JPH08102551A - 半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置およびその製造方法Info
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- JPH08102551A JPH08102551A JP26116694A JP26116694A JPH08102551A JP H08102551 A JPH08102551 A JP H08102551A JP 26116694 A JP26116694 A JP 26116694A JP 26116694 A JP26116694 A JP 26116694A JP H08102551 A JPH08102551 A JP H08102551A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 素子基板４の表面４ａにＬＥＤ５が形成され
ている半導体発光装置１において、その素子基板４の裏
面４ｂに形成される電極層７は、導電層３を介して回路
基板２の配線８に接続される。その素子基板４の裏面４
ｂは粗面とされ、その粗面の段差により前記電極層７の
配線８との接続面７ａが粗面とされる。 【効果】 相隣接する半導体発光装置の電極層間が導電
層を介し短絡するのを防止でき、しかも、その電極層の
材料は限定されないので素子基板にオーミック接触する
材料とすることができる。
ている半導体発光装置１において、その素子基板４の裏
面４ｂに形成される電極層７は、導電層３を介して回路
基板２の配線８に接続される。その素子基板４の裏面４
ｂは粗面とされ、その粗面の段差により前記電極層７の
配線８との接続面７ａが粗面とされる。 【効果】 相隣接する半導体発光装置の電極層間が導電
層を介し短絡するのを防止でき、しかも、その電極層の
材料は限定されないので素子基板にオーミック接触する
材料とすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばページプリンタ
の感光ドラムの露光用光源として用いられる半導体発光
装置に関する。
の感光ドラムの露光用光源として用いられる半導体発光
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ページプリンタの感光ドラムの露光用光
源として、回路基板上に一定の間隔で配列される複数の
半導体発光装置が用いられる。各半導体発光装置は、素
子基板と、その素子基板の表面側に並列する複数のＬＥ
Ｄと、各ＬＥＤに接続される個別電極と、その素子基板
の裏面に形成されて各ＬＥＤの共通電極として機能する
電極層とを備える。各半導体発光装置の電極層は、銀ペ
ーストを硬化させることで構成される導電層を介し前記
回路基板上の互いに異なる配線に接続される。また、各
個別電極はワイヤーボンダー等を介し前記回路基板上の
互いに異なる配線に接続される。
源として、回路基板上に一定の間隔で配列される複数の
半導体発光装置が用いられる。各半導体発光装置は、素
子基板と、その素子基板の表面側に並列する複数のＬＥ
Ｄと、各ＬＥＤに接続される個別電極と、その素子基板
の裏面に形成されて各ＬＥＤの共通電極として機能する
電極層とを備える。各半導体発光装置の電極層は、銀ペ
ーストを硬化させることで構成される導電層を介し前記
回路基板上の互いに異なる配線に接続される。また、各
個別電極はワイヤーボンダー等を介し前記回路基板上の
互いに異なる配線に接続される。
【０００３】その回路基板上に並列する複数の半導体発
光装置の隣接間隔は、各ＬＥＤの配列ピッチを小さくし
てプリンタによる印字の高精細化を図るため、例えば数
μｍから十数μｍ程度と非常に小さくされる。そうする
と、各半導体発光装置の電極層を銀ペーストを介し前記
回路基板上の互いに異なる配線に接続する際に、その銀
ペーストが流動して隣接する半導体発光装置の電極層に
至り、相隣接する半導体発光装置の電極層間が導電層を
介し短絡することがあった。そのような短絡が生じる
と、所望のＬＥＤを発光させることができなくなる。
光装置の隣接間隔は、各ＬＥＤの配列ピッチを小さくし
