JP3455500B2 - 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザに関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、デジタルビデオディスク等の大容
量光ディスク装置が実用化され、今後さらに大容量化が
進められようとしている。光ディスク装置の大容量化の
ためには、よく知られるように、読み取りや書き込みの
光源となる半導体レーザの短波長化が最も有効な手段の
一つである。したがって、現在市販されているデジタル
ビデオディスク用の半導体レーザは、ＡｌＧａＩｎＰ系
材料による波長６５０ｎｍであるが、将来開発が予定さ
れている高密度デジタルビデオディスク用では、４００
ｎｍ帯のＧａＮ系半導体レーザが不可欠と考えられてい
る。また、表示用素子としては青色や緑色の半導体レー
ザが必要とされているが、原理的にはＧａＮ系材料で実
現可能であり、これによる実用化が望まれている。

【０００３】従来、ＧａＮ系半導体レーザとして、図４
に示すような構造のものが用いられている(Applied Phy
sics Letters, vol.72, p211)。 サファイア基板２０１上に、第1の結晶成長によりＧａ
Ｎバッファ層２０２、ＧａＮ２０３が積層され、このＧ
ａＮ下地層２０３上に、例えばＳｉＯ_２から成る絶縁膜
ストライプ２０４が形成される。さらに、ｎ―ＧａＮ第１
コンタクト層２０５を比較的厚く、例えば１０μｍ以上
成長されることにより、結晶成長が起こらない絶縁膜ス
トライプ２０４上にも横方向成長があるため平坦な表面
が得られる。

【０００４】さらに、絶縁膜ストライプ２０４上の中心
を除く領域において、元々１０^８〜１０^１０／ｃｍ^２程
度存在する貫通転位が１０^６／ｃｍ以下にまで減少した
低転位領域２０６が形成される。この構成は一般にＥＬ
ＯＧ(Epitaxial Lateral Over Growth)と呼ばれてい
る。

【０００５】その後、ｎ―ＡｌＧａＮ第1クラッド層２
０７、ｎ−ＧａＮ第1光ガイド層２０８、Ｇａ_１−ＸＩ
ｎ_ＸＮ／Ｇａ_１−ＹＩｎ_ＹＮ(０＜Ｘ，Ｙ＜１)から成る
多重量子井戸活性層２０９、ｐ−ＡｌＧａＮキャップ層
２１０、ｐ−ＧａＮ第2光ガイド層２１１、ｐ−ＡｌＧ
ａＮ第2クラッド層２１２、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト
層２１３が成長される。

【０００６】続いて、例えばＣｌ_２ガスを用いた反応性
イオンエッチングにより、リッジストライプ２１４が低
転位領域に形成される。リッジストライプ以外の表面
は、例えばＳｉＯ_２から成る絶縁膜２１５が堆積され、
リッジストライプ部との屈折率差を生じされるととも
に、電気的な絶縁が確保される。リッジストライプ２１
４直上に、例えばＮｉ／Ａｕから成るｐ電極２１６、ま
た一部をｎ−ＧａＮ第１コンタクト層２０５が露出する
までエッチングした表面に、例えばＴｉ／Ａｌから成る
ｎ電極２１７が形成され、図５に示すＧａＮ系半導体レ
ーザが作製される。

【０００７】本素子においては、ｎ電極２１７を接地し
ｐ電極２１６に電圧を印加することにより、多重量子井
戸活性層２０９に向かってｐ電極２１６側からホール
が、またｎ電極２１７側から電子が注入され、多重量子
井戸活性層２０９内で光学利得を生じ、レーザ発振を起
こす。活性領域、即ちリッジストライプ２１４は低転位
領域に形成されているので、動作時の特性劣化は極めて
少なく、高い信頼性を有する半導体レーザが実現できる
ものである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記Ｇ
ａＮ系半導体レーザは発振波長が４００ｎｍ付近に限定
され、より短波長、あるいは長波長の発振を得ることは
困耗である。例えば短波長レーザの場合、多重量子井戸
活性層２０９の組成を変更し、バンドギャップをより大
きくすると同時に、ｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層２０
７及びｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層２１２のバンドギ
ャップを大きく、即ちＡＩＮモル分率を引き上げなけれ
ばならない。キャリアの閉じ込めに多重量子井戸活性層
２０９とｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層２０７及びｐ−
ＡｌＧａＮ第２クラッド層２１２との間に、０．４〜
０．５ｅＶのバンドギャップ差が必要だからである。

