に同じ主面の表面凹凸を反映させるごとく薄膜状の
シールド層を形成する。このシールド層は、他方の電子
回路小ブロックの表面から絶縁されている必要があるの
で、次の第３工程ではこのシールド層の表面、または積
層相手である第２の電子回路小ブロックの対向面の少な
くともいずれかに、その表面凹凸を反映させるごとく第
２絶縁膜を形成し、最後に第４工程にて第１絶縁膜とシ
ールド層と第２絶縁膜とがこの順に重なるように上記第
１の電子回路小ブロックと前記第２の電子回路小ブロッ
クとを積層し、かつこれら両ブロックを電気的に接続す
ればよい。

【０００８】なお、上記シールド層は、電子回路小ブロ
ックの積層体の外部接続端子の配設面側にも絶縁膜を介
して形成されていてもよい。さらに、この外部接続端子
の配設面側は、シールドケースに被覆されていてもよ
い。また上記シールド層は、電子回路小ブロックの積層
体の外部接続端子の配設面とは反対側の面に絶縁膜を介
して形成されていてもよい。さらに、この反対側の面が
シールドケースに被覆されていてもよい。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明では、隣接する電子回路小
ブロックの間に介在されるシールド層が、少なくとも一
方のブロックの表面凹凸を反映した薄膜で構成されてい
るため、金属平板からなるシールド中隔板を用いる場合
のように最も背の高い実装部品にブロック間距離が制約
されることなく、両ブロックを最小間隔にて対向させる
ことができる。したがって、本発明によれば、電子回路
モジュールの薄型軽量化が可能である。ところで、上記
シールド層が少なくとも一方のブロックの表面凹凸を反
映するということは、このシールド層が隣接するブロッ
クの双方にそれぞれ形成されていても良いことを意味す
る。ただし通常は、いずれか一方のブロックに十分なシ
ールド効果を発揮できる厚さのシールド層が１層設けら
れていれば十分である。

【００１０】実用的な構成では、このシールド層は隣接
する電子回路小ブロックの双方の対向面から、その少な
くとも一方の表面凹凸を反映させた絶縁膜により隔てら
れる。かかる構成は、機械強度的にも極めて安定であ
り、シールド層は容易にその形状と定位置を維持するこ
とができる。しかも、シールド中隔板を用いる場合のよ
うに電子小ブロック間に隙間が発生することがなく、シ
ールド効果も確実となる。また、シールド構造が複雑化
することもないので、工数やコストの増大も抑制するこ
とができる。上記シールド層は、典型的には導電性塗料
の塗膜を用いて構成することができる。塗膜を利用すれ
ば、薄膜化や膜厚の均一化が容易となる他、形成工程も
極めて簡便となる。上記導電性塗料としては、Ｎｉ，Ａ
ｇ，Ｃｕ，カーボン，グラファイトの粉末をたとえばエ
ポキシ樹脂等の分散媒に分散させたものを用いることが
できる。

【００１１】ところで、本発明では両ブロックの積層構
造が最終的に、「第１の電子回路小ブロック／第１絶縁
膜／シールド層／第２絶縁膜／第２の電子回路小ブロッ
ク」となれば良いので、各ブロックは次の（ａ），
（ｂ）いずれかの構成を有していれば良いことになる。 （ａ）第１の電子回路小ブロック／第１絶縁膜／シール
ド層＋ 第２絶縁膜／第２の電子回路ブロック （ｂ）第１の電子回路小ブロック／第１絶縁膜／シール
ド層／第２絶縁膜＋ 第２の電子回路ブロック 構成（ａ）では各々の絶縁膜が各々のブロックの表面凹
凸を反映し、構成（ｂ）ではいずれの絶縁膜も一方のブ
ロックの表面凹凸のみを反映する。前者（ａ）の構成の
方が反映の度合いが忠実でプロファイルの「だれ」が少
なくなるので、ブロック間距離の短縮には有利である。

【００１２】絶縁膜の構成材料としては、たとえばエポ
キシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁性
樹脂を用いることができる。これらの絶縁性樹脂は、適
当な溶媒に溶解して絶縁塗料とし、この絶縁塗料を電子
回路小ブロックの表面にスプレーした後、適当な方法で
硬化させることにより、容易に薄膜状に形成することが
できる。この絶縁塗料の溶媒としては、テレピン油やシ
ンナーを用いることができる。硬化方法としては、樹脂
の種類に応じて加熱、光照射を適宜選択することができ
る。