てプリンタによる印字の高精細化を図るため、例えば数
μｍから十数μｍ程度と非常に小さくされる。そうする
と、各半導体発光装置の電極層を銀ペーストを介し前記
回路基板上の互いに異なる配線に接続する際に、その銀
ペーストが流動して隣接する半導体発光装置の電極層に
至り、相隣接する半導体発光装置の電極層間が導電層を
介し短絡することがあった。そのような短絡が生じる
と、所望のＬＥＤを発光させることができなくなる。
【０００４】すなわち、発光対象のＬＥＤ個々に通電し
て発光させようとすると制御用ＩＣの数が多くなるの
で、各半導体発光装置における発光対象のＬＥＤの位置
に対応する各個別電極と、発光対象のＬＥＤが属する半
導体発光装置の共通電極とに通電することで発光制御を
行ない、ＩＣ数の低減を図っている。例えば、回路基板
上で並列する半導体発光装置の数が４０個、各半導体発
光装置の素子基板上で並列するＬＥＤの数が６４個、こ
れにより並列するＬＥＤの総数が４０×６４＝２５６０
個である場合において、その左から３つめの半導体発光
装置における左から４つめのＬＥＤを発光させるには、
各半導体発光装置における左から４つめのＬＥＤそれぞ
れの個別電極と、左から３つめの半導体発光装置の共通
電極とに通電することで、所望のＬＥＤを発光させてい
る。しかし、相隣接する半導体発光装置の電極層間が導
電層を介し短絡すると、発光させるつもりのない他の半
導体発光装置における左から４つめのＬＥＤが発光して
しまう。
て発光させようとすると制御用ＩＣの数が多くなるの
で、各半導体発光装置における発光対象のＬＥＤの位置
に対応する各個別電極と、発光対象のＬＥＤが属する半
導体発光装置の共通電極とに通電することで発光制御を
行ない、ＩＣ数の低減を図っている。例えば、回路基板
上で並列する半導体発光装置の数が４０個、各半導体発
光装置の素子基板上で並列するＬＥＤの数が６４個、こ
れにより並列するＬＥＤの総数が４０×６４＝２５６０
個である場合において、その左から３つめの半導体発光
装置における左から４つめのＬＥＤを発光させるには、
各半導体発光装置における左から４つめのＬＥＤそれぞ
れの個別電極と、左から３つめの半導体発光装置の共通
電極とに通電することで、所望のＬＥＤを発光させてい
る。しかし、相隣接する半導体発光装置の電極層間が導
電層を介し短絡すると、発光させるつもりのない他の半
導体発光装置における左から４つめのＬＥＤが発光して
しまう。
【０００５】そこで、その素子基板の裏面に形成される
電極層の材料として、その電極層の配線との接続面が電
極形成時に粗面となる例えば金‐スズ（Ａｕ‐Ｓｎ）の
２層金属材料が用いられている。これにより、その電極
層の接続面に凹凸が形成されるので、銀ペーストの流れ
が生じ難くなり、前記短絡が防止される。
電極層の材料として、その電極層の配線との接続面が電
極形成時に粗面となる例えば金‐スズ（Ａｕ‐Ｓｎ）の
２層金属材料が用いられている。これにより、その電極
層の接続面に凹凸が形成されるので、銀ペーストの流れ
が生じ難くなり、前記短絡が防止される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】その電極層の接続面が
電極形成時に粗面となるのは、理由は明確ではないが前
記Ａｕ‐Ｓｎのような限られた材料のみである。そのた
め、素子基板の材料によってはオーミック接触できない
場合がある。例えば、Ａｕ‐Ｓｎはｎ型ガリウム砒素
（ＧａＡｓ）の素子基板に対してはオーミック電極とな
るが、ｎ型シリコン（Ｓｉ）の素子基板に対してはオー
ミック電極とはならない。そのため、例えばｎ型Ｓｉの
素子基板にオーミック接触するクロム‐アンチモン‐金
（Ｃｒ‐Ｓｂ‐Ａｕ）を電極層の材料として用いた場
合、相隣接する半導体発光装置の電極層間が導電層を介
し短絡することがある。
電極形成時に粗面となるのは、理由は明確ではないが前
記Ａｕ‐Ｓｎのような限られた材料のみである。そのた
め、素子基板の材料によってはオーミック接触できない
場合がある。例えば、Ａｕ‐Ｓｎはｎ型ガリウム砒素
（ＧａＡｓ）の素子基板に対してはオーミック電極とな
るが、ｎ型シリコン（Ｓｉ）の素子基板に対してはオー