【０００９】例えば発振波長３６０ｎｍの場合、ｎ−Ａ
ｌＧａＮ第１クラッド層２０７及びｐ−ＡｌＧａＮ第２
クラッド層２１２のＡｌＮモル分率は少なくとも１５％
は必要である。しかし、ｎ−ＧａＮ第１コンタクト層２
０５上にＡｌＮモル分率１５％のｎ−ＡｌＧａＮ第１ク
ラッド層２０７を積層すると、格子不整合に起因するク
ラックが生じ、高品質な結晶が得られない。

【００１０】ｎ−ＧａＮ層２０５をｎ−ＡｌＧａＮに変
更すると、クラックの発生は抑制できるが、ＡｌＧａＮ
は原理的に前述のＥＬＯＧには適用できない。ＡｌＧａ
Ｎの多結晶が絶縁膜ストライプ２０４上に堆積し、横方
向成長を妨げるためである。

【００１１】一方、長波長レーザの場合、多重量子井戸
活性層２０9の組成を変更してバンドギャップをより小
さく、すなわち、ＧａＩｎＮ井戸層のＩｎＮモル分率を
大きくする必要がある。但し、ｎ−ＡｌＧａＮ第1クラ
ッド層２０７及びｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層２１２
のＡｌＮモル分率は低くてもかまわない。しかし、Ｇａ
ＩｎＮ井戸層のＩｎＮモル分率を大きくすると、ＩｎＮ
モル分率の不均一性が生じやすくなり、発光スペクトル
のブロードニング等光学特性の悪化が引き起こされる。

【００１２】ＩｎＮモル分率の不均一性は、ＧａとＩｎ
との原子サイズが大きく異なるために、均一に混ざりに
くくなることから起こる。成長条件によって多少改善は
見られるものの、最も強く影響するのはその下地となる
ｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層２０７やｎ−ＧａＮ第１
光ガイド層２０８との格子不整合の度合いである。

【００１３】下地となる結晶層は、最初に成長される単
結晶層ＧａＮ層２０３に対してコヒーレントに積層され
ている。したがって、成長層面内ではＧａＮの格子定数
とほぼ一致するように歪みながら積層されている。Ｇａ
ＩｎＮ井戸層も同様にコヒーレントに成長するが、Ｉｎ
Ｎモル分率が大きくなると圧縮歪みが増大し、これがＩ
ｎＮモル分率の不均一性を大きくする要因となってい
る。さらに貫通転位もこの不均一性を増大させる傾向が
ある。このため緑色などの長波長領域で発振する高性能
の半導体レーザは実現が困難となっている。

【００１４】本発明は、半導体レーザを構成する半導体
多層構造における格子不整合を回避し、発振波長の自由
度を拡大した半導体レーザを提供することを目的とす
る。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく、
本発明の半導体レーザは、基板上に、バッファ層と、第
１のコンタクト層と、第１のクラッド層と、第１の光ガ
イド層と、活性層と、第２の光ガイド層と、第２のクラ
ッド層と、第２のコンタクト層とがこの順に積層され、
前記第１のコンタクト層は、前記半導体レーザの長手方
向に略平行な凹部を有し、前記第１のコンタクト層と前
記第１のクラッド層との間の少なくとも一部に多結晶状
の中間層を具え、前記第１のクラッド層は前記凹部を埋
設し、前記凹部に起因した段差を消失させるように形成
したことを特徴とする。

【００１６】また、本発明の半導体レーザの製造方法
は、前記第１のコンタクト層に、前記半導体レーザの長
手方向に略平行な凹部を形成し、前記第１のコンタクト
層と前記第１のクラッド層との間の少なくとも一部に多
結晶状の中間層を形成した後に、この中間層上に前記凹
部を埋設し、前記凹部に起因した段差を消失させるよう
にして前記第１のクラッド層を形成するとともに、前記
第１のクラッド層上に、前記第１の光ガイド層、前記活
性層、前記第２の光ガイド層、前記第２のクラッド層、
及び前記第２のコンタクト層を順次形成することを特徴
とする。

