JP2014039035A - Ledディスプレイパネルおよびledディスプレイ装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 45
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract 1
- KTXUOWUHFLBZPW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-3-(3-chlorophenyl)benzene Chemical compound ClC1=CC=CC(C=2C=C(Cl)C=CC=2)=C1 KTXUOWUHFLBZPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
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- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
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Abstract
【課題】リフローはんだ付け工程のための配置配列を容易にし、欠陥画素が生じる可能性を低減させることができるLEDディスプレイパネル等を提供する。
【解決手段】LEDディスプレイパネル(2)は、上面(211)を有する半導体ウエハー(21)と、半導体ウエハー(21)の上面(211)に配置され電極接点(321、331、341)を備えた複数のLED素子(3)と、半導体ウエハー(21)中に形成された複数の駆動回路(22)を含む。駆動回路(22)は、半導体ウエハー(21)の上面に配置された電極接続接点(221)を有し、各電極接続接点(221)は、それぞれ対応するLED素子(3)の電極接点(321、331、341)に接合されている。
【選択図】図2
【解決手段】LEDディスプレイパネル(2)は、上面(211)を有する半導体ウエハー(21)と、半導体ウエハー(21)の上面(211)に配置され電極接点(321、331、341)を備えた複数のLED素子(3)と、半導体ウエハー(21)中に形成された複数の駆動回路(22)を含む。駆動回路(22)は、半導体ウエハー(21)の上面に配置された電極接続接点(221)を有し、各電極接続接点(221)は、それぞれ対応するLED素子(3)の電極接点(321、331、341)に接合されている。
【選択図】図2
Description
(関連出願の相互参照)
本出願は、2012年8月17日に出願された台湾特許出願第101129965号について、優先権を主張する。
本出願は、2012年8月17日に出願された台湾特許出願第101129965号について、優先権を主張する。
本発明は、発光ダイオード(LED)ディスプレイパネルおよびそれを含んだLEDディスプレイ装置に関し、特に半導体ウエハーを有するLEDディスプレイパネルとLED素子および半導体ウエハー中に形成された駆動回路に関する。
図1は、プリント基板(PCB)11と、PCB11上面にリフローはんだ付け技術によって表面実装されアレイ状に配置された複数のLED素子12と、PCB11底面にリフローはんだ付け技術によって表面実装された複数のチップスケール駆動回路13を備える従来のLEDディスプレイパネルを示している。
PCB11は絶縁基板111と複数の伝送線路群112を含む。
伝送線路群112は絶縁基板111の中に形成され、各LED素子12を各駆動回路装置13へ電気的に接続している。各LED素子12は、少なくとも1つのLEDチップ121と、LEDチップ121を囲うLED包囲部122を含む。LEDチップ121は伝送線路群112のうちの対応する1本の伝送線路を介して、対応する駆動回路装置13に電気的に接続されている。従来技術のLEDディスプレイパネルの画素は、各LED素子12によって画定される。
伝送線路群112は絶縁基板111の中に形成され、各LED素子12を各駆動回路装置13へ電気的に接続している。各LED素子12は、少なくとも1つのLEDチップ121と、LEDチップ121を囲うLED包囲部122を含む。LEDチップ121は伝送線路群112のうちの対応する1本の伝送線路を介して、対応する駆動回路装置13に電気的に接続されている。従来技術のLEDディスプレイパネルの画素は、各LED素子12によって画定される。
各駆動回路装置13は半導体チップ131と、半導体チップ131を囲う回路包囲部132と、回路包囲部132の中を延び伝送線路群112のうち隣接する2本に電気的に接続された2つのリードピン133を含む。半導体チップ131は集積回路ウエハーから切り出された半導体ダイス(不図示)中に構築された駆動回路(不図示)を有する。
LED素子12の回路状態(オン/オフ)は駆動回路装置13から出力される制御信号によって制御されている。