ミック電極とはならない。そのため、例えばｎ型Ｓｉの
素子基板にオーミック接触するクロム‐アンチモン‐金
（Ｃｒ‐Ｓｂ‐Ａｕ）を電極層の材料として用いた場
合、相隣接する半導体発光装置の電極層間が導電層を介
し短絡することがある。
【０００７】本発明は、上記課題を解決することのでき
る半導体発光装置を提供することを目的とする。
る半導体発光装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体発光装置
は、素子基板と、その素子基板の表面に形成されるＬＥ
Ｄと、その素子基板の裏面に形成される電極層とを備
え、その電極層は導電層を介して回路基板の配線に接続
され、その素子基板の裏面は粗面とされ、その粗面の段
差により前記電極層の配線との接続面が粗面とされる。
は、素子基板と、その素子基板の表面に形成されるＬＥ
Ｄと、その素子基板の裏面に形成される電極層とを備
え、その電極層は導電層を介して回路基板の配線に接続
され、その素子基板の裏面は粗面とされ、その粗面の段
差により前記電極層の配線との接続面が粗面とされる。
【０００９】その半導体発光装置を製造するに際し、そ
のＬＥＤをパッシベーション膜により被覆した後に、そ
の素子基板の裏面をエッチング液を用いて異方性エッチ
ングすることで粗面とするのが好ましい。
のＬＥＤをパッシベーション膜により被覆した後に、そ
の素子基板の裏面をエッチング液を用いて異方性エッチ
ングすることで粗面とするのが好ましい。
【００１０】
【発明の作用および効果】本発明の構成によれば、その
素子基板の裏面を粗面とすることで、その電極層の材料
に拘らず、その電極層の配線との接続面を粗面にして凹
凸を形成し、導電層を構成する銀ペースト等の流れを生
じ難くできる。これにより、複数の半導体発光装置を小
さな間隔をおいて並列する場合に、相隣接する半導体発
光装置の電極層間が導電層を介し短絡するのを防止で
き、しかも、その電極層の材料は限定されないので素子
基板にオーミック接触する材料を用いることができる。
素子基板の裏面を粗面とすることで、その電極層の材料
に拘らず、その電極層の配線との接続面を粗面にして凹
凸を形成し、導電層を構成する銀ペースト等の流れを生
じ難くできる。これにより、複数の半導体発光装置を小
さな間隔をおいて並列する場合に、相隣接する半導体発
光装置の電極層間が導電層を介し短絡するのを防止で
き、しかも、その電極層の材料は限定されないので素子
基板にオーミック接触する材料を用いることができる。
【００１１】その素子基板の裏面をエッチング液を用い
て異方性エッチングすることで粗面とすることができ、
そのエッチングに先立って素子基板の表面側に並列する
複数のＬＥＤをパッシベーション膜により被覆すること
で、ＬＥＤが素子基板の裏面のエッチングの影響を受け
るのを防止できる。
て異方性エッチングすることで粗面とすることができ、
そのエッチングに先立って素子基板の表面側に並列する
複数のＬＥＤをパッシベーション膜により被覆すること
で、ＬＥＤが素子基板の裏面のエッチングの影響を受け
るのを防止できる。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。
する。
【００１３】図１、図２は、ページプリンタの感光ドラ
ムの露光用光源として用いられる複数の半導体発光装置
１を示し、それら半導体発光装置１はｎ型Ｓｉの回路基
板２上で一定の間隔で一列に並列される。各半導体発光
装置１は、素子基板４と、その素子基板４の表面に形成
されて半導体発光装置１の並列方向に沿って一列に並列
する複数のＬＥＤ５と、各ＬＥＤ５に接続される個別電
極６と、その素子基板４の裏面に形成されて各ＬＥＤ５
の共通電極として機能する電極層７とを有する。その回
路基板２上における半導体発光装置１の隣接間隔δは数
μｍから十数μｍ程度とされる。
ムの露光用光源として用いられる複数の半導体発光装置
１を示し、それら半導体発光装置１はｎ型Ｓｉの回路基
板２上で一定の間隔で一列に並列される。各半導体発光
装置１は、素子基板４と、その素子基板４の表面に形成
されて半導体発光装置１の並列方向に沿って一列に並列