【００１７】本発明の半導体レーザ及び半導体レーザの
製造方法によれば、第１のコンタクト層と第１のクラッ
ド層との間の少なくとも一部に多結晶状の中間層を具え
ている。したがって、前記第１のクラッド層は、前記多
結晶状の中間層上において、改めて核生成及び２次元成
長の過程を経て形成される。したがって、前記第１のク
ラッド層はその下の前記第１のコンタクト層に対してコ
ヒーレントな関係を有しない。このため、前記第１のク
ラッド層と前記第１のコンタクト層との間の格子不整合
の問題を回避することができる。また、第１のクラッド
層と第１のコンタクト層との間に歪みが存在しなくなる
ため、前記第１のクラッド層上に形成される活性層中の
歪みも著しく低減される。

【００１８】さらに、本発明の半導体レーザは、その長
手方向において略平行な凹部を有している。このため、
この上に形成される第１のクラッド層は、横方向成長速
度が縦方向成長速度を上回るため、凹部の前記長手方向
における中心線部分を除いて低転位となる。したがっ
て、前記第１のクラッド層上に形成される活性層中の低
位濃度も低減されるため、半導体レーザを構成する半導
体多層構造全体の結晶性も向上する。したがって、本発
明によれば、動作時の特性劣化を生じることなく、短波
長から長波長まで、発振波長の自由度に優れた半導体レ
ーザを提供することができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明を発明の実施の形態
に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の半導体レ
ーザの一例を示す構成図である。図１に示す半導体レー
ザにおいては、サファイア基板１０１上に、ＡｌＮから
なるバッファ層１０２、ｎ−ＧａＮからなる第１のコン
タクト層１０３がそれぞれ厚さ０．０２μｍ及び３μｍ
に順次形成されている。そして、第１のコンタクト層１
０３には、半導体レーザの長手方向と略平行な凹部１０
４が形成されている。凹部１０４は、例えば反応性イオ
ンエッチングにより、深さ１μｍ、幅８μｍに形成す
る。

【００２０】また、第１のコンタクト層１０３上には、
ｎ−ＡｌＧａＮからなる厚さ０．０２μｍの中間層１０
５を介して、ｎ−Ａｌ_０．２Ｇａ_０．８Ｎからなる第１
のクラッド層１０６が、凹部１０４に起因した段差を埋
めるようにして厚さ５μｍに形成されている。凹部１０
４内においては、横方向の成長速度が縦方向の成長速度
よりも大きいために、転位は凹部１０４の前記長手方向
における中心部分に集中する。したがって、その両側に
は、低転位な領域１１２が形成される。

【００２１】また、中間層１０５は多結晶であるため
に、第１のクラッド層１０６は、中間層１０５上におい
て新たな核生成及び２次元成長の過程を経て形成され
る。したがって、第１のクラッド層１０６は、第１のコ
ンタクト層１０３とコヒーレントな関係でなくなるた
め、第１のコンタクト層１０３との格子不整合などの問
題は回避される。

【００２２】第１のクラッド層１０６上には、ｎ−Ａｌ
_０．１Ｇａ_０．９Ｎからなる厚さ０．１μｍの第１の光
ガイド層１０７、Ａｌ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎ／Ａｌ
_０．１Ｇａ_０．９Ｎ多重量子井戸構造の活性層１０８、
ｐ−Ａｌ_０．１Ｇａ_０．９Ｎからなる厚さ０．１μｍの
第２の光ガイド層１０９、ｐ−Ａｌ_０．２Ｇａ_０．８Ｎ
からなる厚さ０．７μｍの第２のクラッド層１１０、及
びＰ^＋−ＧａＮからなる厚さ０．１μｍの第２のコンタ
クト層１１１が順次形成されている。