【００１３】上記シールド層は、必要に応じて接地電極
に接続することができる。この接続は、絶縁膜やシール
ド層を所定の二次元的なパターンを予め想定しておけば
容易に達成することができるため、たとえばシールド中
隔板を用いる場合のようにシールドケースの形状変更ま
でも含めた複雑な設計を行う必要が何ら生じない。かか
る構造を有する電子回路モジュールを製造するには、前
述の第１絶縁膜を形成する段階で接地電極の接点を露出
させておき、該第１絶縁膜を被覆してシールド層を形成
することにより、上記接点とシールド層とを接続すれば
よい。

【００１４】本発明では、隣接するブロック間にその表
面凹凸を反映させた薄膜状のシールド層を介在させるこ
とで薄型軽量化が図れることが最大のメリットであり、
その薄型軽量化の効果は、積層されるブロックの数が多
くなるほど顕著となる。ここで、積層体の最も外側を構
成するブロックについてもシールドを施すことは、この
積層体と外部回路との間の電磁的結合を防止する上で有
効な手法である。この場合のシールドは、上述のような
薄膜状のシールド層を絶縁膜を介して形成しても、ある
いは従来どおりシールドケースを使用しても、あるいは
シールド層とシールドケースを併用しても構わない。特
に、他の電気部材への外部接続端子の配設面側には、十
分なシールドを施しておくことが望ましく、したがって
シールド層の形成、またはシールド層とシールドケース
の併用が有効である。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
する。

【００１６】実施例１ 本実施例では、２個の電子回路小ブロックの間と外部接
続端子の配設面側にシールド層を形成し、上記配設面と
は反対側の面と側面とをシールドケースで被覆した電子
回路モジュールの構成とその製造方法について説明す
る。まず、本実施例の電子回路モジュールを図７に示
す。このモジュールは、第１小ブロック１と第２小ブロ
ック２とが、上側シールドケース４および側面シールド
ケース５ａに被覆されたものである。上記第１小ブロッ
ク１は、実装基板１１の両面に半導体素子１２や電子部
品１３が実装されたものであり、上記第２小ブロック２
は、実装基板２１の両面に半導体素子２２や電子部品２
３が実装されたものである。これら第１小ブロック１と
第２小ブロック２とは、コネクタ１４，２４により相互
に電気的に接続されている。また、上記第２小ブロック
２の下面には外部接続端子としてのコネクタ２６が設け
られている。

【００１７】上記第１小ブロック１と第２小ブロック２
とは、該第１小ブロック１の対向面の表面凹凸を反映さ
せた薄膜状のシールド層１７を挟み、最小間隔にて対向
されている。このシールド１７層は、上記第１小ブロッ
ク１の表面凹凸を反映した絶縁膜１５により該第１小ブ
ロック１の対向面から、また第２小ブロック２の表面凹
凸を反映した絶縁膜２５により該第２小ブロック２の対
向面から、それぞれ隔てられている。図７には図示の都
合上、絶縁膜１５，２５やシールド層１７が半導体素子
１２，２２や電子部品１３，２３に比べて相対的に厚く
描かれているが、実際にはもっと薄いものである。した
がって、これら２個のブロック１，２のブロック間距離
は、たとえば前掲の図１１に示したような、シールド中
隔板を使用しない場合とほとんど変わらない。

【００１８】上記第２小ブロック２のコネクタ２６の配
線面側にも、絶縁膜２５を介してシールド層２７が形成
されている。また、上記配線面とは反対側の面、すなわ
ち図７では第１小ブロック１の上方は上側シールドケー
ス４で被覆されている。また、第１小ブロック１と第２
小ブロック２の側壁面は、側面シールドケース５ａで被
覆されている。これらのシールドケース４，５ａは、た
とえば錫めっきを施した鉄板より構成され、実装基板１
１，２１の外周部に沿って設けられた数カ所の穴にその
脚部を挿入したり、あるいは外周部に沿って設けられた
溝に縁部を嵌合させる等の方式により装着された後、各
実装基板１１，２１上の接地電極にハンダ等の接続手段
を用いて接続されている。

【００１９】かかる構成を有する電子回路モジュール
は、外部からの電磁波に対する遮蔽効果に優れ、しかも
シールド層を持たない従来の電子回路モジュール、ある
いはシールド中隔離板を持つ従来の電子回路モジュール
に比べて各電子小ブロック間の干渉も格段に少ないもの
であった。したがって、本発明の電子回路モジュール
は、優れたシールド効果と薄型軽量化とを両立させたも
のであることがわかった。

