JPWO2017081947A1 - 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
1.第1の実施の形態(発光層内に複数の島状の発光領域を有する例)
1−1.全体構成
1−2.製造方法
1−3.作用・効果
2.第2の実施の形態(複数の発光層を有する例)
図1は、本開示の第1の実施の形態に係る半導体発光素子(半導体レーザ1)の構成の一例を表したものである。半導体レーザ1は、例えば端面発光型の半導体レーザである。半導体レーザ1は、例えば、緑色の波長域のレーザ光を発振する窒化物系の半導体レーザであり、例えばレーザディスプレイやポインタ等に用いられる。なお、図1は、半導体レーザ1の構成を模式的に表したものであり、実際の寸法,形状とは異なっている。
半導体レーザ1は、基板10上に半導体層を有している。基板10上の半導体層は、例えば、基板10側から、下部クラッド層11、ガイド層12、発光層13、キャップ層14、ガイド層15、上部クラッド層16およびコンタクト層18がこの順に積層された構成を有する。半導体レーザ1は、コンタクト層18上に、上部電極19を有しており、基板10の裏面(上記半導体層の形成面と反対側の面)に、下部電極30を有している。
半導体レーザ1は、例えば図3に示したようにして製造することができる。まず、リアクター内に、例えばGaNよりなる基板10を用意する。次に、基板10の上面(結晶成長面)に、例えばMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition;有機金属化学気相成長)法を用いて、下部クラッド層11、ガイド層12、InxGa1-xN層13Cおよびキャップ層14を、この順に形成する(ステップS101、図4A)。このとき、各層の成長温度は、下部クラッド層11では例えば1100℃、ガイド層12では例えば800℃、InxGa1-xN層13Cおよびキャップ層14は例えば750℃とする。なお、キャップ層14の厚みは、後述の所定の期間の待機によって、発光層13内における複数の島状領域13Aの残存率が80%以下となるような厚みとなっている。
前述したように、半導体発光素子は、活性層中のInの組成比率を高くすると、緑色の波長域の発光が得られるものの、下地層との格子定数差が増大し、それに伴って結晶の格子歪が増大する。また、活性層中に転位等の結晶欠陥が増殖することによって結晶性が低下し、発光効率が低下するという問題があった。
図7は、本開示の第2の実施の形態に係る半導体レーザ(半導体レーザ2)の構成の一例を表したものである。この半導体レーザ2は、例えば、上記第1の実施の形態の半導体レーザ1と同様に、端面発光型の半導体レーザである。半導体レーザ2は、例えば、緑色の波長域のレーザを発振する窒化物系の半導体レーザであり、半導体レーザ2は、複数の発光層(ここでは、2層構造;発光層13および発光層22)を有する点で、上記第1の実施の形態の半導体レーザ1とは異なる。なお、図7は、半導体レーザ2の構成を模式的に表したものであり、実際の寸法,形状とは異なっている。
(1)
窒化物系の第1発光層を備え、
前記第1発光層は、InaGa1-aN層(a≧0)を有すると共に、前記InaGa1-aN層内にInbGa1-bN(b>a)によって構成された複数の第1島状領域を有する
半導体発光素子。
(2)
前記第1発光層は、InxGa1-xN層(x>0)からのIn脱離によって形成されたものであり、
前記第1発光層内における前記複数の第1島状領域の残存率は80%以下となっている
前記(1)に記載の半導体発光素子。
(3)
前記第1発光層の上面に接するバリア層と、
前記バリア層の上面に接する第2発光層と
をさらに備え、
前記バリア層は、AlcIndGa1-(c+d)N(c≧0,d≧0)によって構成され、
前記第2発光層は、IneGa1-eN層(e≧0)を有すると共に、前記IneGa1-eN層内にInfGa1-fN(f>e)によって構成された複数の第2島状領域を有する
前記(2)に記載の半導体発光素子。
(4)
前記第2発光層は、InyGa1-yN層(y>0)からのIn脱離によって形成されたものであり、
前記第2発光層内における前記複数の第2島状領域の残存率は80%以下となっている
前記(3)に記載の半導体発光素子。
(5)
前記第2発光層内における前記複数の第2島状領域の残存率は、前記第1発光層内における前記複数の第1島状領域の残存率よりも大きくなっている
前記(3)または(4)に記載の半導体発光素子。
(6)
前記第1発光層の上面に接する第1キャップ層を有し、
前記第1キャップ層は、0.1nm以上1nm以下の厚みを有し、AlgInhGa1-(g+h)N(g≧0,h≧0)によって構成されている
前記(1)乃至(5)のうちのいずれかに記載の半導体発光素子。
(7)
前記第1キャップ層の上面に接するバリア層と、
前記バリア層の上面に接する第2発光層と
をさらに備え、
