JPWO2017179377A1 - 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本開示の目的は、ゲート絶縁膜の底部における電界集中を緩和可能な炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供することである。
本開示によれば、ゲート絶縁膜の底部における電界集中を緩和可能な炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
まず、本開示の実施形態の概要について説明する。本明細書中の結晶学的記載においては、個別方位を[]、集合方位を<>、個別面を()、集合面を{}でそれぞれ示している。また結晶学上の指数が負であることは、通常、”−”(バー)を数字の上に付すことによって表現されるが、本明細書中では数字の前に負の符号を付している。
以下、実施の形態について図に基づいて説明する。なお、以下の図面において、同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。
図3に示されるように、第2主面2に垂直な方向Xにおいて、コンタクト領域14の第5主面5は、第1領域31および第2領域32の境界面7と同じ位置にあってもよい。図4および図5に示されるように、コンタクト領域14は、接続部33により、第1領域31と電気的に接続されていてもよい。接続部33は、たとえばアルミニウムなどのp型不純物を含んでおり、p型の導電型を有する。接続部33の導電型は、コンタクト領域14および第1領域31の導電型と同じである。接続部33のp型不純物の濃度は、第1領域31のp型不純物の濃度と同じであってもよい。
図6に示されるように、第1領域31の第3主面3の幅W2は、底部BTの幅W1よりも大きくてもよい。同様に、第2領域32の幅W3は、底部BTの幅W1よりも大きくてもよい。第2主面2と平行な方向Yにおいて、第1領域31の側部は、トレンチTRの側面SWと、コンタクト領域14の側部との間にある。第1領域31の一部は、ボディ領域12に対面している。第2主面2に対して垂直な方向から見て、第1領域31および第2領域32の一部は、ボディ領域12と重なっている。
図7に示されるように、第2主面2に平行な方向Yにおいて、第1領域31の第3主面3の幅W2は、底部BTの幅W1よりも小さくてもよい。第2主面2に平行な方向Yにおいて、第1領域31の第3主面3の幅W2は、第2領域32の幅W3以下であってもよいし、第2領域32の幅W3よりも小さくてもよい。第2領域32の幅W3は、底部BTの幅W1よりも大きい。第2主面2と平行な方向Yにおいて、トレンチTRの側面SWと、第1領域31の側部は、第2領域32の側部との間にある。第2領域32の一部は、ボディ領域12および底部BTに対面している。第2主面2に対して垂直な方向から見て、第1領域31は、底部BTに包含されていてもよい。
図8に示されるように、トレンチTRの側面SWと、第1主面1との角度θが90°よりも大きくてもよい。側面SWは、たとえば{0001}面に対して50°以上70°以下傾斜した面であってもよい。具体的には、側面SWは、(000−1)面に対して50°以上70°以下傾斜した面である。これにより、チャネル領域における移動度を高くすることができる。側面SWは、たとえば(0−33−8)面を含んでいてもよい。第2主面2から第1主面1に向かう方向においてトレンチTRの幅は広がっている。第1領域31は、底部BTおよび側面SWの双方に対して対面している。言い換えれば、第2主面2に対して垂直な方向において、底部BTおよび側面SWは、第1領域31と重なっている。
図9に示されるように、第2主面2に対して垂直な方向において、コンタクト領域14の第5主面5は、底部BTと第3主面3との間にあってもよい。言い換えれば、第5主面5は、底部BTよりも第2主面2側に位置し、かつ第3主面3よりも1主面1側に位置する。コンタクト領域14の側面は、トレンチTRの角部Cに対面している。
図10に示されるように、第2主面2に対して垂直な方向において、第5主面5は、第3主面3と、第1領域31および第2領域32の境界面7との間にあってもよい。言い換えれば、第5主面5は、第3主面3よりも第2主面2側に位置し、かつ境界面7よりも第1主面1側にある。コンタクト領域14の側面は、トレンチTRの角部Cと、第1領域31の側面とに対面している。コンタクト領域14の側面は、電流拡がり層11と、第1ピラー領域15とに接する。第5主面5は、第1ピラー領域15に接する。