【００２０】次に、上記の電子回路モジュールの製造方
法について、図１ないし図７を参照しながら説明する。
まず、図１に示されるように、第１小ブロック１の実装
基板１１の第１主面１ａ上に、半導体素子１２、電子部
品１３、およびコネクタ１４を常法にしたがって実装し
た。次に、第１小ブロック１の表裏を図２に示されるよ
うに反転させ、第２主面１ｂ上に電子部品１３を実装し
た。なお、第２主面１ｂ上に半導体素子１２が実装され
ていても構わない。

【００２１】次に、第１小ブロック１の表裏を図３に示
されるように再び反転させ、第１主面１ａ上にエポキシ
樹脂を主成分とする絶縁塗料をスプレーし、熱硬化を経
て厚さ約５０〜１００μｍの絶縁膜１５を形成した。こ
のとき、第１主面１ａ上の図示されない接地電極の接点
を露出させるために、絶縁塗料のスプレー前にこの接点
を予めたとえば絶縁テープ等のマスク材で被覆してお
き、絶縁塗料を半硬化させた段階でピンセットを用いて
上記マスク材を除去することで開口１６を形成し、その
後絶縁塗料を本硬化させた。次に、エポキシ樹脂等の絶
縁性の分散媒中にＮｉ，Ａｇ，Ｃｕ，カーボン等の粉末
を分散させた導電性塗料を上記の絶縁膜１５の上にスプ
レーし、熱硬化を経て厚さ約５０〜１００μｍのシール
ド層１７を形成した。このシールド層１７は、開口１６
の内部において接地電極に接続するものである。

【００２２】次に、図５に示されるような第２小ブロッ
ク２を準備した。この第２小ブロック２において、外部
接続端子であるコネクタ２６の配設面側、すなわち第１
主面２ａ上には上記と同様にして絶縁膜２５とシールド
層２７とが順次積層されており、第１小ブロック１との
対向面側である第２主面２ｂ上には絶縁膜２５のみが形
成されている。なお、第２主面２ｂには、内部接続端子
としてのコネクタ２４が実装されている。図５には、こ
れら第１小ブロック１と第２小ブロック２とを位置合わ
せしながら対向させた状態を示した。次に、図６に示さ
れるように、これら両ブロック１，２を積層させた。こ
の積層は、ブロック間距離を最小とするごとく行われ、
第１小ブロック１上のシールド層１７と第２小ブロック
２上の絶縁膜２５とは部分的に接触する。また、両ブロ
ックの電気的接続は、コネクタ１４，２４の嵌合により
達成されている。この状態の積層体でも、十分にシール
ド効果に優れる本発明の電子回路モジュールとなり得
る。この後は、前掲の図７に示したように、上記の積層
体にさらに上側シールドケース４と側面シールドケース
５ａを装着し、本実施例の電子回路モジュールを完成さ
せた。

【００２３】実施例２ 本実施例では、実施例１で上述した電子回路モジュール
の外部接続端子の配設面側に、さらに下側シールドケー
スを追加した。すなわち、図８に示されるように、コネ
クタ２６の配設面側に下側シールドケースを装着した。
この下側シールドケース６は、コネクタ２６の近傍に外
部接続穴７を有しており、他の電気部品の接点がこの外
部接続穴７に挿入され、コネクタ２６に接続されるよう
になされている。本実施例の電子回路モジュールは、実
施例１よりもさらにシールド効果に優れたものとなっ
た。

【００２４】実施例３ 本実施例では、シールドケースは用いずに、電子回路小
ブロックの積層体の上下面の双方に絶縁膜を介してシー
ルド層を設けた。この電子回路モジュールは、図９に示
されるように、第１小ブロック１の第２主面１ｂ側にも
絶縁膜１５を介してシールド層１７が形成されている。
この構成は、前掲の図６に示した積層体の上面にシール
ドを施したものに相当する。これにより、本実施例では
実施例１と同等のシールド効果を得ながら、より一層の
薄型軽量化を図ることができた。

【００２５】実施例４ 本実施例では、３個の電子回路小ブロックの積層体をシ
ールドケースに収容した電子回路モジュールについて、
図１０を参照しながら説明する。この電子回路モジュー
ルは、前掲の図６に示した積層体の下側に第３小ブロッ
ク３を追加したものに相当する。この第３小ブロック３
の層構成は、第２小ブロック２とほぼ同じである。すな
わち、実装基板３１の両主面には半導体素子３２や電子
部品３３が実装され、第２小ブロック２との対向面側に
は絶縁膜３５のみが、一方、外部接続端子であるコネク
タ３６の配設面側には絶縁膜３５を介してシールド層３
７が形成されている。第２小ブロック２と第３小ブロッ
ク３との間の電気的接続は、コネクタ２６，３４により
行われている。これら３層からなる電子回路小ブロック
の積層体は、上側シールドケース４、側面シールドケー
ス５ａ，５ｂおよび下側シールドケース６の四者が一体
となって形成される閉鎖空間内に収容されている。