従来のLEDディスプレイパネルには解像度(ドット・パー・インチ(dpi))を高くすると、すなわちLED素子12と駆動回路装置13の密集度が高くなると、製造上の問題が生じるという欠点がある。つまり、画素間の間隔がかなり狭くなるので、駆動回路装置13のリードピン133と伝送線路群112をそれに応じて細くすることが求められる。その結果、その後のリフローはんだ付け工程のためのリードピン133と伝送線路群112の配置配列が困難になり、欠陥画素を生じる可能性が高くなる。
したがって、本発明の目的は、前述のような従来技術に関する欠点を解消することができるLEDディスプレイパネルを提供することである。
本発明のもう一つの目的は、前記LEDディスプレイパネルを含むLEDディスプレイ装置を提供することである。
本発明の一実施形態に係るLEDディスプレイパネルは、上面を有する半導体ウエハーと、半導体ウエハーの上面に配置され、それぞれ電極接点を有する複数のLED素子と、半導体ウエハー中に形成された複数の駆動回路から構成されている。各駆動回路は、半導体ウエハー上面に配置され、対応するLED素子に接合された電極接続接点を有する。
本発明のもう一つの実施形態に係るLEDディスプレイパネル装置は、実装面を備えた筐体と、LEDディスプレイパネルから構成されている。LEDディスプレイパネルは、上面を有し筐体の実装面に密閉接合されて筐体中に組み込まれた半導体ウエハーと、半導体ウエハー上面に配置され、それぞれ電極接点を有する複数のLED素子と、半導体ウエハー中に形成された複数の駆動回路から成る。各駆動回路は、半導体ウエハー上面に配置され、対応するLED素子の電極接点に接合された電極接続接点を有する。
本発明に付随する好ましい実施形態に関連してより詳細に説明する前に、ここで、本開示の全体を通して類似の構成要素は同じ参照符号によって示されることに留意されたい。
図2および図3は、本発明のLEDディスプレイパネル2の第1の好ましい実施形態を示している。LEDディスプレイパネル2はLEDディスプレイパネル2に入力された画像入力信号に基づいて、画像を表示することができる。LEDディスプレイパネル2は、半導体ウエハー21と、複数のLED素子3と、複数の駆動回路22と、複数の伝送線路群23を含む。各LED素子3は対応する駆動回路22とともに、LEDディスプレイパネル2の画素を画定する。
半導体ウエハー21は上面211を有し、上面211は、シリコン、ゲルマニウム、シリコン−ゲルマニウム、または3−5族半導体材料のいずれかから選ばれた材料で作られている。半導体ウエハー21の材料は、駆動回路22が果たす機能に基づいて選ばれる。
LED素子3は半導体ウエハー21の上面211にアレイ状に配置されている。各LED素子3は、1組の電極接点321(それぞれ陽極と陰極として機能する)を有し、駆動時に赤色光を放出する赤色LEDチップ32と、1組の電極接点331を有し、駆動時に緑色光を放出する緑色LEDチップ33と、1組の電極接点341を有し、駆動時に青色光を放出する青色LEDチップ34とを含む。
なお、各LED素子3は、実際の必要に応じて単一のLEDチップを含んでも良いし、また4つ以上の様々な色のLEDチップを含んでも良い。例えば、LED素子3はさらにもう一つの青色LEDチップあるいは紫色LEDチップを含んでいても良い。
本実施形態では各LED素子3のLEDチップ32、33、34は直線上に配置されているが、各LED素子3のLEDチップ32、33、34は三角形や他の形状で配置されていてもかまわない。LED素子3のLEDチップ32、33、34は直列、並列、または直並列によって電気的に接続されている。
駆動回路22は半導体ウエハー21中に形成され、LED素子3に対応するようにアレイ状に配置されている。各駆動回路22は3組の電極接続接点221を含む。各駆動回路22の電極接続接点221は半導体ウエハー21の上面に配置され、対応するLED素子3の電極接点321、331、341にそれぞれ接合されている。
本実施形態では、各駆動回路22(ただし、外部電源から制御入力が入力される最初の又は最端の駆動回路22を除く)は前の駆動回路22より直列データ(SDI)およびクロック(CKI)を含む制御入力を受けとり、その制御入力から演算直列データ(SDO)と演算クロック(CKO)を計算して演算制御信号を生成し、次の駆動回路22に送る。このようにして、対応する駆動回路22へ制御入力を入力することによって、各LED素子3の動作を制御できる。駆動回路22の等価回路としては、例えば、IC MBI6020GPや、変調抵抗器、コンデンサー、ツェナーダイオードが含まれる。IC MBI6020GPは、主にシフトレジスター、制御ユニット、コンパレーター、およびカウンターを含む。
伝送線路群23は半導体ウエハー21中に形成されており、駆動回路22へ接続されている。これにより、制御入力の駆動回路22への伝送が可能となる。本実施形態では、駆動回路22は伝送線路群23を介して、互いに電気的に直列に接続されている。なお、各行、または各列の駆動回路22は伝送線路群23を介して電気的に並列に接続されていてもよい。
