JPWO2018116814A1 - 表示装置および製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、本発明の一実施形態について、図1〜図25を参照して、詳細に説明する。
以下に、LED表示チップ1の概略構成を説明する。
以下、発光アレイ30について、図2から図4を参照して、詳細に説明する。
以下、発光アレイ30における発光ユニット31および配線ユニット32の概略構成について、図2および図4を参照して、詳細に説明する。
以下、集積回路チップ20の概略構成を、図5を参照して、詳細に説明する。
以下に、駆動回路70を、図7を参照して詳細に説明する。
以下に、LED表示チップ1の製造工程を、図8〜図24を参照して、詳細に説明する。
以下に、発光アレイ30を製造する製造工程を、図9〜図15を参照して、詳細に説明する。図9〜図15は、一連の工程例を順に示すので、簡便のために、先の工程を示す図に記載した符号は、後の工程を示す図での記載を適宜省略する。
以下に、発光アレイ30を集積回路チップ20に搭載する組立工程を、図8および図16〜図20を参照して、詳細に説明する。図16〜図23は、一連の製造工程例を順に示すので、簡便のために、先の工程を示す図に記載した符号は、後の工程を示す図での記載を適宜省略する。
(変形例1)
以下に、LED表示チップ1に波長変換層68を設ける場合の、LED表示チップ1を製造する製造工程の変形例を図21〜図22を参照して、詳細に説明する。図21〜図23は、図16〜図19に示した工程の後に続く一連の製造工程例を順に示すので、簡便のために、先の工程を示す図に記載した符号は、後の工程を示す図での記載を適宜省略する。
以下に、発光アレイ30を剥離用基板63と転写用基板64とに移し替える場合の、LED表示チップ1を製造する製造工程の変形例を図24を参照して、詳細に説明する。図24の(a)〜(e)は、図9〜図15に示した工程の後に続く一連の製造工程例を順に示すので、簡便のために、先の工程を示す図に記載した符号は、後の工程を示す図での記載を適宜省略する。
以下に、図25を参照して、表示システム7を詳細に説明する。
本発明の他の実施形態2について、図26〜図36に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
・発光ユニット31は、1個のLEDを含む構成から、2個のLED(第1LED41a,第2LED41b)を含む構成に変更されている。
・駆動回路70は、1個のLEDを駆動するための回路構成から、2個のLEDを駆動するための回路構成に変更されている。
以下、本実施形態2に係る発光アレイ30を、図27を参照して、詳細に説明する。
以下、本実施形態2に係る集積回路チップ20を、図28を参照して、詳細に説明する。
以下に、本実施形態2に係る駆動回路70を、図29を参照して詳細に説明する。
以下に、本実施形態2に係る発光アレイ30を製造する製造工程を、図30〜図36を参照して、詳細に説明する。図30〜図36は、一連の工程例を順に示すので、簡便のために、先の工程を示す図に記載した符号は、後の工程を示す図での記載を適宜省略する。
本発明の他の実施形態3について、図37〜図39に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
本発明の他の実施形態4について、図29を参照して説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
本実施形態4の変形例について、図40を参照して説明すれば、以下のとおりである。
・第1LED41aの発光強度が、LED表示チップ1が求める規定範囲内に収まる発光ユニット31については、第2LED41bを用いる必要が無いので、対応する駆動回路70の第2不揮発性メモリトランジスタ78bが非通電状態を保持するように書き込む。・第1LED41aの発光強度が、LED表示チップ1が求める規定範囲の上限より大きい発光ユニット31については、第2LED41bを用いる必要が無いので、対応する駆動回路70の第2不揮発性メモリトランジスタ78bが非通電状態を保持するように書き込む。加えて、第1LED41aの発光強度が、LED表示チップ1が求める規定範囲内に納まるように、対応する駆動回路70の第1不揮発性メモリトランジスタ78aの閾値を調整する。
・第1LED41aの発光強度が、LED表示チップ1が求める規定範囲の下限より小さい発光ユニット31については、第2LED41bを用いる必要があるので、対応する駆動回路70の第2不揮発性メモリトランジスタ78bに書き込みを行わない。
・第2LED41bの発光強度が、LED表示チップ1が求める規定範囲内に収まる発光ユニット31については、第1LED41aを用いる必要が無いので、対応する駆動回路70の第1不揮発性メモリトランジスタ78aが非通電状態を保持するように書き込む。・第2LED41bの発光強度が、LED表示チップ1が求める規定範囲の上限より大きい発光ユニット31については、第1LED41aを用いる必要が無いので、対応する駆動回路70の第1不揮発性メモリトランジスタ78aが非通電状態を保持するように書き込む。加えて、第2LED41bの発光強度が、LED表示チップ1が求める規定範囲内に納まるように、対応する駆動回路70の第2不揮発性メモリトランジスタ78bの閾値を調整する。
・第2LED41bの発光強度が、LED表示チップ1が求める規定範囲の下限より小さい発光ユニット31については、第1LED41aを用いる必要があるので、対応する駆動回路70の第1不揮発性メモリトランジスタ78aに書き込みを行わない。
・両方を合計した発光強度が、LED表示チップ1が求める規定範囲内に収まる発光ユニット31については、調整不要なので、対応する駆動回路70の第1不揮発性メモリトランジスタ78aと第2不揮発性メモリトランジスタ78bと何れにも書き込みしない。
・両方を合計した発光強度が、LED表示チップ1が求める規定範囲の上限より大きい発光ユニット31については、合計した発光強度が、LED表示チップ1が求める規定範囲内に納まるように、対応する駆動回路70の第1不揮発性メモリトランジスタ78aと第2不揮発性メモリトランジスタ78bとの一方または両方の閾値を調整する。
・両方を合計した発光強度が、LED表示チップ1が求める規定範囲の下限より小さい発光ユニット31については、不良品であるので、対応する駆動回路70の第1不揮発性メモリトランジスタ78aと第2不揮発性メモリトランジスタ78bとの両方が非通電状態を保持するように書き込む。