【００２６】本実施例では、第１小ブロック１と第２小
ブロック２との間のシールドはシールド層１７により、
また第２小ブロック２と第３小ブロック３との間のシー
ルドはシールド層２７により達成される。同様にして、
本発明によれば電子回路小ブロックの積層数が増加して
も同様にブロック間のシールドを強化しながら最小間隔
による積層が可能となり、電子回路モジュールの薄型軽
量化に極めて有利となる。

【００２７】以上、本発明の具体的な実施例を４例挙げ
たが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるもので
はない。たとえば、各ブロックの構成、ブロックの積層
数、絶縁膜やシールド層の構成材料や厚さや形成方法等
の細部については、適宜変更、選択、組合せが可能であ
る。

【００２８】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の電子回路モジュールは、隣接する電子回路小ブロッ
クがその対向面の表面凹凸を反映させた薄膜状のシール
ド層を挟んで最小間隔にて対向されてなる積層体からな
るので、十分なシールド効果を得ながら薄膜軽量化を図
ることが容易となる。このシールド層は、隣接する前記
電子回路小ブロックの双方の対向面から、その少なくと
も一方の表面凹凸を反映させた絶縁膜により隔てられた
構成とされることにより、構造的にも機械強度的にも安
定したものとなる。上記シールド層を導電性塗料の塗膜
とする構成は、薄膜化や膜厚の均一化、形成の容易さと
いった観点から有利である。

【００２９】上記シールド層を電子回路小ブロックの接
地電極に接続することは、極めて簡単な構造による安定
かつ確実なシールドを可能とする。上記シールド層が、
積層体の少なくとも外部接続端子の配設面側にも絶縁膜
を介して設けられていれば、この外部接続端子を介して
接続される他の電気部品との間のシールドが確実に行わ
れる。また、この外部接続端子の配設面側がシールドケ
ースに被覆されていることも、確実なシールド効果を得
る上で有効である。さらに、シールド層やシールドケー
スを積層体の外部接続端子の配設面と反対側の面にも設
ける構成は、シールド効果を一層高める上で有効であ
る。

【００３０】本発明の電子回路モジュールの製造方法
は、電子回路小ブロックの表面凹凸を反映させながら絶
縁膜やシールド層を形成するものであり、何ら大がかり
で特殊な設備や高価な設備を要するものではない。シー
ルド層を電子回路小ブロックの表面に存在する接地電極
と接続したい場合には、予めこの接点を露出させるよう
に絶縁膜を形成しておき、後からこの接点にシールド層
を被着させればよい。したがって、何らシールド構造を
複雑化させるおそれがない。シールド層や絶縁膜は、導
電性塗料や絶縁塗料のスプレーにより形成することがで
き、均一性、再現性、大量生産性、製造効率、簡便性に
優れている。このように、本発明は電子回路モジュール
のシールド性能の向上と薄型軽量化の促進を通じ、最終
的には携帯情報端末に代表される小型電子機器の高性能
化と小型軽量化に大きく貢献するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用したプロセス例において、第１小
ブロックの第１主面上に半導体素子と電子部品とコネク
タを実装した状態を示す模式的断面図である。