する複数のＬＥＤ５と、各ＬＥＤ５に接続される個別電
極６と、その素子基板４の裏面に形成されて各ＬＥＤ５
の共通電極として機能する電極層７とを有する。その回
路基板２上における半導体発光装置１の隣接間隔δは数
μｍから十数μｍ程度とされる。
【００１４】各ＬＥＤ５は、素子基板４の表面４ａに半
導体結晶を有機金属気相エピタキシー（ＭＯＣＶＤ）や
分子線エピタキシー（ＭＢＥ）等により成長させ、その
成長層をＬＥＤ５となる部分を残してエッチングするこ
とで形成できる。例えば、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、
ガリウム砒素リン（ＧａＡｓＰ）、ガリウムリン（Ｇａ
Ｐ）等の成長層であるバッファー層５ａと、アルミニウ
ムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）の成長層であるｎ形半
導体層５ｂ、ｐ形半導体層５ｃおよびｐ+ 形半導体層５
ｄとで構成できる。各ＬＥＤ５と素子基板４の表面４ａ
とは、プラズマＣＶＤ等により形成される窒化珪素（Ｓ
ｉＮX ）や酸化珪素（ＳｉＯ2 ）等のパッシベーション
膜９により覆われる。
導体結晶を有機金属気相エピタキシー（ＭＯＣＶＤ）や
分子線エピタキシー（ＭＢＥ）等により成長させ、その
成長層をＬＥＤ５となる部分を残してエッチングするこ
とで形成できる。例えば、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、
ガリウム砒素リン（ＧａＡｓＰ）、ガリウムリン（Ｇａ
Ｐ）等の成長層であるバッファー層５ａと、アルミニウ
ムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）の成長層であるｎ形半
導体層５ｂ、ｐ形半導体層５ｃおよびｐ+ 形半導体層５
ｄとで構成できる。各ＬＥＤ５と素子基板４の表面４ａ
とは、プラズマＣＶＤ等により形成される窒化珪素（Ｓ
ｉＮX ）や酸化珪素（ＳｉＯ2 ）等のパッシベーション
膜９により覆われる。
【００１５】各個別電極６は、各ＬＥＤ５を覆うパッシ
ベーション膜９の一部をエッチングにより除去すること
で前記ｐ+ 型半導体層５ｄを露出させた後に、そのｐ+
型半導体層５ｄに接続される金属層を蒸着によって成長
させてパターニングすることで形成される。その個別電
極６の材料としては、ｐ+ 型半導体層５ｄにオーミック
接触する例えば金（Ａｕ）が用いられる。
ベーション膜９の一部をエッチングにより除去すること
で前記ｐ+ 型半導体層５ｄを露出させた後に、そのｐ+
型半導体層５ｄに接続される金属層を蒸着によって成長
させてパターニングすることで形成される。その個別電
極６の材料としては、ｐ+ 型半導体層５ｄにオーミック
接触する例えば金（Ａｕ）が用いられる。
【００１６】各電極層７は、蒸着によって成長させた金
属層により素子基板４の裏面４ｂを覆うように形成され
る。その電極層７の材料としては、素子基板４にオーミ
ック接触する例えばＣｒ‐Ｓｂ‐Ａｕの３層金属材料
を、１００Å‐７００Å‐１６００Åの厚さで積層した
ものが用いられる。
属層により素子基板４の裏面４ｂを覆うように形成され
る。その電極層７の材料としては、素子基板４にオーミ
ック接触する例えばＣｒ‐Ｓｂ‐Ａｕの３層金属材料
を、１００Å‐７００Å‐１６００Åの厚さで積層した
ものが用いられる。
【００１７】各半導体発光装置１の電極層７は、導電層
３を介し前記回路基板２上の互いに異なる配線８に電気
的に接続される。その導電層３は、酢酸ブチル等の熱硬
化性ペーストに銀粒子を分散させた銀ペーストを電極層
７にコーティングし、その電気的接続後に熱硬化させる
ことで構成される。
３を介し前記回路基板２上の互いに異なる配線８に電気
的に接続される。その導電層３は、酢酸ブチル等の熱硬
化性ペーストに銀粒子を分散させた銀ペーストを電極層
７にコーティングし、その電気的接続後に熱硬化させる
ことで構成される。
【００１８】その素子基板４の裏面４ｂは、図３に示す
ように多数のピラミッド状突起１０が形成された段差を
有する粗面とされている。その突起１０は、水酸化ナト
リウム又は水酸化カリウムの１％以上のアルカリ溶液を