本発明の他の実施形態5について、図41に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
図41は、本実施形態5に係るLED表示チップ1が備える駆動回路70の回路構成例を示す回路図である。
本実施形態5に係る駆動回路70は、集積回路チップ20の製造段階で、発光アレイ30が集積回路チップ20に搭載される前に、第3不揮発性メモリトランジスタ78cおよび第4不揮発性メモリトランジスタ78dの特性もテストされる。例えば、まず、第1テストトランジスタ80aおよび第2テストトランジスタ80bを通電状態にし、かつ、第1不揮発性メモリトランジスタ78aおよび第2不揮発性メモリトランジスタ78bの少なくとも一方を通電状態にする。それから、第3不揮発性メモリトランジスタ78cおよび第4不揮発性メモリトランジスタ78dの一方のみが通電状態のときの駆動電流Iを、両方が通電状態のときの駆動電流Iと比較する。第1駆動トランジスタ77aと第2駆動トランジスタ77bとが同じゲート幅および同じゲート長の場合、駆動電流Iは、約2倍に増大する。
以下に、本実施形態5における発光強度の調整例について、順に説明する。
本発明の他の実施形態6について、図42〜図48に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
以下に、本実施形態6に係る発光アレイ30を製造する製造工程を、図42〜図48を参照して、詳細に説明する。図42〜図48は、一連の工程例を順に示すので、簡便のために、先の工程を示す図に記載した符号は、後の工程を示す図での記載を適宜省略する。
本発明の他の実施形態7について、図49〜図55に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
本実施形態7に係る発光アレイ30は、反射材62が埋め込まれていない状態で、集積回路チップ20に接合される。このため、本実施形態7に係る発光アレイ30は、図30〜図34に示されるような工程を経た後、図35および図36に示されるような工程を経ない。
以下に、本実施形態7に係る発光アレイ30を集積回路チップ20に搭載する組立工程を、図49〜図55を参照して、詳細に説明する。図49〜図55は、一連の工程例を順に示すので、簡便のために、先の工程を示す図に記載した符号は、後の工程を示す図での記載を適宜省略する。
本発明の他の実施形態8について、図56、図57に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。本実施形態は、実施形態1に対して、不揮発性メモリを有する電流調整回路を、各画素の駆動回路とは別に設けた点において異なる。
即ち、本実施形態に係る構成によれば、駆動電流Iの電流量を増減させる事も、遮断する事も可能であり、不良画素を黒画素に変える事も、諧調バラツキを低減する事も可能である。
・第2行選択回路部94(i)によって、行iの第2行選択信号線97(i)が活性化され、第1列信号出力回路部23がN本の第1列信号線72(j)に画素(i,j)の第1列信号CS(i,j)を出力する。上述の様に、各画素の電流調整回路91(i,j)が、第2列信号線96(j)に調整された第2列信号CS2(i,j)を出力する。
・次に行選択回路部95が行iの第1行選択信号線71(i)を活性化し、第2列信号CS2(i,j)が各駆動回路90(i,j)に書き込まれる。
・その後に、第1行選択信号線71(i)は不活性化される。
本発明の他の実施形態9について、図58に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。本実施形態は、実施形態8に対して、電流調整回路の構成が異なる。
本発明の他の実施形態10について、図59〜図63に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
図60は、実施形態10に係る駆動回路70aの一例を示す回路図である。なお、駆動回路70aは、図7に示す例に限らず、種々の公知の画素駆動回路の回路構成を、不揮発性メモリとして機能する種々の回路素子を組み合わせて用いることが可能である。
図61〜63は、本実施形態10に係るLED表示チップ1aを製造する製造工程例を順に示す図である。なお、図61〜62は、一連の工程例を順に示すので、簡便のために、先の工程を示す図に記載した符号は、後の工程を示す図での記載を適宜省略する。
本発明の態様1に係る表示装置(LED表示チップ1,青色LED表示チップ1B,緑色LED表示チップ1G,赤色LED表示チップ1R,表示システム7,LED表示チップ1a)は、少なくとも1個の発光素子(実施形態1,8〜9における発光ユニット31自身,実施形態2〜7における第1LED41aおよび第2LED41b,実施形態10における発光ユニット31a自身)を含むと共に、第1面と、前記第1面の反対側の第2面とを有する複数の発光ユニット(31,31a)と、前記複数の発光ユニットを各々駆動するように構成された複数の駆動回路(70,70a,90)を含むと共に、前記複数の発光ユニットが搭載されている搭載面を有する集積回路装置(集積回路チップ20,20a)と、を備え、前記第1面は、前記搭載面と向かい合い、各発光素子は、第1電極(P側個別電極42,42a,42b、N側個別電極44a)を前記第1面に備え、各駆動回路は、対応する発光ユニットに含まれる発光素子の第1電極に接続されている第1駆動電極(P側電極46,46a,46b、N側電極47a)を前記搭載面に備え、前記第1駆動電極への電流供給を制御するように構成されている不揮発性メモリ(78,78a,78b,78c,78d,102)を含む構成である。
前記接続ユニットは、第3電極(N側配線電極43)を前記第3面に備え、前記接続ユニット内部(N側エピタキシャル層52)を通って前記第3電極に接続されている第4電極(N側共通電極33)を前記第4面に備え、各駆動回路は、第1駆動電極(P側電極46,46a,46b)を前記搭載面に備え、前記集積回路装置は、前記集積回路装置内部を通って各駆動回路に接続されている第2駆動電極(N側電極47)を前記搭載面に備え、前記接続ユニット搭載工程において、前記第3電極を、前記第2駆動電極に接続し、前記発光ユニット搭載工程において、各駆動回路の第1駆動電極を対応する発光ユニットに含まれる発光素子の第1電極に接続し、前記第2電極を前記第4電極に接続するユニット間接続工程を、さらに備える製造方法である。