【図２】図１の第１小ブロックの第２主面上に電子部品
を実装した状態を示す模式的断面図である。

【図３】図２の第１小ブロックの第１主面上に絶縁膜を
成膜した状態を示す模式的断面図である。

【図４】図３の絶縁膜の上にシールド層を形成した状態
を示す模式的断面図である。

【図５】図４の第１小ブロックと、別に作製した第２小
ブロックとを位置合わせして対向させた状態を示す模式
的断面図である。

【図６】図５の第１小ブロックと第２小ブロックとを積
層した状態を示す模式的断面図である。

【図７】図６の積層体に上側シールドケースと側面シー
ルドケースとを装着して電子回路モジュールを完成させ
たを状態を示す模式的断面図である。

【図８】図７の電子回路モジュールにさらに下側シール
ドケースを追加した本発明の他の実施例を示す模式的断
面図である。

【図９】図６の積層体の上面にもシールド層を形成して
シールドケースを省略した本発明の他の実施例を示す模
式的断面図である。

【図１０】３個の小ブロックをシールドケースに収容し
た本発明の他の実施例を示す模式的断面図である。

【図１１】２個の小ブロック間のシールド手段を持たな
い従来の電子回路モジュールを示す模式的断面図であ
る。

【図１２】図１１の２個の電子回路小ブロック間にシー
ルド中隔板を用いた従来の電子回路モジュールを示す模
式的断面図である。

【符号の説明】

１…第１小ブロック １ａ…（第１小ブロックの）第
１主面 １ｂ…（第１小ブロックの）第２主面 ２…第
２小ブロック ２ａ…（第２小ブロックの）第１主面
２ｂ…（第２小ブロックの）第２主面 ３…第３小ブロ
ック ４ａ…上側シールドケース ５ａ，５ｂ…側面シ
ールドケース ６…下側シールドケース ７…外部接続穴 １１，１２，１３…実装基板 １２，
２２，３２…半導体素子 １３，２３，３３…電子部品 １４，２４，２６，３６
…コネクタ １５，２５，３５…絶縁膜 １６…開口
１７，２７，３７…シールド層

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに電気的に接続された複数の電子回
   路小ブロックがその実装基板の主面に対して垂直な方向
   に積層されてなり、かつ他の電気部材への外部接続端子
   を備える積層体よりなる電子回路モジュールであって、 前記積層体中では、隣接する前記電子回路小ブロック同
   士が、少なくとも一方の該電子回路小ブロックの対向面
   の表面凹凸を反映させた薄膜状のシールド層を挟み、最
   小間隔にて対向されていることを特徴とする電子回路モ
   ジュール。
2. 【請求項２】 前記シールド層は、隣接する前記電子回
   路小ブロックの双方の対向面から、その少なくとも一方
   の表面凹凸を反映させた絶縁膜により隔てられているこ
   とを特徴とする請求項１記載の電子回路モジュール。
3. 【請求項３】 前記シールド層が導電性塗料の塗膜より
   なることを特徴とする請求項２記載の電子回路モジュー
   ル。
4. 【請求項４】 前記シールド層が前記電子回路小ブロッ
   クの接地電極に接続されていることを特徴とする請求項
   １記載の電子回路モジュール。
5. 【請求項５】 前記シールド層が、前記積層体の少なく
   とも前記外部接続端子の配設面側にも絶縁膜を介して設
   けられていることを特徴とする請求項１記載の電子回路
   モジュール。
6. 【請求項６】 前記積層体の少なくとも前記外部接続端
   子の配設面側がシールドケースに被覆されていることを
   特徴とする請求項１記載の電子回路モジュール。
7. 【請求項７】 前記シールド層が、前記積層体の前記外
   部接続端子の配設面と反対側の面にも絶縁膜を介して設
   けられていることを特徴とする請求項１記載の電子回路
   モジュール。
8. 【請求項８】 前記積層体の前記外部接続端子の配設面
   と反対側の面がシールドケースに被覆されていることを
   特徴とする請求項１記載の電子回路モジュール。
9. 【請求項９】 第１の電子回路小ブロックの主面中、少
   なくとも隣接する電子回路小ブロックと対向される方の
   主面にその表面凹凸を反映させるごとく第１絶縁膜を形
   成する第１工程と、 前記第１絶縁膜上に、前記主面の表面凹凸を反映させる
   ごとく薄膜状のシールド層を形成する第２工程と、 前記シールド層の表面、もしくは第２の電子回路小ブロ
   ックの主面中、少なくとも前記第１の電子回路小ブロッ
   クと対向される方の主面の少なくともいずれかに、その
   表面凹凸を反映させるごとく第２絶縁膜を形成する第３
   工程と、 前記第１絶縁膜、前記シールド層および前記第２絶縁膜
   とがこの順に重なるごとく前記第１の電子回路小ブロッ
   クと前記第２の電子回路小ブロックとを積層すると共に
   かつこれら両ブロックを電気的に接続する第４工程とを
   有することを特徴とする電子回路モジュールの製造方
   法。
10. 【請求項１０】 前記第１工程では、前記第１の電子回
    路小ブロックの表面に存在する接地電極の接点を露出さ
    せるごとく前記第１絶縁膜を形成し、 前記第２工程では前記接点に前記シールド層を被着させ
    ることを特徴とする請求項９記載の電子回路モジュール
    の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記第２工程では、前記シールド層を
    導電性塗料のスプレーにより形成することを特徴とする
    請求項９記載の電子回路モジュールの製造方法。
12. 【請求項１２】 前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜
    を、絶縁塗料のスプレーにより形成することを特徴とす
    る請求項９記載の電子回路モジュールの製造方法。