６０℃以上の温度にしたエッチング液を用いて、その素
子基板４の裏面４ｂを異方性エッチングして荒らすこと
で形成できる。その素子基板４の裏面４ｂにおける段差
により、前記電極層７の配線８との接続面７ａが粗面と
される。その段差の大きさは、小さ過ぎると銀ペースト
の流動を充分に防止できないことから、その電極層７の
厚さに応じた不必要に大きくない寸法とされる。例えば
電極層７の厚さが０．数μｍ〜数μｍであれば数μｍ〜
１０数μｍ程度とすればよい。なお、その段差の寸法は
エッチング時間に応じて変化させることができ、その素
子基板４の裏面４ｂの見た目が白濁すれば、その裏面４
ｂは荒れて粗面となっている。
ように多数のピラミッド状突起１０が形成された段差を
有する粗面とされている。その突起１０は、水酸化ナト
リウム又は水酸化カリウムの１％以上のアルカリ溶液を
６０℃以上の温度にしたエッチング液を用いて、その素
子基板４の裏面４ｂを異方性エッチングして荒らすこと
で形成できる。その素子基板４の裏面４ｂにおける段差
により、前記電極層７の配線８との接続面７ａが粗面と
される。その段差の大きさは、小さ過ぎると銀ペースト
の流動を充分に防止できないことから、その電極層７の
厚さに応じた不必要に大きくない寸法とされる。例えば
電極層７の厚さが０．数μｍ〜数μｍであれば数μｍ〜
１０数μｍ程度とすればよい。なお、その段差の寸法は
エッチング時間に応じて変化させることができ、その素
子基板４の裏面４ｂの見た目が白濁すれば、その裏面４
ｂは荒れて粗面となっている。
【００１９】その素子基板４の裏面４ｂを粗面とするた
めのエッチングは、各ＬＥＤ５をパッシベーション膜９
により被覆した後に行なわれる。そのエッチング後に電
極層７を形成し、また、パッシベーション膜９をエッチ
ングしてｐ+ 型半導体層５ｄを露出させて各個別電極６
を形成する。そのパッシベーション膜９を構成するＳｉ
ＮX やＳｉＯ2 は、アルカリによりエッチングされない
か若しくは低レートでしかエッチングされないため、そ
の素子基板４の裏面４ｂのエッチングに先立って各ＬＥ
Ｄ５をパッシベーション膜９により被覆することで、各
ＬＥＤ５が素子基板４の裏面４ｂのエッチングの影響を
受けるのを防止できる。
めのエッチングは、各ＬＥＤ５をパッシベーション膜９
により被覆した後に行なわれる。そのエッチング後に電
極層７を形成し、また、パッシベーション膜９をエッチ
ングしてｐ+ 型半導体層５ｄを露出させて各個別電極６
を形成する。そのパッシベーション膜９を構成するＳｉ
ＮX やＳｉＯ2 は、アルカリによりエッチングされない
か若しくは低レートでしかエッチングされないため、そ
の素子基板４の裏面４ｂのエッチングに先立って各ＬＥ
Ｄ５をパッシベーション膜９により被覆することで、各
ＬＥＤ５が素子基板４の裏面４ｂのエッチングの影響を
受けるのを防止できる。
【００２０】各ＬＥＤ５の発光制御は、発光対象のＬＥ
Ｄ５個々に通電して発光させると制御用ＩＣの数が多く
なるので、従来例で述べたように、各半導体発光装置１
における発光対象のＬＥＤ５の位置に対応する各個別電
極６と、発光対象のＬＥＤ５が属する半導体発光装置１
の共通電極層７とに通電することで行なわれる。
Ｄ５個々に通電して発光させると制御用ＩＣの数が多く
なるので、従来例で述べたように、各半導体発光装置１
における発光対象のＬＥＤ５の位置に対応する各個別電
極６と、発光対象のＬＥＤ５が属する半導体発光装置１
の共通電極層７とに通電することで行なわれる。
【００２１】上記構成によれば、その素子基板４の裏面
４ｂを粗面とすることで、その電極層７の材料に拘ら
ず、その電極層７の配線８との接続面７ａを粗面にして
凹凸を形成し、導電層３を構成する銀ペーストの流れを
生じ難くできる。これにより、相隣接する半導体発光装
置１の電極層７が導電層３を介し短絡するのが防止で
き、しかも、その電極層７の材料として素子基板４にオ
ーミック接触する材料を用いることができる。実際に回
路基板２上に４０個の半導体発光装置１を並列させた場
合において、素子基板４の裏面４ｂを粗面としない場合
は数カ所〜２０数カ所において隣接する半導体発光装置