1B 青色LED表示チップ
1G 緑色LED表示チップ
1R 赤色LED表示チップ
5 中央制御装置
6 プリズム
7 表示システム
8 投影面
20,20a 集積回路チップ
21 画像処理回路部
22 行選択回路部,第1行選択回路部
23 列信号出力回路部,第1列信号出力回路部
24 画素駆動回路アレイ部
29 接着層
30 発光アレイ
31,31a 発光ユニット
32,32a 配線ユニット(接続ユニット)
33 N側共通電極(第2電極,第4電極)
34 N側電極領域
35,35a N側エピタキシャル層露出領域
36 ダミーユニット
37 ボンディング領域
38 P側共通電極(第2電極,第4電極)
39 P側電極領域
40 画素
40B 青色サブ画素
40G 緑色サブ画素
40R 赤色サブ画素
41a 第1LED(発光素子)
41b 第2LED(発光素子)
42 P側個別電極(第1電極)
43 N側配線電極(第3電極)
44 N側電極層(第1電極層)
44a N側個別電極(第1電極)
44b P側配線電極(第3電極)
44c ダミー電極
45 シリコン基板
46 P側電極(第1駆動電極)
46a P側電極(第2駆動電極)
47 N側電極(第2駆動電極)
47a N側電極(第1駆動電極)
48 ダミー電極
49 ボンディングパッド
50 サファイア基板
51 化合物半導体層
52,52a N側エピタキシャル層
53 発光層
54 P側エピタキシャル層
55 透明導電膜
55a 第1透明導電膜パターン
55b 第2透明導電膜パターン
56,56a メサ
57 保護膜
58,58a P側コンタクトホール
59,59a N側コンタクトホール
60,60a ユニット分離溝
61 キャップ層
62 反射材
63 剥離用基板
64 転写用基板
65 樹脂層
66 マイクロバンプ
67 平坦化層
68、68B,68G,68R 波長変換層
68B 青色波長変換層
68G 緑色波長変換層
68R 赤色波長変換層
69 遮光層
70,70a,90 駆動回路
71 行選択信号線,第1行選択信号線
72 列信号線,第1列信号線
73 電源線
74 GND線
75 行選択トランジスタ,第1行選択トランジスタ
76 電圧保持キャパシタ
77 駆動トランジスタ,第1駆動トランジスタ
77a 第1駆動トランジスタ
77b 第2駆動トランジスタ
77c 駆動トランジスタ
78 不揮発性メモリトランジスタ
78a 第1不揮発性メモリトランジスタ
78b 第2不揮発性メモリトランジスタ
78c 第3不揮発性メモリトランジスタ
78d 第4不揮発性メモリトランジスタ
79 ゲート制御信号線
79a 第1ゲート制御信号線
79b 第2ゲート制御信号線
79c 第3ゲート制御信号線
79d 第4ゲート制御信号線
80 テストトランジスタ
80a 第1テストトランジスタ
80b 第2テストトランジスタ
81 テスト端子
81a 第1テスト端子
81b 第2テスト端子
91、91A 電流調整回路
92 電流調整回路アレイ部
93 第2列信号線制御回路部
94 第2行選択回路部
95 行選択回路部,第1行選択回路部
96 第2列信号線
97 第2行選択信号線
98 GND線
99、99A 電源線
100 第2駆動トランジスタ
101 第2行選択トランジスタ
102 不揮発性メモリトランジスタ
CS 列信号,第1列信号
CS2 第2列信号
I 駆動電流
Iref 参照電流
Rol 行選択信号,第1行選択信号
Vcc 電源電圧
W1 シリコンウェハ
W2 サファイアウェハ
Claims (27)
- 少なくとも1個の発光素子を含むと共に、第1面と、前記第1面の反対側の第2面とを有する複数の発光ユニットと、
前記複数の発光ユニットを各々駆動するように構成された複数の駆動回路を含むと共に、前記複数の発光ユニットが搭載されている搭載面を有する集積回路装置と、を備え、
前記第1面は、前記搭載面と向かい合い、
各発光素子は、少なくとも1個の第1電極を前記第1面に備え、
各駆動回路は、対応する発光ユニットに含まれる発光素子の第1電極に接続されている第1駆動電極を前記搭載面に備え、前記第1駆動電極への電流供給を制御するように構成されている不揮発性メモリを含むことを特徴とする表示装置。 - 前記不揮発性メモリは、前記第1駆動電極への電流供給を、各駆動回路毎に独立に制御するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記不揮発性メモリは、前記第1駆動電極への電流供給を遮断可能であるように構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の表示装置。
- 前記不揮発性メモリは、前記第1駆動電極への電流供給の電流量の低減および増大の少なくとも一方が可能なように構成されていることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の表示装置。
- 各発光ユニットは、複数個の発光素子を含むことを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の表示装置。
- 各発光ユニットに含まれる発光素子は、2個以上であり、
各発光ユニットにおいて、
2個以上の発光素子の第1電極は、別個であり、
2個以上の発光素子の第2電極は、一体であり、
各駆動回路において、
前記第1駆動電極は、2個以上であり、
前記不揮発性メモリは、前記第1駆動電極の各々への電流供給を、独立に制御するように構成されていることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の表示装置。 - さらに、第3面と、前記第3面の反対側の第4面とを有する少なくとも1個の接続ユニットを備え、
前記第3面は、前記搭載面と向かい合い、
各発光素子は、第2電極を第2面に備え、
前記接続ユニットは、第3電極を前記第3面に備え、前記接続ユニット内部を通って前記第3電極に接続されている第4電極を前記第4面に備え、
前記集積回路装置は、前記集積回路装置内部を通って各駆動回路に接続されている第2駆動電極を前記搭載面に備え、
前記第2電極は、前記第4電極に接続され
前記第3電極は、前記第2駆動電極に接続されていることを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の表示装置。 - 少なくとも1個の発光素子を含むと共に、第1面と、前記第1面の反対側の第2面とを有する複数の発光ユニットと、
第3面と、前記第3面の反対側の第4面とを有する接続ユニットと、