図11に示されるように、第1領域31は、トレンチTRの底部BTに接していてもよい。第1領域31は、底部BTの一部に接していてもよいし、底部BTの全部に接していてもよい。第1領域31の幅W2は、底部BTの幅W1よりも広くてもよいし、狭くてもよいし、同じでもよい。第1領域31が底部BTと接していることにより、トレンチTRの底部BTに電界が集中することを効果的に抑制することができる。
まず、炭化珪素基板を準備する工程(S10:図13)が実施される。たとえば昇華法によって製造された炭化珪素インゴット(図示せず)がスライスされることにより、炭化珪素単結晶基板50が準備される。次に、第1エピタキシャル層61を形成する工程(S11:図14)が実施される。たとえば原料ガスとしてシラン(SiH4)とプロパン(C3H8)との混合ガスを用い、キャリアガスとしてたとえば水素(H2)を用いたCVD(Chemical Vapor Deposition)法により、炭化珪素単結晶基板50上に第1エピタキシャル層61が形成される(図15参照)。エピタキシャル成長の際、たとえば窒素などのn型不純物が第1エピタキシャル層61に導入される。第1エピタキシャル層61は、n型の導電型を有する。第1エピタキシャル層61のn型不純物の濃度は、炭化珪素単結晶基板50のn型不純物の濃度よりも低い。
本実施形態に係るMOSFET100によれば、炭化珪素基板10は、n型を有する第1ピラー領域15と、第1ピラー領域15と接し、かつp型を有する第2ピラー領域16とを含む。第1ピラー領域15および第2ピラー領域16は互いに電荷を補償し合うスーパージャンクション構造を構成する。そのため、MOSFET100の耐圧を向上することができる。
Claims (18)
- 第1主面と、前記第1主面と反対側の第2主面とを有する炭化珪素基板を備え、
前記炭化珪素基板は、
第1導電型を有する第1不純物領域と、
前記第1不純物領域上に設けられ、前記第1導電型と異なる第2導電型を有する第2不純物領域と、
前記第1不純物領域から隔てられるように前記第2不純物領域上に設けられ、かつ前記第1導電型を有する第3不純物領域と、
前記第3不純物領域および前記第2不純物領域を貫通し、前記第1不純物領域に接し、かつ前記第2導電型を有する第4不純物領域と、
前記第1不純物領域に接し、前記第1不純物領域と前記第2主面との間にあり、かつ前記第1導電型を有する第5不純物領域と、
前記第5不純物領域と接し、かつ前記第2導電型を有する第6不純物領域とを含み、
前記第1主面には、前記第3不純物領域および前記第2不純物領域を貫通して前記第1不純物領域に至る側面と、前記側面と連なる底部とにより規定されるトレンチが設けられており、
前記第6不純物領域は、前記底部に対面する第3主面を有する第1領域と、前記第1領域と接し、かつ前記第2主面と対面する第4主面を有する第2領域とを有し、
前記第1領域の不純物濃度は、前記第2領域の不純物濃度よりも高く、
前記第4不純物領域は、前記第2主面に対面する第5主面を有し、
前記第2不純物領域は、前記第2主面に対面する第6主面を有し、
前記第2主面に対して垂直な方向において、前記第5主面は、前記第6主面と前記第2主面との間にあり、さらに、
前記側面および前記底部に接するゲート絶縁膜と、
前記第1主面において前記第3不純物領域および前記第4不純物領域と接する第1電極と、
前記第2主面と接する第2電極とを備えた、炭化珪素半導体装置。 - 前記第1領域の不純物濃度の最大値は、前記第2領域の不純物濃度の平均値の10倍以上である、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第1領域は、前記底部から離間している、請求項1または請求項2に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第2主面に平行な方向において、前記第2領域の幅は、前記底部の幅以上である、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第2主面に平行な方向において、前記底部の幅は、前記第3主面の幅以上である、請求項4に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第2主面に平行な方向において、前記第3主面の幅は、前記第2領域の幅以下である、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記側面と、前記第1主面とがなす角度は、90°以上である、請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第1不純物領域の不純物濃度は、2×1016cm-3よりも高く1×1018cm-3未満である、請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第1領域の不純物濃度は、前記第1不純物領域の不純物濃度