駆動回路22と伝送線路群23はどちらもリソグラフィー処理、エッチング処理、薄膜形成処理、拡散処理を含む半導体処理技術を経て、半導体ウエハー21中に形成されている。
図4は、本発明の第2の好ましい実施形態によるLEDディスプレイパネル2を示している。第2の好ましい実施形態は、LEDディスプレイパネル2が半導体ウエハー21中に形成された入力回路24をさらに含む点で、前述の実施形態と異なっている。入力回路24はアレイ状に並んだ駆動回路22の最初の列の最端の駆動回路に接続され、アレイ状に並んだ駆動回路22の最初の列の最端の駆動回路に制御入力信号を生成して送るように構成されている。伝送線路群23は駆動回路22が伝送線路群23を介して相互に電気的に直列接続されるように、隣接した2つの駆動回路間に配置されている。
図5は、本発明の第3の好ましい実施形態によるLEDディスプレイパネル2を示している。第3の好ましい実施形態は、LEDディスプレイパネル2の各駆動回路22を複数のLED素子3に接続して制御する点と、対応する各LED素子3の電極接点321、331、341にそれぞれ接続されている複数の電極接続接点221を含む点で第1の実施形態と異なる。
図6は、本発明の第4の好ましい実施形態によるLEDディスプレイパネル2を示している。第4の実施形態は、対応するLED素子3の赤色LEDチップ32と、緑色LEDチップ33と、青色LEDチップ34を囲う包囲部35をさらに含む点で、前述の実施形態とは異なっている。包囲部35の上部は透明であり、LEDチップ32、33、34から放出された光が透過できるようになっている。
図7は、筐体4と第2の好ましい実施形態と同様の構造を有するLEDディスプレイパネル2とを含むLEDディスプレイ装置を示す。筐体4は、実装面41を備える。LEDディスプレイパネル2の半導体ウエハー21は、実装面41に密閉接合されて筐体4中に組み込まれており、半導体ウエハー21の環境老化を防ぐことができる。
駆動回路22と伝送線路群23がともに同じ半導体ウエハー21の中に形成されていることで、前述した従来のLEDディスプレイパネルにおいて解像度(すなわち、dpi)が高くなることにより生じていた部品の配置に関する問題を解消することができる。さらに、LED素子3を直接半導体ウエハー21上に搭載することができるので、従来技術のLEDディスプレイパネルで使われていたPCBが必要なくなり、従来技術のLEDディスプレイパネルと比較すると、本発明のLEDディスプレイパネルは全体的にすっきりとした構造にすることができる。
最も実用的で好ましい実施形態であると考えられるものに関連して本発明を説明したが、本発明は開示された実施形態に限定されるものではなく、最も広い解釈の精神および範囲内に含まれる様々な変更並びに同等な変更を包含するように意図されていることを理解されたい。
Claims (12)
- 上面(211)を有する半導体ウエハー(21)と、
前記半導体ウエハー(21)の前記上面(211)に配置され、それぞれが電極接点(321、331、341)を有する複数のLED素子(3)と、
前記半導体ウエハー(21)中に形成され、前記半導体ウエハー(21)の前記上面(211)に配置された電極接続接点(221)を有し、各電極接続接点(221)が対応する前記LED素子(3)の電極接点(321、331、341)に接合された複数の駆動回路(22)と、
を備えることを特徴とするLEDディスプレイパネル(2)。 - 前記LED素子(3)と前記駆動回路(22)がアレイ状に配置され、前記LED素子(3)の各々が対応する前記各駆動回路(22)とともに前記LEDディスプレイパネル(2)の画素を画定することを特徴とする請求項1に記載のLEDディスプレイパネル(2)。
- 前記半導体ウエハー(21)中に伝送線路群(23)が形成されており、前記伝送線路群(23)は前記駆動回路(22)に接続して、制御入力を前記駆動回路(22)へ前記伝送線路群(23)を介して送ることができることを特徴とする請求項2に記載のLEDディスプレイパネル(2)。
- 前記半導体ウエハー(21)中に形成され、アレイ状に並んだ前記駆動回路(22)の最初の列の最端の前記駆動回路に接続され、アレイ状に並んだ前記駆動回路(22)の最初の列の最端の前記駆動回路に前記制御入力を生成して送るように構成されている入力回路(24)を含み、各前記伝送線路群(23)は、前記駆動回路(22)が前記伝送線路群(23)により電気的に相互に直列接続されるように、隣接した2つの前記駆動回路(22)間に該隣接した2つの前記駆動回路(22)を連結するよう配置されていることを特徴とする請求項3に記載のLEDディスプレイパネル(2)。
- 前記LED素子(3)はそれぞれ赤色LEDチップ(32)、緑色LEDチップ(33)、青色LEDチップ(34)を含むことを特徴とする請求項1に記載のLEDディスプレイパネル(2)。