前記複数の発光ユニットを各々駆動する駆動するように構成された複数の駆動回路を含むと共に、前記複数の発光ユニットが搭載されている搭載面を有する集積回路装置と、を備え、
前記第1面および前記第3面は、前記搭載面と向かい合い、
各発光素子は、第1電極を前記第1面に備え、第2電極を第2面に備え、
前記接続ユニットは、第3電極を前記第3面に備え、前記接続ユニット内部を通って前記第3電極に接続されている第4電極を前記第4面に備え、
各駆動回路は、対応する発光ユニットに含まれる発光素子の第1電極に接続されている第1駆動電極を前記搭載面に備え、
前記集積回路装置は、前記集積回路装置内部を通って各駆動回路に接続されている第2駆動電極を前記搭載面に備え、
前記第2電極は、前記第4電極に接続され
前記第3電極は、前記第2駆動電極に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 前記発光ユニットは、一群に配置されており、
前記接続ユニットは、前記発光ユニットの一群の外周部に配置されていることを特徴とする請求項7または8に記載の表示装置。 - さらに、前記発光ユニットの前記第2面と、前記集積回路装置の前記搭載面との間の段差を緩和するための平坦化層を備えることを特徴とする請求項1〜9の何れか1項に記載の表示装置。
- 前記平坦化層は、前記搭載面の前記発光ユニットが搭載されている領域の外側に設けられていることを特徴とする請求項10に記載の表示装置。
- 前記複数の発光ユニットは、前記発光ユニットが発光した光を反射可能な反射材によって、互いから分離されていることを特徴とする請求項1〜11の何れか1項に記載の表示装置。
- 複数の発光ユニットを備え、
前記複数の発光ユニットは、前記発光ユニットが発光した光を反射可能な反射材によって、互いから分離されていることを特徴とする表示装置。 - さらに、前記発光ユニットが発光した光の波長を変換可能な波長変換層を、前記発光ユニットの少なくとも一部に対して、備えることを特徴とする請求項1〜13の何れか1項に記載の表示装置。
- 前記複数の発光ユニットは、表示される画像を構成する複数の画素またはサブ画素に1対1対応することを特徴とする請求項1〜14の何れか1項に記載の表示装置。
- 少なくとも1個の発光素子を含むと共に、第1面と、前記第1面の反対側の第2面とを有する複数の発光ユニットを、前記第2面が第1異種基板と向かい合うように、前記第1異種基板の上に形成する発光ユニット形成工程と、
前記複数の発光ユニットを各々駆動するように構成されている複数の駆動回路を含むと共に、搭載面を有する集積回路装置を形成する集積回路装置形成工程と、
前記集積回路装置の前記搭載面に前記複数の発光ユニットを、前記第1面が前記搭載面と向かい合うように搭載する発光ユニット搭載工程と、
前記複数の発光ユニットから、前記第1異種基板を選択的に分離する第1異種基板分離工程と、を含み、
各発光素子は、第1電極を前記第1面に備え、
各駆動回路は、第1駆動電極を前記搭載面に備え、前記第1駆動電極への電流供給を制御するように構成されている不揮発性メモリを含み、
前記発光ユニット搭載工程において、各駆動回路の第1駆動電極を対応する発光ユニットに含まれる発光素子の第1電極に接続することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記発光ユニット形成工程において、前記複数の発光ユニットが1個の発光アレイに含まれるように、前記複数の発光ユニットを同一の前記第1異種基板の上にモノリシックに形成し、
1個の発光アレイに含まれる前記複数の発光ユニットを互いから分離する発光ユニット分離工程を、さらに含むことを特徴とする請求項16に記載の表示装置の製造方法。 - 発光ユニット形成工程において、前記発光アレイを、同一の前記第1異種基板の上に複数形成し、1個ずつに切断分離することを特徴とする請求項17に記載の表示装置の製造方法。
- 前記発光ユニット搭載工程によって、前記複数の発光ユニットを前記集積回路装置に固定した後に、前記第1異種基板分離工程が行われ、更にその後、熱圧着工程が加えられることを特徴とする請求項16から18の何れか1項に記載の表示装置の製造方法。
- 前記集積回路装置形成工程において、前記集積回路装置を、前記異種基板と別の基板の上にモノリシックに複数形成することを特徴とする請求項16〜19の何れか1項に記載の表示装置の製造方法。
- 第3面と、前記第3面の反対側の第4面とを有する少なくとも1個の接続ユニットを、前記第4面が第2異種基板と向かい合うように、前記第2異種基板の上に形成する接続ユニット形成工程と、
前記集積回路装置の前記搭載面に前記接続ユニットを、前記第3面が前記搭載面と向かい合うように搭載する接続ユニット搭載工程と、
前記発光ユニットから、前記第2異種基板を選択的に分離する第2異種基板分離工程と、をさらに含み、
各発光素子は、第2電極を第2面に備え、
前記接続ユニットは、第3電極を前記第3面に備え、前記接続ユニット内部を通って前記第3電極に接続されている第4電極を前記第4面に備え、
各駆動回路は、第1駆動電極を前記搭載面に備え、
前記集積回路装置は、前記集積回路装置内部を通って各駆動回路に接続されている第2駆動電極を前記搭載面に備え、
前記接続ユニット搭載工程において、前記第3電極を、前記第2駆動電極に接続し、
前記第2電極を前記第4電極に接続するユニット間接続工程を、さらに備えることを特徴とする請求項16〜20の何れか1項に記載の表示装置の製造方法。 - 少なくとも1個の発光素子を含むと共に、第1面と、前記第1面の反対側の第2面とを有する複数の発光ユニットを、前記第2面が第1異種基板と向かい合うように、前記第1異種基板の上に形成する発光ユニット形成工程と、
第3面と、前記第3面の反対側の第4面とを有する少なくとも1個の接続ユニットを、前記第4面が第2異種基板と向かい合うように、前記第2異種基板の上に形成する接続ユニット形成工程と
前記複数の発光ユニットを各々駆動するように構成されている複数の駆動回路を含むと共に、搭載面を有する集積回路装置を形成する集積回路装置形成工程と、
前記集積回路装置の前記搭載面に前記複数の発光ユニットを、前記第1面が前記搭載面と向かい合うように搭載する発光ユニット搭載工程と、
前記集積回路装置の前記搭載面に前記接続ユニットを、前記第3面が前記搭載面と向かい合うように搭載する接続ユニット搭載工程と、
前記複数の発光ユニットから、前記第1異種基板を選択的に分離する第1異種基板分離工程と、