よりも高い、請求項1〜請求項8のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第1不純物領域の不純物濃度は、前記第5不純物領域の不純物濃度よりも高い、請求項1〜請求項9のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第2不純物領域の不純物濃度は、前記第1不純物領域の不純物濃度よりも高い、請求項1〜請求項10のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第2主面に対して垂直な方向において、前記第1領域の厚みは、0.1μm以上である、請求項1〜請求項11のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記ゲート絶縁膜は、前記側面と接する第1部分と、前記底部と接する第2部分とを有し、
前記第2部分の厚みは、前記第1部分の厚みよりも大きい、請求項1〜請求項12のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記第2主面に対して垂直な方向において、前記第5主面は、前記第6主面と前記底部との間にある、請求項1〜請求項13のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第2主面に対して垂直な方向において、前記第5主面は、前記底部と前記第3主面との間にある、請求項1〜請求項13のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第2主面に対して垂直な方向において、前記第5主面は、前記第3主面と前記第1領域および前記第2領域の境界面との間にある、請求項1〜請求項13のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 第1主面と、前記第1主面と反対側の第2主面とを有する炭化珪素基板を準備する工程を備え、
前記炭化珪素基板は、
第1導電型を有する第1不純物領域と、
前記第1不純物領域上に設けられ、前記第1導電型と異なる第2導電型を有する第2不純物領域と、
前記第1不純物領域から隔てられるように前記第2不純物領域上に設けられ、かつ前記第1導電型を有する第3不純物領域と、
前記第3不純物領域および前記第2不純物領域を貫通し、前記第1不純物領域に接し、かつ前記第2導電型を有する第4不純物領域と、
前記第1不純物領域に接し、前記第1不純物領域と前記第2主面との間にあり、かつ前記第1導電型を有する第5不純物領域と、
前記第5不純物領域と接し、かつ前記第2導電型を有する第6不純物領域とを含み、
前記第1主面には、前記第3不純物領域および前記第2不純物領域を貫通して前記第1不純物領域に至る側面と、前記側面と連なる底部とにより規定されるトレンチが設けられており、
前記第6不純物領域は、前記底部に対面する第3主面を有する第1領域と、前記第1領域と接し、かつ前記第2主面と対面する第4主面を有する第2領域とを有し、
前記第1領域の不純物濃度は、前記第2領域の不純物濃度よりも高く、
前記第4不純物領域は、前記第2主面に対面する第5主面を有し、
前記第2不純物領域は、前記第2主面に対面する第6主面を有し、
前記第2主面に対して垂直な方向において、前記第5主面は、前記第6主面と前記第2主面との間にあり、さらに、
前記側面および前記底部に接するゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第1主面において前記第3不純物領域および前記第4不純物領域と接する第1電極を形成する工程と、
前記第2主面と接する第2電極を形成する工程とを備えた、炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記炭化珪素基板を準備する工程は、
前記第1導電型の第1エピタキシャル層を形成する工程と、
前記第1エピタキシャル層上に、前記第1導電型の第2エピタキシャル層を形成する工程と、
前記第2エピタキシャル層に対して前記第1導電型を付与可能な不純物イオンを注入する工程とを含み、
前記第2エピタキシャル層は、活性領域となる第1部分と、前記第1部分を囲みかつ終端領域となる第2部分とを有し、
前記不純物イオンを注入する工程では、前記第2部分に対して前記不純物イオンを注入することなく、前記第1部分に対して前記不純物イオンが注入されることにより前記第1不純物領域が形成される、請求項17に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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