【００２３】また、第２のクラッド層１１０及び第２の
コンタクト層１１１は、自己形成的に作製された、半導
体レーザの長手方向と略平行なリッジストライプ構造１
１３を呈している。さらに、このリッジストライプ構造
の両側面には、絶縁層１１６が形成されている。そし
て、リッジストライプ構造１１３上には、例えば、Ｎｉ
／Ａｕからなるｐ電極１１４が形成され、例えば反応性
イオンエッチングなどによって露出した第１のコンタク
ト層１０３上に、例えばＴｉ／Ａｌからなるｎ電極１１
５が形成されている。

【００２４】第１のクラッド層１０６上に形成された第
２のクラッド層１１０などは、第１のクラッド層１０６
の低転位を受け継いで極めて低転位に形成される。ま
た、第１のクラッド層１０６は第１のコンタクト層１０
３との格子不整合がないために、格子歪みをほとんど有
しない。さらに、第１のクラッド層１０６上に形成した
上記第２のクラッド層１１０などの格子歪みは、この第
１のクラッド層１０６との格子不整合のみに起因するも
のであるため、比較的小さくなる。

【００２５】このため、図１に示すように、第１のクラ
ッド層１０６及び第２のクラッド層１１０中のＡｌＮモ
ル分率を１５％以上である２０％として、半導体レーザ
の発信波長を短波長化した場合においても、これらクラ
ッド層中に格子歪みに起因したクラックが発生すること
がない。したがって、動作特性が長期に亘って安定した
短波長レーザを提供することができる。

【００２６】図２は、このようにして作製した半導体レ
ーザにおけるフォトルミネッセンス発光の面内分布を示
す図である。図２から明らかなように、活性層１０８の
低転位領域においてストライプ状の紫外発光が確認され
た。

【００２７】なお、多結晶状の中間層１０５は、上記の
ようにＡｌＧａＮから構成する場合、トリメチルガリウ
ム（ＴＭＧ）及びトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）の
原料ガスを用いた有機金属気相成長法により、第１のコ
ンタクト層１０３を含めた基板１０１全体を３００〜７
００℃に加熱することによって形成することができる。

【００２８】また、図１に示すように、中間層１０５か
ら第２のクラッド層１１０までをＡｌＧａＮなどのＡｌ
Ｎを含むIII族窒化物半導体から構成する場合、中間層
１０５におけるＡｌＮのモル分率が第１のクラッド層１
０６及び第２のクラッド層１１０におけるＡｌＮのモル
分率以上であることが好ましい。これによって、第１の
クラッド層及び第２のクラッド層中におけるクラックの
発生をより効果的に防止することができる。

【００２９】さらに、図１に示す半導体レーザにおいて
は、中間層１０５を第１のコンタクト層１０３と第１の
クラッド層１０６との間の全面に形成している。これに
よって、第１のコンタクト層１０３と第１のクラッド層
１０６との格子不整合をより効果的に防止することがで
きる。

【００３０】図３は、本発明の半導体レーザの他の例を
示す構成図である。図３に示す半導体レーザは、第１の
コンタクト層１０３と第１のクラッド層１０６との間に
おいて、凹部を除く第１のコンタクト層１０３の主面上
に形成されている点で、図１に示す半導体レーザと相違
している。

【００３１】ＡｌＮを含むIII族窒化物半導体から短波
長半導体レーザを構成する場合、上述したように、クラ
ッド層中のＡｌＮモル分率を増大させる必要がある。Ａ
ｌＮモル分率の増大は、クラッド層の抵抗率を増大させ
ることになり、その結果、電圧印加によるレーザ発振が
困難になる場合がある。このような場合において、図３
に示すように、中間層１０５を第１のコンタクト１０３
の主面上にのみ形成することによって、中間層を設けた
ことによる抵抗増加分をキャンセルする。これにより、
半導体レーザ全体としての抵抗が減少するため、上記の
ようにして短波長化を図った場合においても、安定した
レーザ発振が可能となる。

【００３２】なお、凹部１０４内に中間層１０５が存在
しないことによって、第１のコンタクト層１０３と第１
のクラッド層１０６との格子不整合は、図１に示す場合
と比較して若干増大する。しかしながら、半導体レーザ
全体に及ぼす影響は極めて小さく、クラッド層中におい
てクラックなどが発生することはない。