前記接続ユニットから、前記第2異種基板を選択的に分離する第2異種基板分離工程と、
各発光素子は、第1電極を前記第1面に備え、第2電極を第2面に備え、
前記接続ユニットは、第3電極を前記第3面に備え、前記接続ユニット内部を通って前記第3電極に接続されている第4電極を前記第4面に備え、
各駆動回路は、第1駆動電極を前記搭載面に備え、
前記集積回路装置は、前記集積回路装置内部を通って各駆動回路に接続されている第2駆動電極を前記搭載面に備え、
前記接続ユニット搭載工程において、前記第3電極を、前記第2駆動電極に接続し、
前記発光ユニット搭載工程において、各駆動回路の第1駆動電極を対応する発光ユニットに含まれる発光素子の第1電極に接続し、
前記第2電極を前記第4電極に接続するユニット間接続工程を、さらに備えることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記第2異種基板は、前記第1異種基板と同一の基板であり、
前記接続ユニット形成工程において、前記接続ユニットが前記複数の発光ユニットと共に1個の発光アレイに含まれるように、前記接続ユニットを前記第1異種基板の上にモノリシックに形成し
前記接続ユニットを複数の発光ユニットから分離する接続ユニット分離工程を、さらに含むことを特徴とする請求項21または22に記載の表示装置の製造方法。 - 前記複数の発光ユニットの間に、前記発光ユニットが発光する光を反射可能な反射材を充填する反射材充填工程、をさらに含むことを特徴とする請求項16から23の何れか1項に記載の表示装置の製造方法。
- 複数の発光ユニットを形成する発光ユニット形成工程と、
前記複数の発光ユニットの間に、前記発光ユニットが発光する光を反射可能な反射材を充填する反射材充填工程、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 集積回路装置に前記複数の発光ユニットを搭載する発光ユニット搭載工程をさらに含み、
前記発光ユニット搭載工程の後に、前記反射材充填工程を行うことを特徴とする請求項25に記載の表示装置の製造方法。 - 発光層を含む化合物半導体層を成長基板上に成長する工程と、
前記成長基板を前記化合物半導体層から剥離する工程と、
前記剥離する工程により露出した前記化合物半導体層の面に第1電極層を形成する工程と、
複数の発光ユニットを各々駆動するように構成されている複数の駆動回路を含む集積回路装置を形成する集積回路装置形成工程であって、各駆動回路は、第1駆動電極を搭載面に備え、前記第1駆動電極への電流供給を制御するように構成されている不揮発性メモリを含む集積回路装置形成工程と、
前記集積回路装置の前記搭載面に、前記第1電極層が対向するように、前記化合物半導体層および前記第1電極層を前記集積回路装置に貼り合せる工程と、
前記化合物半導体層を、少なくとも1個の発光素子を各々含む前記複数の発光ユニットへ加工する工程と、
前記第1電極層を各発光素子の第1電極へ、各第1電極が各第1駆動電極と対向するように、加工する工程と、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
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Families Citing this family (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106941108B (zh) * | 2017-05-23 | 2019-09-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微发光二极管显示面板及其制作方法 |
TWI633681B (zh) * | 2017-06-09 | 2018-08-21 | 美商晶典有限公司 | 微發光二極體顯示模組的製造方法 |
TWI611573B (zh) * | 2017-06-09 | 2018-01-11 | 晶典有限公司 | 微發光二極體顯示模組的製造方法 |
TWI707491B (zh) | 2019-12-04 | 2020-10-11 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型發光二極體顯示面板 |
JP7267683B2 (ja) * | 2018-04-25 | 2023-05-02 | シャープ株式会社 | 発光素子モジュール |
US10854129B2 (en) * | 2018-06-18 | 2020-12-01 | Apple Inc. | Hybrid architecture for zero border display |
US11552228B2 (en) | 2018-08-17 | 2023-01-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component |
KR102364569B1 (ko) * | 2018-08-24 | 2022-02-17 | 주식회사 엘지화학 | 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판 및 이를 포함하는 투명 발광소자 디스플레이 |
CN112639937B (zh) * | 2018-09-05 | 2023-06-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置、显示模块、电子设备及显示装置的制造方法 |
KR102650659B1 (ko) * | 2018-09-13 | 2024-03-25 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 |
JP7159014B2 (ja) * | 2018-11-15 | 2022-10-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP7146595B2 (ja) * | 2018-11-27 | 2022-10-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示パネル、表示パネルの製造方法、及び基板 |
KR20200062863A (ko) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 및 제조 방법 |