１の電極層７間で短絡が発生したのに対し、素子基板４
の裏面４ｂを粗面とすることで短絡発生箇所が無くなっ
た。さらに、相隣接する半導体発光装置１の間隔を小さ
くできるので、複数のＬＥＤ５の並列ピッチを小さく
し、プリンタの感光ドラムの露光用光源として用いる場
合における印字の高精細化を図れる。
４ｂを粗面とすることで、その電極層７の材料に拘ら
ず、その電極層７の配線８との接続面７ａを粗面にして
凹凸を形成し、導電層３を構成する銀ペーストの流れを
生じ難くできる。これにより、相隣接する半導体発光装
置１の電極層７が導電層３を介し短絡するのが防止で
き、しかも、その電極層７の材料として素子基板４にオ
ーミック接触する材料を用いることができる。実際に回
路基板２上に４０個の半導体発光装置１を並列させた場
合において、素子基板４の裏面４ｂを粗面としない場合
は数カ所〜２０数カ所において隣接する半導体発光装置
１の電極層７間で短絡が発生したのに対し、素子基板４
の裏面４ｂを粗面とすることで短絡発生箇所が無くなっ
た。さらに、相隣接する半導体発光装置１の間隔を小さ
くできるので、複数のＬＥＤ５の並列ピッチを小さく
し、プリンタの感光ドラムの露光用光源として用いる場
合における印字の高精細化を図れる。
【００２２】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではない。例えば、導電層を構成するのは銀ペースト
に限定されず、流動性を有する導電剤であって硬化可能
なものであればよい。また、素子基板の裏面における粗
面を構成する突起は、電極層の配線との接続面を粗面に
できれば足りるため、ピラミッド状に限定されず、例え
ばＨＦ‐ＨＮＯ3 系のエッチャントを用いることでピラ
ミッド状以外にすることができる。また、素子基板の材
料はＳｉに限定されず、例えばＧａＡｓの素子基板の裏
面を、Ｈ2 ＳＯ4 ‐Ｈ2 Ｏ2 ‐Ｈ2 Ｏ系のエッチャント
によって異方性エッチングを行ない荒らすことで粗面と
することができる。また、素子基板の裏面をドライエッ
チングにより粗面にしてもよい。
のではない。例えば、導電層を構成するのは銀ペースト
に限定されず、流動性を有する導電剤であって硬化可能
なものであればよい。また、素子基板の裏面における粗
面を構成する突起は、電極層の配線との接続面を粗面に
できれば足りるため、ピラミッド状に限定されず、例え
ばＨＦ‐ＨＮＯ3 系のエッチャントを用いることでピラ
ミッド状以外にすることができる。また、素子基板の材
料はＳｉに限定されず、例えばＧａＡｓの素子基板の裏
面を、Ｈ2 ＳＯ4 ‐Ｈ2 Ｏ2 ‐Ｈ2 Ｏ系のエッチャント
によって異方性エッチングを行ない荒らすことで粗面と
することができる。また、素子基板の裏面をドライエッ
チングにより粗面にしてもよい。
【図１】本発明の実施例の半導体発光装置の平面図
【図２】その半導体発光装置の断面図
【図３】シリコン半導体結晶により形成された素子基板
の裏面における構造を示す斜視図
の裏面における構造を示す斜視図
２ 回路基板 ３ 導電層 ４ 素子基板 ５ ＬＥＤ ６ 個別電極 ７ 電極層 ７ａ 接続面 ８ 配線 ９ パッシベーション膜
Claims (2)
- 【請求項１】 素子基板と、その素子基板の表面に形成
されるＬＥＤと、その素子基板の裏面に形成される電極
層とを備え、その電極層は導電層を介して回路基板の配
線に接続され、その素子基板の裏面は粗面とされ、その
粗面の段差により前記電極層の配線との接続面が粗面と
される半導体発光装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体発光装置を製造
するに際し、そのＬＥＤをパッシベーション膜により被
覆した後に、その素子基板の裏面をエッチング液を用い
て異方性エッチングすることで粗面とすることを特徴と