前記バリア層は、AlcIndGa1-(c+d)N(c≧0,d≧0)によって構成され、
前記第2発光層は、IneGa1-eN層(e≧0)を有すると共に、前記IneGa1-eN層内にInfGa1-fN(f>e)によって構成された複数の第2島状領域を有する
前記(6)に記載の半導体発光素子。
(8)
前記第2発光層は、InyGa1-yN層(y>0)からのIn脱離によって形成されたものであり、
前記第2発光層内における前記複数の第2島状領域の残存率は80%以下となって
いる
前記(7)に記載の半導体発光素子。
(9)
前記第2発光層内における前記複数の第2島状領域の残存率は、前記第1発光層内における前記複数の第1島状領域の残存率よりも大きくなっている
前記(7)または(8)に記載の半導体発光素子。
(10)
前記第2発光層の上面に接する第2キャップ層を有し、
前記第2キャップ層は、0.1nm以上1nm以下の厚みを有し、AliInjGa1-(i+j)N(i≧0,j≧0)によって構成されている
前記(3)乃至(9)のうちのいずれかに記載の半導体発光素子。
(11)
前記第1発光層および前記第2発光層はさらに添加元素を含む
前記(3)乃至(10)のうちのいずれかに記載の半導体発光素子。
(12)
前記添加元素は、アルミニウム(Al),ホウ素(B),タリウム(Tl)のうちの少なくとも1種である
前記(11)に記載の半導体発光素子。
(13)
InxGa1-xN層(x>0)からのIn脱離によって、InaGa1-aN層(a≧0)を有すると共に、前記InaGa1-aN層内にInbGa1-bN(b>a)によって構成された複数の第1島状領域を有する窒化物系の第1発光層を形成する
半導体発光素子の製造方法。
(14)
MOCVD(有機金属化学気相成長)法を用いて、前記InxGa1-xN層を形成した後、所定の期間、待機することにより、前記InxGa1-xN層からInを脱離させる
前記(13)に記載の半導体発光素子の製造方法。
(15)
MOCVD(有機金属化学気相成長)法を用いて、前記InxGa1-xN層、およびAlgInhGa1-(g+h)N(g≧0,h≧0)によって構成された第1キャップ層をこの順に形成した後、所定の期間、待機することにより、前記第1キャップ層を介して、前記InxGa1-xN層からInを脱離させる
前記(13)に記載の半導体発光素子の製造方法。
(16)
前記第1キャップ層は、前記所定の期間の待機によって、前記第1発光層内における前記複数の第1島状領域の残存率が80%以下となるような厚みとなっている
前記(15)に記載の半導体発光素子の製造方法。
(17)
MOCVD法を用いて、前記第1キャップ層の上に、AlcIndGa1-(c+d)N(c≧0,d≧0)によって構成されたバリア層、InyGa1-yN層(y>0)、およびAliInjGa1-(i+j)N(i≧0,j≧0)によって構成された第2キャップ層をこの順に形成した後、所定の期間、待機することにより、前記第2キャップ層を介して、前記InyGa1-yN層からInを脱離させ、その結果、IneGa1-eN層(e≧0)を有すると共に、前記IneGa1-eN層内にInfGa1-fN(f>e)によって構成された複数の第2島状領域を有する窒化物系の第2発光層を形成する
前記(15)または(16)に記載の半導体発光素子の製造方法。
(18)
前記第2キャップ層は、前記所定の期間の待機によって、前記第2発光層内における前記複数の第2島状領域の残存率が80%以下となるような厚みとなっている
前記(17)に記載の半導体発光素子の製造方法。
(19)
前記第1発光層および前記第2発光層をさらに添加元素と共に形成する
前記(17)または(18)に記載の半導体発光素子の製造方法。
(20)
前記添加元素は、アルミニウム(Al),ホウ素(B),タリウム(Tl)のうちの少なくとも1種である
前記(19)に記載の半導体発光素子の製造方法。
Claims (20)
- 窒化物系の第1発光層を備え、
前記第1発光層は、InaGa1-aN層(a≧0)を有すると共に、前記InaGa1-aN層内にInbGa1-bN(b>a)によって構成された複数の第1島状領域を有する
半導体発光素子。 - 前記第1発光層は、InxGa1-xN層(x>0)からのIn脱離によって形成されたものであり、
前記第1発光層内における前記複数の第1島状領域の残存率は80%以下となっている
請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記第1発光層の上面に接するバリア層と、
前記バリア層の上面に接する第2発光層と
をさらに備え、
前記バリア層は、AlcIndGa1-(c+d)N(c≧0,d≧0)によって構成され、
前記第2発光層は、IneGa1-eN層(e≧0)を有すると共に、前記IneGa1-eN層内にInfGa1-fN(f>e)によって構成された複数の第2島状領域を有する
請求項2に記載の半導体発光素子。 - 前記第2発光層は、InyGa1-yN層(y>0)からのIn脱離によって形成されたものであり、