JP7348520B2 (ja) * | 2018-12-25 | 2023-09-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び表示装置 |
JP7138286B2 (ja) | 2018-12-28 | 2022-09-16 | 日亜化学工業株式会社 | 画像表示装置および画像表示装置の製造方法 |
KR20200093737A (ko) * | 2019-01-28 | 2020-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
US11239399B2 (en) | 2019-02-05 | 2022-02-01 | Facebook Technologies, Llc | Architecture for hybrid TFT-based micro display projector |
US11355665B2 (en) * | 2019-06-19 | 2022-06-07 | Facebook Technologies, Llc | Process flow for hybrid TFT-based micro display projector |
US11088121B2 (en) * | 2019-02-13 | 2021-08-10 | X Display Company Technology Limited | Printed LED arrays with large-scale uniformity |
US11515456B2 (en) * | 2019-02-21 | 2022-11-29 | Innolux Corporation | LED with light adjusting layer extending past the LED |
JP7119201B2 (ja) * | 2019-02-26 | 2022-08-16 | 京セラ株式会社 | 発光素子基板、表示装置および表示装置のリペア方法 |
US11341878B2 (en) * | 2019-03-21 | 2022-05-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel and method of testing display panel |
US11626448B2 (en) | 2019-03-29 | 2023-04-11 | Lumileds Llc | Fan-out light-emitting diode (LED) device substrate with embedded backplane, lighting system and method of manufacture |
CN110111712B (zh) * | 2019-05-30 | 2021-12-17 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 阈值电压漂移检测方法和阈值电压漂移检测装置 |
JP6964725B2 (ja) * | 2019-08-07 | 2021-11-10 | シャープ福山セミコンダクター株式会社 | 画像表示素子 |
FR3099966B1 (fr) * | 2019-08-16 | 2021-09-24 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de fabrication de dispositifs optoélectroniques |
CN115605995A (zh) * | 2019-11-19 | 2023-01-13 | 亮锐有限责任公司(Us) | 发光二极管(led)器件的扇出结构及照明系统 |
US11156346B2 (en) | 2019-11-19 | 2021-10-26 | Lumileds Llc | Fan out structure for light-emitting diode (LED) device and lighting system |
US11777066B2 (en) | 2019-12-27 | 2023-10-03 | Lumileds Llc | Flipchip interconnected light-emitting diode package assembly |
US11664347B2 (en) | 2020-01-07 | 2023-05-30 | Lumileds Llc | Ceramic carrier and build up carrier for light-emitting diode (LED) array |
DE102020200621A1 (de) * | 2020-01-21 | 2021-07-22 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips |
KR20210097413A (ko) * | 2020-01-30 | 2021-08-09 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 |
US11476217B2 (en) | 2020-03-10 | 2022-10-18 | Lumileds Llc | Method of manufacturing an augmented LED array assembly |
US11688355B2 (en) * | 2020-03-17 | 2023-06-27 | Nippon Seiki Co., Ltd. | Lighting control data generation method and lighting control data generation device |
JP7091598B2 (ja) | 2020-05-20 | 2022-06-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US20230215904A1 (en) * | 2020-06-16 | 2023-07-06 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Light-emitting device and display device |
TWI782474B (zh) * | 2020-06-29 | 2022-11-01 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 使用半導體偵測器的偵測方法與半導體結構 |