する半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26116694A JPH08102551A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26116694A JPH08102551A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08102551A true JPH08102551A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=17358042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26116694A Pending JPH08102551A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08102551A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100489042B1 (ko) * | 2002-08-30 | 2005-05-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 고출력 ｌｅｄ를 위한 역피라미드형 플립 칩 |
| US6963086B2 (en) | 2001-10-10 | 2005-11-08 | Sony Corporation | Semiconductor light-emitting device image display illuminator and its manufacturing method |
| KR100753710B1 (ko) * | 1997-06-03 | 2007-08-30 | 필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨 | 발광 다이오드 구조체 및 그의 형성 방법 |
| US7754514B2 (en) | 2006-08-22 | 2010-07-13 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method of making a light emitting element |
| WO2018116814A1 (ja) * | 2016-12-22 | 2018-06-28 | シャープ株式会社 | 表示装置および製造方法 |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP26116694A patent/JPH08102551A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100753710B1 (ko) * | 1997-06-03 | 2007-08-30 | 필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨 | 발광 다이오드 구조체 및 그의 형성 방법 |
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| US7459728B2 (en) | 2001-10-10 | 2008-12-02 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device, image display system and illumination device |
| KR100489042B1 (ko) * | 2002-08-30 | 2005-05-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 고출력 ｌｅｄ를 위한 역피라미드형 플립 칩 |
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| WO2018116814A1 (ja) * | 2016-12-22 | 2018-06-28 | シャープ株式会社 | 表示装置および製造方法 |
| JPWO2018116814A1 (ja) * | 2016-12-22 | 2019-10-24 | シャープ株式会社 | 表示装置および製造方法 |
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