- 前記LED素子(3)は、前記赤色LEDチップ(32)、前記緑色LEDチップ(33)、前記青色LEDチップ(34)を囲う包囲部(35)を含むことを特徴とする請求項5に記載のLEDディスプレイパネル(2)。
- 実装面(41)を備えた筐体(4)と、
前記筺体(4)の前記実装面(41)に密閉接合されて、前記筐体(4)に搭載され、上面(211)を有する半導体ウエハー(21)と、
前記半導体ウエハー(21)の前記上面(211)に配置され、電極接点(321、331、341)を備えた複数のLED素子(3)と、
前記半導体ウエハー(21)中に形成され、前記半導体ウエハーの前記上面に配置された電極接続接点(221)を有し、各前記電極接続接点(221)がそれぞれ対応する前記LED素子(3)の前記電極接点(321、331、341)に接合された複数の駆動回路(22)と、を含むLEDディスプレイパネル(2)と、
を備えることを特徴とするLEDディスプレイ装置。 - 前記LEDディスプレイパネル(2)の前記LED素子(3)と前記駆動回路(22)がアレイ状に配置され、前記LED素子(3)の各々が対応する前記各駆動回路(22)とともに前記LEDディスプレイパネル(2)の画素を画定することを特徴とする請求項7に記載のLEDディスプレイ装置。
- 前記LEDディスプレイパネル(2)は、前記半導体ウエハー(21)中に伝送線路群(23)が形成されており、前記伝送線路群(23)は前記駆動回路(22)に接続して、制御入力を前記駆動回路(22)へ前記伝送線路群(23)を介して送ることができることを特徴とする請求項8に記載のLEDディスプレイ装置。
- 前記LEDディスプレイパネル(2)は、前記半導体ウエハー(21)中に形成され、アレイ状に並んだ前記駆動回路(22)の最初の列の最端の前記駆動回路に接続され、アレイ状に並んだ前記駆動回路(22)の最初の列の最端の前記駆動回路に前記制御入力を生成して送るように構成されている入力回路(24)を含み、各前記伝送線路群(23)は、前記駆動回路(22)が前記伝送線路群(23)により電気的に相互に直列接続されるように、隣接した2つの前記駆動回路(22)間に該隣接した2つの前記駆動回路(22)を連結するよう配置されていることを特徴とする請求項9に記載のLEDディスプレイ装置。
- 前記LEDディスプレイパネル(2)の前記LED素子(3)はそれぞれ赤色LEDチップ(32)、緑色LEDチップ(33)、青色LEDチップ(34)を含むことを特徴とする請求項10に記載のLEDディスプレイ装置。
- 前記LEDディスプレイパネル(2)の前記LED素子(3)は前記赤色LEDチップ(32)、前記緑色LEDチップ(33)、前記青色LEDチップ(34)を囲う包囲部(35)を含むことを特徴とする請求項11に記載のLEDディスプレイ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW101129965 | 2012-08-17 | ||
TW101129965A TWI457890B (zh) | 2012-08-17 | 2012-08-17 | Display structure and display |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014039035A true JP2014039035A (ja) | 2014-02-27 |
Family
ID=49304626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013168270A Pending JP2014039035A (ja) | 2012-08-17 | 2013-08-13 | Ledディスプレイパネルおよびledディスプレイ装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140048828A1 (ja) |
JP (1) | JP2014039035A (ja) |
CN (1) | CN103594054A (ja) |
TW (1) | TWI457890B (ja) |
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CN103594054A (zh) | 2014-02-19 |
TWI457890B (zh) | 2014-10-21 |
US20140048828A1 (en) | 2014-02-20 |
TW201409434A (zh) | 2014-03-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140611 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150106 |