GB2596533B (en) * | 2020-06-29 | 2023-02-15 | Plessey Semiconductors Ltd | Hybrid microdisplay |
US11353742B2 (en) * | 2020-07-10 | 2022-06-07 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Backlight module and display device |
KR20230153393A (ko) * | 2021-03-05 | 2023-11-06 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 |
KR20230016925A (ko) * | 2021-07-27 | 2023-02-03 | 삼성전자주식회사 | 표시 패널 및 전자 장치 |
CN113675324A (zh) * | 2021-08-20 | 2021-11-19 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型发光二极管显示装置 |
CN114122225A (zh) * | 2021-11-09 | 2022-03-01 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种Micro LED显示面板的制备方法 |
US20230246147A1 (en) * | 2022-01-28 | 2023-08-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and tiled display device |
US11729915B1 (en) * | 2022-03-22 | 2023-08-15 | Tactotek Oy | Method for manufacturing a number of electrical nodes, electrical node module, electrical node, and multilayer structure |
DE102022123582A1 (de) | 2022-09-15 | 2024-03-21 | Ams-Osram International Gmbh | Optoelektronisches bauelement, verfahren zum betreiben eines optoelektronischen bauelements und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements |
CN116434705B (zh) * | 2023-06-12 | 2023-10-24 | 惠科股份有限公司 | 驱动电路、显示面板以及显示装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08102551A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Kyocera Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2006120860A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Sanyo Electric Co Ltd | Led装置 |
JP2006171693A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-29 | Sony Corp | バックライト装置、バックライト駆動方法及び液晶表示装置 |
JP2007207834A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオード光源 |
US20070211492A1 (en) * | 2006-03-09 | 2007-09-13 | Gigno Technology Co., Ltd. | Backlight module and driving circuit board of light emitting diodes |
JP2014039035A (ja) * | 2012-08-17 | 2014-02-27 | Macroblock Inc | Ledディスプレイパネルおよびledディスプレイ装置 |
JP2015170666A (ja) * | 2014-03-05 | 2015-09-28 | シチズン電子株式会社 | 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 |
JP2016038935A (ja) * | 2014-08-05 | 2016-03-22 | キヤノン株式会社 | Led駆動装置、駆動方法及びプログラム |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5571081A (en) * | 1978-11-24 | 1980-05-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | Light emitting indication device |
US5621225A (en) * | 1996-01-18 | 1997-04-15 | Motorola | Light emitting diode display package |
JPH11251634A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Matsushita Electric Works Ltd | Led素子 |
US20080042554A1 (en) * | 1998-05-18 | 2008-02-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image display device and light emission device |
US6885035B2 (en) * | 1999-12-22 | 2005-04-26 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Multi-chip semiconductor LED assembly |