【００３３】以上、発明の実施の形態に則して本発明を
説明してきたが、本発明の内容は上記に限定されるもの
ではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいて、あ
らゆる変形や変更が可能である。

【００３４】例えば、図１及び３に示す半導体レーザに
おいては、クラッド層及び活性層などをＡｌＧａＮ３元
混晶から構成しているが、これらの層をＡｌＧａＩｎＮ
などの４元混晶から構成することもできる。

【００３５】具体的には、図１に示す半導体レーザにお
いて、第１のクラッド層１０６をｎ−Ａｌ_０．２Ｇａ
_０．６Ｉｎ_０．２Ｎから構成し、第１の光ガイド層１０
７をｎ−Ａｌ_０．１Ｇａ_０．７Ｉｎ_０．２Ｎから構成
し、第２の光ガイド層１０９をｐ−Ａｌ_０．１Ｇａ
_０．７Ｉｎ_０．２Ｎから構成し、第２のクラッド層１１
０をｐ−Ａｌ_０．２Ｇａ_０．６Ｉｎ_０．２Ｎから構成す
る。また、活性層１０８をＧａ_０．７Ｉｎ_０．３Ｎ／Ａ
ｌ_０．１Ｇａ_０．６Ｉｎ_{０ ．２}Ｎ多重量子井戸構造から
構成し、中間層１０５をＧａＩｎＮから構成する。さら
に、活性層１０８と第２の光ガイド層１０９との間にｐ
−Ａｌ_０．２Ｇａ_{０ ．８}Ｎを設ける。

【００３６】このような場合においても、ＩｎＮモル分
率の不均一性を生じることなく、５２０ｎｍ付近の緑色
の半導体レーザを長期信頼性の下に提供することができ
る。

【００３７】さらに、本発明の製造方法は、発光ダイオ
ードなどの半導体発光素子に対しても用いることができ
る。この場合は、所定の下地層に、前記半導体発光素子
の長手方向と略平行となる凹部を形成し、前記所定の下
地層上の少なくとも一部分に多結晶状の中間層を形成す
る。そして、この中間層上に所定の半導体素子構造を形
成する。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
短波長から長波長まで、発振波長の自由度に優れた半導
体レーザを、動作時の特性劣化を生じることなく、長期
信頼性の下に提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の半導体レーザの一例を示す構成図で
ある。