前記第2発光層内における前記複数の第2島状領域の残存率は80%以下となっている
請求項3に記載の半導体発光素子。 - 前記第2発光層内における前記複数の第2島状領域の残存率は、前記第1発光層内における前記複数の第1島状領域の残存率よりも大きくなっている
請求項3に記載の半導体発光素子。 - 前記第1発光層の上面に接する第1キャップ層を有し、
前記第1キャップ層は、0.1nm以上1nm以下の厚みを有し、AlgInhGa1-(g+h)N(g≧0,h≧0)によって構成されている
請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記第1キャップ層の上面に接するバリア層と、
前記バリア層の上面に接する第2発光層と
をさらに備え、
前記バリア層は、AlcIndGa1-(c+d)N(c≧0,d≧0)によって構成され、
前記第2発光層は、IneGa1-eN層(e≧0)を有すると共に、前記IneGa1-eN層内にInfGa1-fN(f>e)によって構成された複数の第2島状領域を有する
請求項6に記載の半導体発光素子。 - 前記第2発光層は、InyGa1-yN層(y>0)からのIn脱離によって形成されたものであり、
前記第2発光層内における前記複数の第2島状領域の残存率は80%以下となって
いる
請求項7に記載の半導体発光素子。 - 前記第2発光層内における前記複数の第2島状領域の残存率は、前記第1発光層内における前記複数の第1島状領域の残存率よりも大きくなっている
請求項7に記載の半導体発光素子。 - 前記第2発光層の上面に接する第2キャップ層を有し、
前記第2キャップ層は、0.1nm以上1nm以下の厚みを有し、AliInjGa1-(i+j)N(i≧0,j≧0)によって構成されている
請求項3に記載の半導体発光素子。 - 前記第1発光層および前記第2発光層はさらに添加元素を含む
請求項3に記載の半導体発光素子。 - 前記添加元素は、アルミニウム(Al),ホウ素(B),タリウム(Tl)のうちの少なくとも1種である
請求項11に記載の半導体発光素子。 - InxGa1-xN層(x>0)からのIn脱離によって、InaGa1-aN層(a≧0)を有すると共に、前記InaGa1-aN層内にInbGa1-bN(b>a)によって構成された複数の第1島状領域を有する窒化物系の第1発光層を形成する
半導体発光素子の製造方法。 - MOCVD(有機金属化学気相成長)法を用いて、前記InxGa1-xN層を形成した後、所定の期間、待機することにより、前記InxGa1-xN層からInを脱離させる
請求項13に記載の半導体発光素子の製造方法。 - MOCVD(有機金属化学気相成長)法を用いて、前記InxGa1-xN層、およびAlgInhGa1-(g+h)N(g≧0,h≧0)によって構成された第1キャップ層をこの順に形成した後、所定の期間、待機することにより、前記第1キャップ層を介して、前記InxGa1-xN層からInを脱離させる
請求項13に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記第1キャップ層は、前記所定の期間の待機によって、前記第1発光層内における前記複数の第1島状領域の残存率が80%以下となるような厚みとなっている
請求項15に記載の半導体発光素子の製造方法。 - MOCVD法を用いて、前記第1キャップ層の上に、AlcIndGa1-(c+d)N(c≧0,d≧0)によって構成されたバリア層、InyGa1-yN層(y>0)、およびAliInjGa1-(i+j)N(i≧0,j≧0)によって構成された第2キャップ層をこの順に形成した後、所定の期間、待機することにより、前記第2キャップ層を介して、前記InyGa1-yN層からInを脱離させ、その結果、IneGa1-eN層(e≧0)を有すると共に、前記IneGa1-eN層内にInfGa1-fN(f>e)によって構成された複数の第2島状領域を有する窒化物系の第2発光層を形成する
請求項15に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記第2キャップ層は、前記所定の期間の待機によって、前記第2発光層内における前記複数の第2島状領域の残存率が80%以下となるような厚みとなっている
請求項17に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記第1発光層および前記第2発光層をさらに添加元素と共に形成する
請求項17に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記添加元素は、アルミニウム(Al),ホウ素(B),タリウム(Tl)のうちの少なくとも1種である
請求項19に記載の半導体発光素子の製造方法。
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