JP2002072219A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-12 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
JP2002141492A (ja) | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Canon Inc | 発光ダイオードディスプレイパネル及びその製造方法 |
JP3813123B2 (ja) | 2002-12-25 | 2006-08-23 | 株式会社沖データ | 半導体装置及びledヘッド |
WO2005022654A2 (en) | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device |
JP5346909B2 (ja) | 2004-02-03 | 2013-11-20 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、および表示素子 |
JP2005292272A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Tohoku Pioneer Corp | 発光表示パネルの駆動装置および駆動方法 |
JP5152448B2 (ja) * | 2004-09-21 | 2013-02-27 | カシオ計算機株式会社 | 画素駆動回路及び画像表示装置 |
JP2006147679A (ja) | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Sony Corp | 集積型発光ダイオード、集積型発光ダイオードの製造方法、発光ダイオードディスプレイおよび発光ダイオード照明装置 |
KR20070045735A (ko) * | 2005-10-28 | 2007-05-02 | 삼성전자주식회사 | Led를 광원으로 하는 백라이트를 구비한 디스플레이장치및 이의 휘도조절방법 |
CN101154656B (zh) * | 2006-09-30 | 2010-05-12 | 香港微晶先进封装技术有限公司 | 多芯片发光二极管模组结构及其制造方法 |
JP2008262993A (ja) | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Nikon Corp | 表示装置 |
JP5779097B2 (ja) | 2008-09-25 | 2015-09-16 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | コーティングされた発光デバイス及び発光デバイスをコーティングする方法 |
JP5689225B2 (ja) | 2009-03-31 | 2015-03-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP5612298B2 (ja) | 2009-11-20 | 2014-10-22 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュールおよび車両用灯具 |
JP5840377B2 (ja) | 2011-04-14 | 2016-01-06 | 日東電工株式会社 | 反射樹脂シートおよび発光ダイオード装置の製造方法 |
TWI477190B (zh) * | 2012-08-10 | 2015-03-11 | Macroblock Inc | 發光二極體驅動裝置 |
US9111464B2 (en) | 2013-06-18 | 2015-08-18 | LuxVue Technology Corporation | LED display with wavelength conversion layer |
JP6459354B2 (ja) | 2014-09-30 | 2019-01-30 | 日亜化学工業株式会社 | 透光部材及びその製造方法ならびに発光装置及びその製造方法 |
-
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- 2020-12-18 US US17/127,897 patent/US11289015B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08102551A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Kyocera Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2006120860A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Sanyo Electric Co Ltd | Led装置 |
JP2006171693A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-29 | Sony Corp | バックライト装置、バックライト駆動方法及び液晶表示装置 |
JP2007207834A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオード光源 |
US20070211492A1 (en) * | 2006-03-09 | 2007-09-13 | Gigno Technology Co., Ltd. | Backlight module and driving circuit board of light emitting diodes |
JP2014039035A (ja) * | 2012-08-17 | 2014-02-27 | Macroblock Inc | Ledディスプレイパネルおよびledディスプレイ装置 |
JP2015170666A (ja) * | 2014-03-05 | 2015-09-28 | シチズン電子株式会社 | 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 |
JP2016038935A (ja) * | 2014-08-05 | 2016-03-22 | キヤノン株式会社 | Led駆動装置、駆動方法及びプログラム |
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