【図２】 本発明の半導体レーザにおけるフォトルミネ
ッセンス発光の面内分布を示す図である。

【図３】 本発明の半導体レーザの他の例を示す構成図
である。

【図４】 従来の半導体レーザの一例を示す構成図であ
る。

【符号の説明】

１０１、２０１ サファイア基板 １０２、２０２ バッファ層 １０３、２０３ 第１のコンタクト層 １０４ 凹部 １０５ 中間層 １０６ 第１のクラッド層 １０７ 第１の光ガイド層 １０８ 活性層 １０９ 第２の光ガイド層 １１０ 第２のクラッド層 １１１ 第２のコンタクト層 １１２ 低転位領域 １１３ リッジストライプ構造 １１４ ｐ電極 １１５ ｎ電極 １１６ 絶縁層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上山 智 愛知県名古屋市天白区梅が丘４丁目216 −203 (72)発明者 岩谷 素顕 愛知県中島郡祖父江町大牧702 (72)発明者 中村 亮 愛知県名古屋市天白区植田南２−121 メゾンドプリームール402 (56)参考文献 特開2001−77471（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 H01L 33/00 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、バッファ層と、第１のコンタ
   クト層と、第１のクラッド層と、第１の光ガイド層と、
   活性層と、第２の光ガイド層と、第２のクラッド層と、
   第２のコンタクト層とがこの順に積層されてなる半導体
   レーザであって、 前記第１のコンタクト層は、前記半導体レーザの長手方
   向に略平行な凹部を有し、前記第１のコンタクト層と前
   記第１のクラッド層との間の少なくとも一部に多結晶状
   の中間層を具え、 前記第１のクラッド層は前記凹部を埋設し、前記凹部に
   起因した段差を消失させるように形成したことを特徴と
   する、半導体レーザ。
2. 【請求項２】 前記中間層は、前記凹部を含む前記第１
   のコンタクト層と前記第１のクラッド層との間の全面に
   形成したことを特徴とする、請求項１に記載の半導体レ
   ーザ。
3. 【請求項３】 前記中間層は、前記第１のコンタクト層
   と前記第１のクラッド層との間の前記凹部を除く部分に
   形成したことを特徴とする、請求項１に記載の半導体レ
   ーザ。
4. 【請求項４】 前記中間層、前記第１のクラッド層、前
   記第１の光ガイド層、前記活性層、前記第２の光ガイド
   層、及び前記第２のクラッド層は、ＡｌＮを含むIII族
   窒化物半導体からなり、前記中間層におけるＡｌＮモル
   分率が前記第１のクラッド層及び前記第２のクラッド層
   におけるＡｌＮモル分率以上であることを特徴とする、
   請求項１〜３のいずれか一に記載の半導体レーザ。
5. 【請求項５】 前記半導体レーザは、前記第２のクラッ
   ド層及び前記第２のコンタクト層が、前記半導体レーザ
   の長手方向に略平行なリッジストライプ構造を呈すると
   ともに、このリッジストライプ構造の両側面に絶縁層を
   有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一に
   記載の半導体レーザ。
6. 【請求項６】 基板上に、バッファ層と、第１のコンタ
   クト層と、第１のクラッド層と、第１の光ガイド層と、
   活性層と、第２の光ガイド層と、第２のクラッド層と、
   第２のコンタクト層とがこの順に積層されてなる半導体
   レーザの製造方法であって、 前記第１のコンタクト層に、前記半導体レーザの長手方
   向に略平行な凹部を形成し、前記第１のコンタクト層と
   前記第１のクラッド層との間の少なくとも一部に多結晶
   状の中間層を形成した後に、この中間層上に前記凹部を
   埋設し、前記凹部に起因した段差を消失させるようにし
   て前記第１のクラッド層を形成するとともに、前記第１
   のクラッド層上に、前記第１の光ガイド層、前記活性
   層、前記第２の光ガイド層、前記第２のクラッド層、及
   び前記第２のコンタクト層を順次形成することを特徴と
   する、半導体レーザの製造方法。
7. 【請求項７】 前記中間層は、前記凹部を含む前記第１
   のコンタクト層と前記第１のクラッド層との間の全面に
   形成することを特徴とする、請求項６に記載の半導体レ
   ーザの製造方法。
8. 【請求項８】 前記中間層は、前記第１のコンタクト層
   と前記第１のクラッド層との間の前記凹部を除く部分に
   形成することを特徴とする、請求項６に記載の半導体レ
   ーザの製造方法。
9. 【請求項９】 前記中間層、前記第１のクラッド層、前
   記第１の光ガイド層、前記活性層、前記第２の光ガイド
   層、及び前記第２のクラッド層は、ＡｌＮを含むIII族
   窒化物半導体からなり、前記中間層におけるＡｌＮモル
   分率が前記第１のクラッド層及び前記第２のクラッド層
   におけるＡｌＮモル分率以上であることを特徴とする、
   請求項６〜８のいずれか一に記載の半導体レーザの製造
   方法。
10. 【請求項１０】 前記第２のクラッド層及び前記第２の
    コンタクト層を、前記半導体レーザの長手方向に略平行
    なリッジストライプ構造に形成するとともに、このリッ
    ジストライプ構造の両側面に絶縁層を形成することを特
    徴とする、請求項６〜９のいずれか一に記載の半導体レ
    ーザの製造方法。
11. 【請求項１１】 半導体発光素子の製造方法であって、 所定の下地層に、前記半導体発光素子の長手方向に略平
    行な凹部を形成し、前記所定の下地層上の少なくとも一
    部分に多結晶状の中間層を形成した後に、この中間層上
    において、前記凹部を埋設し、前記凹部に起因した段差
    を埋設するようにして所定の半導体多層素子構造を形成
    することを特徴とする、半導体発光素子の製造方法。